JP5440495B2 - Evaluation method, evaluation apparatus, substrate overlay method, and substrate overlay apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、基板積層装置を評価する評価方法および評価装置に関する。なお、本出願は、下記の日本出願に関連する。文献の参照による組み込みが認められる指定国については、下記の出願に記載された内容を参照により本出願に組み込み、本出願の一部とする。
特願2008−119114 出願日2008年4月30日The present invention relates to an evaluation method and an evaluation apparatus for evaluating a substrate stacking apparatus. This application is related to the following Japanese application. For designated countries where incorporation by reference of documents is permitted, the contents described in the following application are incorporated into this application by reference and made a part of this application.
Japanese Patent Application No. 2008-119114 Filing Date April 30, 2008
複数の半導体装置が形成された基板であるウエハを積層して三次元実装半導体装置を製造する半導体製造装置がある。当該半導体製造装置は、位置合わせ装置と積層装置とを有する。位置決め装置は、積層されるべき複数のウエハを互いに位置決めする。また、積層装置は、位置決め装置によって互いに位置決めされた当該複数のウエハを加熱および加圧して積層する。 There is a semiconductor manufacturing apparatus that manufactures a three-dimensional mounting semiconductor device by stacking wafers that are substrates on which a plurality of semiconductor devices are formed. The semiconductor manufacturing apparatus includes an alignment apparatus and a stacking apparatus. The positioning device positions a plurality of wafers to be stacked with each other. The stacking apparatus heats and pressurizes the plurality of wafers positioned with respect to each other by the positioning apparatus to stack them.
ここで、積層装置は加熱および加圧によってウエハを積層するので、当該加熱および加圧によって、ウエハが変形するという課題がある。当該課題に対し、ウエハの変形を予め見込んだ位置に各半導体装置を設ける半導体製造方法がある(例えば、特許文献1を参照)。 Here, since the stacking apparatus stacks wafers by heating and pressing, there is a problem that the wafers are deformed by the heating and pressing. In order to solve this problem, there is a semiconductor manufacturing method in which each semiconductor device is provided at a position where the deformation of the wafer is expected in advance (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、上記特許文献1の半導体製造方法においては、ウエハの熱膨張の等方倍率による変形を予め見込むものであって、熱膨張以外の変形については考慮されていない。ここで、熱膨張以外に、積層装置による積層において様々な要因による変形があるが、これらの要因による変形は上下ウエハの結果としてのずれ量として現れるので、個別の要因によってどの程度の変形が生じているかを評価することは困難であった。よって、当該変形によるずれ量を低減することは困難であった。 However, in the semiconductor manufacturing method of Patent Document 1, deformation due to isotropic magnification of the thermal expansion of the wafer is expected in advance, and deformation other than thermal expansion is not considered. Here, in addition to thermal expansion, there are deformations due to various factors in the laminating by the laminating apparatus, but deformation due to these factors appears as a deviation amount as a result of the upper and lower wafers, so how much deformation occurs due to individual factors. It was difficult to assess whether Therefore, it has been difficult to reduce the amount of deviation due to the deformation.
上記課題を解決するために、本発明の第1の形態においては、互いに位置決めされた第1の基板と第2の基板との重ね合わせ前の相対位置を計測する前計測工程と、第1の基板と第2の基板とを基板重ね合わせ装置により互いに重ね合わせた後の、第1の基板と第2の基板との相対位置を計測する後計測工程と、前計測工程で計測した相対位置と、後計測工程で計測した相対位置とを用いて基板重ね合わせ装置を評価する評価工程とを備える評価方法が提供される。 In order to solve the above-described problem, in the first embodiment of the present invention, a pre-measuring step of measuring a relative position of the first substrate and the second substrate positioned with respect to each other before superposition, A post-measurement step of measuring a relative position between the first substrate and the second substrate after the substrate and the second substrate are superposed on each other by the substrate superposing device; and a relative position measured in the pre-measuring step There is provided an evaluation method including an evaluation step of evaluating the substrate overlaying apparatus using the relative position measured in the post-measurement step.
本発明の第2の形態においては、互いに位置決めされた第1の基板と第2の基板との重ね合わせ前の相対位置を計測する前計測部と、第1の基板と第2の基板とを基板重ね合わせ装置により互いに重ね合わせた後の、第1の基板と第2の基板との相対位置を計測する後計測部と、前計測部で計測した相対位置と、後計測部で計測した相対位置とを用いて基板重ね合わせ装置を評価する評価部とを備える評価装置が提供される。 In the second embodiment of the present invention, a pre-measuring unit that measures a relative position of the first substrate and the second substrate that are positioned with each other before being overlapped, and the first substrate and the second substrate. A post-measuring unit that measures the relative position between the first substrate and the second substrate after being superposed on each other by the substrate superposing device, a relative position that is measured by the front measuring unit, and a relative that is measured by the rear measuring unit An evaluation device is provided that includes an evaluation unit that evaluates the substrate overlaying device using the position.
なお、上記の発明の概要は、発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。 The above summary of the invention does not enumerate all necessary features of the invention. In addition, a sub-combination of these feature groups can also be an invention.
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。 Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solving means of the invention.
本実施形態にかかる評価方法は、複数の基板を重ね合わせる基板重ね合わせ装置を評価する評価方法であって、変位パターン、すなわち、基板面内での寸法歪の分散性を評価することを目的とする。特に、位置合わせ後の加熱および加圧の積層によるずれ量について、変位パターン毎の影響の大きさを評価することにより、結果として生じるずれ量を低減することを目的とする。 The evaluation method according to the present embodiment is an evaluation method for evaluating a substrate overlaying apparatus that superimposes a plurality of substrates, and is intended to evaluate the dispersibility of a displacement pattern, that is, a dimensional strain within the substrate surface. To do. In particular, an object of the present invention is to reduce the resulting shift amount by evaluating the magnitude of the influence of each displacement pattern on the shift amount due to heating and pressurization after alignment.
図1は、本実施形態の評価方法に用いる位置決め装置100の概略を示す側面図である。位置決め装置100は、基板の一例としてのウエハ10を保持するウエハホルダ50と、同様に基板の一例としてのウエハ30を保持するウエハホルダ70とを互いに位置決めして重ね合わせる。これによりウエハ10、30はウエハホルダ50、70に挟まれて保持される。この場合に、位置決め装置100の顕微鏡130は、図示の例では、顕微鏡130側すなわち図中の上側に配されたウエハホルダ50に設けられた観察孔52から、ウエハ10上に設けられたマーク20、および、ウエハ30上に設けられたマーク40を観察することによりウエハ10とウエハ30とを位置決めする。
FIG. 1 is a side view showing an outline of a
なお、マーク20およびマーク40を直接的に観察することに代えて、ウエハホルダ50上に設けられたホルダマーク60、および、ウエハホルダ70上に設けられたホルダマーク80を顕微鏡130で観察することにより、位置決めされてもよい。この場合には、ウエハ10上のマーク20とウエハホルダ50上のホルダマーク80との相対位置が顕微鏡130により予め観察されるとともに、ウエハ30上のマーク40とウエハホルダ70上のホルダマーク80との相対位置が顕微鏡130により予め観察されることにより、結果的に、ウエハ10とウエハ30とを位置決めすることができる。
Instead of directly observing the
図2は、本実施形態の評価方法の対象となる加熱加圧装置200の概略を示す概略図である。加熱加圧装置200は、互いに位置決めして重ね合わされたウエハホルダ50、70を加圧および加熱することにより、ウエハホルダ50、70に保持されたウエハ10とウエハ30とを積層する。ここで、加圧および加熱することは重ね合わせることの一例であり、加熱加圧装置200は基板重ね合わせ装置の一例である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing an outline of a heating and pressing
図2に示す加熱加圧装置200は、互いに対向して配された上プレス230および下プレス240、並びに、これらの内部に配されたヒータ250、260を有する。ヒータ250、260により、上プレス230および下プレス240を所定の温度プロファイルで加熱しつつ、ウエハホルダ50、70を加圧する。これにより、ウエハ10上の各半導体装置の電極とが接合される。
The heating and pressing
図3は、本実施形態の評価方法に用いられる評価用ウエハ90の平面図を示す。評価用ウエハ90は、位置決め装置100および加熱加圧装置200に用いられるウエハ10等と同じ外形を有し、例えば、評価用ウエハ90の外径は200mmである。また、評価用ウエハ90には、複数のマーク92が形成されるが、半導体装置が形成されているウエハであってもよい。
FIG. 3 is a plan view of an
図3に示す形態において、評価用ウエハ90は、図中の横方向、すなわちX方向と、縦方向、すなわちY方向とにそれぞれ一列に並んだ計37個のマーク92を有する。これら縦の列と横の列とは、評価用ウエハ90の中央で交差する。なお、評価方法専用の評価用ウエハ90を用いることに代えて、半導体装置が複数設けられたウエハ10上にマーク92を設けて、当該ウエハ10を用いてもよい。
In the form shown in FIG. 3, the
マーク92は、図3の右上に拡大して示すように、X方向に延伸する線分とY方向に延伸する線分とが互いに直交した十字型を有する。例えば、マーク92の上記各線分のそれぞれの長さは2mmであり、上記各線分の線幅は20μmである。この大きさは検出する光学顕微鏡の倍率と視野、撮像装置の分解能などにより決定されるものであり、この大きさに拘るものではない。マーク92は、例えば、ウエハ10上に半導体装置を形成するプロセスの一部を用いて形成される。また、マーク92の形状は十字型に限られず、円形、矩形等の他の形状であってもよい。
3, the
図4は、本実施形態の評価装置310の機能ブロック図を示し、図5は、評価装置310の評価方法の各工程のフローを示す。図4に示す評価装置310は、積層前計測部320、積層後計測部330、相対位置格納部340、ずれ量算出部350、変位パターン格納部360、係数算出部370および係数出力部380を有する。以下、図4および図5を用いて、評価装置310の機能を説明する。
FIG. 4 shows a functional block diagram of the
当該評価方法において、まず、位置決め装置100による位置決めにより開始される(S100)。ステップS100において、図1に示すウエハホルダ50、70に評価用ウエハ90がそれぞれ保持され、位置決め装置100により上下の評価用ウエハ90が上記方法を用いて互いに位置決めされる。ステップS100に次いで、評価装置310の積層前計測部320は、上のウエハホルダ50に保持された上の評価用ウエハ90と下のウエハホルダ70に保持された下の評価用ウエハ90との積層前の相対位置を計測する(S110)。さらに、積層前計測部320は、当該相対位置を相対位置格納部340に格納する。
In the evaluation method, first, the
図6の(a)は、ステップS110で計測されるマーク92およびマーク94の一例を示す。ステップS110において、上の評価用ウエハ90上に設けられたマーク92と、当該上の評価用ウエハ90に対して位置決めされた下の評価用ウエハ90上であって、上の評価用ウエハ90の各マーク92のそれぞれに対応する位置に設けられたマーク94と、の相対位置が計測される。この場合に、マーク92とマーク94とがずれて交差することにより形成される「#」型におけるマーク92とマーク94との二つの交点(x1,y1)、(x2,y2)のずれ(x2−x1,y2−y1)が、当該測定点における相対位置として計測される。ステップS110において、上下の両評価用ウエハ90上の互いに対応するそれぞれのマーク92、94の組について、当該相対位置が計測される。積層前計測部320は、位置決め装置100の顕微鏡130を用いて上記相対位置を計測してもよいし、位置決め装置100から別個の顕微鏡に対して搬送して、当該顕微鏡により計測してもよい。積層前計測部320は、顕微鏡で撮像した画像を、コンピュータ等により画像処理することにより自動的に計測する。FIG. 6A shows an example of the
次に、互いに位置決めされた上下の評価用ウエハ90が、加熱加圧装置200により積層される(S120)。この場合に、加熱加圧装置200は、半導体装置が形成されたウエハ10等を積層するときと同じ加圧条件および加熱条件を用いて、上下の評価用ウエハ90を積層することが好ましい。ここで、上下の評価用ウエハ90が確実に積層されるように、上下の評価用ウエハ90の互いに対応する位置に、ダミーの電極を設けてもよいし、熱可塑性の樹脂柱を設けてもよい。
Next, the upper and
さらに、ステップS120に次いで、積層後計測部330は、上下の評価用ウエハ90の積層後の相対位置を計測する(S130)。図6の(b)は、ステップS130で計測されるマーク92およびマーク94の一例を示す。S130において、積層後における上の評価用ウエハ90上のマーク92と、下の評価用ウエハ90上であって、上の評価用ウエハ90上の各マーク92のそれぞれに対応する位置に設けられたマーク94と、の相対位置を計測する(S130)。ステップS110と同様に、マーク92とマーク94とがずれて交差することにより形成される「♯」型におけるマーク92とマーク94との二つの交点(x´1,y´1)、(x´2,y´2)のずれ(x´2−x´1,y´2−y´1)が、当該測定点における相対位置として計測される。ステップS130において、上下の両評価用ウエハ90上の対応するそれぞれのマーク92、94の組について、当該相対位置が計測される。積層後計測部330は、積層後の評価用ウエハ90を位置決め装置100に搬送して顕微鏡130を用いて上記相対位置を計測してもよいし、位置決め装置100とは別個の顕微鏡に対して搬送して、当該顕微鏡により計測してもよい。さらに、積層後計測部330は、当該相対位置を相対位置格納部340に格納する。Further, after step S120, the
さらに、ずれ量算出部350は、ステップS110により計測された相対位置と、ステップS130により計測された相対位置と、のずれ量を算出する(S140)。この場合に、ずれ量算出部350は、相対位置格納部340に格納された相対位置を読み出して、ずれ量を算出する。このずれ量は、S100により位置合わせされた後に、S120によって積層されたことによって、上下の評価用ウエハ90の各測定点がどれだけずれたかを示している。当該ずれ量は、下記数式1で算出される。なお、添え字iは、i番目のマーク92(およびそれに対応するマーク94)についての値であることを示す。
次に、係数算出部370は、ステップS140により算出されたずれ量を、複数の既知の変位パターンを重み付け加算で近似する場合の、当該変位パターンの重み付け係数を算出する(S150)。この場合に、複数の変位パターンは、ウエハ面内の並進、等方倍率、回転、非等方倍率および直交度を含む。ここで、上記変位パターンに対応する重み付け係数をそれぞれ、ウエハ面内の並進のうちX方向C1、Y方向C2、等方倍率C3、回転C4、非等方倍率C5および直交度C6のように決めると、ずれ量は下記数式2で示される。
上記数式2を用いて、S140により算出されたずれ量の大きさに近似する位置に各測定点を変位させた場合の、各変位パターンの重み付け係数が算出される。この場合に、例えば、xおよびyを変数として、複数のマーク92、94について、上記数式2の誤差が最小となるように、最小二乗法により、各重み付け係数を算出する。これにより、簡便な方法で、重み付け係数を算出することができる。
Using the above mathematical formula 2, the weighting coefficient of each displacement pattern is calculated when each measurement point is displaced to a position that approximates the magnitude of the shift amount calculated in S140. In this case, for example, for each of the
上記変位パターンは、当該変位パターンを生じる要因に関連付けられていることが好ましい。例えば、ウエハ内の並進および回転は、ウエハの搬送中および加熱加圧装置200へのロード中の接触という要因に関連付けられる。また、等方倍率は、上プレス230および下プレス240の加熱に関連付けられ、直交度および非等方倍率は、加熱および加圧、特に上プレス230および下プレス240の温度分布に関連付けられる。また、複数の変位パターンと、複数の要因とが互いに関連付けられていてもよく、この場合に、互いがマトリックス的に重み付けされて関連付けられていてもよい。これらの関連付けに関する情報は、変位パターン格納部360に格納される。
The displacement pattern is preferably associated with a factor that causes the displacement pattern. For example, translation and rotation within the wafer are associated with factors such as contact during wafer transfer and loading into the heating and
さらに、係数出力部380は、ステップS150により算出された各変位パターンの重み付け係数を出力する(S160)。例えば、上記ステップS150において各変位パターンの重み付け係数がコンピュータを用いて算出された場合に、係数出力部380は、当該重み付け係数を画面に表示する。
Further, the
なお、上記数式2において、複数の変位パターンとして線形の変位パターンを用いたが、変位パターンはこれに限られない。上記数式2に加えて、x2、xy、x3等、2次以上の高次の変位パターンを用いてもよい。高次の変位パターンは、局所的な変形等を含む。高次の変位パターンを用いる場合には、前述のとおり評価用ウエハ90面上の斜め方向に、かつ、評価用ウエハ90面内全体に渡ってマーク92が設けられることが好ましい。In addition, in the above formula 2, linear displacement patterns are used as the plurality of displacement patterns, but the displacement patterns are not limited to this. In addition to Equation 2, a second-order or higher-order displacement pattern such as x 2 , xy, and x 3 may be used. Higher order displacement patterns include local deformation and the like. When a high-order displacement pattern is used, it is preferable that the
ステップS160において、各変位パターンに対応した重み付け係数が出力されることにより、加熱加圧装置200を評価することができる。この場合に、重み付け係数の大小を比較することにより、当該加熱加圧装置200の動作においていずれの変位パターンが各評価用ウエハ90の変形に大きく影響しているかを認識することができる。例えば、特定の一つまたは複数個の重み付け係数が他の重み付け係数と比較して大きい場合には、何らかの特定の要因によって当該重み付け係数に対応した変位パターンが大きく現れていることを認識することができる。
In step S160, the heating and pressurizing
さらに、変位パターンと当該変位パターンが発生する要因との間が関連付けされている場合には、各重み付け係数の値に基づいて、上下の評価用ウエハ90間の結果としてのずれ量を設定範囲内に収めるのに、いずれの要因について加熱加圧装置200を含む半導体製造装置、および、半導体製造プロセスを変更して、結果としてのずれ量を小さくすればよいかが分かる。例えば、並進の方向C1およびY方向C2の値が大きい場合には、ウエハを搬送する搬送系に要因があるので、搬送系を調整すればよいことが分かる。また、直交度C6の値が大きい場合には、温度分布に要因があるので、ヒータ250、260の温度プロファイル等を調整すればよいことが分かる。これにより、例えば重み付け係数の大きい順に、当該重み付け係数に対応付けられた変位パターンに関連する要因を調整することにより、より効率的に、結果としてのずれ量を小さくすることができる。Further, when the displacement pattern and the factor that causes the displacement pattern are associated with each other, the resulting deviation amount between the upper and
また、上記いずれの重み付け係数も規定された範囲内に入っている場合に、当該加熱加圧装置200が正常に動作するものと評価してもよい。例えば、結果としてのずれ量が設定範囲内に収まっている場合であっても、いくつかの変位モードによるずれ量が相殺されていることも考えられる。当該加熱加圧装置200の使用中に、これらの変位モードによるずれ量が相殺されない方向に生じることがあり、その場合には結果としてのずれ量が設定範囲内に収まらない。ここで、本実施形態によれば、上記加熱加圧装置200について、結果としてのずれ量が設定範囲内に収まっている場合であっても、いくつかの重み付け係数が規定された範囲外にあることが分かる。これにより、当該加熱加圧装置200をより正確に評価することができる。
In addition, when any of the above weighting coefficients is within the specified range, it may be evaluated that the heating and
なお、ウエハ面内のずれ分布をより精密に測定したい場合には、図3に示す評価用ウエハに代えて、図7に示す評価用ウエハ90を用いてもよい。図7に示す評価用ウエハ90は、にウエハ全域に同様なマークを有する。
If it is desired to measure the deviation distribution in the wafer surface more precisely, the
また、評価装置310は、位置決め装置100および加熱加圧装置200とは別体であってもよいが、位置決め装置100または加熱加圧装置200に組み込まれていてもよい。さらに、評価装置310における積層前計測部320と積層後計測部330とを別個のブロックとして説明したが、同一の機能ブロックを用いてもよい。なお、上記実施形態における係数算出工程および係数算出部370は、それぞれ重み付け工程および重み付け部の一例である。
The
上記実施形態において、評価用ウエハ90としてシリコンウエハを用いる場合は、シリコンウエハに赤外光を透過させることにより当該シリコンウエハに設けられたマークを検出してもよい。また、評価用ウエハ90としてガラス等の可視光に対して透明な材料からなる基板を用いる場合は、基板に可視光を透過させることにより当該基板に設けられたマークを検出してもよい。
In the above-described embodiment, when a silicon wafer is used as the
また、上記実施形態の評価方法および評価装置は、ウエハ10とウエハ30とを加圧および加熱する加熱加圧装置200を評価している。これに代えてまたはこれに加えて、評価方法および評価装置は、ウエハ10とウエハ30とを位置決めしてウエハホルダ50、70により挟む位置決め装置100を評価してもよい。この場合に、ウエハ10とウエハ30とをウエハホルダ50、70により重ねて挟むことは重ね合わせること一例であり、位置決め装置100は基板重ね合わせ装置の一例である。すなわち、まず前計測工程において、ウエハホルダ50に保持されたウエハ10と、ウエハホルダ70に保持されたウエハ30との相対位置を、これらウエハ10、30同士の位置決めを行った後であってウエハホルダ50、70を重ね合わせる前に計測する。次に、これらウエハホルダ50、70が位置決め装置100により重ね合わせれた後に、後計測工程において位置決め装置100の内部で、または外部に搬送して、これらウエハホルダ50、70に挟まれたウエハ10とウエハ30との相対位置を計測する。この場合に、変形パターンとしては、ウエハの並進および回転が含まれる。これらウエハの並進および回転はそれぞれ、ウエハ同士の接触時の圧力、位置決め装置100のステージのZ方向移動時の精度、ウエハのマークの検出精度、および、ウエハホルダの重ね合わせ後の相対地測定のための搬送等に関連付けられる。
Further, the evaluation method and the evaluation apparatus of the above embodiment evaluate the heating and
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も発明の技術的範囲に含まれ得ることが、請求の範囲の記載から明らかである。 As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the invention.
10 ウエハ、20 マーク、30 ウエハ、40 マーク、50 ウエハホルダ、52 観察孔、60 ホルダマーク、70 ウエハホルダ、80 ホルダマーク、90 評価用ウエハ、92 マーク、94 マーク、100 位置決め装置、130 顕微鏡、200 加熱加圧装置、230 上プレス、240 下プレス、250 ヒータ、260 ヒータ、310 評価装置、320 積層前計測部、330 積層後計測部、340 相対位置格納部、350 ずれ量算出部、360 変位パターン格納部、370 係数算出部、380 係数出力部 10 wafer, 20 mark, 30 wafer, 40 mark, 50 wafer holder, 52 observation hole, 60 holder mark, 70 wafer holder, 80 holder mark, 90 evaluation wafer, 92 mark, 94 mark, 100 positioning device, 130 microscope, 200 heating Pressurizing device, 230 upper press, 240 lower press, 250 heater, 260 heater, 310 evaluation device, 320 pre-stack measurement unit, 330 post-stack measurement unit, 340 relative position storage unit, 350 deviation amount calculation unit, 360 displacement pattern storage Unit, 370 coefficient calculation unit, 380 coefficient output unit
Claims (23)
前記ずれ量算出工程で算出された前記ずれ量に基づいて、前記ずれ量に予め関連付けられた、ずれの発生要因を推定する推定工程と、
を含む評価方法。 Deviation amount between the relative position before the first substrate and the second substrate aligned with each other and the relative position after the first substrate and the second substrate are overlapped with each other A deviation amount calculating step for calculating
Based on the deviation amount calculated in the deviation amount calculation step, an estimation step for estimating a deviation occurrence factor that is associated in advance with the deviation amount ;
Evaluation method including
前記推定工程では、前記複数の変位パターンに対応した重み付け係数に基づいて前記要因を推定する請求項1に記載の評価方法。 A weighting step of decomposing the shift amount into a plurality of displacement patterns associated with the occurrence factor and weighting each of the plurality of displacement patterns;
The evaluation method according to claim 1, wherein in the estimation step, the factor is estimated based on a weighting coefficient corresponding to the plurality of displacement patterns.
前記調整工程では、前記複数の変位パターンが並進成分および回転成分の少なくとも一つのとき、前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方を搬送する搬送系、前記第1の基板および前記第2の基板の相互の重ね合わせ時の圧力、および、前記第1の基板および前記第2の基板の位置合わせを行う位置合わせ装置のすくなくとも一つの調整を行う請求項3に記載の評価方法。 The plurality of displacement patterns include at least one of a translational component and a rotational component with respect to position coordinates in the substrate plane,
In the adjustment step, when the plurality of displacement patterns are at least one of a translation component and a rotation component, a transport system that transports at least one of the first substrate and the second substrate, the first substrate, and the first substrate 4. The evaluation method according to claim 3, wherein at least one adjustment is performed by a pressure at the time of superimposing two substrates and an alignment device that aligns the first substrate and the second substrate.
前記調整工程では、前記複数の変位パターンが等方倍率成分、非等方倍率成分および直交度成分の少なくとも一つのとき、前記第1の基板および前記第2の基板を互いに重ね合わせるときに用いられるヒータ、および、温度プロファイルの少なくとも一方を調整する請求項3または4に記載の評価方法。 The plurality of displacement patterns include at least one of an isotropic magnification component, an anisotropic magnification component, and an orthogonality component with respect to a position coordinate in the XY axis direction within the substrate surface,
The adjusting step is used when the first substrate and the second substrate are overlapped with each other when the plurality of displacement patterns are at least one of an isotropic magnification component, an anisotropic magnification component, and an orthogonality component. The evaluation method according to claim 3 or 4, wherein at least one of the heater and the temperature profile is adjusted.
前記後計測工程では、前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方に赤外光を透過させることにより、前記第1の基板および前記第2の基板の相対位置を計測する請求項1から10のいずれか一項に記載の評価方法。 A post-measurement step of measuring a relative position after the first substrate and the second substrate are superposed on each other;
2. The relative position between the first substrate and the second substrate is measured in the post-measurement step by transmitting infrared light through at least one of the first substrate and the second substrate. To 10. The evaluation method according to any one of 10.
前記第1の基板上に設けられた複数の測定点と、前記第1の基板に対して位置決めされた前記第2の基板上に前記第1の基板上の前記複数の測定点に対応する位置で設けられた測定点と、の相対位置を計測する請求項1から11のいずれか一項に記載の評価方法。 When measuring the relative position between the first substrate and the second substrate,
A plurality of measurement points provided on the first substrate and positions corresponding to the plurality of measurement points on the first substrate on the second substrate positioned with respect to the first substrate The evaluation method according to any one of claims 1 to 11, wherein a relative position between the measurement point and the measurement point is measured.
前記ずれ量算出部で算出された前記ずれ量を、ずれの発生要因に関連付けられた複数の変位パターンに分解し、前記複数の変位パターンの重み付け係数を算出する係数算出部と、
を備える評価装置。 Deviation amount between the relative position before the first substrate and the second substrate aligned with each other and the relative position after the first substrate and the second substrate are overlapped with each other A deviation amount calculating unit for calculating
A coefficient calculation unit that decomposes the shift amount calculated by the shift amount calculation unit into a plurality of displacement patterns associated with a shift generation factor, and calculates a weighting coefficient of the plurality of displacement patterns;
An evaluation apparatus comprising:
位置合わせされた前記第1の基板と前記第2の基板とを互いに接合する接合工程と、
請求項1から12のいずれか一項に記載の評価方法を用いて評価する工程とを含む基板重ね合わせ方法。 An alignment step of aligning the first substrate and the second substrate with each other;
A bonding step of bonding the aligned first and second substrates together;
A substrate overlaying method including a step of evaluating using the evaluation method according to any one of claims 1 to 12.
位置合わせされた前記第1の基板と前記第2の基板とを互いに接合する接合部と、
請求項13から21のいずれか一項に記載の評価装置を用いて評価する評価装置とを含む基板重ね合わせ装置。 An alignment section for aligning the first substrate and the second substrate with each other;
A bonding portion for bonding the aligned first substrate and the second substrate to each other;
A substrate superposition apparatus comprising: an evaluation apparatus that uses the evaluation apparatus according to any one of claims 13 to 21 for evaluation.
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