JP5727824B2 - 固体撮像素子および固体撮像素子の駆動方法、電子情報機器 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態1における固体撮像素子の転送構成例を模式的に示す平面図である。
図5は、本発明の実施形態2として、本発明の実施形態1の固体撮像素子1を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
2 オプティカルブラック部の垂直転送ゲート
13A〜13C、14A〜14C、15 加算部の垂直転送ゲート
H1、H2 水平転送ゲート
φH 水平転送クロック
V13A〜V13C、V14A〜V14C、V15 垂直転送クロック
M ミドル電位(中間電位)
L ロー電位(低電位)
H ハイレベル電位
Claims (11)
- 垂直レジスタから水平レジスタへの電荷転送の読み出しを複数回に分けて周期的に行う画素加算方法が水平分割方式の固体撮像素子において、
該水平レジスタの水平転送ゲートに隣接する該垂直レジスタの垂直転送ゲートの垂直転送クロックがミドル電位で且つ該水平転送ゲートから2番目に近い垂直転送ゲートの垂直転送クロックがロー電位のときの待機時間を通常画素部の垂直転送クロックの切り替わり時間よりも長く構成しており、
該待機時間は、該通常画素部の垂直転送クロックの切り替わり時間の3倍〜5倍長く維持する固体撮像素子。 - 前記待機時間は、1フィールド時間を各処理時間で均等割りした期間よりも長く、該1フィールド時間全体が長くならないように設定可能な期間である請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記待機時間は、信号電荷が完全に転送し終わる期間である請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記待機時間は、前記水平転送ゲートから2番目に近い垂直転送ゲートの電位をロー電位にし、当該垂直転送ゲートの信号電荷を前記ミドル電位の垂直転送ゲートに電荷転送する期間である請求項1〜3のいずれかに記載の固体撮像素子。
- 前記水平転送ゲートへの水平転送クロックをハイレベル電位の+3Vにし、該水平転送ゲートに最も近い垂直転送ゲートへの垂直転送クロックをミドル電位の0Vにし、該水平転送ゲートに対して2番目に近い垂直転送ゲートの垂直転送クロックをロー電位の−7Vにする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記ミドル電位の0Vを+電圧側に増加しかつ前記+3Vよりも低い電圧にする請求項5に記載の固体撮像素子。
- 前記垂直転送ゲート毎に、電荷転送方向に高濃度とする複数種類の不純物濃度領域を形成し、信号電荷がスムーズに転送されるように該垂直転送ゲート下のポテンシャルに傾斜を付けている請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記水平分割方式は、前記垂直レジスタから前記水平レジスタへの電荷転送の読み出しを2回〜5回のうちのいずれかに分けて周期的に行う水平2〜5分割方式である請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記水平転送ゲートから3番目に近いn(nは複数)列周期のn個の垂直転送ゲートにそれぞれ列方向先頭の各信号電荷が一端保持され、該水平転送ゲートから2番目に近いn列周期のn個の垂直転送ゲートを順次選択することによって、該水平転送ゲートから最も近い一つの垂直転送ゲートに信号電荷を順次読み出させるようになっている請求項1に記載の固体撮像素子。
- 垂直レジスタから水平レジスタへの電荷転送の読み出しを複数回に分けて周期的に行う画素加算方法として水平分割方式を有する固体撮像素子の駆動方法において、
該水平レジスタの水平転送ゲートに隣接する該垂直レジスタの垂直転送ゲートの垂直転送クロックがミドル電位で且つ該水平転送ゲートから2番目に近い垂直転送ゲートの垂直転送クロックがロー電位のときの待機時間を通常画素部の垂直転送クロックの切り替わり時間よりも長くし、該待機時間は、該通常画素部の垂直転送クロックの切り替わり時間の3倍〜5倍長く維持する固体撮像素子の駆動方法。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器。
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