JP5461799B2 - 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置におけるdacアンプユニットの診断方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置におけるdacアンプユニットの診断方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5461799B2 JP5461799B2 JP2008196055A JP2008196055A JP5461799B2 JP 5461799 B2 JP5461799 B2 JP 5461799B2 JP 2008196055 A JP2008196055 A JP 2008196055A JP 2008196055 A JP2008196055 A JP 2008196055A JP 5461799 B2 JP5461799 B2 JP 5461799B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- digital data
- digital
- amplifier unit
- unit
- dac amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 claims description 64
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 45
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 41
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 25
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000002405 diagnostic procedure Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/1504—Associated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
220 成形偏向制御回路
230 位置偏向制御回路
231 メンテナンスメモリ
222,232(232a〜232h) DACアンプユニット
233 デジタル部
234 DAC
235 アナログ部
238 メンテナンスメモリ
Claims (5)
- 荷電粒子ビーム描画装置の偏向制御回路からDACアンプユニットに回路診断用の第1デジタルデータを製品レチクルの描画速度と同等の速度で送信すると共に記憶し、前記第1デジタルデータに対応して前記DACアンプユニットのデジタル部から出力される第2デジタルデータを記憶し、記憶された前記第1デジタルデータと前記第2デジタルデータとを読み出し、読み出した前記第1デジタルデータと前記第2デジタルデータとをビット毎に比較することで、前記デジタル部の診断を行うことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置におけるDACアンプユニットの診断方法。
- 前記第1デジタルデータと前記第2デジタルデータとが一致しない場合には、不一致のビットの情報を診断結果として出力することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置におけるDACアンプユニットの診断方法。
- 前記第1デジタルデータは、複数のビットが同時に反転することを繰り返すように生成されたデータであることを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置におけるDACアンプユニットの診断方法。
- 製品レチクルの描画前と描画後の少なくとも何れか一方で前記デジタル部の診断を行うことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項記載の荷電粒子ビーム描画装置におけるDACアンプユニットの診断方法。
- 偏向器を制御するためのデジタルデータを送信し、送信したデジタルデータを内部の第1メンテナンスメモリに記憶する偏向制御回路と、
前記偏向制御回路から受信したデジタルデータをDACに出力するデジタル部、前記DACによりDA変換されたアナログデータを増幅するアナログ部、および、前記デジタル部から出力されるデジタルデータを記憶する第2メンテナンスメモリを有するDACアンプユニットと、
前記デジタル部の診断を行う診断手段とを備え、
前記診断手段は、前記偏向制御回路から前記DACアンプユニットに回路診断用の第1デジタルデータを製品レチクルの描画速度と同等の速度で送信させると共に前記第1デジタルデータを第1メンテナンスメモリに記憶させ、前記第1デジタルデータに対応して前記デジタル部から出力される第2デジタルデータを前記第2メンテナンスメモリに記憶させ、前記第1メンテナンスメモリに記憶された第1デジタルデータと前記第2メンテナンスメモリに記憶された第2デジタルデータとを読み出し、読み出した前記第1デジタルデータと前記第2デジタルデータとをビット毎に比較することで前記デジタル部の診断を行うことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008196055A JP5461799B2 (ja) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置におけるdacアンプユニットの診断方法 |
US12/507,385 US8290743B2 (en) | 2008-07-30 | 2009-07-22 | Charged particle beam writing apparatus and method for diagnosing DAC amplifier unit in charged particle beam writing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008196055A JP5461799B2 (ja) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置におけるdacアンプユニットの診断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010034378A JP2010034378A (ja) | 2010-02-12 |
JP5461799B2 true JP5461799B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=41609230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008196055A Active JP5461799B2 (ja) | 2008-07-30 | 2008-07-30 | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置におけるdacアンプユニットの診断方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8290743B2 (ja) |
JP (1) | JP5461799B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5095364B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2012-12-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム |
JP5634052B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2014-12-03 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置およびデバイス製造方法 |
CN102803281B (zh) * | 2009-05-28 | 2015-08-19 | 丽格诺创新有限公司 | 来自软木原料的天然木素的衍生物 |
JP5693981B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2015-04-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5797454B2 (ja) * | 2011-05-20 | 2015-10-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5819140B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2015-11-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及びdacアンプの評価方法 |
WO2022145194A1 (ja) * | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5792832A (en) * | 1980-12-01 | 1982-06-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Data process system of electron beam exposing device |
US4758781A (en) * | 1985-12-06 | 1988-07-19 | Hitachi, Ltd. | DA converter testing system |
US5830612A (en) * | 1996-01-24 | 1998-11-03 | Fujitsu Limited | Method of detecting a deficiency in a charged-particle-beam exposure mask |
JPH10242027A (ja) * | 1997-02-27 | 1998-09-11 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画における演算処理機能のチェック方法 |
US5909186A (en) * | 1997-07-01 | 1999-06-01 | Vlsi Technology Gmbh | Methods and apparatus for testing analog-to-digital and digital-to-analog device using digital testers |
JP2970640B2 (ja) * | 1998-02-16 | 1999-11-02 | 株式会社日立製作所 | ディジタル・アナログ変換装置およびそれを用いた荷電粒子ビーム装置 |
TWI323004B (en) * | 2005-12-15 | 2010-04-01 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam writing method and apparatus |
JP5007063B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-08-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム装置、da変換装置の異常検出方法、荷電粒子ビーム描画方法及びマスク |
JP4881074B2 (ja) | 2006-05-30 | 2012-02-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電ビーム描画装置の描画回路自己診断方法および荷電ビーム描画装置 |
-
2008
- 2008-07-30 JP JP2008196055A patent/JP5461799B2/ja active Active
-
2009
- 2009-07-22 US US12/507,385 patent/US8290743B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100030522A1 (en) | 2010-02-04 |
JP2010034378A (ja) | 2010-02-12 |
US8290743B2 (en) | 2012-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5461799B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置におけるdacアンプユニットの診断方法 | |
US10281415B2 (en) | Pattern inspection method and pattern inspection apparatus | |
JP5007063B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置、da変換装置の異常検出方法、荷電粒子ビーム描画方法及びマスク | |
US9275824B2 (en) | Multi charged particle beam writing method, and multi charged particle beam writing apparatus | |
US8658985B2 (en) | Drawing apparatus and method of manufacturing article | |
US9805905B2 (en) | Blanking device for multi-beam of charged particle writing apparatus using multi-beam of charged particle and defective beam blocking method for multi-beam of charged particle | |
JP2012109477A (ja) | 電子ビーム描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法 | |
JP2010098294A (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
JP2017216392A (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
JP2017198588A (ja) | パターン検査装置 | |
KR20200063982A (ko) | 전자 빔 화상 취득 장치 및 전자 빔 화상 취득 방법 | |
US11605523B2 (en) | Aberration corrector and multiple electron beam irradiation apparatus | |
US11145489B2 (en) | Multi-charged-particle beam writing apparatus and multi-charged-particle beam writing method | |
JP4220209B2 (ja) | 電子ビーム露光装置、偏向装置、及び電子ビーム露光方法 | |
JP2011023126A (ja) | 荷電粒子線照射装置、描画装置、分析顕微鏡、荷電粒子線出射装置および荷電粒子線用のレンズ装置 | |
US9147553B2 (en) | Method for acquiring settling time | |
JPH07142330A (ja) | 電子ビーム露光装置及び方法 | |
US7391023B2 (en) | Lithography tool image quality evaluating and correcting | |
JPH11186144A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
JP5243899B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5451555B2 (ja) | Dacアンプ診断装置、荷電粒子ビーム描画装置及びdacアンプ診断方法 | |
JP4528589B2 (ja) | マスク検査装置、マスク検査方法及び電子ビーム露光装置 | |
US20230282440A1 (en) | Aperture patterns for defining multi-beams | |
US11756766B2 (en) | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method | |
KR102535162B1 (ko) | 다중 하전 입자 빔으로 샘플을 검사하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110517 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130509 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5461799 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |