JP5388566B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
図4は、第1の実施形態に係る半導体レーザ装置100の全体構成を示す模式図である。図4に示すように、半導体レーザ装置100は、パッケージ101上に温度制御装置110が搭載され、温度制御装置110上にキャリア120が設けられ、キャリア120上に半導体レーザ130が搭載された構造を有する。
図5は、第2の実施形態に係る半導体レーザ装置200の全体構成を示す模式図である。半導体レーザ装置200が図4の半導体レーザ装置100と異なる点は、ワイヤ161の代わりにワイヤ261が設けられ、外部接続端子171との代わりに外部接続端子271が設けられている点である。本実施例においては、ワイヤ261の長さとワイヤ162の長さとが同一になるように外部接続端子271が配置されている。
図6は、第3の実施形態に係る半導体レーザ装置300の全体構成を示す模式図である。図6に示すように、半導体レーザ装置300が図4の半導体レーザ装置100と異なる点は、ワイヤ160の代わりにワイヤ360が設けられ、ワイヤ161の代わりにワイヤ361,362が設けられ、ワイヤ162の代わりにワイヤ363〜367が設けられ、外部接続端子170,171の代わりに外部接続端子370,371が設けられている点である。したがって、本実施形態においては、1本のワイヤによってボンディング領域150と外部接続端子370とが接続され、2本のワイヤによってボンディング領域151と外部接続端子371とが接続され、5本のワイヤによってボンディング領域152と外部接続端子172とが接続されている。
図7は、第4の実施形態に係る半導体レーザ装置400の全体構成を示す模式図である。図7に示すように、半導体レーザ装置400が図4の半導体レーザ装置100と異なる点は、ワイヤ160〜162の代わりに、それぞれワイヤ460〜462が設けられ、外部接続端子170〜172の代わりにそれぞれ外部接続端子470〜472が設けられている点である。
図8は、第5の実施形態に係る半導体レーザ装置500の全体構成を示す模式図である。半導体レーザ装置500が図4の半導体レーザ装置100と異なる点は、ワイヤ160〜162の代わりにワイヤ560〜562が設けられ、外部接続端子170〜172の代わりに外部接続端子570〜572が設けられ、ボンディング領域552,573およびワイヤ563,564がさらに設けられている点である。
図9は、第6の実施形態に係る半導体レーザ装置600の全体構成を示す模式図である。半導体レーザ装置600が図4の半導体レーザ装置100と異なる点は、配線メタル140〜142の代わりに配線メタル640〜642が設けられ、ワイヤ160〜162の代わりにワイヤ660〜665が設けられ、外部接続端子170〜172の代わりに外部接続端子670〜672が設けられている点である。また、配線メタル640〜642は、半導体レーザ130と反対側端に、それぞれボンディング領域650〜652を有している。
101 パッケージ
110 温度制御装置
120 キャリア
130 半導体レーザ
140,141,142 配線メタル
150,151,152 ボンディング領域
160,161,162 ワイヤ
170,171,172 外部接続端子
Claims (8)
- 半導体レーザと、
前記半導体レーザの長手方向と対向して伸びる一辺のキャリア側面を有し、前記キャリア側面から所定の幅をもって前記キャリア側面と平行に延在するキャリア縁領域を有し、前記キャリア縁領域内において前記半導体レーザの一端に最も近い第1ボンディング領域と前記半導体レーザの他端に最も近い第2ボンディング領域とを有するキャリアと、
前記半導体レーザの温度を所定値に制御する温度制御装置と、
第1の熱抵抗を有し、前記第1ボンディング領域と外部接続端子との間に接続された第1の熱伝導部と、
前記第1の熱抵抗よりも小さい第2の熱抵抗を有し、前記第2ボンディング領域と外部接続端子との間に接続された第2の熱伝導部と、を備え、
前記半導体レーザは、一端側が他端側に比較して前記キャリア側面に近くなるように前記キャリア上に配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記熱伝導部は、ワイヤからなり、
前記熱抵抗は、前記ワイヤの本数によって決定されることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記熱伝導部は、ワイヤからなり、
前記熱抵抗は、前記ワイヤの断面積によって決定されることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記熱伝導部は、ワイヤからなり、
前記熱抵抗は、前記ワイヤの長さによって決定されることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 前記キャリア縁領域内において、前記第1ボンディング領域と前記第2ボンディング領域との間に第3ボンディング領域を有し、
前記第1の熱抵抗と前記第2の熱抵抗との間の第3の熱抵抗を有し、前記第3ボンディング領域と外部接続端子との間に接続された第3の熱伝導部をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。 - 半導体レーザと、
前記半導体レーザの長手方向と対向して伸びる一辺のキャリア側面を有し、前記半導体レーザの長手方向と平行に延在する領域を有し、前記領域に前記半導体レーザの一端に最も近い第1ボンディング領域を有するとともに前記半導体レーザの他端に最も近い第2ボンディング領域を有するキャリアと、
前記半導体レーザの温度を所定値に制御する温度制御装置と、
前記第1ボンディング領域と外部接続端子との間に接続された第1の熱伝導部と、
前記第1の熱伝導部と実質同等の熱抵抗を有し、前記第2ボンディング領域と外部接続端子との間に接続された第2の熱伝導部と、を備え、
前記半導体レーザは、一端側が他端側に比較して前記キャリア側面に近くなるように前記キャリア上に配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記領域内において、前記第1ボンディング領域と前記第2ボンディング領域との間に第3ボンディング領域を有し、
前記第1のワイヤの長さと前記第2のワイヤの長さとの間の長さをもって前記第3ボンディング領域と外部接続端子との間に接続された第3の熱伝導部をさらに備えることを特徴とする請求項6記載の半導体レーザ装置。 - 半導体レーザと、
前記半導体レーザの長手方向と対向して伸びる一辺のキャリア側面を有し、前記キャリア側面から所定の幅をもって前記キャリア側面と平行に延在するキャリア縁領域を有し、前記キャリア縁領域内において前記半導体レーザの一端に最も近い第1ボンディング領域と前記半導体レーザの他端に最も近い第2ボンディング領域とを有し、前記キャリア縁領域よりも前記半導体レーザ側に配置された第3ボンディング領域を有するキャリアと、
前記半導体レーザの温度を所定値に制御する温度制御装置と、
第1の熱抵抗を有し、前記第1ボンディング領域と外部接続端子との間に接続された第1の熱伝導部と、
前記第1の熱抵抗以上の第2の熱抵抗を有し、前記第2ボンディング領域と外部接続端子との間に接続された第2の熱伝導部と、
前記第3ボンディング領域と外部接続端子との間に接続された第3の熱伝導部と、を備え、
前記半導体レーザは、一端側が他端側に比較して前記キャリア側面に近くなるように前記キャリア上に配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
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