JP5364781B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図2は、本発明の実施形態1に係るm行n列のアクティブマトリクス型EL表示装置における1画素当たりの回路構成を示している。図示するように各画素は、有機EL素子50、スイッチング用TFT(第1TFT)10、素子駆動用TFT(第2TFT)20及び補助容量Csを備え、ここでは、行方向に延びるゲートラインGLと、列方向に延びるデータラインDLで囲まれる領域に構成されている。本実施形態では、さらに、導電特性が該第2TFT20と逆の補償用TFT30が電源ラインVLと第2TFT20との間に挿入されている。この補償用TFT30は、ゲートと、ソース又はドレインの一方とが接続されてダイオード接続されており、該ダイオードが電源ラインVLと該第2TFT20との間に順方向に接続されている。よって、特別な制御信号を供給せずに動作させることが可能となっている。
b.ホール輸送層:NBP
c.発光層:レッド(R)・・・ホスト材料(Alq3)に赤色のドーパント(DCJTB)をドープグリーン(G)・・・ホスト材料(Alq3)に緑色のドーパント(Coumarin 6)をドープブルー(B)・・・ホスト材料(Alq3)に青色のドーパント(Perylene)をドープ
d.電子輸送層:Alq3
e.電子注入層:フッ化リチウム(LiF)
f.電極(陰極):アルミニウム(Al)
なお、ここで、上記略称にて記載した材料の正式名称は以下のとおりである。
・「NBP」・・・N,N'-Di((naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)
・「Alq3」・・・Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum
・「DCJTB」・・・(2-(1,1-Dimethylethyl)-6-(2-(2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile
・「Coumarin 6」・・・3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin
・「BAlq」・・・(1,1'-Bisphenyl-4-Olato)bis(2-methyl-8-quinolinplate-N1,08)Aluminum
但し、もちろんこのような構成には限られない。
次に、本発明の他の実施形態2について説明する。実施形態1では、トランジスタの特性ばらつきによる画素間で発光輝度のばらつきを防止するため、素子駆動用薄膜トランジスタと逆導電特性の補償用薄膜トランジスタを設けている。これに対して、本実施形態2では、素子駆動用薄膜トランジスタ(第2TFT)の配置に着目して画素間での発光輝度のばらつきを抑制する。図10は、実施形態2に係る1画素あたりの構成例を示しており、図10(a)は概略平面図、図10(b)は図10(a)のB−B線に沿った断面図である。この構成は、図1と同一の回路構成で示される。また、図中、既に説明した図と対応する部分には同一符号を付している。
次に、実施形態3として、1画素内において、複数の第2TFT20と対応する有機EL素子50とのより効率的な接続方法について説明する。上述の実施形態1及び実施形態2の図11に示すように、1画素内で、有機EL素子50と電源ラインVLとの間に複数の第2TFT20を設けることは、信頼性向上、特性向上などの観点で好適である。このように複数の第2TFT20を1画素内に設ける場合、図11に示したように、第2TFT20a、20bと有機EL素子50とをそれぞれ接続することで、電源ラインVLから有機EL素子50への第2TFT20を介してた電流供給がより確実となる。しかし、図10(b)に示すような透明な陽極52から下方の基板1を経て外部に発光層55からの光を射出するタイプの有機EL素子の場合、コンタクト部は遮光されることが多い。例えば、図9(c)や図10(b)では、有機EL素子50の第2TFT20との接続は、金属配線である配線層40を介して行われており、この配線層40と陽極52とのコンタクト部では、陽極52の下方に遮光性の配線層40が存在しており、この領域では発光層55からの光は基板1側に通り抜けることはできない。従って、第2TFT20と有機EL素子50とのコンタクト部を第2TFT20の個数nと同じ数だけ設けるとコンタクト数に比例して発光面積が減少してしまう。
次に、図15〜図20を参照して、第2TFT20と有機EL素子50との接続構造について説明する。実施形態3において説明したように、有機EL素子50と第2TFT20とのコンタクト領域は、透明陽極52を透過し下方の基板1から外部に光を放射する方式(ボトムエミッション)の場合、非発光領域となることが多い。また、多くの集積回路などにおいては集積度の向上、表示装置であれば解像度の向上などを実現するためには、コンタクト面積をできる限り少なくすることが望まれる。このような観点からは、第2TFT20の能動層16と、有機EL素子50の陽極52とを直接接続する場合も、接続特性の向上のため直接接続せず金属接続層(Al層やCr層など)を介在させる場合においても、図15に示すように層間絶縁膜14の第1コンタクトホール70,第1平坦化絶縁層18の第2コンタクトホール72を重ねて形成することが好ましい。
Claims (5)
- 供給電力に応じて動作する被駆動素子と、
一端が電源ラインに接続され、他端が前記被駆動素子に接続され、前記被駆動素子への供給電力を制御するためのn個(nは、2以上の整数)の素子駆動用薄膜トランジスタと、
選択時に供給されるデータ信号を前記n個の素子駆動用薄膜トランジスタのゲートに供給し、前記素子駆動用薄膜トランジスタに流れる電流を制御するスイッチング用薄膜トランジスタと、
を備え、
該n個の複数の素子駆動用薄膜トランジスタのそれぞれのソース領域又はドレイン領域の一方が前記電源ラインに接続され、前記それぞれのソース領域又はドレイン領域の他方が前記被駆動素子に配線層を介して、n−1個以下の数のコンタクトによって電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記配線層と前記素子駆動用薄膜トランジスタとのコンタクト位置と、前記配線層と前記被駆動素子とのコンタクト位置とが離間して配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記被駆動素子は、第1及び第2電極の間に発光素子層を備えた発光素子であり、前記配線層の上層に形成された絶縁層にはコンタクトホールが形成されており、該コンタクトホールにおいて、前記配線層は、前記絶縁層の上に前記コンタクトホールを覆って形成された前記発光素子の前記第1電極と接続され、前記第1電極の少なくともコンタクトホール領域は平坦化層によって覆われ、前記第1電極及び前記平坦化層の上層に前記発光素子層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記素子駆動用薄膜トランジスタと対応する前記被駆動素子とは、下層に形成された前記素子駆動用薄膜トランジスタと前記被駆動素子との層間を隔てる絶縁層に形成されたコンタクトホールにおいて直接又は間接的に互いに電気的に接続され、前記第1電極の少なくともコンタクトホール領域は平坦化層によって覆われ、前記第1電極及び前記平坦化層の上層に前記発光素子層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記被駆動素子は、有機化合物を発光層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする半導体装置。
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