JP5413963B2 - 積層体 - Google Patents
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- 0 OS(C(CC1)CC*1[C@@]1C(C2)C2CC1)(=O)=O Chemical compound OS(C(CC1)CC*1[C@@]1C(C2)C2CC1)(=O)=O 0.000 description 3
- QHFFENCDDAJXOU-UHFFFAOYSA-N N=C(C=CC=C1)C1=N Chemical compound N=C(C=CC=C1)C1=N QHFFENCDDAJXOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
・前記表層の帯電防止剤が、化合物(A)および化合物(B)であり、かつ
・前記帯電防止剤の含有量が、表層に使用されるポリカーボネート樹脂100重量部あたり、前記化合物(A)が0.5〜10重量部および前記化合物(B)が0.1〜5.0重量部であり、かつ
・化合物(A)が下記式(3)に示されるアルキルベンゼンスルホン酸ホスホニウム塩であり、かつ
・化合物(B)が下記式(4)に示される1,1,1−トリブチル−1−ドデシルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドであり、かつ
・前記紫外線吸収剤が、特定のベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤の化合物および/または特定のトリアジン系紫外線吸収剤の化合物であり、かつ
・前記紫外線吸収剤の含有量が、表層に使用されるポリカーボネート樹脂100重量部あたり、3〜10重量部である、
ことを特徴とする積層体を提供するものである。
式(3):
式(3):
式(4):
式(5):
基材に使用したポリカーボネート樹脂:
住友ダウ社製 カリバー200−13
(粘度平均分子量:21500)
表層に使用したポリカーボネート樹脂:
住友ダウ社製 カリバー200−3
(粘度平均分子量:28000、以下PCと略記)
化合物(A):
竹本油脂社製 S−418
アルキルベンゼンスルホン酸ホスホニウム塩(以下、帯電防止剤Aと略記)
化合物(B):
1,1,1−トリブチル−1−ドデシルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタン
スルホニル)イミド(以下、帯電防止剤Bと略記)
1,1,1−トリブチル−1−ドデシルホスホニウム=ブロミド24.07g(0.0533モル、東京化成工業株式会社試薬)、塩化メチレン34.2g及びイオン交換水34.2g混合した後、ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド酸リチウム16.07g(0.0560モル)を添加し、室温で4時間攪拌した。反応終了後、得られた有機層を分液操作により分離し、イオン交換水34.2gで3回洗浄した。有機層を濃縮して塩化メチレンを除去後、残渣を減圧下で乾燥し、1,1,1−トリブチル−1−ドデシルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド32.0gを得た(収率92.2%)。
チバスペシャリティケミカルズ社製 TINUVIN1577
トリアジン系紫外線吸収剤 (以下、UVA−1と略記)
ADEKA社製 LA−31
高分子型ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤(以下、UVA−2と略記)
表層の樹脂組成物用の溶融混錬用押出機:
日本製鋼所社製TEX30α 二軸押出機
(L/D=42、Φ=30mm)
共押出用の押出機:
基材用押出機:田辺プラスチック社製VS40単軸押出機
(L/D=32、40Φ)
表層用押出機:プラ技研社製PEX-25-24型単軸押出機
(L/D=24、25Φ)
前述の各種原料を表1〜2に示す配合比率にて、それぞれタンブラーに投入し、10分間乾式混合した後、二軸押出機(日本製鋼所社製TEX30α)を用いて、溶融温度260℃にて溶融混錬しペレットを得た。
得られた表層用樹脂組成物のペレットを125℃×2時間の乾燥条件にて、熱風循環式乾燥機(タバイ社製PERFECT OVEN PV−330)を用いて事前乾燥を行った。併せて、基材用のポリカーボネート樹脂も同じ条件にて事前乾燥を行った。
事前乾燥を行なった基材用ポリカーボネート樹脂のペレットを、基材用押出機(田辺プラスチック社製VS40単軸押出機)を用いて、260℃の条件下で溶融混錬し、共押出用ダイの基材フィードブロックに供給した。また、同時に、事前乾燥した表層用樹脂組成物のペレットを、表層用押出機(プラ技研社PEX-25-24型単軸押出機)を用いて260℃の条件下で溶融混錬して表層フィードに供給し、共押出による積層体を得た。尚、表層および基材の厚みは、それぞれ 100μm、1.9mmに設定した。
1.表面固有抵抗(Rs):
得られた積層体を3cm×3cm厚み2.0mmに切り出し、試験片を作成した。
得られた試験片を23℃、50%相対湿度の条件で24時間状態調節した後、超絶縁計(シシド静電気社製SME−8311)を使用し、測定電圧500V、サンプリング時間60秒の条件で表面固有抵抗を測定した。表面固有抵抗Rsが1x1014未満の場合を合格とした。
2.半減期:
得られた試験片を用いて、シシド社製のスタティックオネストメーター H−0110にて、半減期を測定した。まず、10KVの電荷を、試験片の耐電圧が一定になるまで印加し続ける。その後、チャージを止め帯電圧の減衰を観察し、初期の帯電圧が半減するまでの時間を測定して半減期とした。半減期が10秒以下を合格とした。
3.全光線透過率:
得られた試験片を用いて、JIS K7361に準拠して全光線透過率を測定した。70%以上を合格とした。
4.イエローネスインデックス(YI):
得られた試験片を用いて、ASTM D−1925に準拠してイエローネスインデックス(YI)を測定した。10以下を合格とした。
5.耐候性:
得られた試験片を促進耐候試験機サンシャインスーパーロングライフウェザーメーター(スガ試験機社製WELSUNHCH−B型)の中に設置し、600時間照射を行った。その後、照射前後の試験片をスペクトロフォトメータ(村上色彩技術研究所製CMS−35SP)により、イエローネスインデックス(YI)を測定した。△YI(YIの差)とは照射前後の黄身の程度を表し、△YIが小さい程、変色は小さく耐光性に優れている。△YIの評価基準としては、△YIの値が3.0未満であるものを合格(○)、3.0以上であるものを不合格(×)とした。
比較例1は、帯電防止剤(B)を配合しない場合であり、表面固有抵抗と半減期が劣る結果となった。
比較例2は、帯電防止剤(A)を配合しない場合であり、表面固有抵抗と半減期が劣る結果となった。
比較例3は、帯電防止剤(A)の配合量が規定量より少ない場合であり、表面固有抵抗と半減期が劣る結果となった。
比較例4は、帯電防止剤(A)の配合量が規定量より多い場合であり、YIが劣る結果となった。
比較例5は、帯電防止剤(B)の配合量が規定量より少ない場合であり、表面固有抵抗と半減期が劣る結果となった。
比較例6は、帯電防止剤(B)の配合量が規定量より多い場合であり、透過率とYIが劣る結果となった。
比較例7は、紫外線吸収剤の配合量が規定量より少ない場合であり、耐候性が劣る結果となった。
比較例8は、紫外線吸収剤の配合量が規定量より多い場合であり、YIが劣る結果となった。
Claims (3)
- 透明性合成樹脂からなる基材の少なくとも片面に、帯電防止剤および紫外線吸収剤を必須成分として含有するポリカーボネート樹脂組成物からなる表層を積層してなる積層体において、
・前記表層の帯電防止剤が、化合物(A)および化合物(B)であり、かつ
・前記帯電防止剤の含有量が、表層に使用されるポリカーボネート樹脂100重量部あたり、前記化合物(A)が0.5〜10重量部および前記化合物(B)が0.1〜5.0重量部であり、かつ
・化合物(A)が下記式(3)に示されるアルキルベンゼンスルホン酸ホスホニウム塩であり、かつ
・化合物(B)が下記式(4)に示される1,1,1−トリブチル−1−ドデシルホスホニウム=ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドであり、かつ
・前記紫外線吸収剤が、下記式(5)に示される化合物および/または下記式(6)に示される化合物であり、かつ
・前記紫外線吸収剤の含有量が、表層に使用されるポリカーボネート樹脂100重量部あたり、3〜10重量部である、
ことを特徴とする積層体。
式(3):
- 前記化合物(A)の配合量が0.6〜1.5重量部であり、かつ前記化合物(B)の配合量が0.3〜1.0重量部(それぞれ、表層に使用されるポリカーボネート樹脂100重量部あたり)である請求項1に記載の積層体。
- 前記基材の透明性合成樹脂が、ポリカーボネート樹脂である請求項1に記載の積層体。
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