JP5396160B2 - 光記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、金属反射膜を有して成る光記録媒体に係わる。

光記録媒体である光ディスク、特に再生専用のＲＯＭ（Read only Memory）ディスクは、１つのスタンパからプラスチックの射出成形によって短時間で大量のレプリカ基板を安価に製造することが可能である。そのため、パッケージメディアとして広く利用されている。

ところで、例えば、著作権の侵害の防止を目的として、ディスクごとに個々に異なる識別情報を付加することが考えられており、この識別情報を付加する方法として、例えば、金属反射膜に副データを記録することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１の光ディスクでは、金属反射膜として、Ａｇ（銀）合金が使用されている。
Ａｇ合金から成る金属反射膜は、特許文献１に記載されている副データを記録する再生専用型光記録媒体に限らず、一般的な再生専用型光記録媒体に使用することが可能である。
しかしながら、銀合金は、再生専用型光記録媒体の材料としてはやや高価であるため、コストがかかってしまう。

そこで、例えば、Ａｇの代わりに、Ａｌ（アルミニウム）を使用することが考えられる。
実際に、波長６５０ｎｍや波長７８０ｎｍの光で情報の記録や再生を行う光記録媒体において、金属反射膜にＡｌやＡｌ合金を使用している（例えば、特許文献２参照）。

特開２００７−３３５００３号公報 特開２００３−３１７３１８号公報

しかしながら、波長４０５ｎｍの光で情報の記録や再生を行う光記録媒体の金属反射膜に、従来の波長６５０ｎｍや波長７８０ｎｍの光で情報の記録や再生を行う光記録媒体で使用されているＡｌやＡｌ合金をそのまま使用すると、問題を生じる。
即ち、経時変化によって、波長４０５ｎｍの光に対する反射率が劣化してしまう。
また、金属反射膜に副データを記録して再生する場合に、経時変化によって、再生信号出力が変化してしまう。

上述した問題の解決のために、本発明においては、経時変化による金属反射膜の特性の変化が少なく、耐久性を有する光記録媒体を提供するものである。

上記課題を解決するために、本発明の光記録媒体は、基板と、基板に形成されたピット及びランドの組み合わせにより構成される主データが記録された情報記録面と、情報記録面に形成された主データの特定区間における、特定の位置に対して、記録パワーによるレーザ光照射によるマークを形成することによって副データが書き換え不能に記録される副データ記録区間とを具備する。更に、情報記録面に接して設けられ、Ａｌ１００−ｘ−ｚＴｉｘＦｅｚ（ｘ，ｚは原子％）で表わされ、ｘ＝１．５〜３．０であり、ｚ＝０．５である、金属反射膜とを含む。

これにより、経時変化による金属反射膜の特性（例えば、上述の波長４０５ｎｍの光に対する反射率）の変化を少なくすることが可能になる。

上述の本発明によれば、経時変化による金属反射膜の特性の変化を少なくすることが可能になる。
また、本発明によれば、安価な材料で金属反射膜を構成することができる。
従って、本発明により、経時変化による金属反射膜の特性の変化が少なく、耐久性を有する光記録媒体を、安価に実現することができる。

本発明の第１の実施の形態の再生専用型光記録媒体の概略構成図（断面図）である。 Ｔｉ−Ａｌ系のフェーズダイアグラムである。 本発明の第２の実施の形態の再生専用型光記録媒体の製造方法の一形態を説明する図である。 本発明の第２の実施の形態の再生専用型光記録媒体に対して使用する副データの記録装置の一形態の構成図である。 本発明の第２の実施の形態の再生専用型光記録媒体の副データの記録の説明図である。 本発明の第２の実施の形態の再生専用型光記録媒体に対して使用する副データの再生装置の一形態の構成図である。 本発明の第２の実施の形態の再生専用型光記録媒体の副データの再生の説明図である。 Ａ、Ｂ 実施例１、実施例２の再生専用型光記録媒体の加速試験前後の反射率の変化を示した図である。 Ａ、Ｂ 比較例１、比較例２の再生専用型光記録媒体の加速試験前後の反射率の変化を示した図である。 実施例３〜実施例７の再生専用型光記録媒体の初期の記録感度を示した図である。 実施例８〜実施例１２の再生専用型光記録媒体の初期の記録感度を示した図である。 実施例１３〜実施例１７の再生専用型光記録媒体の初期の記録感度を示した図である。 実施例３〜実施例７の再生専用型光記録媒体の加速試験前後の副データ再生信号出力の変化を示した図である。 実施例８〜実施例１２の再生専用型光記録媒体の加速試験前後の副データ再生信号出力の変化を示した図である。 実施例１３〜実施例１７の再生専用型光記録媒体の加速試験前後の副データ再生信号出力の変化を示した図である。

以下、発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態
２．第２の実施の形態
３．変形例
４．実施例

＜１．第１の実施の形態＞
本発明の第１の実施の形態の再生専用型光記録媒体の概略構成図（断面図）を、図１に示す。

この光ディスク１００は、基板１０１上に、金属反射膜１０２とカバー層１０３とが積層されてなる。
基板１０１としては、例えばポリカーボネート等のプラスチック基板を使用することができる。
この基板１０１の金属反射膜１０２と接する面には、凹凸の断面形状が与えられている。凹状の断面部はピットＰであり、凸状の断面部はランドＬである。即ち、カバー層１０３からレーザ光１０５が照射され、このレーザ光１０５の入射側に向って凸状の断面部がランドＬである。これらピットＰとランドＬの組み合わせ、具体的にはピットＰとランドＬのそれぞれの長さにより、情報の記録がなされている。
このピットＰとランドＬとが形成された基板１０１の凹凸面に、金属反射膜１０２が積層されている。そして、この金属反射膜１０２上に、さらにカバー層１０３が積層されている。
カバー層１０３の材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂フィルムや、紫外線硬化樹脂を所定の厚さでスピンコートした後に紫外線を照射して固体化させたものを使用することができる。

金属反射膜１０２は、基板１０１上に積層されることでピットＰとランドＬの形状に応じた凹凸の断面形状が与えられている。
また、金属反射膜１０２は、図１に示すように、対物レンズ１０４によって集光されたレーザ光１０５がカバー層１０３を介して照射される。このとき、凹凸に応じた反射光が得られる。

本実施の形態においては、特に、金属反射膜１０２を、Ａｌ_{１００−ｘ−ｚ}Ｘ_ｘＺ_ｚ（ｘ，ｚは原子％）のＡｌ合金により形成する。
ここで、ＸはＴｉ（チタン）を含み、ＺはＦｅ（鉄）を含む。
そして、Ａｌ合金中のＸの組成ｘとＺの組成ｚを、ｘ＝１．０〜３．０、ｚ＝０．０５〜１．０の範囲内に選定する。

なお、Ｘは、主成分であるＴｉの他に、Ｗ，Ｔａ，Ｖ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｚｒを含んでいても良い。Ｚは、主成分であるＦｅの他に、Ｃｏ，Ｎｉを含んでいても良い。

ここで、Ａｌ−Ｔｉ系のフェーズダイアグラムを、図２に示す。
ＡｌにＴｉが完全に固溶するのは、Ａｌ９８．５％−Ｔｉ１．５％（数字は原子％）までであるが、これよりＴｉ濃度が高くても、ＴｉＡｌ_３の金属間化合物を均一に分散させることにより、あたかも合金になっているように振舞わせることが可能である。
そして、金属反射膜１０２として充分な均一性を持たせることが可能である範囲は、Ａｌ９７％−Ｔｉ３％（数字は原子％）が上限であると考えられる。

Ｔｉを含むＸの含有量ｘが３．０原子％を超えると、金属反射膜１０２として充分な均一性を持たせることが困難になる。
また、Ｔｉを含むＸの含有量ｘが１．０原子％未満であったり、Ｆｅを含むＺの含有量ｚが０．０５原子％未満又は１．０原子％を超えていたりすると、金属反射膜１０２の耐久性や特性が充分に得られないおそれがある。

金属反射膜１０２のＡｌ合金は、例えば、蒸着法やスパッタ法により、形成することができる。
スパッタのターゲットとしては、合金と同じ組成のターゲットを使用してもよい。また、それぞれ合金の成分を含む複数種類の組成のターゲットを、同時に組み合わせて使用してもよい。

本実施の形態の光ディスク１００は、特に、ピット及びランドの組み合わせにより基板１０１に記録された情報の読み出しに、波長４０５ｎｍの光（青色レーザ等）が使われる光ディスクに適用すると好適である。

上述の本実施の形態の光ディスク１００によれば、金属反射膜１０２がＡｌ_{１００−ｘ−ｚ}Ｘ_ｘＺ_ｚのＡｌ合金であり、ＸがＴｉを含み、ＺがＦｅを含み、Ｘの含有量ｘ（原子％）がｘ＝１．０〜３．０であり、Ｚの含有量ｚ（原子％）がｚ＝０．０５〜１．０である。これにより、経時変化による金属反射膜１０２の特性（例えば、波長４０５ｎｍの光等の比較的短い波長の光に対する反射率）の変化を少なくすることができる。
また、Ａｌ合金という安価な材料で、金属反射膜１０２を構成することができる。
従って、本実施の形態により、経時変化による金属反射膜１０２の特性の変化が少なく、耐久性を有する光ディスク１００を、安価に実現することができる。

＜２．第２の実施の形態＞
本発明の第２の実施の形態の再生専用型光記録媒体の構成を説明する。
再生専用型光記録媒体の断面構造は、図１に示した第１の実施の形態の光ディスク１００と同様である。

本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、金属反射膜１０２をＡｌ_{１００−ｘ−ｚ}Ｘ_ｘＺ_ｚ（ｘ，ｚは原子％）のＡｌ合金により形成する。そして、ＸはＴｉを含み、ＺはＦｅを含み、Ｘの含有量ｘ（原子％）がｘ＝１．０〜３．０であり、Ｚの含有量ｚ（原始％）がｚ＝０．０５〜１．０である。

本実施の形態では、さらに、図１に示した光ディスク１００の金属反射膜１０２を、追記記録可能な金属反射膜として、凹凸による主データとは別のデータである、副データをこの金属反射膜１０２に記録する構成とする。

Ｔｉを含むＸの含有量ｘが３．０原子％を超えると、金属反射膜１０２として充分な均一性を持たせることが困難になる。
また、Ｔｉを含むＸの含有量ｘが１．０原子％未満であったり、Ｆｅを含むＺの含有量ｚが０．０５原子％未満では十分な記録感度が得られず、また、ｚが１．０原子％を超えていたりすると、金属反射膜１０２の耐久性が充分に得られないおそれがある。特に、本実施の形態では、金属反射膜１０２に記録した副データの再生信号出力が経時変化により変化したりするおそれがある。

本実施の形態では、光ディスク１００の金属反射膜１０２に副データを記録するので、光ディスク１００の製造方法が、副データを記録しない通常の光記録媒体とは異なる。

ここで、本実施の形態の再生専用型光記録媒体の製造方法の一形態を、図３を参照して説明する。
図３に示すように、まず、ユーザデータのフォーマット化工程Ｓ１１を実行する。このフォーマット化工程Ｓ１１は、例えばコンピュータ等を用いて行う。
このフォーマット化工程Ｓ１１では、光ディスク１００に対して記録されるべきコンテンツデータ（ユーザデータ）について、所定の規格に応じたフォーマットデータ列が得られるように変換動作を行う。また、実際には、ユーザデータに対する誤り検出符号及び誤り訂正符号の付加、インターリーブ処理等も行う。

次に、可変長変調工程Ｓ１２を行う。この工程Ｓ１２では、フォーマット化工程Ｓ１１により生成されたデータ列に対して、可変長変調処理を施す。
この可変長変調工程Ｓ１２により得られたデータ列の”０””１”パターンが、実際にディスク１００に対して形成されるピットＰとランドＬのパターンとなる。
このように、ユーザデータについてフォーマット化、可変長変調処理が施されて得られたデータを、ここでは主データと呼称する。

続いて、原盤作製工程Ｓ１３を行う。原盤作製工程Ｓ１３は、周知のマスタリング装置を用いて行う。
原盤作製工程Ｓ１３では、まず、ガラス原盤に対してフォトレジストを形成する。そして、フォトレジストが形成されたガラス原盤を回転駆動した状態で、可変長変調工程Ｓ１２にて生成した主データに応じて変調したレーザ光を照射して、現像処理することにより、記録トラックに沿った凹凸のパターンを形成する。つまり、ピットＰとランドＬを形成する。
次に、ピットとランドが形成されたガラス原盤上に電解メッキを施し、これを剥離して金属原盤Ｄ１４を作製する。

このようにして得た金属原盤Ｄ１４を用いて、ディスク形成工程Ｓ１５を行う。
ディスク形成工程Ｓ１５では、まず金属原盤Ｄ１４をもとにスタンパを作製する。そして、このスタンパを成型金型内に配置して、射出成型機を用いてポリカーボネートやアクリル等の透明樹脂により基板１０１を形成する。この基板１０１には、先の変調工程Ｓ１２にて生成された主データに応じたピットとランドのパターンが記録トラックに沿って形成されている。
そして、この基板１０１に対して、金属反射膜１０２の成膜用金属合金ターゲットを用いて、金属反射膜１０２を蒸着、スパッタ等により積層し、さらに、この金属反射膜１０２上にカバー層１０３を積層する。これにより、主データのみが記録された光ディスク（主データ記録ディスク）Ｄ１６を形成する。

続いて、副データ記録工程Ｓ１７を行う。即ち、上述したピットＰとランドＬのパターンによって記録される主データ以外に、副データを記録する。副データの記録には、詳細を後述する副データ記録装置５０を使用する。
この場合、副データは、そのデータ内容部分となる実データ作製として、主データの記録がなされたディスクＤ１６の個々に、ユニークとなる例えばシリアル番号情報を記録する。即ち、これによって、副データ記録工程Ｓ１７により作製される各光ディスク１００として、それぞれ固有の識別情報（識別番号）が付加される。
また、この副データとしては、実データとしての識別情報に加え、例えばエラー訂正符号も付加するようにされる。このエラー訂正符号が付されることで、再生時に上記識別情報についてのエラー訂正処理を行うことができる。

副データは、ピットＰとランドＬとによる主データの特定区間における、特定の位置に対して、金属反射膜１０２に記録パワーによるレーザ光照射によるマークを形成することによって記録する。
副データは、この場合は識別情報とエラー訂正符号を含むものとするが、他のデータを付加することもできる。

（副データ記録装置）
次に、この第２の実施の形態の再生専用型光記録媒体、例えば光ディスクＤ１６に対して上述した副データを記録する副データ記録装置の一形態を説明する。
副データ記録装置の一形態の構成図（ブロック図）を、図４に示す。
副データは、前述したように、そのデータ内容として各光ディスク１００に固有の識別情報を記録するものとしているので、この副データ記録装置５０は、装填される光ディスク１００（Ｄ１６）ごとに異なるパターンによる副データを記録する。
また、副データは、光ディスクＤ１６上において予めこれを記録する区間が定められ、さらにこの区間内において、それぞれのマークを挿入する位置としても、予め定められている。副データ記録装置５０としては、このような予め定められた特定の位置にマークが記録できるように構成されている。

まず、光ディスクＤ１６は、ターンテーブル（図示せず）に載置された状態で、スピンドルモータ５１によって所定の回転駆動方式に従って回転駆動される。このように、回転駆動される光ディスクＤ１６に対し、光ピックアップＯＰが記録信号（主データ）の読み出しを行う。
この光ピックアップＯＰには、レーザ光源となるレーザダイオードＬＤ、レーザ光を光ディスク１００の記録面に集光・照射するための対物レンズ５２、光ディスクＤ１６からのレーザ光照射に基づく反射光を検出するフォトディテクタＰＤ等が備えられている。

光ピックアップＯＰ内のフォトディテクタＰＤによって検出された反射光情報は、Ｉ‐Ｖ変換回路５３にて電気信号に変換された後、マトリクス回路５４に供給される。マトリクス回路５４は、Ｉ‐Ｖ変換回路５３からの反射光情報に基づいて再生信号ＲＦ、トラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥを生成する。

サーボ回路５５は、マトリクス回路５４からのトラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥに基づき、２軸駆動回路５６が出力するトラッキングドライブ信号ＴＤおよびフォーカスドライブ信号ＦＤを制御する。これらトラッキングドライブ信号ＴＤ・フォーカスドライブ信号ＦＤは、光ピックアップＯＰ内にて対物レンズ５２を保持する２軸機構（図示せず）に対して供給される。そして、これらの信号に基づいて、対物レンズ５２がトラッキング方向、フォーカス方向に駆動されるようになっている。
これらサーボ回路５５、２軸駆動回路５６、２軸機構によるトラッキングサーボ・フォーカスサーボ系において、サーボ回路５５が、トラッキングエラー信号ＴＥやフォーカスエラー信号ＦＥに基づく制御を行う。これにより、光ディスクＤ１６に照射されるレーザ光のビームスポットが光ディスクＤ１６に形成されるピット列（記録トラック）をトレースして、かつ適正なフォーカス状態で維持されるように制御が行われる。

また、マトリクス回路５４にて生成された再生信号ＲＦは、２値化回路５７に供給されて、この２値化回路５７で“０”“１”の２値化データに変換される。この２値化データは、同期検出回路５８、及びＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路５９に対して供給される。

ＰＬＬ回路５９は、供給される２値化データに同期したクロックＣＬＫを生成し、これを必要な各部の動作クロックとして供給する。特に、このクロックＣＬＫは、２値化回路５７、同期検出回路５８、アドレス検出回路６０、並びに、副データ発生回路６１の動作クロックとしても供給される。

同期検出回路５８は、供給される２値化データから、フレームごとに挿入されるｓｙｎｃパターンを検出する。具体的には、この場合のｓｙｎｃパターンとされる９Ｔ区間を検出してフレーム同期検出を行う。
フレーム同期信号は、アドレス検出回路６０を始めとした、必要な各部に対して供給される。

アドレス検出回路６０は、フレーム同期信号と供給される２値化データとに基づき、アドレス情報の検出を行う。検出されたアドレス情報は、副データ記録装置５０の全体制御を行う図示されないコントローラに供給されて、シーク動作等に用いられる。また、このアドレス情報は、副データ発生回路６１における記録パルス生成回路６３に対しても供給される。

副データ発生回路６１は、図示するようにして記録パルス生成回路６３、ＲＡＭ（Random Access Memory）６２を備えている。この副データ発生回路６１は、入力される副データ、及びアドレス検出回路６０から供給されるアドレス情報とＰＬＬ回路５９から供給されるクロックＣＬＫとに基づいて、記録されるべき副データを記録するための記録パルス信号Ｗｒｐを生成する。

レーザパワー制御部６４は、副データ発生回路６１から出力される記録パルス信号Ｗｒｐに基づいて、光ピックアップＯＰ内のレーザダイオードＬＤのレーザパワーを制御する。具体的には、レーザパワー制御部６４は、記録パルス信号ＷｒｐがＬ（低）レベルのときは、再生パワーによるレーザ出力が得られるように制御する。また、記録パルス信号ＷｒｐがＨ（高）レベルのときは、記録パワーとなるように制御を行う。
このレーザパワー制御部６４の制御によって、記録パワーによるレーザ照射が行われることにより、このレーザ照射部分における金属反射膜１０２にマークが形成されることになる。このように反射膜１０２に形成されるマークによって、光ディスクＤ１６上に副データが記録される。

また、図５は、図４の副データ発生回路６１の動作によって実現しようとする副データの記録について説明するための図である。
この図５では、副データを構成する１ビットの符号として“０”を記録する場合と“１”を記録する場合のそれぞれの例を示している。
先ず、符号の表現方法としては、主データ中に存在する所定長のランドについて、隣接する奇数番目（ｏｄｄ）と偶数番目（ｅｖｅｎ）とを１組として考える。そして、これら所定長のランドの隣接する奇数番目と偶数番目の１組ごとについて、奇数番目に対してマークを記録した場合は符号“０”、偶数番目にマークを記録した場合は“１”と定義付ける。
この図５の例では、所定長ランドとして、５Ｔのランドに対してマークを記録する例を示している。なお、ここでは所定長のランドに対してマークを形成する例を説明するが、所定長のピットに対して形成することもできる。

そして、この場合は、副データを構成する１ビットの符号の記録に割り当てる区間として、１アドレス単位となる１アドレスユニットを割り当てている。
つまり、この図５に示されるようにして、１アドレスユニット内の隣接する奇数番目と偶数番目の所定長ランドの組ごとに、同一の符号を表現する形態でマークを記録していく。具体的に、符号“０”を記録する場合は、１アドレスユニット内の所定長ランドの奇数番目のみにマークを記録する。また、符号“１”を記録する場合には、１アドレスユニット内の所定長ランドの偶数番目に対してのみマークを記録するようにする。

再生時においては、１アドレスユニット内の所定長ランドの隣接する奇数番目と偶数番目の組ごとに再生信号ＲＦについてサンプリングを行い、奇数番目でサンプリングした再生信号ＲＦの値から偶数番目でサンプリングした再生信号ＲＦの値を減算する。即ち、「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の演算を行う。

ここで、記録したマークの再生信号レベルがマーク未記録部分での再生信号レベルに比べ高くなる例で考える。
奇数番目にのみマークが記録された符号“０”の場合、このような「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の演算を行うと、理想的には隣接する所定長ランドごとに正の値が得られる。即ち、このように各隣接する所定長ランドごとに演算された「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の値を積分すると、確実に正の値が得られこれを検出することができる。
逆に、偶数番目にのみマークが記録される符号“１”の場合、隣接する所定長ランドごとに演算される「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の値は理想的には負の値となる。従って、これを積分することにより、確実に負の値が得られて、これを検出することが可能となる。
なお、再生信号レベルの変化が低くなってもよく、その場合には、上述した演算の結果において所望の符号が得られるように、記録するマークの奇数／偶数の別や、或いは、演算の順番を変更すればよい。

上述したように、特定の区間にわたって同一の記録パターンを繰り返して記録し、再生時にはこれら複数の同一記録パターンに基づいて１つの値を判定することにより、マーク記録により与える反射率変化は微少なもので足るものとすることができる。
このように、マーク記録に伴う反射率変化を微小なものとできることで、記録されたマークが主データの２値化処理に影響を与えないようにすることができる。

副データを構成する他の符号についても、上述したと同様の手法により、マークを記録していく。
つまりこの場合、副データは、これを構成する符号と同数のアドレスユニットにわたって記録されることになる。
このように副データを記録する区間（以下、副データ記録対象区間とも呼ぶ）は、予め副データ記録装置５０と再生装置との間で定められている。従って、副データ記録装置５０では、このように予め定められた副データ記録対象区間としての複数のアドレスユニットにわたって上述したマークの記録を実行するように構成されている。

ここで、上述した記録手法において、注意すべきは、所定長ランドに対して記録するマークがエッジ部分に対して記録されてしまった場合には、主データの２値化が適正に行われなくなってしまう可能性があるということである。即ち、このようにして所定長ランドのエッジ部分にマークが記録された場合、マーク記録部分では反射率がその分高くなる傾向となるので、２値化処理において誤ったランド長（又はピット長）が検出されてしまう可能性がある。
そこで、マークとしては、記録対象となるランドの中央部に記録するものとしている。これによれば、エッジ部分は通常通り得ることができるので、この点でも２値化処理に影響を与えないように図られている。

以上のような記録動作が得られるように、図４の副データ発生回路６１内の記録パルス生成回路６３は、図５中に示されるようなタイミングによる記録パルス信号Ｗｒｐを生成する。
つまり、符号“０”に対応しては、奇数番目の所定長ランドにおける中央部のみでＨレベルとなる記録パルス信号Ｗｒｐを生成する。
また、符号“１”に対応しては、偶数番目の所定長ランドにおける中央部のみでＨレベルとなる記録パルス信号Ｗｒｐを生成する。

次に、金属反射膜１０２に対して形成されたマークによって副データが記録された光ディスク１００に対する再生を行う再生装置の一形態を説明する。
（再生装置）
図６は、この再生装置１の構成を示すブロック図である。
なお、図６では、主に副データの再生に係る部分のみを抽出して示しており、主データの再生系の構成として特に２値化処理後段の復調系の構成については省略している。また、反転回路１５及び判定回路１６についても、その説明を省略する。

この再生装置１において、光ディスク１００は、ターンテーブル（図示せず）に載置された状態でスピンドルモータ２によって所定の回転駆動方式に従って回転駆動される。この回転駆動される光ディスク１００に対し、この場合も図示する光ピックアップＯＰが記録信号（主データ）の読み出しを行う。
なお、図示は省略したが、この場合の光ピックアップＯＰにおいても、レーザ光源となるレーザダイオード、レーザ光を光ディスク１００の記録面に集光・照射するための対物レンズを備えている。また、対物レンズをトラッキング方向及びフォーカス方向に変位可能に保持する２軸機構、光ディスク１００からの上記レーザ光照射に基づく反射光を検出するフォトディテクタ等を備えている。
また、再生装置１において、光ディスク１００に照射するレーザ光は、再生パワーによるものである。

光ピックアップＯＰ内のフォトディテクタによって検出された反射光情報は、Ｉ‐Ｖ変換回路３にて電気信号に変換された後、マトリクス回路４に供給される。マトリクス回路４は、Ｉ‐Ｖ変換回路３からの反射光情報に基づいて再生信号ＲＦを生成する。
また、図示はしていないが、このマトリクス回路４にて生成される信号としてはトラッキングエラー信号ＴＥ、フォーカスエラー信号ＦＥもある。これらは、図示しないサーボ回路に供給されて、それぞれトラッキングサーボ、フォーカスサーボ制御動作に用いられる。

マトリクス回路４にて生成された再生信号ＲＦは、２値化回路５に供給されると共に、後述するＡ／Ｄコンバータ１１に対しても分岐して供給される。
２値化回路５は、供給される再生信号ＲＦを“０”“１”の２値化データに変換する。
そして、この２値化データをＰＬＬ回路８、同期検出回路９、アドレス検出回路１０に対して供給する。
また、２値化データは、後述する検出パルス生成部１２内の検出パルス生成回路１２ａに対しても供給される。

ＰＬＬ回路８は、供給される２値化データに同期したクロックＣＬＫを生成し、これを必要な各部の動作クロックとして供給する。特に、この場合のクロックＣＬＫは、図示しないが、検出パルス生成回路１２ａに対しても供給される。
同期検出回路９は、供給される２値化データから、フレームごとに挿入されるｓｙｎｃ部分を検出する。具体的には、この場合のｓｙｎｃパターンとされる９Ｔ区間を検出してフレーム同期検出を行う。
フレーム同期信号は、アドレス検出回路１０を始めとした、必要な各部に供給される。

アドレス検出回路１０は、上記フレーム同期信号に基づき、供給される２値化データからアドレス情報の検出を行う。検出されたアドレス情報は、当該再生装置１の全体制御を行う図示されないコントローラに供給されてシーク動作等に用いられる。また、このアドレス情報は、検出パルス生成部１２内の検出パルス生成回路１２ａに対しても供給される。

なお、これまでに説明した光ピックアップＯＰ、Ｉ‐Ｖ変換回路３、マトリクス回路４、２値化回路５、ＰＬＬ回路８、同期検出回路９、アドレス検出回路１０は、光ディスク１００に対して記録された主データについての再生時にも用いられる部分である。
つまり、これらの各部は、副データの再生にあたり主データの再生系の構成を共用している部分である。

検出パルス生成部１２は、副データとしての識別情報の再生にあたり、先の副データ記録装置５０との間で共通となるようにして定められたマークの記録方法に応じた検出ポイントを示す検出パルス信号Ｄｐを生成する。
この検出パルス生成部１２内には、検出パルス生成回路１２ａとＲＡＭ１２ｂとが備えられる。検出パルス生成回路１２ａは、ＲＡＭ１２ｂに格納した情報に基づいて検出パルスＤｐを生成する。そして、生成した検出パルス信号ＤｐをＡ／Ｄコンバータ１１に対して供給する。

Ａ／Ｄコンバータ１１には、マトリクス回路４からの再生信号ＲＦが供給されている。このＡ／Ｄコンバータ１１は、供給される再生信号ＲＦを検出パルス信号Ｄｐによって指示されるタイミングでサンプリングし、その値を副データ検出回路１３に供給する。副データ検出回路１３は、Ａ／Ｄコンバータ１１から供給される値について所定演算を行って副データの各値を検出する。つまり、例えばこの場合は、先に述べた「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」に対応する演算を行った結果に基づいて、副データの各値を検出する。

副データ検出回路１３にて検出された副データの値は、ＥＣＣ（Error Correcting Code）回路１４に供給される。
この場合の副データとしては、識別情報とエラー訂正符号を含むものである。このＥＣＣ回路１４では、副データ中の上記エラー訂正符号に基づきエラー訂正処理を行うことによって、識別情報を再生する。

再生された識別情報は、図示するホストコンピュータ６に供給される。
ホストコンピュータ６は、再生装置１の全体制御を行う図示されないコントローラに対してコマンドの送出を行って、各種の動作を指示する。例えば、光ディスク１００に記録される主データの再生を指示するコマンドの送出を行う。これに応じて、光ディスク１００から再生された主データは、２値化回路５にて２値化された後に、図示されていない復調系にて復調（ＲＬＬ１−７ＰＰ復調）やエラー訂正処理等がなされ、このホストコンピュータ６に供給される。
また、このホストコンピュータ６に対しては、所要のネットワークを介したデータ通信を行うためのネットワークインタフェース７が備えられている。これにより、ホストコンピュータ６は、例えばインターネット等の所定のネットワークを介した外部機器、特に図示する管理サーバ７０との間でデータ通信が可能とされている。

上記構成による再生装置１において行われる副データの値の検出（再生）の動作について、図７を参照して説明する。
図７では、光ディスク１００上の１アドレスユニットに対し、副データの１ビットの値としてそれぞれ“０”が割り当てられた場合と“１”が割り当てられた場合とでのマークの記録状態を示している。なお、この図７では説明のため、主データとしてのピットとランドが同じパターンで形成された場合を示している。

まず、前述したように、副データとしては、光ディスク１００上の所定の副データ記録対象区間において、各アドレスユニットにそれぞれ１ビットの情報を割り当てるようにして記録される。
また、符号の表現方法としては、この場合、所定長のランドのうち奇数番目にマークを記録した場合は“０”を定義し、偶数番目にマークを記録した場合は”１”を定義している。つまり、図７に示すように、符号“０”のときは、そのアドレスユニット内では所定長のランドのうちの奇数番目にのみマークが記録される。また、符号“１”のとき、そのアドレスユニット内では所定長のランドのうちの偶数番目にのみマークが記録されたものとなる。

ここで、マークが記録された部分は、例えば反射率が微少に増加する部分となる。このことから再生信号ＲＦの波形としては、図示するようにして、マークの記録された部分でそのレベルが増加することになる。
副データの再生では、このようなマーク記録部分での微少な反射率の増加に基づいて、各値を判定する動作を行うことになる。

なお、前述したように、ランドの中央部にマークが記録されることにより、図７の再生信号ＲＦの波形からわかるように、マークが記録されるランドではその中央部のみでレベルが増加して、エッジ部分の波形は通常通り得られる。これにより、前述したようにして、主データの２値化に影響を与えないようにすることができる。

ここで、上述した説明によれば、符号“０”のときは、奇数番目の所定長ランドでのみ再生信号ＲＦの値が微少に増加することになる。また、符号“１”のときは、偶数番目の所定長ランドでのみ再生信号ＲＦの値が微少に増加する。
従って、この場合、各アドレスユニットに割り与えられた副データの各値を判定するにあたっては、そのアドレスユニット内の所定長ランドについて奇数番目と偶数番目のどちらが再生信号ＲＦの値が増加しているかを検出すればよいことになる。

マーク記録部分での再生信号ＲＦの値の増加は、例えば、マーク未記録部分での再生信号ＲＦの値からの差を求めることによって検出できる。
この際、上述のように、符号“０”のときは奇数番目のみに、符号“１”のときは偶数番目のみに、マークが記録されるということは、換言すれば、符号“０”のときは必ず偶数番目が未記録部分となり、符号“１”のときは奇数番目が必ず未記録部分となる。
このことから、隣り合う奇数番目（ｏｄｄ）と偶数番目（ｅｖｅｎ）について、「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」による演算を行うことにより、ｏｄｄとｅｖｅｎのどちらが再生信号ＲＦの値が増加している（マークが記録されている）かを、調べることができる。
具体的に、この「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」が正の値であれば、奇数番目での再生信号ＲＦの値が増加しているものであり、よって奇数番目にマークが記録されていることがわかる。逆に、「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」が負の値であれば、偶数番目の再生信号の値が増加しているものであり、偶数番目にマークが記録されていることがわかる。

ただし、実際において、再生信号ＲＦにはノイズ成分が重畳される。マーク記録部分での再生信号ＲＦの値の低下は微少なものであり、このようなノイズ成分に埋もれる可能性もある。従って、所定長ランドの隣り合う偶数番目の１組についてのみ、「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」による検出を行ったのでは、確実に値を判定することが困難となる。
このため、副データの再生動作としては、上記のように隣り合う奇数番目と偶数番目の組ごとに算出した「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の値を積分し、この積分値に基づいて、そのアドレスユニットに割り当てられた１ビットの値を判定するものとしている。この積分値は副データの再生信号出力に比例した値として取り扱うことができ、「Ａｍｐ値」という言葉で表すこともある。このようにすることで、副データの値をより確実に検出することができる。

ところで、「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」の算出のためには、ｏｄｄとｅｖｅｎ、即ち、奇数番目と偶数番目の双方の所定長ランドの中央部分で得られる再生信号ＲＦの値をサンプリングする必要がある。この「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」算出のためのサンプリングタイミングを指示するための信号として、図６に示した検出パルス生成部１２は、図中検出パルス信号Ｄｐを生成する。

ここで、上記のような「ｏｄｄ−ｅｖｅｎ」算出のための検出パルス信号Ｄｐとしては、図６を参照してわかるように、主データ中に得られる所定長ランドの中央部でのみＨレベルとなる信号を生成すればよい。
そして、この検出パルス信号Ｄｐの生成にあたっては、先の副データ記録装置５０の場合での記録パルス信号Ｗｒｐの生成と同様に、光ディスク１００上の副データ記録対象区間において記録される主データの内容から、該当するタイミングを生成すればよい。

ただし、再生装置１としては、副データ記録装置５０の場合のように光ディスク製造側で使用されるものではないことから、光ディスク１００に記録されている内容を予め装置内部に格納するということはできない。
そこで、再生装置１としては、装填された光ディスク１００から副データ記録対象区間の主データを読み出し、これを装置内部に格納して上記検出パルス信号Ｄｐの生成に用いるようにしている。

このように読み出された副データ記録対象区間の主データを格納するためのメモリとして、再生装置１では、図６に示した検出パルス生成部１２内のＲＡＭ１２ｂを設けている。そのデータ構造は、各アドレス対応に読み出された主データが格納されるものとなる。
検出パルス生成回路１２ａでは、ＲＡＭ１２ｂに格納される記録対象区間内の主データの内容に基づいて、記録パルス信号Ｗｒｐ生成の場合と同様に、該当するタイミングでのみ“１”となり、それ以外が全て“０”となるデータ列を生成する。そして、このように生成したデータ列に基づく検出パルス信号Ｄｐを生成して、これをＡ／Ｄコンバータ１１に供給する。この検出パルス信号Ｄｐにより指示されるタイミングでＡ／Ｄコンバータ１１が再生信号ＲＦの値をサンプリングすることで、図７に示したような適切なタイミングで再生信号ＲＦの値をサンプリングすることができる。

本実施の形態の光ディスク１００は、特に、金属反射膜１０２への副データの記録と、記録された主データ及び副データの読み出しに、波長４０５ｎｍの光（青色レーザ等）が使われる光ディスクに適用すると、好適である。

上述の本実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の範囲内に金属反射膜１０２の組成を規定しているので、経時変化による金属反射膜１０２の特性（例えば、波長４０５ｎｍの光等の比較的短い波長の光に対する反射率）の変化を少なくすることができる。
また、Ａｌ合金という安価な材料で、金属反射膜１０２を構成することができる。
従って、本実施の形態により、経時変化による金属反射膜１０２の特性の変化が少なく、耐久性を有する光ディスク１００を、安価に実現することができる。

また、本実施の形態では、金属反射膜１０２に副データを記録するが、金属反射膜１０２の組成を第１の実施の形態と同様の範囲内に規定したことにより、副データについての特性の経時変化による劣化も抑制することができる。例えば、副データの再生信号出力の経時変化による劣化を抑制することができる。

さらにまた、前記特許文献１のようなＡｇ合金を金属反射膜に使用した場合と比較して、副データの記録に対する記録感度を大きくすることが可能になる。
これにより、比較的小さいパワーで副データの記録を行うことができる。そのため、副データの記録に要する時間を短縮することや、副データの記録の際の熱の発生を低減して基板１０１やカバー層１０３の変化を抑制することや、副データの記録装置の構成の簡略化や消費電力の低減等の作用効果が期待できる。

また、第１の実施の形態とも共通であるが、Ａｌ合金は、Ａｇ合金と比較して膜厚が薄くても、波長４０５ｎｍの光等比較的短波長の光に対する反射率が高い。これにより、同じ反射率を実現するための膜厚がＡｇ合金よりも薄くなるので、成膜時間の短縮や材料費の低減を図ることができる。

＜３．変形例＞
上述の各実施の形態では、ピットによりデータ（第２の実施の形態の場合は主データ）が記録された情報記録面が１つのみであり、情報記録面に対して金属反射膜１０２が１層形成された場合であった。
本発明は、情報記録面が２つ以上あって、それぞれの情報記録面に対して金属反射膜が設けられた再生専用型光記録媒体にも適用することができる。
情報記録面が２つ以上の再生専用型光記録媒体を作成する方法において、情報記録面間のスペーサ層を紫外線硬化樹脂で形成する方法がある。この際に紫外線を照射する方向は、製法によって様々に考えられるが、基板側から紫外線を照射する場合には基板上に形成された金属反射膜を透過させた紫外線を用いることになるため、金属反射膜の紫外線透過率がある程度以上必要である。
本発明の金属反射膜の組成範囲内でも、添加する元素（ＴｉやＦｅ）の添加量が比較的少ない組成で、ある程度以上の紫外線透過率を実現することが可能である。
本発明の金属反射膜では記録感度を大きくして弱いパワーでも副データを記録することができるので、２つ以上の情報記録面を有する場合にも使用することが可能になる。

また、本発明の再生専用型光記録媒体は、情報記録面と情報記録面に接する金属反射膜とを有する構成であれば、通常のディスク状の再生専用型光記録媒体に限らず、カード状やスティック状等、その他の形状とすることも可能である。

＜４．実施例＞
本発明の再生専用型光記録媒体を実際に作製して、特性を調べた。

［実験１．反射率の経時変化の比較］
再生専用型光記録媒体の寿命を推定するため、加速試験による金属反射膜の反射率の経時変化の比較を行った。

（実施例１）
ポリカーボネート樹脂から成り、主データによるピットＰとランドＬの凹凸パターンが表面に形成された、直径１２０ｍｍのディスク状の基板１０１を用意した。
この基板１０１上に、スパッタ法により、ＡｌにＴｉが２％含まれ、Ｆｅが０．５％含まれた（数字は原子％）金属反射膜１０２を形成した。スパッタ法の条件は、３．５ｋＷ、１．２秒間の成膜時間とした。
次に、金属反射膜１０２の上に、紫外線硬化樹脂から成るカバー層１０３を形成した。このようにして、光ディスク１００を作製して、実施例１の試料とした。

（実施例２）
金属反射膜１０２を形成するスパッタ法の条件を５．０ｋＷ、１．２秒間の成膜時間として、その他は実施例１と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例２の試料とした。スパッタ法の条件を５．０ｋＷとしたことにより、実施例１の試料と比較して、金属反射膜１０２がやや厚く形成された。

（比較例１）
金属反射膜１０２を市販のディジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）で用いられているものと同等のＡｌ合金膜として、その他は実施例１と同様にして光ディスク１００を作製して、比較例１の試料とした。

（比較例２）
金属反射膜１０２を市販のディジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）で用いられているものと同等のＡｌ合金膜として、その他は実施例２と同様にして光ディスク１００を作製して、比較例２の試料とした。

（反射率の測定）
実施例１〜実施例２及び比較例１〜比較例２の各試料の光ディスク１００に対して、金属反射膜１０２の反射率の測定を行った。
信号評価装置を使用して、波長４０５ｎｍの光に対する、金属反射膜１０２の反射率を測定した。反射率は、光ディスク１００の中心からの距離が異なる５つの領域について、同じ領域内で数箇所測定を行った。

（加速試験）
続いて、各試料の光ディスク１００に対して、経時変化を調べるために加速試験を行った。加速試験は、温度８０℃、湿度８５％ＲＨの条件で、２４０時間行った。
加速試験後の各試料について、加速試験前と同様に、金属反射膜１０２の反射率を測定した。

測定結果として、加速試験前後の各試料の反射率の変化を、図８及び図９に示す。図８Ａは実施例１の試料、図８Ｂは実施例２の試料、図９Ａは比較例１の試料、図９Ｂは比較例２の試料の、各結果を示している。図８及び図９の各図において、横軸は光ディスク１００の半径即ち中心からの距離（ｍｍ）を示しており、縦軸は反射率を示している。

図９Ａより、比較例１の試料では、加速試験前の４５％程度の反射率から、加速試験後の反射率が１０％程度も低下している。
図９Ｂより、比較例２の試料では、加速試験前の５７％程度の反射率から、加速試験後の反射率が１０％程度も低下している。
図８Ａより、実施例１の試料では、加速試験前の４５％程度の反射率から、加速試験後の反射率の低下が３〜５％に抑えられている。
図８Ｂより、実施例２の試料では、加速試験前の５７％程度の反射率から、加速試験後の反射率の低下が１〜２％に抑えられている。
従って、実施例１及び実施例２のように本発明の再生専用型光記録媒体の構成とすることにより、反射率の経時変化を抑制することができることがわかる。

［実験２．副データ再生信号の加速試験後の信号出力変化］
次に、光に対する金属反射膜の副データの記録感度と副データ再生信号の経時変化の比較を行った。

（実施例３）
スパッタ法の条件を４．０ｋＷとして、ＡｌにＴｉが１．５％含まれ、Ｆｅが０．５％含まれた金属反射膜１０２を形成し、その他は実施例１と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例３の試料とした。

（実施例４）
スパッタ法の条件を４．５ｋＷとして、その他は実施例３と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例４の試料とした。

（実施例５）
スパッタ法の条件を５．０ｋＷとして、その他は実施例３と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例５の試料とした。

（実施例６）
スパッタ法の条件を５．５ｋＷとして、その他は実施例３と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例６の試料とした。

（実施例７）
スパッタ法の条件を６．０ｋＷとして、その他は実施例３と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例７の試料とした。

（実施例８）
スパッタ法の条件を４．０ｋＷとして、ＡｌにＴｉが２．０％含まれ、Ｆｅが０．５％含まれた金属反射膜１０２を形成し、その他は実施例１と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例８の試料とした。

（実施例９）
スパッタ法の条件を４．５ｋＷとして、その他は実施例８と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例９の試料とした。

（実施例１０）
スパッタ法の条件を５．０ｋＷとして、その他は実施例８と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例１０の試料とした。

（実施例１１）
スパッタ法の条件を５．５ｋＷとして、その他は実施例８と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例１１の試料とした。

（実施例１２）
スパッタ法の条件を６．０ｋＷとして、その他は実施例８と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例１２の試料とした。

（実施例１３）
スパッタ法の条件を４．０ｋＷとして、ＡｌにＴｉが３．０％含まれ、Ｆｅが０．５％含まれた金属反射膜１０２を形成し、その他は実施例１と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例１３の試料とした。

（実施例１４）
スパッタ法の条件を４．５ｋＷとして、その他は実施例１３と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例１４の試料とした。

（実施例１５）
スパッタ法の条件を５．０ｋＷとして、その他は実施例１３と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例１５の試料とした。

（実施例１６）
スパッタ法の条件を５．５ｋＷとして、その他は実施例１３と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例１６の試料とした。

（実施例１７）
スパッタ法の条件を６．０ｋＷとして、その他は実施例１３と同様にして光ディスク１００を作製して、実施例１７の試料とした。

（記録感度及び加速試験前後の副データ再生信号の測定）
実施例３〜実施例１７の各試料について、副データ信号の記録感度の測定を行った。
具体的には、副データ記録装置５０において、開口数Ｎ．Ａ．＝０．８５、レーザ波長λ＝４０５ｎｍ、記録線速度＝４．９ｍ／ｓ、マーク記録パルス＝３０ｎｓ、の条件で、副データのマークを金属反射膜１０２に記録した。そして、レーザ光のパワー（レーザ出力）を２０，２２，２４，２６，２８，３０，３２（単位はｍＷ）と変えて、それぞれ同じ試料の光ディスク１００の別の箇所に副データのマークを記録した。
副データを記録した光ディスク１００について、副データの再生（読み出し）を行って、再生信号の出力を調べた。

次に、各試料の再生専用型光記録媒体に対して、実験１と同じ条件で、加速試験を行った。

そして、加速試験後の各試料について、加速試験前に記録した副データに対して加速試験前の測定と同様にして、副データの再生（読み出し）を行って、再生信号出力の測定を行った。測定結果を、図１０〜図１５に示す。
これら図１０〜図１５の各図において、横軸はレーザ光のパワー（単位はｍＷ）を示し、縦軸はＡｍｐ値（相対値）を示している。
Ａｍｐ（Amplitude）値は、先に説明したように再生信号ＲＦの値として、マークの記録部分から未記録部分を減算した値を積分した値を示している。つまり、この値が大きいほどマークの記録部分での再生信号出力の値が大きいことを示している。
図１０〜図１２は、実施例３〜実施例１７の各試料の副データの記録パワーに対するＡｍｐ値即ち副データ再生信号出力を示す図であり、加速試験前の記録感度を示している。そして、図１３〜図１５は、実施例３〜実施例１７の各試料へ記録された副データに対応して加速試験前（Ｂｅｆｏｒｅ）と加速試験後（Ａｆｔｅｒ）のＡｍｐ値即ち副データ再生信号出力を示す図である。

図１０〜図１５の結果から、いずれの実施例も、加速試験前後のＡｍｐ値の変化が２０００〜３０００以下に抑えられており、副データ再生信号の経時変化に対する耐久性を有していることがわかる。
従って、実施例３〜実施例１７のように本発明の再生専用型光記録媒体の構成とすることにより、副データ再生信号の経時変化を抑制することができることがわかる。
また、Ｔｉの含有量が増えるほど、小さい記録パワーで副データを記録することができ、記録感度が向上することがわかる。

なお、前述した比較例１や比較例２の試料で同様の測定を行うと、Ａｍｐ値の経時変化による変化量が５０００を超え、副データ再生信号出力の経時変化が大きくなる、即ち、副データ再生信号出力の経時変化に対する耐久性を有していない。
また、Ａｇ合金を金属反射膜に使用した場合に同様の測定を行うと、Ａｍｐ値の変化は小さく副データ再生信号の経時変化は小さい。しかし、Ａｇ合金の場合、本発明の実施例のＡｌ合金と比較すると、記録感度が小さく、より大きいパワーを必要とする。

本発明は、上述の実施の形態や実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。

１ 再生装置、２ スピンドルモータ、３ Ｉ−Ｖ変換回路、４ マトリクス回路、５ ２値化回路、６ ホストコンピュータ、７ ネットワークインタフェース、８ ＰＬＬ回路、９ 同期検出回路、１０ アドレス検出回路、１１ Ａ／Ｄコンバータ、１２ 検出パルス生成部、１３ 副データ検出回路、１４ ＥＣＣ回路、１５ 反転回路、５０ 副データ記録装置、６１ 副データ発生回路、７０ 管理サーバ、１００ 光ディスク、１０１ 基板、１０２ 金属反射膜、１０３ カバー層、１０４ 対物レンズ、１０５ レーザ光

Claims (3)

1. 基板と、
   前記基板に形成されたピット及びランドの組み合わせにより構成される主データが記録された情報記録面と、
   前記情報記録面に形成された前記主データの特定区間における、特定の位置に対して、記録パワーによるレーザ光照射によるマークを形成することによって副データが書き換え不能に記録される副データ記録区間と、
   前記情報記録面に接して設けられ、Ａｌ_{１００−ｘ−ｚ} Ｔｉ _ｘ Ｆｅ _ｚ（ｘ，ｚは原子％）で表わされ、ｘ＝１．５〜３．０であり、ｚ＝０．５である、金属反射膜と
   を含む、光記録媒体。
2. 記録された前記情報の読み出しが、波長４０５ｎｍの光を照射することによって行われる、請求項１に記載の光記録媒体。
3. 前記副データの記録と、前記主データ及び前記副データの記録されたデータの読み出しが、波長４０５ｎｍの光を照射することによって行われる、請求項１に記載の光記録媒体。

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