JP5409441B2 - 光伝送基板および光モジュール - Google Patents
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Description
基板1は、厚みが0.2〜2mmであり、ガラスエポキシ基板、BTレジン基板、ポリイミド基板などが使用される。基板1は、単層でも積層でもよい。
金属層2は、例えば、一般的に電気配線として用いられている銅などから構成される。
光導波路3を形成するコア3aとクラッド3bの材料としては、感光性を有するエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂など直接露光法が使用可能な樹脂、または、ポリシランなどの屈折率変化法が使用可能な樹脂などが挙げられる。なお、直接露光法とは、クラッド3bの下部を形成後、コア3aの材料を塗工してマスク露光によりコア3aを形成し、その上面および側面にさらにクラッド3bの材料を塗工形成して光導波路3を作製する方法である。また、屈折率変化法とは、UV(紫外線)照射により屈折率が低下するポリシラン系ポリマー材料等の特性を利用して、コア3aとなる部位以外にUV照射を行ない、コア3aとなる部位以外の屈折率を低下させることによって光導波路を作製する方法である。
金属反射部4は、光導波路3と対向して、光導波路3からの光を外部へ光路変換する、又は外部からの光を光導波路3へ光路変換させるための光反射面4aを有する。光反射面4aは、光導波路3の光軸に対して傾斜しており、これにより光路変換が可能となる。傾斜角は、略45度、具体的には、43度〜47度の範囲内である。
ベース部7は傾斜面を有し、その傾斜面上に金属反射部4が設けられている。この傾斜面は光導波路3の光軸に対して上向きに傾斜している。
光電変換素子5としては、面型発光素子(VCSEL)または面型受光素子(PIN−PD)などが挙げられる。
集積回路素子6としては、例えば、LSIなどがあげられる。集積回路素子6は光電変換素子5と電気的に接続される。具体的には、図5に示すように、VCSELとLSIとの間に駆動回路素子10であるドライバICを設けた場合、ドライバICにLSIから電気信号が出されてドライバICが駆動し、ドライバICによって駆動したVCSELが発光する。また、PIN−PDとLSIとの間に駆動回路素子10であるレシーバICを設けた場合、PIN−PDで受光した光信号に基づく電気信号がレシーバICに出力され、レシーバICの出力がLSIに入力される。
2:金属層
2a:金属酸化膜
2b:凹部
3:光導波路
3a:コア
3b:クラッド
4:金属反射部
4a:光反射面
5:光電変換素子
5a:発光点
6:集積回路素子
7:ベース部
8:実装部
9:高屈折率体
10:駆動回路素子
x:光導波路3の光軸
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に設けられた金属層と、
前記基板上に設けられた光導波路と、
前記金属層上に設けられ、前記光導波路の光軸に対して上向きに傾斜した傾斜面を有するベース部と、
上方に光電変換素子を設けて前記光導波路と光学的に結合させるための金属反射部であって、前記光導波路の光軸に対して傾斜するとともに前記光導波路と対向するように前記傾斜面に位置する光反射面を有し、前記金属層と接して前記基板の上方に設けられた金属反射部と、
を具備する光伝送基板。 - 前記金属層は、前記光導波路と前記基板との間に設けられ、
前記金属層の表面のうち前記光導波路と接する部位には、酸化処理されている請求項1記載の光伝送基板。 - 前記光導波路は樹脂から構成される請求項1または2記載の光伝送基板。
- 前記光導波路の光軸に対して傾斜した前記光反射面の傾斜角は、略45度である請求項1乃至3のいずれか記載の光伝送基板。
- 前記ベース部は、樹脂から構成される請求項1乃至4のいずれか記載の光伝送基板。
- 前記ベース部は角錐台形状であって、前記角錐台形状の有する前記複数の傾斜面のそれぞれに前記金属反射部が設けられ、
前記金属反射部のそれぞれと、それぞれの端部と、が光学的に結合するように、前記ベース部の周囲に複数の光導波路をさらに具備する請求項1乃至5のいずれか記載の光伝送基板。 - 請求項1乃至5のいずれか記載の光伝送基板と、
前記金属反射部の上方に設けられた光電変換素子と、
前記光伝送基板上に設けられ、前記光電変換素子と電気的に接続する集積回路素子と、
を具備する光モジュール。 - 請求項6記載の光伝送基板と、
前記複数の金属反射部の上方にそれぞれ設けられた複数の光電変換素子と、
前記ベース部の上面の中央に設けられた集積回路素子と、
を具備する光モジュール。
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