JP5409291B2 - 固体撮像素子、撮像装置 - Google Patents
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Description
5 MOS回路
14 画素電極
15 光電変換層
16 対向電極
21 システム制御部
31a 画像データ生成用画素
32a バイアス制御用画素
50 昇圧回路
Claims (5)
- 被写体からの光を受光して前記光に応じた信号を出力する複数の画素を有する固体撮像素子であって、
前記複数の画素の各々は、基板上方に設けられた一対の電極、前記一対の電極の間に設けられた光電変換層、及び前記基板に形成され、前記光の入射によって前記光電変換層で発生した電荷に応じた信号をMOSトランジスタによって読み出すMOS回路を含み、
前記複数の画素が、画像データ生成用の信号を出力する有効画素と、前記一対の電極間に印加するバイアス電圧を制御するために利用される信号であって前記画像データの生成に利用されない信号を出力する非有効画素とを含み、
前記有効画素と前記非有効画素はサイズが異なっており、
前記一対の電極間に本撮像の撮像条件に応じたバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加部と、
前記本撮像の前に、前記撮像条件にしたがって仮撮像を実施する制御部とを備え、
前記バイアス電圧印加部は、前記仮撮像によって前記非有効画素から前記MOS回路によって読み出された信号のレベルに応じて前記本撮像時の前記バイアス電圧を可変制御する固体撮像素子。 - 請求項1記載の固体撮像素子であって、
前記バイアス電圧印加部は、前記レベルが第一の閾値を越えた場合に、当該レベルが前記第一の閾値を下回るように、前記本撮像時のバイアス電圧を低くする固体撮像素子。 - 請求項1又は2記載の固体撮像素子であって、
前記バイアス電圧のレベル及び前記バイアス電圧を印加する期間を含む前記撮像条件を決定する撮像条件決定部を備え、
前記撮像条件決定部により決定されたホワイトバランスに応じて前記バイアス電圧のレベル又は前記バイアス電圧を印加する期間を決定する固体撮像素子。 - 請求項1〜3のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記バイアス電圧印加部が、チャージポンプ式の昇圧回路であり、クロックパルスの周波数を変化させることで前記バイアス電圧を変更する固体撮像素子。 - 請求項1〜4のいずれか1項記載の固体撮像素子を備える撮像装置。
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