JP5455955B2 - リング光変調器 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 704
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 87
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 68
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 68
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 68
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 55
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 55
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 282
- 239000010408 film Substances 0.000 description 80
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 description 34
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 30
- 230000004044 response Effects 0.000 description 29
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 20
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 14
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 6
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 for example Substances 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
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- G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
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Description
(ii−a)二つの半導体層の間に薄い絶縁膜を挟んだキャパシタ型。
(ii−b)pnダイオード構造の光導波路に逆方向電圧を印加して空乏化させるもの。
(ii−c)pinダイオード構造の光導波路に順方向電流を流してキャリア注入するもの。
第1の実施形態について、以下、図面を用いて説明する。
(1)ITU−Tで規定されたアイマスクをはみ出さないこと。
(2)アイの平均“1”(Mark)レベルと平均“0”(Space)レベルの比が10:1以上とれること。
(3)ビット誤り率10−11以下で受信できること。
第1の実施形態では、p+領域やn+領域と光導波路のメサ部の距離を変数として共振器の周回損失を制御することで、式(2)から式(8)の条件を満たしていたが、周回損失を制御する手法はこれに限るものではない。
周回損失を制御する手法は上述した実施形態に限るものではない。第3の実施形態では、リング共振器の閉ループ光導波路をアサーマル化することで周回損失を制御する。
周回損失を制御する手法は上述した実施形態に限るものではない。第4の実施形態では、マイクロヒーターで温度制御を行うことで、共振波長の微調整を行う構成について説明する。リング共振器は共振波長が温度に極めて敏感である点は上述した通りである。そこで、第4の実施形態では、あえてマイクロヒーターを光導波路の近傍に配置することで温度制御を行う。以下、特に説明しない点は、第1の実施形態と同様である。
上述した各実施形態では、SOI基板の単結晶Si層を用いて光導波路を構成したが、これに限るものではない。第5の実施形態では、ポリシリコン層を光導波路の一部に含めることで共振器の周回損失を調整する構成について説明する。以下、特に説明しない点は、第1の実施形態と同様である。
上述した各実施形態では、リング共振器と1つの入出力光導波路110を備えていたが、これに限るものではない。第6の実施形態では、複数の入出力光導波路をリング共振器に結合させる構成について説明する。以下、特に説明しない点は、第1の実施形態と同様である。
Claims (12)
- 電流注入手段を備えたp−i−nダイオード構造の閉ループ光導波路を有するリング共振器と、
一部が前記閉ループ光導波路の一部の近傍に位置するように配置された入出力光導波路と、
を備え、
互いに近傍に位置する前記閉ループ光導波路の一部と前記入出力光導波路の一部とが、前記リング共振器と前記入出力光導波路とを光学的に結合する光カプラとして機能し、前記リング共振器に注入する電流を変化させて閉ループ光導波路内のキャリア密度と実効屈折率を介して所定の共振波長λrを変化させることにより前記入出力光導波路の一端から入力された共振波長λrおよび前記共振波長λrから所定の範囲内の波長の光の強度を変調するリング光変調器であって、
前記リング共振器を構成する閉ループ光導波路の共振波長λrにおける群屈折率をng、前記閉ループ光導波路の周長をl[μm]、前記閉ループ光導波路のうち前記光カプラとして機能する前記リング共振器の一部を除く残りの部分の導波路長をl’[μm]とするとき、前記光カプラの出力から入力までリング共振器を周回する共振波長λrの光に対して、電流OFF時の共振器一周回あたりの損失x[%]と光カプラのパワー結合比y[%]が、以下の式(2)から式(8)までの関係を満たすことを特徴とするリング光変調器。
- 前記リング共振器を構成する光導波路として、シリコン(Si)を主たる構成要素とするメサ部とスラブ部とを有するリブ光導波路が用いられることを特徴とする請求項1又は2記載のリング光変調器。
- 前記ダイオード構造に対しての高注入時の直列抵抗と前記リング共振器の周長の積が、4Ωmm以下であることを特徴とする請求項1〜3いずれか記載のリング光変調器。
- 前記リング共振器を構成する前記リブ光導波路は、メサ部の両側にスラブ部を有し、一方のスラブ部には、キャリア密度が5×1019cm−3以上のp型の高不純物濃度領域が設けられ、他方のスラブ部には、キャリア密度が5×1019cm−3以上のn型の高不純物濃度領域が設けられ、
p型の高不純物濃度領域側の前記メサ部の側壁から前記p型の高不純物濃度領域端までの最短部の距離と、n型の高不純物濃度領域側の前記メサ部の側壁から前記n型の高不純物濃度領域端までの最短部の距離とが、共に100〜180nmとなるように前記p型の高不純物濃度領域とn型の高不純物濃度領域とが形成されたことを特徴とする請求項3又は4記載のリング光変調器。 - 前記閉ループ光導波路に曲率半径5〜7.5μmの部分が形成されたことを特徴とする請求項1〜4いずれか記載のリング光変調器。
- 前記閉ループ光導波路の少なくとも一部を覆う、屈折率の温度係数が負の材料を用いたクラッドをさらに備えたことを特徴とする請求項1〜4いずれか記載のリング光変調器。
- 前記閉ループ光導波路のメサ部の断面積が前記入出力光導波路のメサ部の断面積よりも狭くなるように形成されたことを特徴とする請求項3又は4いずれか記載のリング光変調器。
- 前記閉ループ光導波路のメサ部から500nm以内の位置に、金属と金属シリサイドとの少なくとも1つをさらに備えたことを特徴とする請求項3又は4いずれか記載のリング光変調器。
- 前記閉ループ光導波路の一部の材料として、ポリシリコンが用いられることを特徴とする請求項1〜3いずれか記載のリング光変調器。
- 前記入出力光導波路を第1の入出力光導波路とし、前記光カプラを第1の光カプラとした場合に、
前記第1の入出力光導波路とは異なる位置で、一部が前記閉ループ光導波路の一部の近傍に位置するように配置された第2の入出力光導波路をさらに備え、
互いに近傍に位置する前記閉ループ光導波路の一部と前記第2の入出力光導波路の一部とが、前記リング共振器と前記第2の入出力光導波路とを光学的に結合する第2の光カプラとして機能し、
前記第2の入出力光導波路への分岐損失も含めた共振器一周回あたりの損失x[%]と第1の光カプラのパワー結合比y[%]が、前記式(2)から式(8)までの関係を満たすことを特徴とする請求項1〜4いずれか記載のリング光変調器。 - 前記第2の光カプラのパワー結合比が前記第1の光カプラのパワー結合比よりも小さくなるように形成されたことを特徴とする請求項11記載のリング光変調器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011064066A JP5455955B2 (ja) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | リング光変調器 |
US13/242,584 US20120243828A1 (en) | 2011-03-23 | 2011-09-23 | Ring optical modulator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011064066A JP5455955B2 (ja) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | リング光変調器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012198465A JP2012198465A (ja) | 2012-10-18 |
JP5455955B2 true JP5455955B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=46877431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011064066A Expired - Fee Related JP5455955B2 (ja) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | リング光変調器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120243828A1 (ja) |
JP (1) | JP5455955B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016191386A1 (en) * | 2015-05-22 | 2016-12-01 | California Institute Of Technology | Optical ring modulator thermal tuning technique |
US10527871B2 (en) | 2015-03-16 | 2020-01-07 | California Institute Of Technology | Differential ring modulator |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8861909B2 (en) * | 2011-02-17 | 2014-10-14 | Cornell University | Polysilicon photodetector, methods and applications |
EP2549311B1 (en) * | 2011-07-19 | 2014-09-03 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Deep-shallow optical radiation filters |
US9128308B1 (en) * | 2012-03-26 | 2015-09-08 | Sandia Corporation | Low-voltage differentially-signaled modulators |
JP5752629B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2015-07-22 | 株式会社東芝 | アサーマル・リング光変調器 |
KR20130141850A (ko) * | 2012-06-18 | 2013-12-27 | 광주과학기술원 | 광학 소자 |
WO2014062211A1 (en) | 2012-10-19 | 2014-04-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Devices and techniques for integrated optical data communication |
EP2743751B1 (en) * | 2012-12-14 | 2018-02-14 | IMEC vzw | Thermally stabilised resonant electro-optic modulator and use thereof |
JP5413865B1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-02-12 | 株式会社フジクラ | 光導波路素子及び光変調器 |
JP2014174332A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 光モジュール |
KR102116977B1 (ko) * | 2013-04-11 | 2020-05-29 | 삼성전자 주식회사 | 비열 광 변조기 및 그 제조 방법 |
US10295739B2 (en) * | 2013-04-22 | 2019-05-21 | Cornell University | Athermal optical devices based on composite structures |
JP6090022B2 (ja) * | 2013-07-18 | 2017-03-08 | 富士通株式会社 | 光変調装置、光送信機及び光変調器の制御方法 |
WO2015011845A1 (ja) * | 2013-07-23 | 2015-01-29 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 層間光波結合デバイス |
CN104345477B (zh) * | 2013-08-01 | 2017-09-29 | 华为技术有限公司 | 一种移相装置及其工作方法 |
JP6084909B2 (ja) * | 2013-08-23 | 2017-02-22 | 富士通株式会社 | リング光変調器 |
US9400402B2 (en) | 2014-01-07 | 2016-07-26 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Optical waveguide and optical device based on the same |
WO2015122022A1 (ja) | 2014-02-17 | 2015-08-20 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 電気光変調器 |
JP6206878B2 (ja) * | 2014-02-26 | 2017-10-04 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 光半導体装置 |
JP6338404B2 (ja) * | 2014-03-07 | 2018-06-06 | 国立大学法人東京工業大学 | 導波路型磁気光学デバイス及びその製造方法 |
US9588360B2 (en) * | 2014-03-31 | 2017-03-07 | Mellanox Technologies Silicon Photonics Inc. | Temperature control of components on an optical device |
US9684131B2 (en) * | 2014-04-04 | 2017-06-20 | Huawei Technologies., Ltd. | Apparatus and method for an optical switch having a 2×1 multi-mode interferometer and photodetector |
JP6229595B2 (ja) * | 2014-06-05 | 2017-11-15 | 富士通株式会社 | 変調光源 |
JP6508956B2 (ja) | 2015-01-28 | 2019-05-08 | 富士通株式会社 | 変調光源 |
WO2016149524A1 (en) * | 2015-03-17 | 2016-09-22 | California Institute Of Technology | Bandwidth enhancement technique using inductive peaking |
US9759982B2 (en) * | 2015-03-26 | 2017-09-12 | Mellanox Technologies Silicon Photonics Inc. | Control of thermal energy in optical devices |
JP6925100B2 (ja) * | 2015-05-21 | 2021-08-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6545020B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2019-07-17 | 富士通株式会社 | 変調光源 |
EP3274747B1 (en) | 2015-07-23 | 2022-07-13 | Hewlett Packard Enterprise Development LP | Ring waveguide modulators |
FR3040499B1 (fr) * | 2015-08-24 | 2017-10-13 | St Microelectronics Crolles 2 Sas | Circuit integre comprenant un dispositif actif de confinement d'un flux lumineux |
WO2017127116A1 (en) | 2016-01-22 | 2017-07-27 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Cmos-photonics co-design |
US9778494B1 (en) | 2016-03-16 | 2017-10-03 | Mellanox Technologies Silicon Photonics Inc. | Temperature control of components on an optical device |
JP6705693B2 (ja) * | 2016-05-02 | 2020-06-03 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体素子および半導体モノリシック型光回路 |
US10386660B2 (en) * | 2017-03-31 | 2019-08-20 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Optical phase shifter, optical interferometer based thereupon, and method of manufacture thereof |
CN109212664B (zh) * | 2018-10-30 | 2020-08-25 | 中天通信技术有限公司 | 一种基于等离激元的双边耦合谐振腔t形波分复用器 |
JP7145063B2 (ja) * | 2018-12-21 | 2022-09-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP7189431B2 (ja) * | 2019-01-07 | 2022-12-14 | 日本電信電話株式会社 | 波長可変レーザ |
JP7095605B2 (ja) * | 2019-01-07 | 2022-07-05 | 日本電信電話株式会社 | 波長可変レーザ |
US11226504B2 (en) * | 2019-07-19 | 2022-01-18 | Ciena Corporation | Free-carrier absorption variable optical attenuators and thermal phase shifters formed by an optical waveguide having multiple passes in an intrinsic region |
US11513375B2 (en) * | 2019-12-16 | 2022-11-29 | Cisco Technology, Inc. | Silicon thermal-optic phase shifter with improved optical performance |
KR20210103620A (ko) * | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 삼성전자주식회사 | 빔 스티어링 장치 및 이를 포함한 시스템 |
US11005566B1 (en) | 2020-05-14 | 2021-05-11 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Wavelength modulation to improve optical link bit error rate |
CN111735610B (zh) * | 2020-06-12 | 2022-06-28 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种光波导群折射率测量方法及装置 |
US11914264B2 (en) * | 2020-10-07 | 2024-02-27 | Openlight Photonics, Inc. | Hybrid photonic ring modulators |
CN112379539B (zh) * | 2020-11-18 | 2024-06-11 | 联合微电子中心有限责任公司 | 一种硅基微环调制器及其调制方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2353891A1 (en) * | 1998-12-07 | 2000-06-15 | Kerry J. Vahala | Resonant optical wave power control devices and methods |
US7046714B2 (en) * | 2003-09-10 | 2006-05-16 | Intel Corporation | Method and apparatus for Raman ring resonator based laser/wavelength converter |
CN101529306B (zh) * | 2006-08-24 | 2012-08-29 | 康乃尔研究基金会有限公司 | 电-光调制器 |
US7489439B2 (en) * | 2006-09-12 | 2009-02-10 | Intel Corporation | Semiconductor Raman ring amplifier |
JP5082560B2 (ja) * | 2007-04-16 | 2012-11-28 | 日本電気株式会社 | 光変調器、光源装置及び前記光変調器の駆動方法 |
US8385698B2 (en) * | 2007-12-12 | 2013-02-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Controllable optical ring resonator having periodically spaced control electrodes |
US7764850B2 (en) * | 2008-01-25 | 2010-07-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical modulator including electrically controlled ring resonator |
US8009937B2 (en) * | 2008-04-18 | 2011-08-30 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Charge-based memory cell for optical resonator tuning |
JP2009258527A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Hitachi Ltd | 光学素子 |
JP5315792B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2013-10-16 | 富士通株式会社 | 光変調器 |
JP5206187B2 (ja) * | 2008-07-15 | 2013-06-12 | 富士通株式会社 | 光半導体装置 |
US8582937B2 (en) * | 2009-09-10 | 2013-11-12 | William Marsh Rice University | Dual-ring silicon electro-optic modulator |
JP5300807B2 (ja) * | 2010-09-03 | 2013-09-25 | 株式会社東芝 | 光変調素子 |
JP5752629B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2015-07-22 | 株式会社東芝 | アサーマル・リング光変調器 |
-
2011
- 2011-03-23 JP JP2011064066A patent/JP5455955B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-23 US US13/242,584 patent/US20120243828A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10527871B2 (en) | 2015-03-16 | 2020-01-07 | California Institute Of Technology | Differential ring modulator |
WO2016191386A1 (en) * | 2015-05-22 | 2016-12-01 | California Institute Of Technology | Optical ring modulator thermal tuning technique |
US10551715B2 (en) | 2015-05-22 | 2020-02-04 | California Institute Of Technology | Optical ring modulator thermal tuning technique |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012198465A (ja) | 2012-10-18 |
US20120243828A1 (en) | 2012-09-27 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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