JP5385966B2 - 半導体装置及び表示装置 - Google Patents
半導体装置及び表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5385966B2 JP5385966B2 JP2011276351A JP2011276351A JP5385966B2 JP 5385966 B2 JP5385966 B2 JP 5385966B2 JP 2011276351 A JP2011276351 A JP 2011276351A JP 2011276351 A JP2011276351 A JP 2011276351A JP 5385966 B2 JP5385966 B2 JP 5385966B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film transistor
- tft
- layer
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 99
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 29
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 11
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 211
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 19
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- DNTVTBIKSZRANH-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(3-methylphenyl)aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C=2C(=CC=C(N)C=2)C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 DNTVTBIKSZRANH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-UHFFFAOYSA-N b2738 Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1C=CC1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
図2は、本発明の実施形態1に係るm行n列のアクティブマトリクス型EL表示装置における1画素当たりの回路構成を示している。図示するように各画素は、有機EL素子50、スイッチング用TFT(第1TFT)10、素子駆動用TFT(第2TFT)20及び補助容量Csを備え、ここでは、行方向に延びるゲートラインGLと、列方向に延びるデータラインDLで囲まれる領域に構成されている。本実施形態では、さらに、導電特性が該第2TFT20と逆の補償用TFT30が電源ラインVLと第2TFT20との間に挿入されている。この補償用TFT30は、ゲートと、ソース又はドレインの一方とが接続されてダイオード接続されており、該ダイオードが電源ラインVLと該第2TFT20との間に順方向に接続されている。よって、特別な制御信号を供給せずに動作させることが可能となっている。
b.ホール輸送層:NBP
c.発光層:レッド(R)・・・ホスト材料(Alq3)に赤色のドーパント(DCJTB)をドープグリーン(G)・・・ホスト材料(Alq3)に緑色のドーパント(Coumarin 6)をドープブルー(B)・・・ホスト材料(Alq3)に青色のドーパント(Perylene)をドープ
d.電子輸送層:Alq3
e.電子注入層:フッ化リチウム(LiF)
f.電極(陰極):アルミニウム(Al)
なお、ここで、上記略称にて記載した材料の正式名称は以下のとおりである。
・「NBP」・・・N,N'-Di((naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)
・「Alq3」・・・Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum
・「DCJTB」・・・(2-(1,1-Dimethylethyl)-6-(2-(2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile
・「Coumarin 6」・・・3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin
・「BAlq」・・・(1,1'-Bisphenyl-4-Olato)bis(2-methyl-8-quinolinplate-N1,08)Aluminum
但し、もちろんこのような構成には限られない。
次に、本発明の他の実施形態2について説明する。実施形態1では、トランジスタの特性ばらつきによる画素間で発光輝度のばらつきを防止するため、素子駆動用薄膜トランジスタと逆導電特性の補償用薄膜トランジスタを設けている。これに対して、本実施形態2では、素子駆動用薄膜トランジスタ(第2TFT)の配置に着目して画素間での発光輝度のばらつきを抑制する。図10は、実施形態2に係る1画素あたりの構成例を示しており、図10(a)は概略平面図、図10(b)は図10(a)のB−B線に沿った断面図である。この構成は、図1と同一の回路構成で示される。また、図中、既に説明した図と対応する部分には同一符号を付している。
次に、実施形態3として、1画素内において、複数の第2TFT20と対応する有機EL素子50とのより効率的な接続方法について説明する。上述の実施形態1及び実施形態2の図11に示すように、1画素内で、有機EL素子50と電源ラインVLとの間に複数の第2TFT20を設けることは、信頼性向上、特性向上などの観点で好適である。このように複数の第2TFT20を1画素内に設ける場合、図11に示したように、第2TFT20a、20bと有機EL素子50とをそれぞれ接続することで、電源ラインVLから有機EL素子50への第2TFT20を介してた電流供給がより確実となる。しかし、図10(b)に示すような透明な陽極52から下方の基板1を経て外部に発光層55からの光を射出するタイプの有機EL素子の場合、コンタクト部は遮光されることが多い。例えば、図9(c)や図10(b)では、有機EL素子50の第2TFT20との接続は、金属配線である配線層40を介して行われており、この配線層40と陽極52とのコンタクト部では、陽極52の下方に遮光性の配線層40が存在しており、この領域では発光層55からの光は基板1側に通り抜けることはできない。従って、第2TFT20と有機EL素子50とのコンタクト部を第2TFT20の個数nと同じ数だけ設けるとコンタクト数に比例して発光面積が減少してしまう。
次に、図15〜図20を参照して、第2TFT20と有機EL素子50との接続構造について説明する。実施形態3において説明したように、有機EL素子50と第2TFT20とのコンタクト領域は、透明陽極52を透過し下方の基板1から外部に光を放射する方式(ボトムエミッション)の場合、非発光領域となることが多い。また、多くの集積回路などにおいては集積度の向上、表示装置であれば解像度の向上などを実現するためには、コンタクト面積をできる限り少なくすることが望まれる。このような観点からは、第2TFT20の能動層16と、有機EL素子50の陽極52とを直接接続する場合も、接続特性の向上のため直接接続せず金属接続層(Al層やCr層など)を介在させる場合においても、図15に示すように層間絶縁膜14の第1コンタクトホール70,第1平坦化絶縁層18の第2コンタクトホール72を重ねて形成することが好ましい。
Claims (5)
- マトリクス状に配置された複数の画素のそれぞれが、少なくとも、被駆動素子と、駆動電源からの電力を被駆動素子に供給する素子駆動用薄膜トランジスタと、前記素子駆動用薄膜トランジスタの特性ばらつきを補償する補償用薄膜トランジスタと、を備えるアクティブマトリクス型の表示装置であり、
前記複数の画素の各画素領域は、マトリクスの行及び列方向の辺のうちの一方が他方より長く、前記素子駆動用薄膜トランジスタ及び前記補償用薄膜トランジスタは、それらのチャネル長方向が、前記画素領域の長い方の辺に沿って配置されており、
前記素子駆動用薄膜トランジスタ及び前記補償用薄膜トランジスタのチャネル長方向が、該トランジスタのチャネル領域をアニールするための線状パルスレーザの走査方向に沿うように該素子駆動用薄膜トランジスタ及び前記補償用薄膜トランジスタが形成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載の表示装置において、
前記画素領域は、マトリクスの行方向よりも列方向の辺が長く、前記素子駆動用薄膜トランジスタは、そのチャネル長方向が、前記列方向に沿って配置されていることを特徴とする表示装置。 - 電源ラインからの駆動電流を対応する被駆動素子に供給する少なくとも一つの素子駆動用薄膜トランジスタと、選択時に供給されるデータに基づいて前記素子駆動用薄膜トランジスタを制御するスイッチング用薄膜トランジスタと、前記素子駆動用薄膜トランジスタの特性ばらつきを補償する補償用薄膜トランジスタと、を備え、
前記素子駆動用薄膜トランジスタ及び前記補償用薄膜トランジスタのチャネル長方向は、前記スイッチング用薄膜トランジスタに前記データ信号を供給するデータラインの延びる方向に沿うように配置されており、
前記素子駆動用薄膜トランジスタ及び前記補償用薄膜トランジスタのチャネル長方向が、該トランジスタのチャネル領域をアニールするための線状パルスレーザの走査方向に沿うように該素子駆動用薄膜トランジスタ及び前記補償用薄膜トランジスタが形成されていることを特徴とする、半導体装置。 - 前記素子駆動用薄膜トランジスタのチャネル長方向は、前記スイッチング用薄膜トランジスタのチャネル長方向と一致しないことを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記被駆動素子は、有機化合物を発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の表示装置、または請求項3〜4のいずれか一つに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011276351A JP5385966B2 (ja) | 2000-09-29 | 2011-12-16 | 半導体装置及び表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000300982 | 2000-09-29 | ||
JP2000300982 | 2000-09-29 | ||
JP2011276351A JP5385966B2 (ja) | 2000-09-29 | 2011-12-16 | 半導体装置及び表示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001279802A Division JP4925528B2 (ja) | 2000-09-29 | 2001-09-14 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012128428A JP2012128428A (ja) | 2012-07-05 |
JP5385966B2 true JP5385966B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=35476321
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011276351A Expired - Lifetime JP5385966B2 (ja) | 2000-09-29 | 2011-12-16 | 半導体装置及び表示装置 |
JP2011276352A Expired - Lifetime JP5364781B2 (ja) | 2000-09-29 | 2011-12-16 | 半導体装置 |
JP2011276353A Expired - Lifetime JP5289547B2 (ja) | 2000-09-29 | 2011-12-16 | 半導体装置 |
JP2011276354A Expired - Lifetime JP5289548B2 (ja) | 2000-09-29 | 2011-12-16 | 半導体装置 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011276352A Expired - Lifetime JP5364781B2 (ja) | 2000-09-29 | 2011-12-16 | 半導体装置 |
JP2011276353A Expired - Lifetime JP5289547B2 (ja) | 2000-09-29 | 2011-12-16 | 半導体装置 |
JP2011276354A Expired - Lifetime JP5289548B2 (ja) | 2000-09-29 | 2011-12-16 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (4) | JP5385966B2 (ja) |
CN (2) | CN100485928C (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4661557B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP5893449B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2016-03-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および、電子機器 |
JP5918118B2 (ja) * | 2012-12-18 | 2016-05-18 | 株式会社日本製鋼所 | 結晶半導体膜の製造方法 |
KR102049444B1 (ko) * | 2013-05-10 | 2019-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 유기 발광 표시 장치 제조용 포토 마스크 |
CN105116579B (zh) * | 2015-09-30 | 2019-05-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其驱动方法 |
WO2019082950A1 (ja) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
CN109754744A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-05-14 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6412577A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Canon Kk | Thin film transistor |
JPH09172181A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-30 | Sony Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
CN100362552C (zh) * | 1997-02-17 | 2008-01-16 | 精工爱普生株式会社 | 电流驱动型发光显示装置 |
US6462722B1 (en) * | 1997-02-17 | 2002-10-08 | Seiko Epson Corporation | Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same |
JP3520396B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
JP4583529B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2010-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP3691313B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2005-09-07 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JP3997636B2 (ja) * | 1998-12-16 | 2007-10-24 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置 |
JP2000214800A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP3649927B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2005-05-18 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2000221903A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2000260571A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-22 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2000347624A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-12-15 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネセンス表示装置 |
JP3904807B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2007-04-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2001148291A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
JP4831873B2 (ja) * | 2000-02-22 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 自発光装置及びその作製方法 |
-
2001
- 2001-09-29 CN CNB2006100997218A patent/CN100485928C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-29 CN CNB2005100701318A patent/CN100481159C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-12-16 JP JP2011276351A patent/JP5385966B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2011-12-16 JP JP2011276352A patent/JP5364781B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2011-12-16 JP JP2011276353A patent/JP5289547B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2011-12-16 JP JP2011276354A patent/JP5289548B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100481159C (zh) | 2009-04-22 |
JP5289547B2 (ja) | 2013-09-11 |
JP2012068678A (ja) | 2012-04-05 |
CN1700266A (zh) | 2005-11-23 |
JP5364781B2 (ja) | 2013-12-11 |
CN100485928C (zh) | 2009-05-06 |
JP2012118533A (ja) | 2012-06-21 |
JP2012128428A (ja) | 2012-07-05 |
JP5289548B2 (ja) | 2013-09-11 |
JP2012093777A (ja) | 2012-05-17 |
CN1873976A (zh) | 2006-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4925528B2 (ja) | 表示装置 | |
US7009345B2 (en) | Emissive display device and electroluminescence display device with uniform luminance | |
JP5030345B2 (ja) | 半導体装置 | |
US6501448B1 (en) | Electroluminescence display device with improved driving transistor structure | |
JP5385966B2 (ja) | 半導体装置及び表示装置 | |
JP4005952B2 (ja) | 薄膜トランジスタを具備したフラットパネルディスプレイ | |
KR101378855B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법 | |
KR100627284B1 (ko) | 유기전계 발광 표시 패널 | |
KR20220082457A (ko) | 표시 장치 | |
KR100669316B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 | |
KR101388303B1 (ko) | 유기전계발광표시장치와 이의 구동방법 | |
KR20220089995A (ko) | 표시 장치 | |
KR20240042793A (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 패널 | |
KR20040092532A (ko) | 박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치 | |
KR20220093599A (ko) | 표시 장치 | |
KR20050113696A (ko) | 유기전계 발광 표시 패널 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130625 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131004 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5385966 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |