JP5477229B2 - 半導体単結晶の製造装置及び製造方法 - Google Patents
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Description
例えば、特許文献1には、ルツボの下方に配置する断熱板の積層枚数を変化させることにより単結晶中に取り込まれる酸素濃度を制御する単結晶引き上げ方法が開示されている。
このように保温筒下部の肉厚を保温筒上部の肉厚の30〜70%とすれば、より効果的に、加熱ヒータ底部からの輻射を遮り、育成炉本体底部への熱エネルギーの流出を防ぐことができる。
このように断熱板をルツボとともに断熱板昇降機構により上昇駆動されるものとすれば、ルツボの位置によらずルツボ周囲を効率良く保温する状態を常に維持することができる。その結果、単結晶育成工程の全体にわたって、ルツボ周囲の温度分布を適切に維持することが可能となる。
さらにこの場合、前記加熱ヒータと前記断熱板とが共通ベースを介して一体化され、前記ヒータ昇降機構を兼ねる前記断熱板昇降機構は前記共通ベースを昇降駆動するものであるものとすることもできる。これにより、一層簡略な構成を実現できる。
なお、保温筒21は炭素繊維製の本体部を有することが望ましい。
この実施形態では、断熱板22と加熱ヒータ12とを、一体化した昇降機構51により共通ベース(共通の昇降ベース)52を介して駆動するようにしている。断熱板22は酸化アルミニウムや石英ガラス等の絶縁体からなる断熱板支持絶縁体53により支持されており、これにより、加熱ヒータ12への供給電流が断熱板22側へ流れないようにされている。その他の構成は図1に示した半導体単結晶の製造装置の実施形態と同様である。
本発明の効果を確認するために以下の実験を行った。
(1)単結晶の育成条件
図2に示す本発明の半導体単結晶の製造装置を用いて、以下の条件にて直径200mmのシリコン単結晶の育成を行った。
a)原料:多結晶シリコン200kgを口径650mmの石英製ルツボ11aに充填した。
b)育成結晶:直径200mmとした。種結晶14は、結晶軸方向の方位が<100>のものを使用した。
c)断熱板22の厚みが80mmのものを使用した。断熱板22の外径は表1に記載の実施例1及び実施例2の条件とした。
d)加熱ヒータ12:スリット重なり区間の長さが200mmのものを使用した。
e)保温筒21の上部肉厚は90mmのものを使用した。保温筒上部の内径と保温筒下部の内径は、それぞれ、表1に記載の実施例1及び実施例2の条件とした。
f)4000Gの水平磁場を印加して単結晶を育成した。
これらの条件により断熱板22及び加熱ヒータ12を、ルツボ11aの移動に合わせ移動させながら、繰り返し単結晶製造を行った。
図3に示した半導体単結晶の製造装置を用いて、表1中に併記した条件以外は実施例1、2と略同じ条件で、直径200mmのシリコン単結晶を引き上げた。図3に示した半導体単結晶の製造装置は、図2に示す製造装置から、断熱板と保温筒を嵌め合い配置とならないもの(断熱板72及び保温筒71)に交換したものである。保温筒71に段差はなく、その内径及び断熱板72の外径は、上記表1中に記載の比較例1の条件とした。
図4に示した半導体単結晶の製造装置を用いて、表1中に併記した条件以外は実施例1、2と略同じ条件で、直径200mmのシリコン単結晶を引き上げた。図4に示した半導体単結晶の製造装置は、図2に示す製造装置から、保温筒81に段差を有するが、断熱板82の外形が保温筒81の上部の内径より小さく、保温筒81と断熱板82で重なりができないものに交換したものである。保温筒81の内径及び断熱板82の外径は、上記表1中に記載の比較例2の条件とした。
13…原料融液、 14…種結晶、 15…引上軸、 15a…種結晶ホルダー、
16…ルツボ支持軸、 17…半導体単結晶、
19a…育成炉本体、 19b…上部育成炉、 20…ルツボ回転昇降機構、
21、71、81…保温筒、
21a…段差部、 21b…保温筒下部、 21c…保温筒上部、
22、72、82…断熱板、 23…底部断熱材、
31…ヒータ昇降機構、 32…ヒータ昇降ベース、
41…断熱板昇降機構、 42…断熱板昇降ベース、
51…一体昇降機構、 52…共通ベース、53…断熱板支持絶縁体。
Claims (6)
- 育成炉本体の内部に、少なくとも、ルツボと、該ルツボの周囲に配置された加熱ヒータとを具備し、前記加熱ヒータにより前記ルツボ内に収容した原料融液を加熱しつつ、該原料融液からチョクラルスキー法により半導体単結晶を引き上げて育成する半導体単結晶の製造装置であって、
前記育成炉本体内の前記加熱ヒータの周囲に保温筒が配置されており、該保温筒は内側面に上部と下部とを分ける段差部を有し、前記下部の内径が前記上部の内径よりも大きいものであり、
前記育成炉本体内において前記加熱ヒータの下方かつ前記保温筒の下部の内側に断熱板が配置されており、該断熱板の外径が、前記保温筒の上部の内径よりも大きく、かつ前記保温筒の下部の内径よりも小さいものであることを特徴とする半導体単結晶の製造装置。 - 前記保温筒は、前記下部の肉厚が前記上部の肉厚の30〜70%であることを特徴とする請求項1に記載の半導体単結晶の製造装置。
- 前記断熱板は、前記ルツボとともに断熱板昇降機構により上昇駆動されるものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載に記載の半導体単結晶の製造装置。
- 前記加熱ヒータはヒータ昇降機構により昇降駆動が可能であり、前記ヒータ昇降機構が前記断熱板昇降機構に兼用されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体単結晶の製造装置。
- 前記加熱ヒータと前記断熱板とが共通ベースを介して一体化され、前記ヒータ昇降機構を兼ねる前記断熱板昇降機構は前記共通ベースを昇降駆動するものであることを特徴とする請求項4に記載の半導体単結晶の製造装置。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の半導体単結晶の製造装置を用いて、前記育成炉本体内において、前記加熱ヒータにより前記ルツボ内に収容した原料融液を加熱しつつ、該原料融液からチョクラルスキー法により半導体単結晶を引き上げて育成することにより半導体単結晶を製造することを特徴とする半導体単結晶の製造方法。
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