JP5392073B2 - 光増幅器 - Google Patents
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Description
再生中継器としては、従来、光信号を電気信号に変換してから、信号再生を行ない、再生した電気信号によって、再度、光変調するものが用いられている。
しかし、このような再生中継器では、コスト及び消費電力が大きくなる。
このような光増幅器では、キャリア寿命を短くすることで高速に利得飽和を生じさせ、マークレベルの信号のノイズによる強度揺らぎを抑えるようにしている。
また、例えば、SOAの長さを長くし、SOAで発生する増幅された自然放出(ASE;Amplified Spontaneous Emission)光によってキャリア寿命を短くするものもある。以下、これを第2の技術という。
また、第2の技術では、能動素子がSOAのみであり、装置の構成はシンプルであるが、SOAで発生する高強度のASE光は、信号光の増幅には使用されないため、その分だけ効率が低下することになる。
[第1実施形態]
第1実施形態にかかる光増幅器について、図1〜図6を参照しながら説明する。
本実施形態の光増幅器は、例えば光ファイバ通信において用いられ、光信号の波形を整形しながら、光信号を増幅する光増幅器である。なお、この光増幅器を、光再生中継器、光再生増幅器、光再生中継増幅器、光増幅装置ともいう。
また、本光増幅器では、所望のビットレートが得られるようにしながらSOA100の長さをできるだけ短くすることで、SOA100の駆動電流を低くして、効率、即ち、外部量子効率を向上させるようにしている。
そこで、図1に示すように、SOA100の前段、即ち、SOA100の信号光入力端側に希土類添加光ファイバ200を設け、この希土類添加光ファイバ200によって得られる利得によって、SOA100による利得の低下を補うようにしている。
これにより、希土類添加光ファイバ200の励起光源を設ける必要がなくなり、能動素子をSOA100のみとすることができるため、効率が低下しないようにすることができる。
このように構成される光増幅器では、希土類添加光ファイバ200側から光信号(信号光)600が入力され、希土類添加光ファイバ200で増幅され、増幅された光信号(信号光)600がSOA100において波形整形及び増幅されて、出力されることになる。
なお、本実施形態では、SOA100の両端から出力されるASE光500、510のうち、一端から出力されるASE光500のみを希土類添加光ファイバ200へ導いて励起光として用いるようにした場合を例に挙げて説明する。
本光増幅器は、図1に示すように、SOA100と、希土類添加光ファイバ200とを備える。なお、希土類添加光ファイバを希土類ドープファイバともいう。
本実施形態では、SOA100と希土類添加光ファイバ200とは光ファイバ800によって直接接続されている。つまり、本光増幅器は、SOA100の信号入力端(一端)と希土類添加光ファイバ200の信号出力端(一端)とを接続する光ファイバ(第1光ファイバ)800を備える。これにより、1本の光ファイバ800を用いて、希土類添加光ファイバ200で増幅された信号光600を、SOA100へ導くとともに、SOA100で生じたASE光500を、希土類添加光ファイバ200へ導くようになっている。
また、本実施形態では、SOA100は、量子ドット活性層を備える量子ドットSOAである。具体的には、本光増幅器は、InP基板上に形成されたInAs量子ドット活性層を備える量子ドットSOA100を備える。
また、本実施形態では、希土類添加光ファイバ200は、希土類としてエルビウム(Er)を添加したシリカ系シングルモードファイバ、即ち、エルビウム添加光ファイバ(EDF;Erbium-doped fiber)である。なお、これをエルビウム添加光ファイバアンプ(EDFA;Erbium-doped fiber amplifier)ともいう。ここで、Er濃度は約25ppm、ファイバ長は約23mである。また、EDF200の吸収スペクトルは、図5に示すようになっている。つまり、EDF200は、図5に示すように、中心波長が約1530nmの吸収波長帯を有する。
本実施形態では、励起光の波長帯である1480nm帯、即ち、1440〜1500nmの波長帯におけるASE光500の全パワーは約40mW(3dBの結合損を含む)であり、上述の条件を満たすため、約40mWのASE光500を用いてEDF200を励起して、EDF200によって利得を生じさせることができる。
本実施形態のように、ファイバ長約23mのEDF200を、約40mWのASE光500で励起すると、ASE光500の波長帯よりも長波長側の信号光600の波長帯、ここでは波長1540nmの信号光において、図6中、実線Bで示すように、約15dBの利得が得られる。なお、図6は、EDF200の励起光パワーに対する利得特性を示しており、実線Aはファイバ長17mの場合、実線Bはファイバ長23mの場合、実線Cはファイバ長50mの場合、実線Dはファイバ長100mの場合をそれぞれ示している。
ところで、光増幅器の効率をあらわす指標として、外部量子効率がある。
ところで、光波形整形素子としての機能を有する光増幅器では、動作時の光出力は、光増幅器の飽和出力(3dB飽和出力)に対して約4〜5dB小さい値で、光増幅器の駆動条件によって決まっている。このため、出力光パワーPoutは、光増幅器の駆動条件によって決まる。注入電流Iは素子の駆動電流である。一般に、光増幅器の飽和出力(したがって光増幅器の光出力)を決めるのは、光増幅器への注入電流密度である。例えば、SOAの飽和出力を同一にする場合、注入電流は素子長が長いSOAほど大きくなる。つまり、素子長が長いSOAほど注入電流を大きくしないと同一の飽和出力を得ることができない。このため、同一の出力光パワーPoutを得るのに、素子長の長いSOAほど注入電流Iを大きくしなければならないため、外部量子効率ηが低下することになるが、利得は大きくなる。また、光増幅器を評価するパラメータとしては、外部量子効率と利得がある。このため、光増幅器の外部量子効率を比較するためには、出力光パワーPoutを同一にし、利得を同一にした条件下で比較することになる。
まず、従来の光波形整形機能を有する光増幅器で、素子長の長いSOAを用いるものでは、波長1540nmにおいて、約30dBの利得を得て、かつ、約15dBmの出力を得るには、素子長を約10nmとし、約1.8Aの駆動電流で駆動することが必要になる。この場合、Pout=15dBm≒32mW、Pin≒0mW、I=1.8A、hν/e=0.8eVとなるから、上記式(1)により、光増幅器の外部量子効率ηは約2.2%となる。
ところで、本光増幅器は、さらに、図1に示すように、光アイソレータ(第4光アイソレータ)300と、信号光600の波長帯、即ち、1550nm帯の光のみを通過させるバンドパスフィルタ400とを備える。
このように、本実施形態では、EDF200の信号入力端、即ち、SOA100が接続されている側と反対側の端部に信号光を導く経路中に光アイソレータ300が設けられている。光アイソレータ300は、EDF200が設けられている側へ向けて光を通すように設けられている。これにより、EDF200によって吸収されずに透過したASE光500は、光アイソレータ300で遮断され、装置外には出力されないようになっている。
本実施形態では、上述のように、SOA100とEDF200とは光ファイバ800によって直接接続されている。つまり、本光増幅器は、SOA100の信号入力端とEDF200の信号出力端とを接続する光ファイバ(第1光ファイバ)800を備える。
さらに、本実施形態では、SOA100とバンドパスフィルタ400とは光ファイバ820によって直接接続されている。つまり、SOA100の信号出力端とバンドパスフィルタ400の信号入力端とを接続する光ファイバ(第5光ファイバ)820を備える。
このようにして、信号光600が、入力側光ファイバ830、光アイソレータ300、光ファイバ810、EDF200、光ファイバ800、SOA100、光ファイバ820、バンドパスフィルタ400、出力側光ファイバ840の順に導かれるようになっている。
[第2実施形態]
第2実施形態にかかる光増幅器について、図7、図8を参照しながら説明する。
本光増幅器は、図7に示すように、SOA100と、EDF200とを備える。
そして、SOA100とEDF200とが光学的に接続されている。これにより、EDF200で増幅された信号光が、SOA100に入力され、かつ、SOA100で生じたASE光500が、EDF200に励起光として入力されるようになっている。
また、本実施形態では、光ファイバ900、910、920、930には、光アイソレータ(第3光アイソレータ)320が介装されている。つまり、本光増幅器は、光ファイバ900、910、920、930に介装された光アイソレータ320を備える。光アイソレータ320は、SOA100が設けられている側へ向けて光を通すように設けられている。つまり、アイソレータ320は、後述の波長選択光カプラ710からの光を通すように設けられている。これにより、後述の波長選択光カプラ720によって選択された1500nmよりも長波長のASE光500は、光アイソレータ320で遮断されるようになっている。
ここでは、波長選択光カプラ710は、第1端子711に光が入力されると、約1500nmよりも長波長の光と、約1500nm以下の波長の光とに分離する。そして、約1500nmよりも長波長の光を第2端子712から出力し、約1500nm以下の波長の光を第3端子713から出力するようになっている。
ここでは、波長選択光カプラ710は、例えば誘電体多層膜からなる。
なお、本実施形態では、信号光600の波長帯は、1550nm帯、例えば、約1530nm〜約1560nmの波長帯であるため、約1500nmよりも長波長の光が入出力される第2端子712を、信号波長端子ともいう。また、約1500nmよりも長波長の光を、信号波長成分ともいう。また、本実施形態では、励起光の波長帯は、1480nm帯、例えば、約1440nm〜約1500nmの波長帯であるため、約1500nm以下の波長の光が入出力される第3端子713を、励起波長端子、あるいは、他の波長端子ともいう。また、約1500nm以下の波長の光を、他の波長成分ともいう。
ここでは、波長選択光カプラ720の第1端子721は、光ファイバ930を介して、SOA100の信号入力端に接続されている。また、波長選択光カプラ720の第2端子722は、光ファイバ920、光アイソレータ320、光ファイバ910、波長選択光カプラ710、光ファイバ900を介して、EDF200の信号出力端に接続されている。さらに、波長選択光カプラ720の第3端子723は、光ファイバ950、光アイソレータ330、光ファイバ940、波長選択光カプラ710、光ファイバ900を介して、EDF200の信号出力端に接続されている。
また、本実施形態では、波長選択光カプラ720の第1端子721に、SOA100の信号入力端から出力されたASE光500が入力される。そして、波長選択光カプラ720の第2端子722から、SOA100の信号入力端から出力されたASE光500のうち、約1500nmよりも長波長の光が出力される。また、波長選択光カプラ720の第3端子723から、SOA100の信号入力端から出力されたASE光500のうち、約1500nm以下の波長の光が出力される。
一方、光ファイバ930、950、940、900を用いて、約1500nm以下の波長の光、即ち、SOA100の信号入力端から出力されたASE光500を、EDF200へ導くようになっている。
そして、光アイソレータ300と、EDF200と、SOA100と、バンドパスフィルタ400とが光学的に接続されている。これにより、信号光600が、光アイソレータ300、EDF200、SOA100、バンドパスフィルタ400の順に導かれるようになっている。
また、本実施形態では、光アイソレータ300とEDF200とは光ファイバ960、970によって接続されている。つまり、光アイソレータ300の信号出力端とEDF200の信号入力端とを接続する光ファイバ(第4光ファイバ)960、970を備える。
また、本実施形態では、光アイソレータ300とEDF200との間の光ファイバ960、970に波長選択光カプラ(第3波長選択光カプラ)700が介装されている。つまり、波長選択光カプラ700は、EDF200の第1光ファイバ900、910の反対側に接続されている。このように、本光増幅器は、光ファイバ960、970に介装された波長選択光カプラ700を備える。このように、本光増幅器は、EDF200の信号入力端(他端)に接続された波長選択光カプラ700を備える。
ここでは、波長選択光カプラ700の第2端子702は、光ファイバ960を介して、光アイソレータ300の信号出力端に接続されている。また、波長選択光カプラ700の第3端子703は、光ファイバ1000、光アイソレータ310、光ファイバ1010、波長選択光カプラ730、光ファイバ980を介して、SOA100の信号出力端に接続されている。さらに、波長選択光カプラ700の第1端子701は、光ファイバ970を介して、EDF200の信号入力端に接続されている。
ここでは、波長選択光カプラ730の第1端子731は、光ファイバ980を介して、SOA100の信号出力端に接続されている。また、波長選択光カプラ730の第2端子732は、光ファイバ990を介して、バンドパスフィルタ400の信号入力端に接続されている。さらに、波長選択光カプラ730の第3端子733は、光ファイバ1010、光アイソレータ310、光ファイバ1000、波長選択光カプラ700、光ファイバ970を介して、EDF200の信号入力端に接続されている。
このようにして、光ファイバ980、1010、1000、970を用いて、約1500nm以下の波長の光、即ち、SOA100の信号出力端から出力されたASE光510を、EDF200へ導くようになっている。
このように構成することで、信号光600が、入力側光ファイバ1020、光アイソレータ300、光ファイバ960、波長選択光カプラ700、光ファイバ970、EDF200、光ファイバ900、波長選択光カプラ710、光ファイバ910、光アイソレータ320、光ファイバ920、波長選択光カプラ720、光ファイバ930、SOA100、光ファイバ980、波長選択光カプラ730、光ファイバ990、バンドパスフィルタ400、出力側光ファイバ1030の順に導かれるようになっている。
ところで、上述のように、本実施形態では、SOA100の両端から出力されるASE光500、510を、EDF200へ導いて励起光として用いるようにしている。この場合、SOA100によって得られる利得は、より小さくても良くなる。この結果、SOA100の素子長を短くして、より効率を向上させることができる。
本実施形態では、この長さ約5mmのSOA100を約0.83Aの駆動電流で駆動することによって、信号光600の波長帯、ここでは波長1540nmの信号光600において、図3に示すように、約12dBの利得が得られるようになっている。また、上述の第1実施形態の場合と同様に、約15dBmの信号光出力時に波形整形効果が得られる(図4参照)。
本実施形態において、SOA100の信号入力端から出力されるASE光500の1440〜1500nmの波長帯の全強度は約30mW(3dBの結合損を含む)である。また、SOA100の信号出力端から出力されるASE光510の1440〜1500nmの波長帯の全強度は約30mW(3dBの結合損を含む)である。このため、SOA100の両端から出力されるASE光500、510の1440〜1500nmの波長帯の全強度は約60mW(3dBの結合損を含む)である。したがって、約60mWのASE光500、510が、EDF200の励起光として用いられる。
このため、EDF200とSOA100とによって、信号光600の波長帯、ここでは波長1540nmの信号光において、合計約30dBの利得が得られる。このため、本光増幅器に−15dBm程度の信号光600を入力することで、約30dBの小信号利得が得られ、15dBm程度の波形整形された信号光が出力されることになる。
このように、上述の第1実施形態で説明したように従来の光増幅器の外部量子効率は約2.2%であるのに対し、本実施形態の光増幅器の外部量子効率は約4.8%であり、従来の光増幅器と比較して、本実施形態の光増幅器では効率が向上することがわかる。
[その他]
なお、上述の各実施形態では、光増幅器を、入力側に光アイソレータ300を備え、出力側にバンドパスフィルタ400を備えるものとして構成しているが、これに限られるものではない。例えば、光通信システム内の別の場所、例えば本光増幅器の外部の入力側に光アイソレータが設けられている場合には、本光増幅器の内部に光アイソレータが含まれていなくても良い。つまり、上述の各実施形態の光増幅器は、光アイソレータを備えないものとして構成することもできる。また、例えば、光通信システム内の別の場所、例えば本光増幅器の外部の出力側にバンドパスフィルタが設けられている場合には、本光増幅器の内部にバンドパスフィルタが含まれていなくても良い。つまり、上述の各実施形態の光増幅器は、バンドパスフィルタを備えないものとして構成することもできる。
例えば、SOA100の信号出力端から出力されるASE光510をEDF200の信号出力端に入力するとともに、SOA100の信号入力端から出力されるASE光500をEDF200の信号入力端に入力するようにしても良い。この場合、上述の第2実施形態の構成において、波長選択光カプラ710の第3端子713に接続される光ファイバ940の一端を、波長選択光カプラ700の第3端子703に接続し、波長選択光カプラ700の第3端子703に接続される光ファイバ1000の一端を、波長選択光カプラ710の第3端子713に接続すれば良い。この場合も上述の第2実施形態の場合と同様の効果が得られる。この構成を上述の第2実施形態の変形例という。
つまり、SOA100の信号出力端から出力されるASE光510をEDF200の信号出力端に入力するだけにしても良い。この場合、上述の第2実施形態の変形例の構成において、波長選択光カプラ700、720、光ファイバ940、950、光アイソレータ310、330を設けないで良いことになる。
以下、上述の各実施形態及びその変形例に関し、更に、付記を開示する。
(付記1)
半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器で生じる増幅された自然放出光の波長帯を含む吸収波長帯を有する希土類添加光ファイバとを備え、
前記希土類添加光ファイバで増幅された信号光が、前記半導体光増幅器に入力され、かつ、前記半導体光増幅器で生じた増幅された自然放出光が、前記希土類添加光ファイバに励起光として入力されるように、前記半導体光増幅器と前記希土類添加光ファイバとが光学的に接続されていることを特徴とする光増幅器。
前記半導体光増幅器の一端と前記希土類添加光ファイバの一端とを接続する第1光ファイバを備えることを特徴とする、付記1に記載の光増幅器。
(付記3)
前記希土類添加光ファイバの前記第1光ファイバの側に接続された第1波長選択光カプラ、及び、前記希土類添加光ファイバの前記第1光ファイバの反対側に接続された第3波長選択光カプラのいずれか一方と、
前記半導体光増幅器の前記第1光ファイバの側に接続された第2波長選択光カプラと、
前記第1波長選択光カプラの前記希土類添加光ファイバの反対側の他の端子及び前記第3波長選択光カプラの前記希土類添加光ファイバの反対側の他の端子のいずれか一方と、前記第2波長選択光カプラの前記半導体光増幅器の反対側の他の端子と接続する第2光ファイバとを備えることを特徴とする、付記2に記載の光増幅器。
前記希土類添加光ファイバの前記第1光ファイバの側に接続された第1波長選択光カプラと、
前記半導体光増幅器の前記第1光ファイバの反対側に接続された第4波長選択光カプラと、
前記第1波長選択光カプラの前記希土類添加光ファイバの反対側の他の端子と前記第4波長選択光カプラの前記半導体光増幅器の反対側の他の端子とを接続する第3光ファイバとを備えることを特徴とする、付記2に記載の光増幅器。
前記希土類添加光ファイバの前記第1光ファイバの側に接続された第1波長選択光カプラと、
前記半導体光増幅器の前記第1光ファイバの側に接続された第2波長選択光カプラと、
前記希土類添加光ファイバの前記第1波長選択光カプラと反対側に接続された第3波長選択光カプラと、
前記半導体光増幅器の前記第2波長選択光カプラと反対側に接続された第4波長選択光カプラと、
前記第1波長選択光カプラの前記希土類添加光ファイバの反対側の他の端子及び前記3波長選択光カプラの前記希土類添加光ファイバの反対側の他の端子のいずれか一方と、前記第2波長選択光カプラの前記半導体光増幅器の反対側の他の端子と接続する第2光ファイバと、
前記第3波長選択光カプラの前記希土類添加光ファイバの反対側の他の端子及び前記1波長選択光カプラの前記希土類添加光ファイバの反対側の他の端子のいずれか一方と、前記第4波長選択光カプラの前記半導体光増幅器の反対側の他の端子とを接続する第3光ファイバと、
前記第2光ファイバに介装された第1光アイソレータと、
前記第3光ファイバに介装された第2光アイソレータとを備えることを特徴とする、付記2に記載の光増幅器。
前記第1光ファイバに介装された第3光アイソレータを備えることを特徴とする、付記2〜5のいずれか1項に記載の光増幅器。
(付記7)
第4光アイソレータと、
前記信号光の波長帯の光のみを通過させるバンドパスフィルタとを備え、
前記信号光が、前記第4光アイソレータ、前記希土類添加光ファイバ、前記半導体光増幅器、前記バンドパスフィルタの順に導かれるように、前記第4光アイソレータと、前記希土類添加光ファイバと、前記半導体光増幅器と、前記バンドパスフィルタとが光学的に接続されていることを特徴とする、付記1〜6のいずれか1項に記載の光増幅器。
前記半導体光増幅器の一端と前記希土類添加光ファイバの一端とを接続する第1光ファイバと、
前記第4光アイソレータと前記希土類添加光ファイバとを接続する第4光ファイバと、
前記半導体光増幅器と前記バンドパスフィルタとを接続する第5光ファイバとを備えることを特徴とする、付記7に記載の光増幅器。
前記第1光ファイバに介装され、順方向の光を通過させ、かつ、前記信号光の波長帯以外の帯域の逆方向の光を選択的に通過させる第5光アイソレータを備えることを特徴とする、付記2に記載の光増幅器。
(付記10)
前記半導体光増幅器が、量子ドット活性層を備えることを特徴とする、付記1〜9のいずれか1項に記載の光増幅器。
前記希土類添加光ファイバが、エルビウム添加光ファイバ、プラセオジム添加光ファイバ、ツリウム添加光ファイバ、イッテルビウム添加光ファイバのいずれかであることを特徴とする、付記1〜10のいずれか1項に記載の光増幅器。
200 希土類添加光ファイバ
300 光アイソレータ(第4光アイソレータ)
310 光アイソレータ(第2光アイソレータ)
320 光アイソレータ(第3光アイソレータ)
330 光アイソレータ(第1光アイソレータ)
400 バンドパスフィルタ
500、510 ASE光
600 信号光
700 波長選択光カプラ(第3波長選択光カプラ)
701 第1端子
702 第2端子
703 第3端子
710 波長選択光カプラ(第1波長選択光カプラ)
711 第1端子
712 第2端子
713 第3端子
720 波長選択光カプラ(第2波長選択光カプラ)
721 第1端子
722 第2端子
723 第3端子
730 波長選択光カプラ(第4波長選択光カプラ)
731 第1端子
732 第2端子
733 第3端子
800 光ファイバ(第1光ファイバ)
810 光ファイバ(第4光ファイバ)
820 光ファイバ(第5光ファイバ)
830 入力側光ファイバ
840 出力側光ファイバ
900、910、920、930 光ファイバ(第1光ファイバ)
940、950 光ファイバ(第2光ファイバ)
960、970 光ファイバ(第4光ファイバ)
980,990 光ファイバ(第5光ファイバ)
1000、1010 光ファイバ(第3光ファイバ)
Claims (6)
- 半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器で生じる増幅された自然放出光の波長帯を含む吸収波長帯を有する希土類添加光ファイバとを備え、
前記希土類添加光ファイバで増幅された信号光が、前記半導体光増幅器に入力され、かつ、前記半導体光増幅器で生じた増幅された自然放出光が、前記希土類添加光ファイバに励起光として入力されるように、前記半導体光増幅器と前記希土類添加光ファイバとが光学的に接続されており、
励起光源が設けられていないことを特徴とする光増幅器。 - 前記半導体光増幅器の一端と前記希土類添加光ファイバの一端とを接続する第1光ファイバを備えることを特徴とする、請求項1に記載の光増幅器。
- 前記希土類添加光ファイバの前記第1光ファイバの側に接続された第1波長選択光カプラ、及び、前記希土類添加光ファイバの前記第1光ファイバの反対側に接続された第3波長選択光カプラのいずれか一方と、
前記半導体光増幅器の前記第1光ファイバの側に接続された第2波長選択光カプラと、
前記第1波長選択光カプラの前記希土類添加光ファイバの反対側の他の端子及び前記第3波長選択光カプラの前記希土類添加光ファイバの反対側の他の端子のいずれか一方と、前記第2波長選択光カプラの前記半導体光増幅器の反対側の他の端子と接続する第2光ファイバとを備えることを特徴とする、請求項2に記載の光増幅器。 - 前記希土類添加光ファイバの前記第1光ファイバの側に接続された第1波長選択光カプラと、
前記半導体光増幅器の前記第1光ファイバの反対側に接続された第4波長選択光カプラと、
前記第1波長選択光カプラの前記希土類添加光ファイバの反対側の他の端子と前記第4波長選択光カプラの前記半導体光増幅器の反対側の他の端子とを接続する第3光ファイバとを備えることを特徴とする、請求項2に記載の光増幅器。 - 前記希土類添加光ファイバの前記第1光ファイバの側に接続された第1波長選択光カプラと、
前記半導体光増幅器の前記第1光ファイバの側に接続された第2波長選択光カプラと、
前記希土類添加光ファイバの前記第1波長選択光カプラと反対側に接続された第3波長選択光カプラと、
前記半導体光増幅器の前記第2波長選択光カプラと反対側に接続された第4波長選択光カプラと、
前記第1波長選択光カプラの前記希土類添加光ファイバの反対側の他の端子及び前記3波長選択光カプラの前記希土類添加光ファイバの反対側の他の端子のいずれか一方と、前記第2波長選択光カプラの前記半導体光増幅器の反対側の他の端子と接続する第2光ファイバと、
前記第3波長選択光カプラの前記希土類添加光ファイバの反対側の他の端子及び前記1波長選択光カプラの前記希土類添加光ファイバの反対側の他の端子のいずれか一方と、前記第4波長選択光カプラの前記半導体光増幅器の反対側の他の端子とを接続する第3光ファイバと、
前記第2光ファイバに介装された第1光アイソレータと、
前記第3光ファイバに介装された第2光アイソレータとを備えることを特徴とする、請求項2に記載の光増幅器。 - 前記自然放出光の中心波長は、前記信号光の波長よりも短いことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の光増幅器。
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