JP2007027645A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 リードフレーム型パッケージにおいて、リードフレームと接続されたワイヤの破断を防ぐ。
【解決手段】 リード２Ｂのインナーリード２Ｃより相対的に長いリード２Ａのインナーリード２Ｃにおいて、表裏を貫通する貫通孔６を設ける。貫通孔６が形成された位置において、インナーリード２Ｃの幅は他の部分より広くし、この部分における貫通孔６の径は、たとえばインナーリード２Ｃの幅の約７５％以上とする。また、貫通孔６は、封止用樹脂の端部よりボンディングワイヤ１０とインナーリード２Ｃとの接続位置に近い位置に形成されている。
【選択図】 図１０

Description

本発明は、半導体装置に関し、特に、スモールアウトラインパッケージ（ＳＯＰ：Small Outline Package）等の小型サイズで、かつ、長方形型のパッケージの両方の長辺に、外部入出力用のリードを並べた半導体装置に適用して有効な技術である。

リードフレーム型パッケージとして、対向する２辺から複数のリードがそれぞれ突出するスモールアウトラインパッケージ（ＳＯＰ：Small Outline Package）がある。近年、半導体装置の動作高速化に伴い、リードフレームの材料として、鉄を５８％、ニッケルを４２％含有する４２アロイ合金より電気抵抗の低い銅が使用され、このリードフレームの一部と半導体チップ（以降、単にチップと記す）とが樹脂で封止されている。

しかしながら、リードフレームと樹脂との密着力は、チップと樹脂との密着力よりも低い。また、銅をリードフレームの材料として使用した場合、樹脂と銅との熱膨張係数差が、４２アロイ合金をリードフレームの材料として使用した場合よりも大きくなり、リードフレームと樹脂との界面で剥離が生じ易くなる。この結果、温度サイクル試験時にて、銅から成るリードフレームと樹脂との間の熱膨張係数差によるストレス（熱ストレス）が増大し、チップの複数の電極と複数のリードフレームとを電気的に接続する複数のワイヤが、リードフレーム側の接続部において断線する問題が生じる。

特公平８−２１６６２号公報（特許文献１）には、リードフレームにおいてリードを固定するためのアンカーホールを形成し、さらにＡｌまたはＡｌ_２Ｏ_３めっきを施すことにより、リードフレームとモールド封止用樹脂との密着性を向上し、パッケージの耐湿性を向上することができる技術が開示されている。
特公平８−２１６６２号公報

近年では、環境汚染問題対策として、封止用樹脂材に使用されている難燃剤であるブロム（Ｂｒ）を廃止した環境対策レジン（グリーンレジン）が適用されてきている。ブロム（Ｂｒ）に代わる難燃性手法として、シリカ系のフィラーをレジンに多く注入することで難燃性を確保することができる。しかしながら、フィラー自体は粘性を持たないため、レジンのフィラー含有量を増大させると、Ｐｄめっきとの密着性が低くなる。すなわち、難燃剤を廃止した樹脂とリードフレームとの密着力は難燃剤を使用した樹脂とリードフレームとの密着力よりも低くなる。これにより、樹脂とリードフレームとの界面において剥離が生じ易くなり、チップの複数の電極と複数のリードとを電気的に接続した複数のワイヤが断線してしまうことになる。

上記特許文献１に開示された技術によれば、リードフレームとモールド封止用樹脂との密着性を向上することはできる。しかしながら、樹脂と銅との熱膨張係数差に起因して発生する応力がリードフレームと接続するワイヤに作用し、ワイヤが断線してしまう虞があることについては考慮されていない。

本発明の目的は、リードフレーム型パッケージにおいて、リードフレームと接続されたワイヤの断線を防ぐことのできる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本発明による半導体装置は、
（ａ）タブと、
（ｂ）前記タブの周囲に配置された複数のリードを有するリードフレームと、
（ｃ）前記複数のリードと前記半導体チップの前記複数の電極とをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
（ｄ）前記タブ、前記複数のリードの一部、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する樹脂体とを有し、
前記複数のリードは、第１リードおよび貫通孔を有する第２リードを含む。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

すなわち、リードフレーム型パッケージにおいて、リードフレームと接続されたワイヤの破断を防ぐことができる。

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。

さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

また、本実施の形態を説明するための全図においては、各部材の構成をわかりやすくするために、平面図であってもハッチングを付す場合がある。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

（実施の形態１）
本実施の形態の半導体装置は、リードフレームを用いて製造した樹脂封止型の半導体パッケージである。この本実施の形態１の半導体装置について、図１〜図１１を用いて製造工程に沿って説明する。

まず、図１に示すように、リードフレーム１を用意する。このリードフレーム１は、一端がタブ３と離間して対向するように配置され他端がフレーム枠４と接続するリード２Ａ、２Ｂと、チップを搭載するためのタブ３と、一端がフレーム枠４と接続し他端がタブ３と接続してタブ３をフレーム枠４に保持または支持する吊りリード５とを有している。また、リード２Ａ、２Ｂは、最終的にパッケージ内に配置されるインナーリード（第２リード）２Ｃと、パッケージ外に配置されるアウターリード（第１リード）２Ｄとから形成され、後の工程でインナーリード２Ｃとチップとの間にボンディングワイヤが接続されることによってチップと電気的に接続される。詳しくは後述するが、リード２Ａのインナーリード２Ｃは、リード２Ｂのインナーリード２Ｃよりも長く形成されている。リードフレーム１は、たとえばＣｕ（銅）またはＣｕ合金を主成分とする導電材料から形成されており、たとえばＣｕまたはＣｕ合金を主成分とする金属板をエッチング加工したエッチングフレームや打ち抜き加工（プレス加工）したスタンピングフレーム（プレスフレーム）などを用いることができる。また、リードフレーム１の表面全面には、めっき法により予めＰｄ（パラジウム）膜が形成されている。リードフレーム１の表面にこのようなＰｄ膜が形成されていることにより、後の工程でインナーリード２Ｃに接続されるボンディングワイヤとそのインナーリード２Ｃとの接続強度を向上することができる。また、リード２Ａにおけるインナーリード２Ｃの先端近くには、インナーリード２Ｃの表裏を貫通する貫通孔６が形成されている。この貫通孔６は、リードフレーム１を成形する際のエッチング加工や打ち抜き加工によって同時に形成することができる。

次に、図２および図３に示すように、リードフレーム１のタブ３上に搭載するチップ７を用意する。チップ７は、たとえば単結晶シリコンなどからなる半導体基板（以降、単に基板と記す）に種々の半導体素子および半導体集積回路等を形成した後、必要に応じて基板の裏面を研削してから、ダイシングなどにより基板を各チップ７に分離することによって形成したものである。また、チップ７の表面には、複数の電極（ボンディングパッド）８が形成されている。電極８は、チップ７に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。

続いて、リードフレーム１のタブ３上に上記チップ７をダイボンディングする。なお、図３は、図２中のＡ−Ａ線に沿った断面を図示している。このダイボンディング工程では、リードフレーム１のタブ３上にチップ７を接合材９を介して接着（接合）する。接合材９には、たとえばＡｇ（銀）ペーストなどを用いることができ、熱硬化型エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂を含有する銀ペースト（接合材９）を介してタブ３上にチップ７を配置し、加熱により銀ペースト（接合材９）を硬化することで、チップ７をタブ３上に接着し、マウントすることができる。銀ペースト（接合材９）の加熱処理時の温度および時間は、約２５０℃で２分程度とすることを例示できる。このようにして、チップ７がタブ３上に搭載（マウント）される。

次に、図４および図５に示すように、チップ７の表面の複数の電極８とリードフレーム１の複数のリード２Ａ、２Ｂのインナーリード２Ｃの上面とを複数のボンディングワイヤ１０を介してそれぞれ電気的に接続する。

ボンディングワイヤ１０のワイヤボンディングを行う際には、ボンディングワイヤ１０の接続強度を高めるために、ヒートステージ上にリードフレーム１を搭載した状態でワイヤボンディング予定領域であるインナーリード２Ｃとチップ７の電極８近傍領域とを、ワイヤボンディングに適した所定の温度に加熱してから、電極８とインナーリード２Ｃとの間をボンディングワイヤ１０を介して電気的に接続することが好ましい。たとえば、タブ３およびリード２Ａ、２Ｂを加熱しながら、ワイヤボンディングを行う。本実施の形態１において、この時の加熱温度および加熱時間は、それぞれ２００℃〜２５０℃程度および３０秒〜３分程度とすることを例示できる。また、ワイヤボンディング工程では、先に接続する側（チップ７の電極８とボンディングワイヤ１０を接続）を１ｓｔボンディング、後に接続する側（インナーリード２Ｃとボンディングワイヤ１０を接続）を２ｎｄボンディングとしており、本実施の形態１ではチップ７の電極８とボンディングワイヤ１０の接続を１ｓｔボンディング、インナーリード２Ｃとボンディングワイヤ１０の接続を２ｎｄボンディングとした、正ボンディング方式を採用している。

次に、図６および図７に示すように、モールド工程により、封止用樹脂（樹脂体）１１を用いてチップ７およびボンディングワイヤ１０を封止する。このモールド工程では、リード２Ａ、２Ｂのインナーリード２Ｃ、タブ３および吊りリード５も封止用樹脂１１によって封止される。

本実施の形態１においては、上記封止用樹脂１１としてグリーンレジンを用いる。このグリーンレジンとは、難燃剤となるＢｒ（臭素）およびＰ（リン）を廃止し、代わりにシリカからなるフィラーの量を増加して燃え難くしたものである。本実施の形態１では、封止用樹脂１１中のフィラー量を８０重量％程度とすることを例示できる。このようなグリーンレジンを封止用樹脂１１として用いた場合には、フィラーの粘性が低いことから、封止用樹脂１１と表面にＰｄ膜が形成されているインナーリード２Ｃとの密着性が低下する。また、フィラー量を増加したことにより、封止用樹脂１１の熱膨張係数が増加し、その熱膨張係数はＣｕを主成分とするリードフレーム１からシリコンを主成分とするチップ７へ近づく。そのため、熱変動によって封止用樹脂１１とインナーリード２Ｃとの界面で剥離が発生しやすくなり、互いの相対的位置がずれてしまう際のストレスがボンディングワイヤ１０とインナーリード２Ｃとの接続点およびその近くのボンディングワイヤ１０に作用することになる。

ところで、本実施の形態１の半導体装置である半導体パッケージは、製造後において半導体パッケージの温度に対する信頼性を保証するための試験を行う。この試験としては、まず、半導体パッケージを実装する際のリフロー処理時の温度下で半導体パッケージが破損しないことを確認する耐リフロー試験を行う。次いで、約−５５℃、常温（約２５℃）および約１５０℃の各温度下にそれぞれ約３０分、約１５分および約３０分置くことを１サイクルとした温度サイクル性試験を約１０００サイクル行う。ここで、図８は、貫通孔６が形成されていないリードフレーム１のリード２Ａ付近を拡大して示したものであり、ハッチングを付した部分がインナーリード２Ｃである。上記したように、熱変動によって封止用樹脂１１とインナーリード２Ｃとの界面では剥離が発生しやすくなっている。封止用樹脂１１とインナーリード２Ｃとの剥離が発生すると、その後の温度サイクル試験にて互いの熱膨張係数差に起因するストレスが、リード２Ａのインナーリード２Ｃの先端付近の領域にて、ボンディングワイヤ１０とインナーリード２Ｃとの接続点およびその近くのボンディングワイヤ１０に作用する。特に、リード２Ａでは、インナーリード２Ｃが長くなることから、熱による膨張および収縮によって封止用樹脂１１との間の相対的な位置が大きく変わり、そのストレスは強く作用する。そのため、リード２Ａにおけるインナーリード２Ｃの先端付近の領域ＩＬＥでは、ストレスＳが強く作用することによってボンディングワイヤ１０が破断しやすくなる（図９参照）。

そこで、本実施の形態１では、リード２Ａのインナーリード２Ｃの途中に前述した貫通孔６を設ける。また、この貫通孔６が形成された位置（第２部）において、インナーリード２Ｃの幅は他の部分（第１部）より広くなっており、この部分における貫通孔６の径はインナーリード２Ｃの幅の約７５％以上とすることを例示できる。また、貫通孔６は、封止用樹脂１１の端部よりボンディングワイヤ１０とインナーリード２Ｃとの接続位置に近い位置に形成されている。それにより、インナーリード２Ｃの体積は減少し、熱によるインナーリード２Ｃの膨張および収縮は、インナーリード２Ｃの先端から貫通孔６までと、貫通孔６からアウターリード２Ｄまでの２つに分割されることになる。つまり、ボンディングワイヤ１０に作用するストレスＳは、インナーリード２Ｃの先端から貫通孔６までの膨張および収縮に起因するものだけに軽減することができる（図１０参照）。その結果、リード２Ａのインナーリード２Ｃに接続するボンディングワイヤ１０に破断を発生し難くすることができる。すなわち、本実施の形態１の半導体パッケージの熱変化に対する信頼性を向上することができる。

また、前述したように、封止用樹脂１１としてグリーンレジンを用いたことにより、表面にＰｄ膜が形成されたリードフレーム１の一部であるタブ３と封止用樹脂１１との密着力は、チップ７と封止用樹脂１１との密着力より低くなる。そこで、本実施の形態１においては、タブ３の面積をチップ７の面積より小さくしている（図２参照）。それにより、チップ７の裏面と封止用樹脂１１との密着する領域を増加することができるので、上記耐リフロー試験や熱サイクル試験によってリードフレーム１および封止用樹脂１１が膨張もしくは収縮をしても、封止用樹脂１１が破損してしまう不具合を抑制することができる。また、タブ３を小さくしたことによって、タブ３自体の熱による膨張もしくは収縮を小さく抑制することができる。

図６および図７を用いて説明したようなモールド工程後、封止用樹脂１１に本実施の形態１の半導体パッケージの製品名およびロット番号等を印刷するマーキング処理を行う。次いで、リード２Ａ、２Ｂをリードフレーム１から切り離し、成型して本実施の形態１の半導体パッケージを製造する（図１１参照）。その後、選別工程によって良品として選別された半導体パッケージが製品として梱包され、出荷される。

（実施の形態２）
図１２は、本実施の形態２の半導体パッケージの要部平面図であり、前記実施の形態１でも図示したリード２Ａ付近を示したものである。また、図１３は、図１２中のＢ−Ｂ線に沿った断面を図示したものである。

本実施の形態２の半導体パッケージは、前記実施の形態１の半導体パッケージとほぼ同様の構造を有する。また、図１２および図１３に示すように、本実施の形態２では、インナーリード２Ｃには、ボンディングワイヤ１０の接続点およびその付近からなる領域２Ｃ１以外の領域２Ｃ２に対して予めハーフエッチング処理を施しておく。なお、図１２中では、領域２Ｃ２はハッチングを付して示している。それにより、リード２Ａにおいては、領域２Ｃ２におけるインナーリード２Ｃの体積が減少し、熱によるインナーリード２Ｃの膨張および収縮を領域２Ｃ１と領域２Ｃ２とで２分割することができるので、それによって発生するストレスＳを、領域２Ｃ１と領域２Ｃ２とで２分割することができる。つまり、ボンディングワイヤ１０に作用するストレスＳは、領域２Ｃ１に発生するものだけに軽減することができる。その結果、リード２Ａのインナーリード２Ｃに接続するボンディングワイヤ１０に破断を発生し難くすることができる。すなわち、本実施の形態２の半導体パッケージの熱変化に対する信頼性を向上することができる。

上記のような本実施の形態２によっても、前記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態３）
図１４は、本実施の形態３の半導体パッケージの要部平面図であり、前記実施の形態１でも図示したリード２Ａ付近を示したものである。

本実施の形態３の半導体パッケージは、前記実施の形態１の半導体パッケージとほぼ同様の構造を有する。また、図１４に示すように、本実施の形態３では、前記実施の形態２で示した領域２Ｃ２（図１２および図１３参照）に複数の窪み６Ａを設ける。これら窪み６Ａの平面形状は、円形、楕円形、多角形およびこれらの混在したもの等を例示することができる。このような複数の窪み６Ａを形成することによっても、前記実施の形態２と同様に、リード２Ａにおいては、領域２Ｃ２におけるインナーリード２Ｃの体積が減少し、熱によるインナーリード２Ｃの膨張および収縮を領域２Ｃ１（図１２および図１３参照）と領域２Ｃ２とで２分割することができるので、それによって発生するストレスＳを、領域２Ｃ１と領域２Ｃ２とで２分割することができる。つまり、ボンディングワイヤ１０に作用するストレスＳは、領域２Ｃ１に発生するものだけに軽減することができる。その結果、リード２Ａのインナーリード２Ｃに接続するボンディングワイヤ１０に破断を発生し難くすることができる。すなわち、本実施の形態３の半導体パッケージの熱変化に対する信頼性を向上することができる。

上記のような本実施の形態２によっても、前記実施の形態１、２と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態４）
図１５は、本実施の形態４の半導体パッケージの要部平面図であり、前記実施の形態１でも図示したリード２Ａ付近を示したものである。

本実施の形態４の半導体パッケージは、前記実施の形態１の半導体パッケージとほぼ同様の構造を有する。また、図１５に示すように、本実施の形態４では、前記実施の形態２で示した領域２Ｃ２（図１２および図１３参照）において、ハーフエッチング処理を施した領域２Ｃ３を１個所以上設ける。それにより、リード２Ａにおいては、領域２Ｃ３におけるインナーリード２Ｃの体積が減少し、熱によるインナーリード２Ｃの膨張および収縮を領域２Ｃ３で分割することができるので、それによって発生するストレスＳを、領域２Ｃ３で分割することができる。つまり、ボンディングワイヤ１０に作用するストレスＳは、領域２Ｃ１に発生するものだけに軽減することができる。その結果、リード２Ａのインナーリード２Ｃに接続するボンディングワイヤ１０に破断を発生し難くすることができる。すなわち、本実施の形態４の半導体パッケージの熱変化に対する信頼性を向上することができる。

上記のような本実施の形態４によっても、前記実施の形態１〜３と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態５）
図１６は、本実施の形態５の半導体パッケージの要部平面図であり、前記実施の形態１でも図示したリード２Ａ付近を示したものである。

本実施の形態５の半導体パッケージは、前記実施の形態１の半導体パッケージとほぼ同様の構造を有する。また、図１６に示すように、本実施の形態５では、リード２Ａは平面でボンディングワイヤ１０が接続するインナーリード２Ｃの先端を屈曲させた構造とする。それにより、熱によってインナーリード２Ｃが膨張もしくは収縮した場合でも、ボンディングワイヤ１０を破断させるようなストレスＳを生み出す膨張もしくは収縮は、その屈曲した部分のみだけに止めることが可能となる。つまり、ボンディングワイヤ１０を破断させるようなストレスＳを軽減することができる。その結果、リード２Ａのインナーリード２Ｃに接続するボンディングワイヤ１０に破断を発生し難くすることができる。すなわち、本実施の形態５の半導体パッケージの熱変化に対する信頼性を向上することができる。

上記のような本実施の形態５によっても、前記実施の形態１〜４と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態６）
図１７および図１８は、本実施の形態６の半導体パッケージの要部平面図である。

本実施の形態６の半導体パッケージは、前記実施の形態１の半導体パッケージとほぼ同様の構造を有する。また、図１７および図１８に示すように、本実施の形態６では、リード２Ａのインナーリード２Ｃは、ボンディングワイヤ１０が接続する領域２Ｃ４で幅を狭くする。それにより、領域２Ｃ４では、インナーリード２Ｃの体積が減少し、熱によってインナーリード２Ｃが膨張もしくは収縮した場合でも、膨張量もしくは収縮量を減少することができる。つまり、ボンディングワイヤ１０を破断させるようなストレスＳを軽減することができる。その結果、リード２Ａのインナーリード２Ｃに接続するボンディングワイヤ１０に破断を発生し難くすることができる。すなわち、本実施の形態６の半導体パッケージの熱変化に対する信頼性を向上することができる。また、図１７に示す平面パターンおよび図１８に示す平面パターンのどちらでも同様の効果を得ることができる。

また、図１９に示すように、図１８に示したインナーリード２Ｃの平面パターンを形成し、幅の広い部分の角部の領域２Ｃ５にボンディングワイヤ１０を接続してもよい。このような角部の領域２Ｃ５においても、熱によってインナーリード２Ｃが膨張もしくは収縮した場合でも、膨張量もしくは収縮量を減少することができる。つまり、ボンディングワイヤ１０を破断させるようなストレスＳを軽減することができる。

上記のような本実施の形態６によっても、前記実施の形態１〜５と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態７）
図２０は、本実施の形態７の半導体パッケージの要部断面図である。

本実施の形態７の半導体パッケージは、前記実施の形態１の半導体パッケージとほぼ同様の構造を有する。また、図２０に示すように、本実施の形態７では、リード２Ａのインナーリード２Ｃに対しては、ボンディングワイヤ１０が接続する領域２Ｃ４においてハーフエッチング処理を施しておく。それにより、リード２Ａにおいては、領域２Ｃ４におけるインナーリード２Ｃの体積が減少し、熱によるインナーリード２Ｃの膨張および収縮を領域２Ｃ４で分割することができるので、それによって発生するストレスＳを、領域２Ｃ４で分割することができる。つまり、ボンディングワイヤ１０に作用するストレスＳは、領域２Ｃ４に発生するものだけに軽減することができる。その結果、リード２Ａのインナーリード２Ｃに接続するボンディングワイヤ１０に破断を発生し難くすることができる。すなわち、本実施の形態７の半導体パッケージの熱変化に対する信頼性を向上することができる。

また、図２１に示すように、図２０に示したような構造のリード２Ａとチップ７（電極８）に対してボンディングワイヤ１０を接続する際に、ボンディングイヤ１０を先にリード２Ａのインナーリード２Ｃ（領域２Ｃ４）に接続し、次いでチップ７（電極８）に接続するようにしてもよい。ボンディングイヤ１０を先にリード２Ａのインナーリード２Ｃ（領域２Ｃ４）に接続することにより、ボンディングワイヤ１０のボール部１０Ａがリード２Ａのインナーリード２Ｃと接続することになる。ボンディングワイヤ１０のボール部１０Ａが接続される１ｓｔボンディング側は、２ｎｄボンディング側に比べ、接触面をさらに大きくできるので、ボンディングワイヤ１０のストレスＳに対する耐性をさらに強化することができる。また、上記したワイヤが断線する問題は、封止用樹脂１１とリードフレーム１との熱膨張係数差が大きいために発生する。これに対し、封止用樹脂１１とチップ７との熱膨張係数差は封止用樹脂１１とリードフレーム１との熱膨張係数差よりも小さいため、チップ７の電極８上に生じるストレスはリードフレーム１上に比べて低い。これにより、逆ボンディング方式を適用すれば、１ｓｔボンディング側よりもボンディング強度の低い２ｎｄボンディングがチップ７の電極８側に施されるため、ワイヤの接続信頼性を向上することができる。すなわち、リード２Ａのインナーリード２Ｃに接続するボンディングワイヤ１０にさらに破断を発生し難くすることができる。

上記のような本実施の形態７によっても、前記実施の形態１〜６と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態８）
図２２および図２３は、本実施の形態８の半導体パッケージの要部断面図である。

本実施の形態８の半導体パッケージは、前記実施の形態１の半導体パッケージとほぼ同様の構造を有する。また、図２２および図２３に示すように、本実施の形態８では、リード２Ａは断面でボンディングワイヤ１０が接続するインナーリード２Ｃの先端を屈曲させた構造とする。このようにインナーリード２Ｃの先端を屈曲させることにより、熱によってインナーリード２Ｃが膨張もしくは収縮した場合でも、アンカー効果によってその膨張量もしくは収縮量を小さくすることができる。つまり、インナーリード２Ｃに接続するボンディングワイヤ１０を破断させるようなストレスを軽減することができる。その結果、リード２Ａのインナーリード２Ｃに接続するボンディングワイヤ１０に破断を発生し難くすることができる。すなわち、本実施の形態８の半導体パッケージの熱変化に対する信頼性を向上することができる。また、図２２に示す断面パターンおよび図２３に示す断面パターンのどちらでも同様の効果を得ることができる。

また、図２４に示すように、図２２に示したインナーリード２Ｃの断面パターンを形成し、屈曲したインナーリード２Ｃの先端にボンディングワイヤ１０を接続してもよい。それにより、熱によってインナーリード２Ｃが膨張もしくは収縮した場合でも、ボンディングワイヤ１０を破断させるようなストレスを生み出す膨張もしくは収縮は、その屈曲した部分のみだけに止めることが可能となる。つまり、ボンディングワイヤ１０を破断させるようなストレスをさらに軽減することができる。

上記のような本実施の形態８によっても、前記実施の形態１〜７と同様の効果を得ることができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

前記実施の形態では、予めリードフレームの表面全面にめっき法でＰｄ膜を形成しておく場合について説明したが、リードフレームの表面全面にＰｄ膜を形成する代わりに、全面Ｐｄめっきを施す代わりに、樹脂封止後にアウターリードの表面にのみめっき法でＡｇ（銀）膜を形成してもよい。

本発明の半導体装置は、たとえば半導体パッケージ形態の半導体装置に適用することができる。

本発明の実施の形態１である半導体装置の製造工程を説明する要部平面図である。 図１に続く半導体装置の製造工程中の要部平面図である。 本発明の実施の形態１である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図２に続く半導体装置の製造工程中の要部平面図である。 図３に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 図４に続く半導体装置の製造工程中の要部平面図である。 図５に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。 封止用樹脂とインナーリードとの剥離を説明する要部平面図である。 ボンディングワイヤの破断個所を説明する要部平面図である。 本発明の実施の形態１である半導体装置におけるインナーリードに接続するボンディングワイヤに作用するストレスを説明する要部平面図である。 本発明の実施の形態１である半導体装置の製造工程中の要部斜視図である。 本発明の実施の形態２である半導体装置の要部平面図である。 図１２中のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 本発明の実施の形態３である半導体装置の要部平面図である。 本発明の実施の形態４である半導体装置の要部平面図である。 本発明の実施の形態５である半導体装置の要部平面図である。 本発明の実施の形態６である半導体装置の要部平面図である。 本発明の実施の形態６である半導体装置の要部平面図である。 本発明の実施の形態６である半導体装置の要部平面図である。 本発明の実施の形態７である半導体装置の要部断面図である。 本発明の実施の形態７である半導体装置の要部断面図である。 本発明の実施の形態８である半導体装置の要部断面図である。 本発明の実施の形態８である半導体装置の要部断面図である。 本発明の実施の形態８である半導体装置の要部断面図である。

符号の説明

１ リードフレーム
２Ａ リード
２Ｂ リード
２Ｃ インナーリード（第２リード）
２Ｃ１〜２Ｃ５ 領域
２Ｄ アウターリード（第１リード）
３ タブ
４ フレーム枠
５ 吊りリード
６ 貫通孔
６Ａ 窪み
７ チップ
８ 電極（ボンディングパッド）
９ 接合材
１０ ボンディングワイヤ
１０Ａ ボール部
１１ 封止用樹脂（樹脂体）
ＩＬＥ 領域

Claims (8)

1. タブと、
   前記タブの周囲に配置された複数のリードを有するリードフレームと、
   主面上に複数の電極が形成され、前記タブ上に搭載された半導体チップと、
   前記複数のリードと前記半導体チップの前記複数の電極とをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
   前記タブ、前記複数のリードの一部、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する樹脂体とを有し、
   前記複数のリードは、第１リード、および貫通孔を有する第２リードを含むことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記貫通孔は前記リードにおけるワイヤ接合部と前記樹脂体の端部との間に設けられ、かつ前記樹脂体の端部より前記ワイヤ接合部に近い位置に形成されていることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２記載の半導体装置において、
   さらに前記第２リードは第１部と、第１部よりも太い第２部とを有し、
   前記貫通孔は前記第２部に形成されていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記貫通孔は、前記第２リードの先端から前記貫通孔までの距離が前記貫通孔から前記樹脂体の端部までの距離よりも短くなる位置に形成されていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記樹脂体は、シリカ系のフィラーを含有していることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記リードにおける前記ワイヤが接続される領域には、パラジウムめっき膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記第１リードの長さは前記第２リードの長さよりも短いことを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記タブの面積は、前記半導体チップの面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置。

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