JP5475642B2 - 研磨材用酸化セリウム粉末及びこれを含むcmpスラリー - Google Patents
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Description
(a)ランタナイト-(Ce)結晶構造の炭酸セリウム、斜方晶系結晶構造の炭酸セリウム、及び六方晶系結晶構造の炭酸セリウムからなる群から選択される酸化セリウムを2種以上含む炭酸セリウム粉末を焼成すること;または
(b)ランタナイト-(Ce)結晶構造の炭酸セリウムを焼成して製造した酸化セリウム、斜方晶系結晶構造の炭酸セリウムを焼成して製造した酸化セリウム、及び六方晶系結晶構造の炭酸セリウムを焼成して製造した酸化セリウムからなる群から選択される酸化セリウムを2種以上混合すること
によって製造することができる。
1)ランタナイト-(Ce)結晶構造の炭酸セリウムは、Ce2(CO3)3・8H2Oで表される炭酸セリウム化合物であって、沈澱反応において、セリウムの濃度が0.01M〜2.2Mであるセリウム前駆体水溶液を用い、0℃〜30℃の範囲の沈澱反応温度で製造することができる。
2)斜方晶系結晶構造の炭酸セリウムは、Ce2O(CO3)2・H2Oで表される炭酸セリウム化合物であって、沈澱反応において、下記化学式1:
3) 六方晶系結晶構造の炭酸セリウムは、Ce(OH)CO3で表される炭酸セリウム化合物であって、沈澱反応において、下記化学式2:
また、本発明は、半導体製造において、ウェハーの平坦性を向上させることにより、装置の信頼性及び生産性を向上させることができ、さらに、超小型半導体素子の集積度を一層向上させることができる端緒を提供できる。
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。但し、これらの実施例は、本発明を例示するためのもので、これらに限定されるものではない。
蒸溜水に1.9Mの濃度で硝酸セリウムを溶解させた溶液と、蒸溜水に炭酸アンモニウムを2Mの濃度で溶解させた溶液とを製造した後、前記両溶液を混合して30℃で12時間沈澱反応を行なわせた。
得られた炭酸セリウムのXRD分析結果及びSEM分析結果を、図2及び図4にそれぞれ示す。これにより、ランタナイト-(Ce)結晶構造の炭酸セリウムが製造したことが確認された。
この炭酸セリウムを850℃で2時間熱処理して酸化セリウムを製造した。これをXRDを用いて分析した。その結果を図3に示した。これにより、炭酸セリウムが酸化セリウムに転換されることが確認された。
1.9M濃度の硝酸セリウム溶液及び2M濃度の炭酸アンモニウム溶液の代りに、0.05M濃度の硝酸セリウム溶液及び0.05M濃度の炭酸アンモニウム溶液を用いた以外は、実施例1と同様の方法によって、ランタナイト-(Ce)結晶構造の炭酸セリウム、及び酸化セリウムを製造した。
得られた炭酸セリウムのSEM分析結果を、図5に示した。
1.9M濃度の硝酸セリウム溶液及び2M濃度の炭酸アンモニウム溶液の代りに、2.2M濃度の硝酸セリウム溶液及び2.2M濃度の炭酸アンモニウム溶液を用いた以外は、実施例1と同様の方法によって、ランタナイト-(Ce)結晶構造の炭酸セリウム、及び酸化セリウムを製造した。
1.9M濃度の硝酸セリウム溶液及び2M濃度の炭酸アンモニウム溶液の代りに、0.08M濃度の硝酸セリウム溶液及び0.08M濃度の炭酸アンモニウム溶液を用いた以外は、実施例1と同様の方法によって、ランタナイト-(Ce)結晶構造の炭酸セリウム、及び酸化セリウムを製造した。
30℃の代りに90℃で沈澱反応を実施して斜方晶系結晶構造の炭酸セリウムを製造した以外は、実施例1と同様の方法によって、炭酸セリウム、及び酸化セリウムを製造した。
得られた炭酸セリウムのSEM分析結果を、図6に示した。
1.9M濃度の硝酸セリウム溶液及び2M濃度の炭酸アンモニウム溶液の代りに、2.2M濃度の硝酸セリウム溶液及び2.2M濃度の炭酸アンモニウム溶液を用い、30℃の代りに80℃で沈澱反応を実施して斜方晶系結晶構造の炭酸セリウムを製造した以外は、実施例1と同様の方法によって、炭酸セリウム、及び酸化セリウムを製造した。
1.9M濃度の硝酸セリウム溶液及び2M濃度の炭酸アンモニウム溶液の代りに、0.05M濃度の硝酸セリウム溶液及び0.05M濃度の炭酸アンモニウム溶液を用い、30℃の代りに90℃で沈澱反応を実施して六方晶系結晶構造の炭酸セリウムを製造した以外は、実施例1と同様の方法によって、炭酸セリウム、及び酸化セリウムを製造した。
得られた炭酸セリウムのSEM分析結果を、図7に示した。
1.9M濃度の硝酸セリウム溶液及び2M濃度の炭酸アンモニウム溶液の代りに、0.08M濃度の硝酸セリウム溶液及び0.08M濃度の炭酸アンモニウム溶液を用い、30℃の代りに90℃で沈澱反応を実施して六方晶系結晶構造の炭酸セリウムを製造した以外は、実施例1と同様の方法によって、炭酸セリウム、及び酸化セリウムを製造した。
[実施例9]
実施例1で製造した酸化セリウム:実施例5で製造した酸化セリウム=4:1の重量比の研磨材用酸化セリウム粉末を製造し、この研磨材用酸化セリウム粉末0.5kg、ポリアクリル酸分散剤(Aldrich)25g、及び純水5Lを混合して、酸化セリウム分散液を製造した。製造したこの酸化セリウム分散液をアンモニア水を用いてpH7.0に滴定した後、ボールミルを用いて分散安全定向上及び粒度調節の工程を実施した。ここでは、1mmサイズのジルコニアビーズ(zirconia beads)100gを用い、250rpmで2時間ボールミルを行った。
実施例9の研磨材用酸化セリウム粉末の代りに、実施例1で製造した酸化セリウム:実施例7で製造した酸化セリウム=1:4の重量比の研磨材用酸化セリウム粉末を用いた以外は、実施例9と同様の方法によって、CMPスラリーを製造した。
実施例9の研磨材用酸化セリウム粉末の代りに、実施例5で製造した酸化セリウム:実施例7で製造した酸化セリウム=1:9の重量比の研磨材用酸化セリウム粉末を用いた以外は、実施例9と同様の方法によって、CMPスラリーを製造した。
研磨材として実施例9の研磨材用酸化セリウム粉末の代りに、実施例1で製造した酸化セリウムを単独で用いた以外は、実施例9と同様の方法によって、CMPスラリーを製造した。
研磨材として実施例9の研磨材用酸化セリウム粉末の代りに、実施例2で製造した酸化セリウムを単独で用いた以外は、実施例9と同様の方法によって、CMPスラリーを製造した。
研磨材として実施例9の研磨材用酸化セリウム粉末の代りに、実施例5で製造した酸化セリウムを単独に用いた以外は、実施例9と同様の方法によって、CMPスラリーを製造した。
研磨材として実施例9の研磨材用酸化セリウム粉末の代りに、実施例7で製造した酸化セリウムを単独に用いた以外は、実施例9と同様の方法によって、CMPスラリーを製造した。
実施例9〜実施例11及び比較例1〜比較例4で製造したCMPスラリーを用いて、下記条件で1分間研磨した後、基板を洗浄して研磨により発生した厚さ変化を測定し、研磨性能を評価した。結果を下記表1に示す。
[研磨条件]
研磨装備:GNP POLY 400(GNP Technology)
パッド:ポリウレタン系列
プラテン速度:90rpm
キャリア速度:90rpm
圧力:4psi
スラリー流速:100ml/min
[研磨対象]
PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)により、SiO2膜が7000Å蒸着された酸化ケイ素(SiO2)ウェハー
LPCVD(Low pressure chemical vapor deposition)により、SiNが1500Å蒸着された窒化ケイ素(SiN)ウェハー
[評価]
研磨前後の厚さの変化を、光学厚さ測定装置であるNanospec 6100(Nanometrics社)を用いて測定した。
面内均一性(Delta WIWNU:Within Wafer Non-Uniformity)を、標準偏差(Standard deviation Uniformity:ASTM)によって算出した。
なお、本発明の詳細な説明では具体的な実施形態について説明したが、本発明の要旨から逸脱しない範囲内で多様に変形・実施が可能である。よって、本発明の範囲は、前述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載及びこれと均等なものに基づいて定められるべきである。
Claims (10)
- (i)ランタナイト-(Ce)結晶構造の炭酸セリウムを原料として製造した酸化セリウム;及び(ii)六方晶系結晶構造の炭酸セリウムを原料として製造した酸化セリウムを研磨剤として含み、
前記(ii)の六方晶系結晶構造の炭酸セリウムを原料として製造した酸化セリウムの含量が、研磨材用酸化セリウム粉末100重量部に対し、50重量部以上100重量部未満であることを特徴とする、CMPスラリー。 - 研磨材、分散剤、及び水を含むCMPスラリーであって、研磨材用酸化セリウム粉末が、前記スラリー100重量部当り0.5〜50重量部であり;分散剤が、前記研磨材用酸化セリウム粉末100重量部当り0.5〜10重量部であることを特徴とする、請求項1に記載のCMPスラリー。
- (i)ランタナイト-(Ce)結晶構造の炭酸セリウムを原料として製造した酸化セリウム;及び(ii)六方晶系結晶構造の炭酸セリウムを原料として製造した酸化セリウムを含み、
前記(ii)の六方晶系結晶構造の炭酸セリウムを原料として製造した酸化セリウムの含量が、研磨材用酸化セリウム粉末100重量部に対し、50重量部以上100重量部未満であることを特徴とする、研磨材用酸化セリウム粉末。 - 前記研磨材用酸化セリウム粉末が、
(a)ランタナイト-(Ce)結晶構造の炭酸セリウム、及び六方晶系結晶構造の炭酸セリウムを含む炭酸セリウム粉末を焼成すること、または
(b)ランタナイト-(Ce)結晶構造の炭酸セリウムを焼成して製造した酸化セリウム、及び六方晶系結晶構造の炭酸セリウムを焼成して製造した酸化セリウムを混合すること
によって製造されたものであることを特徴とする、請求項3に記載の酸化セリウム粉末。 - 前記焼成が、400〜1200℃の範囲で行われることを特徴とする、請求項4に記載の酸化セリウム粉末。
- 請求項1又は請求項2に記載のCMPスラリーを用いることを特徴とする、シャロートレンチアイソレーション(STI)方法。
- CMPスラリーの研磨材として、(i)ランタナイト-(Ce)結晶構造の炭酸セリウムを原料として製造した酸化セリウム;及び(ii)六方晶系結晶構造の炭酸セリウムを原料として製造した酸化セリウムを用いることによって、酸化ケイ素膜の研磨速度、酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜間の研磨選択比、並びに面内均一性(WIWNU)からなる群から選択される研磨特性の少なくとも1つを調節する方法。
- 請求項1に記載のCMPスラリーを用いて、酸化ケイ素膜の研磨速度、窒化ケイ素膜の研磨速度、酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜間の研磨選択比、並びに面内均一性からなる群から選択される研磨特性を少なくとも1つ調節する方法。
- 前記研磨材のうち、ランタナイト-(Ce)結晶構造の炭酸セリウムを原料として製造した酸化セリウムの含量を増加させて、酸化ケイ素膜の研磨速度を増加させることを特徴とする、請求項7に記載の研磨特性調節方法。
- 前記研磨材中の、六方晶系結晶構造の炭酸セリウムを原料として製造した酸化セリウムの含量を増加させて、酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜間の研磨選択比および/または面内均一性(WIWNU)を高めることを特徴とする、請求項7に記載の研磨特性調節方法。
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