JP5385146B2 - 易洗浄基材のための方法及びそれによる物品 - Google Patents

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Description

(関連出願の相互参照)
本出願は、米国仮出願番号第60/862303号(2006年10月20日出願)の優先権を主張し、この出願を参照として本明細書に組み込む。
これまでに、基材に撥液性を付与するために様々な努力がなされている。例えば、1つ以上のフッ素化基を有するシラン化合物又は組成物は、ガラス及びセラミックスのような基材を撥油性及び撥水性にするためにうまく使用されている。このようなシラン化合物又は組成物は、典型的に、1つ以上の加水分解性基及び少なくとも1つのフッ素化アルキル基又はフッ素化ポリエーテル基を包含する。撥油性及び撥水性のために処理されている基材類としては、ガラス、浴室タイルのようなセラミックス、エナメル質、金属、天然及び人工石、ポリマー、及び木が挙げられる。
これらの進歩にもかかわらず、基材類に撥液性を付与するための改良された方法、及び改良された撥液性を有する基材類の必要性が引き続き存在する。
金属基材及び金属化された基材は、台所及び浴室、並びに屋外領域を包含する種々の環境で見出され、そこで前記基材は食品、石鹸、及び石灰のような鉱物のような水性残留物と接触しうる。このような付着物を、例えば、水栓、シャワーヘッド、手すり等から除去することは、しばしば精力的なこすり落としを必要とし、またその多くは酸性洗浄剤又は洗剤を用い、更にこれらの基材の表面の審美的外観及び耐久性に問題を生じることが多い。鉱物付着物のような水性付着物を精力的なこすり落としの必要なく拭取りで除去することを可能にし、この特性を繰返しの拭取りで保持する、易洗浄金属基材及び金属化基材は、したがって、有利であろう。これを達成できる方法及びそれから作製される物品が、このたび、見出された。
1つの態様では、本発明は少なくとも1つの易洗浄金属基材又は易洗浄金属化基材を形成する方法を提供し、
ケイ素、酸素、及び水素を含む層を基材の表面の少なくとも一部にプラズマ蒸着によって形成する工程と、
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物を、ケイ素、酸素、及び水素を含む層の表面の少なくとも一部に適用する工程と、を含む。
特定の実施形態では、易洗浄金属又は金属化基材の形成は、基材に次の特性のいずれか1つ又はいかなる組み合わせも提供する。すなわち、表面汚染物質を容易に除去でき、石灰石付着物を容易に除去でき、外観が本質的に不変であることができ、更に油、水、染み、並びに汚れ撥性を有することができる。特定の実施形態では、少なくとも1つの色相又は色相の強度を変えることができる。これらの特性は、長期間保持でき、例えば、乾燥した拭取り紙を用いた繰返しの拭取りの後でさえ、保持できる。
別の態様では、
少なくとも1つの金属基材又は金属化基材と、
前記基材上に配置されたプラズマ蒸着層であって、少なくとも約10原子%のケイ素と、少なくとも約10原子%の酸素と、少なくとも約5原子%の水素とを含み、ここですべての原子%の値はプラズマ蒸着層の全原子量に基づき、
前記プラズマ蒸着層に固着したコーティングと、
を含み、前記コーティングが、少なくとも1つの共有結合を前記プラズマ蒸着層と共有する少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物を含む、易洗浄コーティングされた物品が提供される。
1つの好ましい実施形態では、
少なくとも1つの金属基材又は金属化基材と、
前記基材上に配置されたプラズマ蒸着層であって、少なくとも約10原子%のケイ素と、少なくとも約10原子%の酸素と、少なくとも約5原子%の水素とを含み、ここですべての原子%の値はプラズマ蒸着層の全原子量に基づき、
前記プラズマ蒸着層に固着したポリフルオロポリエーテル含有コーティングと、
を含み、前記ポリフルオロポリエーテル含有コーティングが、次式Ibのポリフルオロポリエーテルシラン基を含む、易洗浄コーティングされた物品が提供される。
[Q’−C(R)−Si(O−)3−x(R1a Ib
これは少なくとも1つの共有結合をプラズマ蒸着層と共有し、
式中、
は一価又は多価のポリフルオロポリエーテルセグメントであり、
Q’は有機二価連結基であり、
各Rは独立して水素又はC1〜4アルキル基であり、
1aはC1〜8アルキル又はフェニル基であり、
xは0又は1又は2であり、
zは1、2、3、又は4である。
特定の実施形態では、易洗浄コーティング物品は次の特性のいずれか1つ又はいかなる組み合わせも提供する。すなわち、表面汚染物質を容易に除去でき、石灰石付着物を容易に除去でき、外観が本質的に不変であることができ、油、水、染み、及び汚れ撥性を有することができ、コーティングが、石灰石付着物の除去に使用されることがある酸性洗浄剤を包含する洗剤及び非研磨性洗浄剤に対する耐性を持つことができ、更にコーティングが機械的摩耗に対して極めて高い耐久性を持つことができる。特定の実施形態では、少なくとも1つの色相又は色相の強度が、プラズマ蒸着層及びコーティングのない基材に関して変化できる。これらの特性は、長期間保持でき、例えば、乾燥した拭取り紙を用いた繰返しの拭取りの後でさえ、保持できる。
本明細書で用いるとき、用語「アルキル」及び接頭語「アルク(alk)」は、直鎖基と分岐鎖基との両方及び環状基、例えば、シクロアルキルを包含する。特に指定のない限り、これらの基は1〜20個の炭素原子を含有する。幾つかの実施形態では、これらの基は合計で10個までの炭素原子、8個までの炭素原子、6個までの炭素原子、又は4個までの炭素原子を有する。環状基は、単環式又は多環式であることができ、好ましくは3〜10個の環炭素原子を有する。
用語「アルキレン」は、上に定義された「アルキル」基の二価の形態である。
他に示されない限り、用語「ハロゲン」は、ハロゲン原子又は1つ以上のハロゲン原子を指し、塩素、臭素、ヨウ素、及びフッ素原子を包含する。
用語「アリール」は、本明細書で用いられるとき、炭素環式芳香族環又は任意に少なくとも1つのヘテロ原子を含有する環系を包含する。アリール基の例としては、フェニル、ナフチル、ビフェニル、及びピリジニルが挙げられる。
用語「アリーレン」は、上に定義された「アリール」基の二価の形態である。
用語「カルバメート」は、基−O−C(O)−N(R)−を指し、式中、Rは上記の定義による。
用語「ウレイレン」は、基−N(R)−C(O)−N(R)−を指し、式中、Rは上記の定義による。
用語「置換アリール」は、上記に定義されたアリール基を指し、C1〜4アルキル、C1〜4アルコキシ、ハロゲン、ヒドロキシ、アミノ、及びニトロからなる群から独立して選択される1つ以上の置換基によって置換されている。
本願で使用するとき、「a」、「an」、「the」、「少なくとも1つの」、及び「1つ以上の」は、同じ意味で使用される。
本明細書ではまた、端点による数値範囲の列挙には、端点を包含するその範囲内に包含されるすべての数が包含される(例えば、1〜5には、1、1.5、2、2.75、3、3.80、4、5、等が包含される)。数値が整数である場合、整数のみが包含される(例えば、1、2、3、4、5、等)。
上記の本発明の「課題を解決するための手段」は、本発明の開示した各実施形態又はすべての実現形態を説明することを意図したものではない。以下の説明により、例示的な実施形態をより具体的に例示する。本出願の全体にわたる複数の箇所で、例のリストによって指針が与えられており、それらの例は、個別に及び様々な組み合わせで使用されることができる。いずれの場合にも、記載したリストは、代表的な群としてのみ役立つものであり、排他的なリストとして解釈されるべきものではない。
ケイ素、酸素、及び水素を含む層を基材の表面の少なくとも一部にプラズマ蒸着するのに適した円筒形平行プレート装置の断面図。
1つの態様では、本発明は少なくとも1つの易洗浄金属基材又は易洗浄金属化基材を形成する方法を提供し、
ケイ素、酸素、及び水素を含む層を基材の表面の少なくとも一部にプラズマ蒸着によって形成する工程と、
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物を、ケイ素、酸素、及び水素を含む層の表面の少なくとも一部に適用する工程と、を含む。
本明細書で用いるとき、用語「金属又は金属化基材」は、金属及び/又は金属合金を含む基材を指し、これは室温で固体である。特定の実施形態で、金属及び/又は金属合金は、クロム、クロム合金類、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、亜鉛、スズ、ステンレス鋼、及び黄銅からなる群から選択される。特定の実施形態では、金属及び/又は金属合金は、クロム又はステンレス鋼である。金属基材は、1つ以上の金属類及び/又は金属合金類を主表面に含み、1つ以上の金属及び/又は金属合金を基材の本体全体に含む。特定の実施形態では、金属基材の主表面はクロムを含む。金属化基材は、1つ以上の金属及び又は金属合金を主表面に含む。金属化基材は高分子材料を更に含むことができ、これは熱硬化性及び熱可塑性ポリマーの1つ又は両方、セラミック、ガラス、陶器、並びに金属化された表面を有することができるその他の材料を包含する。特定の実施形態では、金属化基材の主表面はクロムを含む。金属又は金属化基材の例としては、これらに限定されるものではないが、台所及び浴室の水栓、蛇口、取っ手、吐水口、シンク、排水管、手すり、タオルかけ、カーテンロッド、食器洗浄機パネル、冷蔵庫パネル、ストーブトップ、ストーブ、オーブン、及び電子レンジパネル、排気フード、グリル、金属製ホイール又はリム等が挙げられる。
ケイ素、酸素、及び水素を含む層を基材の表面の少なくとも一部にプラズマ蒸着によって形成することは、米国特許第6,696,157号(デビッド(David)ら)及び第6,878,419号(デビッド(David)ら)に記載されているように、RF(高周波)源を電源とする少なくとも1つの電極及び少なくとも1つの接地電極を有する容量結合型システムを有する適した反応チャンバ内で実施できる。図1は、プラズマ蒸着に適した平行平板装置10を例証し、空気がそこからポンプスタック(非表示)によって除去される接地したチャンバ12を示す。プラズマを生成するためのガス又はガス類は、反応器の壁内を通ってチャンバ中心の吐出しポンプ口へ放射状に射出される。基材14は、RF電極16付近に位置付けされる。電極16は、ポリテトラフルオロエチレン支持体18によってチャンバ12から絶縁されている。
処理される基材は、プラズマ蒸着を妨害する可能性のある汚染物質を除去するため、当該技術分野で既知の方法によって前洗浄されてもよい。有用な前洗浄方法の1つは、酸素プラズマへの曝露である。この前洗浄のため、チャンバ内の圧力は1.3Pa(10mTorr)〜27Pa(200mTorr)に維持される。プラズマは、500W〜3000WのRF出力レベルで発生される。
アセトン又はエタノールのような有機溶媒での溶媒洗浄工程も、酸素プラズマへの曝露の前に包含されてもよい。
基材はチャンバ内の前記電極に位置付けされ、前記チャンバは空気及びいかなる不純物も除去するために必要な程度まで真空排気される。これは、チャンバに接続されたポンプスタックで真空ポンプによって達成されてもよい。ソースガスが所望の流量でチャンバに導入され、前記流量は反応器の寸法、電極の表面積、及び基材の表面積に依存する。前洗浄が酸素プラズマ中で実施される場合、前記ガスは酸素である。プラズマ蒸着の間、ガスはオルガノシリコン及び/又はシラン化合物を包含し、前記流量はプラズマ蒸着を実行するのに適した圧力、典型的には0.13Pa(0.001Torr)〜130Pa(1.0Torr)を達成するのに十分である。内径が約55cmで高さが約20cmの円筒形反応器の場合、流量は典型的に約50〜約500標準立方フィート毎分(sccm)である。プラズマ蒸着の圧力及び温度(約50℃未満)では、前記ガスは蒸気形態を維持する。RF電界が電極によって印加され、ガスをイオン化してプラズマを発生する。RF発生されたプラズマ内で、エネルギーは電子を通じてプラズマへと結合する。プラズマは、電極間の電荷キャリアとして作用する。プラズマは、反応チャンバ全体に充満でき、典型的に着色した雲として目に見える。
プラズマは、少なくとも1つの電極付近でイオンシースも形成する。前記イオンシースは、典型的に電極周辺のより暗い領域として現れる。イオンシース内では、電極に向かって加速するイオンがプラズマから基材上に付着されている種を衝撃する。イオンシースの深さは、通常約1mm〜約50mmの範囲であり、使用されるガスの種類及び濃度、チャンバ内の圧力、電極間の間隔、並びに電極の相対的寸法のような要因に依存する。例えば、減圧はイオンシースの寸法を増大するであろう。電極が異なる寸法であるとき、より小さい電極の周辺には、より大きく、より強力なイオンシースが形成されるであろう。一般に、電極寸法の差が大きいほど、イオンシースの寸法の差が大きく、イオンシース前後の圧力の増大は、イオン衝撃エネルギーを増大するであろう。
基材は、プラズマから付着されている、イオン衝撃された種に曝露される。その結果生じるプラズマ内の反応性種が基材の表面で反応し、層を形成し、その組成はプラズマ内でイオン化されているガスの組成によって制御される。層を形成する種は、共有結合によって基材の表面に結合することができ、したがって前記層は基材に共有結合できる。
特定の実施形態では、ケイ素、酸素、及び水素を含む層の形成は、オルガノシリコン又はシラン化合物の少なくとも1つを含むガスのイオン化を含む。特定の実施形態では、オルガノシリコン又はシラン化合物の少なくとも1つのケイ素が、ガス混合物の少なくとも約5原子%の量で存在する。それゆえ、酸素のような反応性ガス又はアルゴンのような不活性ガスがオルガノシリコン又はシラン前駆体と共に混合された場合、前記ガス混合物中のケイ素の原子%は、混合物中の構成成分ガスの体積(又はモル)流量に基づいて計算される。特定の実施形態では、ガスはオルガノシリコンを含む。特定の実施形態では、前記オルガノシリコンは、トリメチルシラン、トリエチルシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、テトラメチルシラン、テトラエチルシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、テトラエチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、及びビストリメチルシリルメタンの少なくとも1つを含む。特定の実施形態では、前記オルガノシリコンはテトラメチルシランを含む。加えて又は別の方法として、特定の実施形態では、前記ガスはシラン化合物を含む。特定の実施形態では、前記シラン化合物はSiH(四水素化ケイ素)、Si(ジシラン)、及びSiClH(クロロシラン)の1つ以上を含む。特定の実施形態では、前記シラン化合物はSiH(四水素化ケイ素)を含む。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、好ましくは前記ガスは更に酸素を含む。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、前記ガスはアルゴン、アンモニア、水素、及び窒素の少なくとも1つを更に含む。追加的なガスの各々は、別々に又は互いと合わせて添加できる。特定の実施形態では、前記ガスは、アンモニア、水素、及び窒素の少なくとも1つの総量がガスの少なくとも約5モル%であって約50モル%以下であるように、アンモニア、水素、及び窒素の少なくとも1つを更に含む。
層のプラズマ蒸着は、典型的には約1〜約100nm/秒の範囲の速度で起こる。前記速度は、圧力、出力、ガス濃度、ガスの種類、電極の相対的寸法等を包含する条件に依存する。一般に、付着速度は出力、圧力、及びガス濃度の増大と共に増大するが、前記速度は上限に近づきうる。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、ケイ素、酸素、及び水素を含む層のプラズマ蒸着は、約2秒以上、約5秒以上、又は約10秒以上の時間で実施される。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、ケイ素、酸素、及び水素を含む層のプラズマ蒸着は、約30秒以下、約20秒以下、又は約15秒以下の時間で実施される。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、ケイ素、酸素、及び水素を含む層のプラズマ蒸着は、約5秒以上であって約15秒以下の時間で実施される。特定の実施形態では、前記時間は約10秒である。
特定の実施形態では、ケイ素、酸素、及び水素を含む層のプラズマ蒸着は、基材の少なくとも1つの色相又は色相の強度が変更されるような時間で実施される。特定の実施形態では、基材の色相は、目視観察したときに青色の色相の増大を包含するように変更される。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、基材は、ケイ素、酸素、及び水素を含む層のプラズマ蒸着の前に酸素プラズマに曝露される。
ケイ素、酸素、及び水素を含む層がプラズマ蒸着によって形成された後、層の表面にシラノール基を形成するため又は追加のシラノール基を形成するために、層の表面が酸素プラズマに曝露されてもよい。この後処理のため、チャンバ内の圧力は1.3Pa(10mTorr)〜27Pa(200mTorr)に維持される。酸素プラズマは、約50W〜約3000WのRF出力レベルで発生される。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、その蒸着の完了後、ケイ素、酸素、及び水素を含む層は酸素プラズマに曝露される。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、ケイ素、酸素、及び水素を含む層は、好ましくは炭素を更に含む。炭素の存在は、増大された可撓性及び強靭性を層に付与することができる。
本明細書で使用するとき、「少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物」は、ポリフルオロポリエーテルシラン、ペルフルオロアルキルシラン、フッ素化オリゴマーシラン、又は燕尾シラン(swallow-tail silane)の少なくとも1つを指す。1つの実施形態では、少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物は、ポリフルオロポリエーテルシランである。ポリフルオロエーテルシランは、式Iによって表される。
{−Q−[SiY3−x(R
式中、Rは一価又は多価のポリフルオロポリエーテルセグメントであり、Qは有機二価又は三価連結基であり、各Yは独立して加水分解性基であり、Rはアルキル基又はフェニル基であり、xは0又は1又は2であり、yは1又は2であり、zは1、2、3、又は4である。
一価又は多価ポリフルオロポリエーテルセグメント、Rは、置換又は非置換であってもよい、線状、分岐状、及び/又は環状構造を包含し、2つ以上の鎖内酸素原子を包含する。Rは、好ましくは全フッ素化基である(すなわち、すべてのC−H結合がC−F結合によって置換されている)。ただし、各2個の炭素原子に対して水素又は塩素のいずれかの原子が1つ以下で存在するならば、フッ素原子の代わりに水素又は塩素原子が存在してもよい。水素及び/又は塩素が存在する場合、好ましくは、Rは少なくとも1つのペルフルオロメチル基を包含する。
前記有機二価又は三価連結基Qは、飽和又は不飽和であってもよい線状、分岐状、又は環状構造を包含できる。有機二価又は三価連結基Qは、硫黄、酸素、及び窒素からなる群から選択される1つ以上のヘテロ原子を任意に含有し、及び/又はエステル、アミド、スルホンアミド、カルボニル、カーボネート、ウレイレン、及びカルバメートからなる群から選択される1つ以上の官能基を任意に含有する。Qは、2個以上の炭素原子及び約25個以下の炭素原子を包含する。Qは、好ましくは加水分解に対して実質的に安定である。1つを超えるQ基が存在するとき、該Q基は同一である又は異なることができる。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態で、Qは−C(O)N(R)−(CH−、−S(O)N(R)−(CH−、−(CH−、−CHO−(CH−、−C(O)S−(CH−、−CHOC(O)N(R)−(CH−、及び
Figure 0005385146
のような有機連結基を包含し、
式中、Rは水素又はC1〜4アルキルであり、kは2〜約25である。特定の実施形態では、kは2〜約15又は2〜約10である。
加水分解性基Yは同一でも異なっていてもよく、例えば、水の存在下で、任意に酸性又は塩基性条件下で、縮合反応が可能な基、例えばシラノール基を生成する。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、ポリフルオロポリエーテルシランは式Iaのものである。
[Q’−C(R)−Si(Y’)3−x(R1a Ia
式中、
は、一価又は多価ポリフルオロポリエーテルセグメントであり、
Q’は有機二価連結基であり、
各Rは独立して水素又はC1〜4アルキル基であり、
各Y’は、ハロゲン、アルコキシ、アシルオキシ、ポリアルキレンオキシ、及びアリールオキシ基からなる群から独立して選択される加水分解性基であり、
1aはC1〜8アルキル又はフェニル基であり、
xは0又は1又は2であり、
zは1、2、3、又は4である。
式I又はIaの上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、一価又は多価ポリフルオロエーテルセグメント、Rは、−(C2n)−、−(C2nO)−、−(CF(Z))−、−(CF(Z)O)−、−(CF(Z)C2nO)−、−(C2nCF(Z)O)−、−(CFCF(Z)O)−、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される全フッ素化繰返し単位を含み、Zはペルフルオロアルキル基、酸素含有ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、又は酸素置換ペルフルオロアルコキシ基であり、この各々が線状、分岐状、又は環状であることができ、1〜9個の炭素原子及び酸素含有又は酸素置換の場合には4個までの酸素原子を有し、nは1〜12の整数である。オリゴマー又はポリマーの性質であることから、これらの化合物は混合物として存在し、そのような使用に適している。全フッ素化繰返し単位は、ランダム、ブロック、又は交互の順序で配列されてもよい。特定の実施形態では、前記ポリフルオロポリエーテルセグメントは、−(C2nO)−、−(CF(Z)O)−、−(CF(Z)C2nO)−、−(C2nCF(Z)O)−、−(CFCF(Z)O)−、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される全フッ素化繰返し単位を含む。特定の実施形態では、nは1〜12、1〜6、1〜4、又は1〜3の整数である。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、Rは一価であり、zは1である。特定の実施形態では、Rは、C2n+1−、C2n+1O−、及びX’C2nO−からなる群から選択される基で終端され、式中、X’は水素又は塩素原子である。特定の実施形態では、末端基はC2n+1−又はC2n+1O−であり、式中、nは1〜6又は1〜3の整数である。特定の実施形態では、Rの近似平均構造はCO(CF(CF)CFO)CF(CF)−又はCFO(CO)CF−であり、式中、pの平均値は3〜50である。
が一価の場合を除く上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、Rは二価であり、zは2である。特定の実施形態では、Rは、−CFO(CFO)(CO)CF−、−CF(CF)−(OCFCF(CF))O−R’−O(CF(CF)CFO)CF(CF)−、−CFO(CO)CF−、及び−(CFO(CO)(CF−からなる群から選択され、式中、R’は、少なくとも1つの炭素原子を含有し、任意にO又はNが鎖に割り込んだ二価のペルフルオロアルキレン基であり、mは1〜50であり、pは3〜40である。特定の実施形態では、R’は(C2n)であり、式中、nは2〜4である。特定の実施形態では、Rは、−CFO(CFO)(CO)CF−、−CFO(CO)CF−、及び−CF(CF)−(OCFCF(CF))O−(C2n)−O(CF(CF)CFO)CF(CF)−からなる群から選択され、式中、nは2〜4であり、m+p又はp+p又はpの平均値は約4〜約24である。
上記のポリフルオロポリエーテルシランは、典型的に、オリゴマー及び/又はポリマーの分布を包含し、それゆえp及びmは非整数であってもよい。上記の構造は、近似平均がこの分布にわたる近似平均構造である。これらの分布は、シラン基がないか又は2つを超えるシラン基を有するペルフルオロポリエーテルもまた含有してよい。典型的には、シラン基を含まない化合物を約10重量%未満を含有する分布を使用できる。
有機二価連結基Q’が存在する上記の実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、Q’は、1〜約15個の炭素原子を包含し、任意に1〜4個のヘテロ原子及び/又は1〜4個の官能基を含有する、飽和又は不飽和炭化水素基である。特定の実施形態では、Q’は1〜約10個の炭素原子を含有し、任意に1〜4個のヘテロ原子及び/又は1〜4個の官能基を含有する線状炭化水素である。特定の実施形態では、Q’は1つの官能基を含有する。特定の実施形態では、Q’は好ましくは−C(O)N(R)(CH−、−OC(O)N(R)(CH−、−CHO(CH−、又は−CH−OC(O)N(R)−(CH−であり、式中、Rは水素又はC1〜4アルキルである。
Rが存在する上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、Rは水素である。
加水分解性基Y又はY’が存在する上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、各Y又はY’はハロゲン、アルコキシ、アシルオキシ、アリールオキシ、及びポリアルキレンオキシのような基から独立して選択される。アルコキシは−OR’であり、アシルオキシは−OC(O)R’であり、各R’は独立して低級アルキル基であり、任意に1つ以上のハロゲン原子によって置換されている。特定の実施形態では、R’は好ましくはC1〜6アルキルであり、より好ましくはC1〜4アルキルである。アリールオキシは−OR”であり、式中、R”は、ハロゲン原子及び1つ以上のハロゲン原子によって任意に置換されたC1〜4アルキルから独立して選択された1つ以上の置換基によって任意に置換されたアリールである。特定の実施形態では、R”は、好ましくは非置換又は置換C6〜12アリールであり、より好ましくは非置換又は置換C6〜10アリールである。ポリアルキレンオキシは、−O−(CHR−CHO)−Rであり、式中、RはC1〜4アルキルであり、Rは水素又はメチルであり、Rの少なくとも70%が水素であり、qは1〜40、好ましくは2〜10である。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、xは0である。
特定の実施形態では、ポリフルオロポリエーテルシランの数平均分子量は約750〜約6000、好ましくは約800〜約4000である。
上記の実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態、特に式Iaでは、Rは、−CFO(CFO)(CO)CF−であり、Q’−C(R)−Si(Y’)3−x(R1aはC(O)NH(CHSi(OR’)であり、式中、R’はメチル又はエチルである。特定の実施形態では、m及びpは各々約9〜12である。
上記の式I及びIaの化合物は、標準的技術を用いて合成できる。例えば、米国特許第3,810,874号(ミッチ(Mitsch)ら)によると、市販の又は容易に合成されるペルフルオロポリエーテルエステル(又はそれらの官能誘導体)を3−アミノプロピルアルコキシシランのような官能化アルコキシシランと組み合わせることができる。エステル以外の官能基を、ペルフルオロポリエーテルにシラン基を組み込むために等しい官能性と共に使用してもよいことが理解されるであろう。
例えば、ペルフルオロポリエーテルジエステルを、例えば、炭化水素ポリエーテルジエステルの直接フッ素化によって調製してもよい。直接フッ素化は、炭化水素ポリエーテルジエステルを希釈形態のFと接触させることを伴う。炭化水素ポリエーテルジエステルの水素原子は、フッ素原子で置換され、それによって一般に対応するペルフルオロポリエーテルジエステルが得られる。直接フッ素化法は、例えば、米国特許第5,578,278号(フォール(Fall)ら)及び第5,658,962号(ムーア(Moore)ら)に開示されている。
別の実施形態では、1つ以上のシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物は、次式IIのペルフルオロアルキルシランである。
−Q−SiX3−x II
式中、R は任意に1つ以上のヘテロ原子(例えば、酸素原子)を含有する全フッ素化基であり、結合基Qは、二価アルキレン基、アリーレン基、又はこれらの混合物であって、1つ以上のヘテロ原子(例えば、酸素、窒素、又は硫黄)、又は官能基(例えば、カルボニル、アミド、又はスルホンアミド)を含有し、約2〜約16個の炭素原子(好ましくは約3〜約10個の炭素原子)を含有し、Rは低級アルキル基(例えば、C1〜4アルキル基、好ましくは、メチル基)であり、Xはハロゲン(例えば、塩素原子)、低級アルコキシ基(例えば、C1〜4アルコキシ基、好ましくはメトキシ又はエトキシ基)、又はアシルオキシ基(例えば、OC(O)R、式中、RはC1〜4アルキル基)であり、xは0又は1である。特定の実施形態では、好ましくはxは0である。特定の実施形態では、各X基は低級アルコキシ基である。特定の実施形態では、Xはメトキシ又はエトキシである。あるいは、前記X基は少なくとも1つのアシルオキシ又はハロゲン化物基を包含する。特定の実施形態では、各Xはハロゲン化物であり、特定の実施形態では、各Xは塩化物である。
式IIの特定の実施形態では、全フッ素化基R は、飽和又は不飽和であってもよい、線状、分岐状、又は環状構造を包含できる。特定の実施形態では、R はペルフルオロアルキル基(C2n+1)であり、式中、nは約3〜約20、より好ましくは約3〜約12、最も好ましくは約3〜約8である。二価のQ基は、飽和又は不飽和であってもよい、線状、分岐状、又は環状構造を包含することができる。特定の実施形態では、二価のQ基は、例えば、上記のようなヘテロ原子又は官能基を含有する線状基である。
典型的には、適したフッ素化シランとしては、異性体類の混合物(例えば、線状又は分岐状ペルフルオロアルキル基を含有する化合物類の混合物)が挙げられる。異なる値のnを示すペルフルオロアルキルシランの混合物も使用できる。
特定の実施形態で、ペルフルオロアルキルシランは、次のいずれか1つ又はいかなる組み合わせも包含する。
CHOCHCHCHSi(OCH
15CHOCHCHCHSi(OCH
15CHOCHCHCHSi(OCHCH
15CHOCHCHCHSi(CH)(OCH
15CHOCHCHCHSiCl
15CHOCHCHCHSi(CH)Cl
15CHOCHCHCHSiCl(OCH
15CHOCHCHCHSiCl(OC)、
15C(O)NHCHCHCHSi(OCH
CF(CFCF(CF))CFC(O)NHCHCHCHSi(OCHCH
17SON(CHCH)CHCHCHSi(OCH
17SON(CHCH)CHCHCHSi(OCHCH
SON(CH)CHCHCHSi(OCH
17CHCHSi(OCH
13CHCHSi(OCHCH
17CHCHSi(OCHCH
17SON(CHCH)CHCHCHSiCl
17SON(CH)CHCHCHSi(CH)Cl、及び
17CHOCHCHCHSi(OAc)
式IIのペルフルオロアルキルシランの製造方法は既知である。例えば、米国特許第5,274,159号(ペレライト(Pellerite)ら)参照。
別の実施形態では、少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物は、次式IIIのフッ素化オリゴマーシランである。
A−M −G III
式中、Aは水素又は開始種の残留物(すなわち、ラジカルを有し、フリーラジカル反応開始剤の分解に由来するか又は連鎖移動剤に由来する有機化合物)を表し、
は、1つ以上のフッ素化モノマーから誘導される単位を表し、
は、1つ以上の非フッ素化モノマーから誘導される単位を表し、
は、式SiY”によって表されるシリル基を有する繰返し単位を表し、
式中、各Y”は独立してアルキル基、アリール基、又は上記の定義による加水分解性基を表し、
Gは、移動連鎖剤の残留物を含む一価の有機基であって、式:−S−Q”−SiYを有し、
式中、Q”は下記の定義による有機二価連結基であり、
各Yは独立して、上記のYの定義のいずれか1つに従う加水分解性基である。
n、m、及びrの合計によって表される単位の総数は、化合物をオリゴマーにするために一般に少なくとも2、好ましくは少なくとも3である。フッ素化オリゴマーシランのnの値は1〜100であり、好ましくは1〜20である。m及びrの値は0〜100であり、好ましくは0〜20である。好ましい実施形態によると、mの値はnの値よりも小さく、n+m+rは少なくとも2である。
フッ素化オリゴマーシランは、典型的に、数平均分子量が400〜100000、好ましくは600〜20000、より好ましくは1000〜10000である。フッ素化オリゴマーシランは、好ましくは少なくとも約5モル%(単位M、M、及びMの総モルを基準として)の加水分解性基を含有する。単位M及び/又はMが存在するとき、単位M、M、及び/又はMはランダムに分布してもよい。
更に本発明の組成物に有用なフッ素化オリゴマーシランの調製は、化合物の混合物をもたらし、したがって、一般式IIIは、化合物の混合物を表すと理解されるべきであり、式IIIの指数n、m及びrは、こうした混合物における該当する単位のモル量を表すことは、当業者に更に理解されるであろう。したがって、n、m及びrは小数値であることができることが明らかであろう。
フッ素化オリゴマーシランの単位M は、フッ素化モノマー、好ましくはフッ素性化学物質のアクリレート及びメタクリレートから誘導される。
フッ素化オリゴマーシランを調製するためのフッ素化モノマーの例としては、一般式:
−Q”−Eで表すことができるものが挙げられ、
式中、R は、少なくとも3個の炭素原子又はフッ素化ポリエーテル基を有する部分的に又は完全にフッ素化された脂肪族基を表し、Q”は結合又は有機二価連結基であり、Eはエチレン性不飽和基を表す。エチレン性不飽和基Eは、フッ素化又は非フッ素化であることができる。
フッ素性化学物質モノマー中の部分的又は完全にフッ素化された脂肪族基、R は、フッ素化され、好ましくは飽和された、非極性の、一価脂肪族ラジカルであることができる。前記基は、直鎖、分岐鎖、又は環状若しくはこれらの組み合わせであることができる。前記基は、酸素、二価若しくは六価の硫黄、又は窒素のようなヘテロ原子を含有できる。R は、好ましくは完全にフッ素化されたラジカルであるが、各2個の炭素原子に対して1つ以下のいずれかの原子が存在するならば、水素又は塩素原子が存在してもよい。R 基は、炭素原子を少なくとも2個であって18個まで、好ましくは3〜14個、より好ましくは4〜10個、特に4個有する。R 基の末端部分は、全フッ素化部分であり、これは好ましくは少なくとも7個のフッ素原子を含有し、例えば、CFCFCF−及び(CFCF−である。好ましいR 基は、完全に又は実質的にフッ素化されており、好ましくは式C2n+1−のペルフルオロアルキル基であり、式中、nは3〜18、特には4〜10である。R 基がC−である化合物は、一般的に、R 基がより多くの炭素原子を有する全フッ素化基からなる化合物よりも環境に優しい。
基は、ペルフルオロポリエーテル基であることもでき、これは、飽和又は不飽和であってもよく、1つ以上の酸素原子で置換されてもよい、線状、分岐状、及び/又は環状構造を包含できる。特定の実施形態では、R は、−(C2n)−、−(C2nO)−、−(CF(Z))−、−(CF(Z)O)−、−(CF(Z)C2nO)−、−(C2nCF(Z)O)−、−(CFCF(Z)O)−、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される全フッ素化繰返し単位を包含する。特定の実施形態では、Zはペルフルオロアルキル基、酸素含有ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、又は酸素置換ペルフルオロアルコキシ基であり、その各々が線状、分岐状、又は環状であることができ、1〜9個の炭素原子及び酸素含有又は酸素置換の場合には4個までの酸素原子を有することができる。特定の実施形態では、R は、C2n+1−、C2n+1O−、及びX’C2nO−からなる群から選択される基で終端され、式中、X’は水素又は塩素原子である。特定の実施形態では、末端基はC2n+1−又はC2n+1O−である。これらの繰返し単位又は末端基において、nは1以上の整数である。特定の実施形態では、nは1〜12、1〜6、又は好ましくは1〜4の整数である。特定の実施形態では、R の近似平均構造はCO(CF(CF)CFO)CF(CF)−又はCFO(CO)CF−であり、式中、pの平均値は1〜約50である。合成された際、これらの材料は通常、ポリマーの混合物を包含する。近似平均構造はポリマーの混合物の近似平均である。
連結基Q”は、フッ素化脂肪族又はフッ素化ポリエーテル基R をフリーラジカル重合可能な基Eに結合し、一般的に非フッ素化有機連結基である。連結基は、化学結合であることができるが、好ましくは1〜約20個の炭素原子を含有し、任意に酸素、窒素、若しくは硫黄含有基又はこれらの組み合わせを含有してもよい。連結基は、好ましくはフリーラジカルオリゴマー化を実質的に妨害する官能基(例えば、重合可能なオレフィン性二重結合、チオール、及びその他の当業者に既知の官能基)を含まない。適した有機二価連結基、Q”の例としては、例えば、−C(O)Q−R−Q−C(O)−、−C(O)O−CH−CH(OH)−R−Q−C(O)−、−L−Q−C(O)NH−L−、−R−Q−C(O)−、−C(O)Q−R−、−R−、−C(O)Q−R−Q−、−S(O)NR−R−Q−、−S(O)NR−R−、及び−S(O)NR−R−Q−C(O)−が挙げられ、式中、Q及びQは独立してO又はNRを表し、Rは水素又はC1〜4アルキルであり、RはO又はNのような1つ以上のヘテロ原子に割り込みされてもよい線状、環状又は分岐状アルキレン基を表し、L及びLは各々独立して、アルキレン基、カルボニル基、カルボキシアミドアルキレン基及び/又はカルボキシアルキレン基を包含する非フッ素化有機二価連結基を表す。好ましい連結基Q”としては、
−S(O)N(R)−(CH−OC(O)−及び−(CH−OC(O)−が挙げられ、式中、dは1〜20、好ましくは1〜4の整数である。
上記のフッ素性化学物質モノマーR −Q”−E及びその調製方法は既知であり、例えば、米国特許第2,803,615号(アルブレヒト(Ahlbrecht)ら)に開示されている。このような化合物の例としては、フッ素性化学物質アクリレート、メタクリレート、ビニルエーテル、及びフッ素化スルホンアミド基を含有するアリル化合物の一般的な部類、フッ素性化学物質テロマーアルコールから誘導されるアクリレート又はメタクリレート、フッ素性化学物質カルボン酸から誘導されるアクリレート又はメタクリレート、並びに欧州特許第0 526 976号(1997年1月15日公開)にて開示されているようなペルフルオロアルキルアクリレート又はメタクリレートが挙げられる。
ペルフルオロポリエーテルアクリレート又はメタクリレートは、米国特許第4,085,137号(ミッチ(Mitsch)ら)に記載されている。
フッ素化モノマーの好ましい例としては、
CF(CFCHOC(O)CH=CH
CF(CFCHOC(O)C(CH)=CH
CF(CFCHOC(O)C(CH)=CH
CF(CFCHOC(O)CH=CH
CF(CFS(O)N(R)−(CH−OC(O)CH=CH
CF(CFS(O)N(R)−(CH−OC(O)C(CH)=CH
CF(CFS(O)N(CH)−(CH−OC(O)C(CH)=CH
CF(CFS(O)N(CH)−(CH−OC(O)CH=CH
CFCF(CFCF2−8(CHOC(O)CH=CH
CF(CF(CHOC(O)CH=CH
CF(CF(CHOC(O)C(CH)=CH
CF(CFS(O)N(R)−(CH−OC(O)CH=CH
CF(CFS(O)N(R)−(CH−OC(O)C(CH)=CH
CF(CFCHCHS(O)N(CH)−(CH−OC(O)C(CH)=CH
CFO(CFCFCHOC(O)CH=CH
CFO(CFCFuCHOC(O)C(CH)=CH
O(CF(CF)CFO)uCF(CF)CHOC(O)CH=CH、及び
O(CF(CF)CFO)CF(CF)CHOC(O)C(CH)=CH
が挙げられ、式中、Rは、メチル、エチル又はn−ブチルを表し、uは約1〜50である。
フッ素化オリゴマーシランの単位Mは(存在する場合)、一般に、非フッ素化モノマー、好ましくは加水分解性基及び炭化水素部分からなるモノマーから誘導される。炭化水素基含有モノマーは周知であり、一般に市販されている。炭素原子含有モノマー類の例としては、式:
−Q”’−Eのものが挙げられ、
式中、Rは、炭化水素基であり、任意に1つ以上のオキシアルキレン基又は1つ以上のヒドロキシ基、アミノ基、エポキシ基のような反応性基、並びに塩素及び臭素のようなハロゲン原子を含有し、Q”’は、上記のQ”に関する定義による化学結合又は二価連結基であり、Eは上記の定義によるエチレン性不飽和基である。炭化水素基は、好ましくは、線状、分岐状又は環状のアルキル基、アリールアルキレン基、アルキルアリーレン基、及びアリール基からなる群から選択される。好ましい炭化水素基は、4〜30個の炭素原子を含有する。
単位Mを誘導できる非フッ素化モノマーの例としては、フリーラジカル重合可能なエチレン性化合物の一般的部類が挙げられ、例えば、アリルアセテート及びアリルヘプタノエートのようなアリルエステル、セチルビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル、2−クロロエチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルのようなアルキルビニルエーテル又はアルキルアリルエーテル、アクリル酸、メタクリル酸、α−クロロアクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、及びイタコン酸のような不飽和酸の無水物及びエステル、ビニル、アリル、メチル、ブチル、イソブチル、ヘキシル、ヘプチル、2−エチルヘキシル、シクロヘキシル、ラウリル、ステアリル、イソボニル又はアルコキシエチルアクリレート及びメタクリレート、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、2−クロロアクリロニトリル、2−シアノエチルアクリレート、アルキルシアノアクリレートのようなα−β不飽和ニトリル、アリルグリコレート、アクリルアミド、メタクリルアミド、n−ジイソプロピルアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、N,N−ジエチルアミノエチルメタクリレート、N−t−ブチルアミノエチルメタクリレート、スチレン及びビニルトルエン、α−メチルスチレン、α−シアノメチルスチレンのようなその誘導体、エチレン、プロピレン、イソブテン、3−クロロ−1−イソブテン、ブタジエン、イソプレン、クロロ及びジクロロブタジエン、2,5−ジメチル−1,5−ヘキサジエンのようなハロゲンを含有できる低級オレフィン炭化水素、並びにビニル及びビニリデンクロライドのようなアリル又はビニルハロゲン化物が挙げられる。好ましい非フッ素化モノマーとしては、オクタデシルメタクリレート、ラウリルメタクリレート、ブチルアクリレート、N−メチロールアクリルアミド、イソブチルメタクリレート、エチルヘキシルアクリレート及びエチルヘキシルメタクリレート、並びにビニルクロライド及びビニリデンクロライドから選択されるもののような炭化水素基含有モノマーが挙げられる。
本発明で有用なフッ素化オリゴマーシランは、一般に、上に定義されるように1つ以上の非フッ素化モノマーから誘導される単位の末端に加水分解性基を有するシリル基を有する単位Mを更に包含する。単位Mの例としては、次の一般式に対応するものが挙げられる。
E−Z−SiY”
式中、Eは上記の定義によるエチレン性不飽和基であり、Y”は上に定義された通りであり、Zは1〜20個の炭素原子を含有し、任意に酸素、窒素、又は硫黄含有基又はこれらの組み合わせを含有する化学結合又は二価連結基である。Zは、好ましくはフリーラジカルオリゴマー化を実質的に妨害する官能基(例えば、重合可能なオレフィン性二重結合、チオール、及びその他の当業者に既知の官能基)を含まない。適した連結基Zの例としては、直鎖、分岐鎖、又は環状アルキレン、アリーレン、アリールアルキレン、オキシアルキレン、カルボニルオキシアルキレン、オキシカルボキシアルキレン、カルボキシアミドアルキレン、オキシカルボニルアミノアルキレン、ウレイレンアルキレン、及びこれらの組み合わせが挙げられる。特定の実施形態では、Zは、アルキレン、オキシアルキレン、カルボニルオキシアルキレン、及び式:
−Q−T−C(O)NH−Q−からなる群から選択され、
式中、Q及びQは、独立してアルキレン、アリーレン、オキシアルキレン、カルボニルオキシアルキレン、オキシカルボキシアルキレン、カルボキシアミドアルキレン、オキシカルボニルアミノアルキレン、及びウレイレンアルキレンからなる群から選択される有機二価連結基であり、TはO又はNRであり、式中、Rは水素、C1〜4アルキル、又はアリールである。特定の実施形態では、Qはアルキレン又はアリーレンである。このようなモノマーの典型的な例には、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、及びアルコキシシランで官能化されたアクリレート又はメタクリレート、例えばトリメトキシシリルプロピルメタクリレート及び同様のものが挙げられる。
フッ素化オリゴマーシランは、連鎖移動剤の存在下で、フッ素化モノマーと所望により非フッ素化モノマー及び/又はシリル基を含有するモノマーとのフリーラジカル重合を通じて都合よく調製される。フリーラジカル反応開始剤は、一般に重合又はオリゴマー化反応を開始するために使用される。一般に知られたラジカル開始剤を使用することができ、それらの例としては、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、アゾ−2−シアノ吉草酸及び同類のもののようなアゾ化合物、クメン、t−ブチル及びt−アミルヒドロペルオキシドのようなヒドロペルオキシド、ジ−t−ブチル及びジクミルペルオキシドのようなジアルキルペルオキシド、t−ブチルペルベンゾエート及びジ−t−ブチルペルオキシフタレートのようなペルオキシエステル、ベンゾイルペルオキシド及びラウロイルペルオキシドのようなジアシルペルオキシドが挙げられる。
オリゴマー化反応は、有機フリーラジカル反応に適した任意の溶媒中で行うことができる。反応物質は、任意の適した濃度(例えば、反応混合物の総重量を基準として約5重量%〜約90重量%)で溶媒中に存在できる。適した溶媒の例としては、脂肪族及び脂環式炭化水素(例えば、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン)、芳香族溶媒(例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン)、エーテル(例えば、ジエチルエーテル、グリム、ジグリム、ジイソプロピルエーテル)、エステル(例えば、エチルアセテート、ブチルアセテート)、アルコール(例えば、エタノール、イソプロピルアルコール)、ケトン(例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン)、スルホキシド(例えば、ジメチルスルホキシド)、アミド(例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド)、メチルクロロホルム、1,1,2−トリクロロ−1,2,2−トリフルオロエタン、トリクロロエチレン、α,α,α−トリフルオロトルエンのようなハロゲン化溶媒、及び同類のもの、並びにこれらの混合物が挙げられる。
オリゴマー化反応は、有機フリーラジカル反応を導くのに適した任意の温度で行うことができる。用いる特定の温度及び溶媒は、試薬の溶解度、特定の反応開始剤を用いるために必要とされる温度、望ましい分子量等の条件に基づいて、当業者によって容易に選択されることができる。すべての開始剤及びすべての溶媒に適した特定の温度を列挙するのは現実的ではないが、一般的に適した温度は約30℃〜約200℃、好ましくは50℃〜100℃である。
フッ素化オリゴマーシランは、典型的には連鎖移動剤の存在下で調製される。適した連鎖移動剤としては、ヒドロキシ−、アミノ−、メルカプト又はハロゲン基を挙げてもよい。連鎖移動剤としては、2つ以上のこうしたヒドロキシ、アミノ−、メルカプト又はハロゲン基を挙げてもよい。フッ素化オリゴマーシランの調製に有用な典型的な連鎖移動剤としては、2−メルカプトエタノール、3−メルカプト−2−ブタノール、3−メルカプト−2−プロパノール、3−メルカプト−1−プロパノール、3−メルカプト−1,2−プロパンジオール、2−メルカプトエチルアミン、ジ(2−メルカプトエチル)スルフィド、オクチルメルカプタン、及びドデシルメルカプタンから選択されるものが挙げられる。
好ましい実施形態において、加水分解性基を有するシリル基を含有する連鎖移動剤は、フッ素化オリゴマーシランを製造するためのオリゴマー化において使用される。このような連鎖移動剤は、次式のものである。
HS−Q−SiY
式中、Qは、例えば直鎖、分岐鎖又は環状アルキル、アリーレン又はアリールアルキレンのような有機二価連結基を表し、各Yは独立して上記定義による加水分解性基である。Qは好ましくはC1〜20アルキレンである。
あるいは、官能化連鎖移動剤又は官能化コモノマーをオリゴマー化に使用することができる。官能化された連鎖移動剤によって導入された官能基又は官能化コモノマーは、続いて、オリゴマー化の後にシリル基含有試薬と反応させて、加水分解性基を有するシリル基を導入することができる。
単一の連鎖移動剤又は異なる連鎖移動剤の混合物を使用してもよい。特定の実施形態では、2−メルカプトエタノール、オクチルメルカプタン、及び3−メルカプトプロピルトリメトキシシランが好ましい連鎖移動剤である。典型的に、連鎖移動剤は、オリゴマー中の重合モノマー単位の数を制御するため、及び所望の分子量のオリゴマーフッ素性化学物質シランを得るために十分な量で存在する。
フッ素化オリゴマーシランは、フッ素化モノマー及び任意の非フッ素化モノマーをモノマーE−Z−SiY”とオリゴマー化することによって調製できる。
式中、少なくとも1つのY”は、例えば、HS−Q−SiYのようなシリル基も任意に含有してもよい連鎖移動剤の存在下で、加水分解性基を表す。
上の方法の変形として、シリル基含有モノマーを使用せずに、シリル基含有連鎖移動剤を使用して、オリゴマー化を行ってもよい。
別の実施形態では、少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物は、次式IVの燕尾シランである。
S(O)−N(R)−(C2n)−CH(Z)−(C2m)−N(R)−S(O) IV
式中、各R は、独立して、C2p+1であり、式中、pは1〜8であり、RはC1〜4アルキル又はアリールであり、m及びnはいずれも1〜20の整数であり、Zは水素又は式−(Cm’2m’)−X−Q−Si(Y)の基であり、式中、m’は0〜4であり、XはO、S、又はNHであり、Qは−C(O)NH−(CHn’−又は−(CHn’−であり、n’は1〜20の整数であり、Yは加水分解性基であり、RはR又は式−(CHn’−Si(Y)の基であるが、ただし、Zが水素であるとき、Rは式−(CHn’−Si(Y)の基である。
各R は、同一でも異なってもよく、各々が1〜8個の炭素原子、好ましくは2〜5個の炭素原子、より好ましくは4個の炭素原子を含有する。
上記の式IVの実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、mは1〜6の整数であり、nは1〜6の整数である。
上記の式IVの実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、RはC1〜4アルキルである。特定の実施形態では、C1〜4アルキルはメチル又はエチルである。
上記の式IVの実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、RはC1〜4アルキルである。特定の実施形態では、C1〜4アルキルはメチル又はエチルである。
上記の式IVの実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、RがC1〜4アルキルである場合を除いて、Rはアリールである。
上記の式IVの実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、RがC1〜4アルキルである場合を除いて、Rはアリールである。
及び/又はRがアリールである特定の実施形態では、アリールは、非置換の又はC1〜4アルキル、C1〜4アルコキシ、ハロゲン(例えば、フルオロ、クロロ、ブロモ、及び/又はヨード基)、ヒドロキシ、アミノ、及びニトリロからなる群から独立して選択される1つ若しくは5つまでの置換基で置換されたフェニルである。置換基が存在する場合、ハロゲン及びC1〜4アルキル置換基が好ましい。
上記の式IVの実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、n’は1〜10の整数であり、1つの実施形態ではn’は3である。
上記の式IVの実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、Yは上記のYの定義のいずれか1つのように定義される。特定の実施形態では、Yは、−OC1〜4アルキル、−OC(O)CH、又はClである。
特定の実施形態では、式IVの燕尾シランとしては、これらに限定されるものではないが、[CS(O)N(CH)CHCHOCHCHCHSi(OCH
[CS(O)N(CH)CHCHOC(O)NHCHCHCHSi(OCH、及び
S(O)N(CH)CHCHCHN(S(O))CHCHCHSi(OCHが挙げられる。
式IVの燕尾シランは、既知の方法によって調製されてもよい。例えば、[CS(O)N(CH)CHCHOHは、2モルのCS(O)NHCHを1,3−ジクロロ−2−プロパノール又はエピクロロヒドリンのいずれかと、塩基存在下で反応させることによって作製されてもよい。[CS(O)N(CH)CHCHOCHCHCHSi(OCHは、[CS(O)N(CH)CHCHOHのClCHCHCHSi(OCHによるアルキル化又は塩化アリルによるアルキル化、続くHSiClによるヒドロシリル化及びメタノリシスによって作製できる。[CS(O)N(CH)CHCHOHとOCNCHCHCHSi(OCHとの反応は、[CS(O)N(CH)CHCHOC(O)NHCHCHCHSi(OCHを生じる。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物は、有機溶媒を更に包含する。
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物がポリフルオロポリエーテルシランである上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、前記ポリフルオロポリエーテルシランは、ポリフルオロポリエーテルシランと有機溶媒とを含む組成物として適用される。
使用される有機溶媒又は有機溶媒類のブレンドは、式I〜IVの1つ以上のシランの少なくとも約0.01重量%を溶解することができなければならない。特定の実施形態では、溶媒又は溶媒の混合物は、水に対する溶解度が少なくとも約0.1重量%であり、特定の実施形態では、酸に対する溶解度が少なくとも約0.01重量%である。
適した有機溶媒、又は溶媒の混合物は、メタノール、エタノール、及びイソプロパノールのような脂肪族アルコール類、アセトン及びメチルエチルケトンのようなケトン、酢酸エチル及びギ酸メチルのようなエステル、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルt−ブチルエーテル及びジプロピレングリコールモノメチルエーテル(DPM)のようなエーテル、アルカンのような炭化水素溶媒、例えば、ヘプタン、デカン、及びパラフィン溶媒、ペルフルオロヘキサン及びペルフルオロオクタンのようなフッ素化炭化水素、ペンタフルオロブタンのような部分的にフッ素化された炭化水素、メチルペルフルオロブチルエーテル及びエチルペルフルオロブチルエーテルのようなヒドロフルオロエーテルから選択できる。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、有機溶媒はフッ素化溶媒であり、これはフッ素化炭化水素、部分的にフッ素化された炭化水素、及びハイドロフルオロエーテルを包含する。特定の実施形態では、前記フッ素化溶媒は、ハイドロフルオロエーテルである。特定の実施形態では、ハイドロフルオロエーテルは、メチルペルフルオロブチルエーテルである。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、有機溶媒がフッ素化溶媒である場合を除いて、有機溶媒は低級アルコールである。特定の実施形態では、低級アルコールは、メタノール、エタノール、イソプロパノール、及びこれらの混合物からなる群から選択される。特定の実施形態では、低級アルコールはエタノールである。
有機溶媒が低級アルコールである上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物は、酸を更に包含する。特定の実施形態では、前記酸は、酢酸、クエン酸、ギ酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ペルフルオロ酪酸、硫酸、及び塩酸からなる群から選択される。特定の実施形態では、前記酸は塩酸である。
上記実施形態のいずれか1つを包含する少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化組成物は、ケイ素、酸素、及び水素を含む層の表面の少なくとも一部に種々のコーティング方法を用いて適用できる。このような方法としては、噴霧、浸漬、ローリング、刷毛塗り、延展、フローコーティング、及び蒸着が挙げられるが、これらに限定されない。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物は、上記実施形態のいずれか1つにおいて、その上にケイ素、酸素、及び水素を含む層が形成された基材の少なくとも一部を、少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物中に浸漬することで適用される。
あるいは、上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物は、上記実施形態のいずれか1つにおいて、その上にケイ素、酸素、及び水素を含む層が形成された基材の少なくとも一部に、少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物を噴霧することで適用される。
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物が他の手段によって適用される場合を除く上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物は、上記実施形態のいずれか1つにおいて、その上にケイ素、酸素、及び水素を含む層が形成された基材の少なくとも一部に、化学蒸着によって適用される。特定の実施形態では、少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物は、ポリフルオロポリエーテルシランである。
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物、例えば、ポリフルオロポリエーテルシランが、化学蒸着中に気化される条件は、ポリフルオロポリエーテルシランの構造及び分子量によって変動してもよい。特定の実施形態では、気化は約1.3Pa(約0.01torr)未満の圧力、約0.013Pa(約10−4torr)未満又は0.0013Pa(約10−5torr)〜約0.00013Pa(約10−6torr)の圧力で起こってもよい。特定の実施形態では、気化は少なくとも約80℃、少なくとも約100℃、少なくとも約200℃、又は少なくとも約300℃の温度で起こってもよい。気化は、例えば伝導熱、対流熱、マイクロ波放射熱等によるエネルギーの付与を包含してもよい。
化学蒸着法は、追加的な取り扱い及び環境への露出による基材表面の汚染の可能性、それによって収率が低下するという可能性を低減し得る。更に、ケイ素、酸素、及び水素を含む層がプラズマ蒸着によって形成されるとき、少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物、例えば、ポリフルオロポリエーテルシランを同じチャンバ又は接続された真空槽内に適用することは、より有効でありうる。更に、化学蒸着によって適用されたポリフルオロポリエーテルシランコーティングは、硬化のための酸条件及び/又は追加加熱を必要としない場合がある。有用な真空槽及び装置は当該技術分野において既知である。例としては、プラズマサーム・モデル(Plasmatherm Model)3032(ニュージャージー州クレソン(Kresson)のプラズマサーム(Plasmatherm)より入手可能)及び900DLS(オハイオ州グローブポート(Grove Port)のサティスバキューム・オブ・アメリカ(Satis Vacuum of America)より入手可能)が挙げられる。
1つの実施形態では、化学蒸着によるポリフルオロポリエーテルシランの適用は、ポリフルオロポリエーテルシラン及び基材を定置すること、基材の表面の少なくとも一部にケイ素、酸素、及び水素を含む層をチャンバ内に置くこと、チャンバ内の圧力を低下すること、及びポリフルオロポリエーテルシランを加熱することを含む。ポリフルオロポリエーテルシランは典型的には、るつぼ内にて保持されるが、幾つかの実施形態では、シランはセラミックペレットのような多孔質マトリックス内に吸収され、該ペレットが真空槽内にて加熱される。
上記の式I、II、III、及び/又はIVの実施形態のいずれか1つを包含する少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物は、基材表面上のケイ素、酸素、及び水素を含む層と、例えば、−SiOH基とを反応させ、Si−O−Si基の結合を包含する共有結合の形成を通じて、耐久性コーティングを形成する。耐久性コーティングの調製では、Si−O−Si基を形成するための縮合が起こり、それによって硬化が起こるように、上記の加水分解性基の加水分解を引き起こすための十分な水が存在すべきである。水は、例えば、コーティング組成物中又は基材表面に吸着されて存在できる。典型的には、コーティング方法が、室温にて、含水雰囲気中、例えば、相対湿度が約30%〜約50%の雰囲気で実行される場合、耐久性コーティングの調製に十分な水が存在する。
コーティングされるべき基材は、典型的には室温(典型的には、約15℃〜約30℃、又は約20℃〜約25℃)にて、コーティング組成物に接触させることが可能である。あるいは、コーティング組成物を、例えば、60℃〜150℃の温度に予熱されている基材に適用することができる。少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物の適用に続いて、処理された基材を乾燥し、得られるコーティングを周囲温度、例えば、約15℃〜約30℃、又は高温(例えば、約40℃〜約300℃)で、硬化が起こるのに十分な時間、硬化することができる。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、易洗浄金属又は金属化基材の形成方法は、少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物の適用後に、前記基材を高温に曝す工程を更に含む。
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物がポリフルオロポリエーテルシランである上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、易洗浄金属又は金属化基材の形成方法は、ポリフルオロポリエーテルシラン適用後に基材を高温に曝す工程を更に含む。
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物が酸を更に含む上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、高温を使用する場合を除いて、易洗浄金属又は金属化基材の形成方法は、組成物の適用後に基材を約15℃〜約30℃の温度で乾燥する工程を更に含む。
別の態様では、
少なくとも1つの金属基材又は金属化基材と、
前記基材上に配置されたプラズマ蒸着層であって、少なくとも約10原子%のケイ素と、少なくとも約10原子%の酸素と、少なくとも約5原子%の酸素とを含み、ここですべての原子%の値はプラズマ蒸着層の全原子量に基づき、
前記プラズマ蒸着層に固着したコーティングと、
を含み、前記コーティングが、少なくとも1つの共有結合を前記プラズマ蒸着層と共有する少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物を含む、易洗浄コーティングされた物品が提供される。
1つの好ましい実施形態では、
少なくとも1つの金属基材又は金属化基材と、
前記基材上に配置されたプラズマ蒸着層であって、少なくとも約10原子%のケイ素と、少なくとも約10原子%の酸素と、少なくとも約5原子%の水素とを含み、ここですべての原子%の値はプラズマ蒸着層の全原子量に基づき、
前記プラズマ蒸着層に固着したポリフルオロポリエーテル含有コーティングと、
を含み、前記ポリフルオロポリエーテル含有コーティングが、次式Ibのポリフルオロポリエーテルシラン基を含む、易洗浄コーティングされた物品が提供される。
[Q’−C(R)−Si(O−)3−x(R1a Ib
これは少なくとも1つの共有結合をプラズマ蒸着層と共有し、
式中、
は、一価又は多価ポリフルオロポリエーテルセグメントであり、
Q’は有機二価連結基であり、
各Rは独立して水素又はC1〜4アルキル基であり、
1aはC1〜8アルキル又はフェニル基であり、
xは0又は1又は2であり、
zは1、2、3、又は4である。
プラズマ蒸着層と共有される少なくとも1つの(at least on)共有結合は、Si(O−)3−x中の酸素原子との結合である。
易洗浄コーティングされた物品の特定の実施形態では、プラズマ蒸着層は、プラズマ蒸着層の全原子量を基準にして、少なくとも約20原子%のケイ素を含む。ケイ素、並びに酸素及び炭素のような他の元素の原子%は、化学分析用電子分光法(ESCA)、又はオージェ電子分光法(AES)のような十分に確立された定量的表面分析技術によって決定できる。ESCA及びAES技術によって決定された原子%は、水素フリーを基準とする。フィルムの水素含有量は、赤外分光法(IR)のような技術によって決定されてもよく、又は燃焼分析若しくはラザフォード後方錯乱分析法(RBS)によって定量的に決定されてもよい。
易洗浄コーティング物品の上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、プラズマ蒸着層は、プラズマ蒸着層の全原子量を基準にして少なくとも約15原子%の酸素を更に含む。
易洗浄コーティングされた物品の上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、プラズマ蒸着層は、炭素及び/又は窒素の全原子含有量がプラズマ蒸着層の全原子量を基準にして少なくとも5原子%であるように、炭素及び/又は窒素を更に含む。特定の実施形態では、プラズマ蒸着層は、炭素の全原子含有量がプラズマ蒸着層の全原子量を基準にして少なくとも5原子%であるように、炭素を更に含む。
易洗浄コーティングされた物品の上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、プラズマ蒸着層の厚さは少なくとも約0.5nmであって約100nm以下である。特定の実施形態では、プラズマ蒸着層の厚さは少なくとも約1nmであって約10nm以下である。
特定の実施形態では、プラズマ蒸着層は少なくとも1つの色相又は強度が増大された色相を付与する。
易洗浄コーティングされた物品の上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、一価又は多価ポリフルオロポリエーテルセグメント、Rは、上記方法に記載のRの実施形態のいずれか1つに従って定義される。
易洗浄コーティングされた物品の上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、ポリフルオロポリエーテルセグメント、Rは、−(C2nO)−、−(CF(Z)O)−、−(CF(Z)C2nO)−、−(C2nCF(Z)O)−、−(CFCF(Z)O)−、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される全フッ素化繰返し単位を包含し、式中、Zはペルフルオロアルキル基、酸素含有ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、又は酸素置換ペルフルオロアルコキシ基であり、この各々が線状、分岐状、又は環状であることができ、1〜9個の炭素原子及び酸素含有又は酸素置換の場合には4個までの酸素原子を有し、nは1〜12の整数である。
易洗浄コーティングされた物品の上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、Rは、−CFO(CFO)(CO)CF−、−CF(CF)−(OCFCF(CF))O−R’−O(CF(CF)CFO)CF(CF)−、−CFO(CO)CF−、及び−(CFO(CO)(CF−からなる群から選択され、式中、R’は、少なくとも1つの炭素原子を含有し、任意にO又はNが鎖に割り込んだ二価のペルフルオロアルキレン基であり、mは1〜50であり、pは3〜40である。特定の実施形態では、Rは−CFO(CFO)(CO)CF−であり、Q−C(R)−Si(Y)3−x(RはC(O)NH(CHSi(ORであり、式中、Rはメチル又はエチルである。
上記のように、本発明の方法及び易洗浄物品に使用される基材は、金属及び/又は金属合金を含み、これは室温で固体である。特定の実施形態では、基材は好ましくは硬質面を含む。硬質面は、拭取りしたときにはっきりと感知できるほどに変形することなく、形状及び構造を維持することができる。
上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、基材は、クロム又はクロム合金の少なくとも1つを含む。特定の実施形態では、基材の主表面は酸化クロムを更に含む。
易洗浄コーティングされた物品の上記実施形態のいずれか1つを包含する特定の実施形態では、ポリフルオロポリエーテル含有コーティングの厚さは少なくとも約20nm、好ましくは少なくとも約30nm、最も好ましくは少なくとも約50nmである。特定の実施形態では、前記厚さは約200nm以下、好ましくは約150nm以下、最も好ましくは約100nm以下である。
本発明の目的及び利点は、以下の実施例によって更に例示されるが、これらの実施例において列挙された特定の材料及びその量は、他の諸条件及び詳細と同様に、本発明を不当に制限するものと解釈すべきではない。
(CHO)Si(CHNHCOCF(OCFCF9−10(OCF9−10OCFCONH(CHSi(OCHの調製
CHOC(O)CF(OCFCF9−10(OCF9−10OCFC(O)OCH(テキサス州ヒューストン(Houston)のソルベイ・ソレキシス(Solvay Solexis)より入手したペルフルオロポリエーテルジエステル、商標表記「フォンブリン・ズディール(FOMBLIN ZDEAL)」で入手可能)(50グラム(g))を、オーブン乾燥した100mL丸底フラスコに窒素雰囲気下で添加し、室温にて磁気攪拌器を用いて高速で攪拌した。3−アミノプロピルトリメトキシシラン(9.1g)(コネチカット州ウィルトン(Wilton)のGEシリコーンズ(GE Silicones)より入手、商標表記「シルクエスト(SILQUEST)A−1110」で入手可能)を、前記フラスコに一度に加えた。最初は前記混合物は二相であったが、試薬が混合されると、混合物は濁った。30℃の温度への反応発熱が観察され、続いて前記反応が室温まで徐冷され、わずかに濁った淡黄色液体になった。反応は、ガスクロマトグラフィー(GC)による過剰な3−アミノプロピルトリメトキシシランの観察及びフーリエ変換赤外分光法(FTIR)による未反応エステル官能基の観察によって観測され、3−アミノプロピルトリメトキシシランの添加後30分以内に完了することが見出された。
反応生成物を高速で攪拌し、フラスコ内の圧力を133Pa(1mmHg)まで徐々に低下させて、突沸を最小限に抑えた。前記フラスコからメタノールを2時間かけて蒸留し、57.5gの(CHO)Si(CHNHCOCF(OCFCF9−10(OCF9−10OCFCONH(CHSi(OCHがフラスコから回収された。
プラズマサーム(Plasmatherm)バッチ反応器
実施例1〜8は、ニュージャージー州クレソン(Kresson)のプラズマサーム(Plasmatherm)より入手可能なプラズマサーム・モデル(Plasmatherm Model)3032で処理され、これは66cm(26−インチ)下方電極及び中央のガスポンプと共に反応イオンエッチング用に構成された。チャンバは、メカニカルポンプ(エドワーズ・モデル(Edwards Model)iQDP80、ボック・エドワーズ(Boc Edwards))で後援されたルーツ型送風機(エドワーズ・モデル(Edwards Model)EH1200、ボック・エドワーズ(Boc Edwards)、英国ウエストサセックス州(West Sussex))に接続された。プラズマは、5kW、13.56MHz固体発生装置(マサチューセッツ州ウィルミントン(Wilmington)のMKSパワージェネレーターズ・アンド・サブシステムズ(MKS Power Generators and Subsystems)より入手可能なRFプラズマ・プロダクツ・モデル(RF Plasma Products Model)RF50S0)及び高周波インピーダンス整合ネットワーク(プラズマサーム(Plasmatherm)より入手可能なプラズマサーム・モデル(Plasmatherm Model)AMN−30)を動力とした。前記システムは、公称ベース圧力が0.67Pa(5mTorr)であった。ガスの流量は、MKSパワージェネレーターズ・アンド・サブシステムズ(MKS Power Generators and Subsystems)より入手可能な流量制御装置によって制御した。蒸着のための基材を、下方電極上に定置した。
実施例1〜5及び8、比較例1、及び対照実験(すなわち、非処理基材での試験)に使用した基材は、ドイツ、ヴィトリッヒ(Wittlich)のアイデアル・スタンダード(Ideal Standard)から入手した。実施例1〜3、5、及び8、比較例1、及び対照実験のための基材は、表面に電気めっきされた層を有する金属製取付具であった。実施例4のための基材は、電気めっきされたクロムの層を表面に有するプラスチックプレートであった。実施例7のための基材は、ミシガン州ヒルズデール(Hillsdale)のACTラボラトリーズ社(ACT Laboratories, Inc.)より入手可能なアルミニウムパネルであった。
(実施例1及び2)
プラズマ処理方法
工程1.小型水栓取付具(実施例1)及び大型水栓取付具(実施例2)を最初に、酸素ガス(99.99%、UHPグレード、ペンシルバニア州プラムステッドヴィル(Plumsteadville)のスコット・スペシャルティ・ガシズ(Scott Specialty Gases)より入手可能)を500標準立方フィート毎分(sccm)の流量で流し、圧力6.9パスカル(Pa)(52ミリトール(mtorr))及びプラズマ出力1000Wを維持することによって酸素プラズマ中で処理した。この酸素プライミング工程を、20秒間実施した。
工程2.酸素プラズマプライミングに続いて、テトラメチルシラン(99.9%、NMRグレード、ミズーリ州セントルイス(St. Louis)のシグマ−アルドリッチ・ケミカルズ(Sigma-Aldrich Chemicals)より入手可能)を導入した。酸素流量を500sccmに維持しながら、テトラメチルシラン蒸気を、チャンバ内に、流量150sccmにて導入した。圧力を8.5Pa(64mtorr)に保持し、プラズマ出力を1000Wに保持した。処理時間は10秒であった。
工程3.テトラメチルシランガスを、その後遮断し、酸素ガスを流量500sccmで流し続けた。圧力を20Pa(150mtorr)に維持し、プラズマ出力が300Wで供給された。この蒸着後酸素プラズマ処理の最終工程を、60秒持続した。プラズマ処理工程が完了した後、チャンバを大気に通気し、取付具をアルミホイルで包んだ。
シラン処理
0.1%の(CHO)Si(CHNHCOCF(OCFCF9−10(OCF9−10OCFCONH(CHSi(OCHのHFE−7100流体(ミネソタ州セントポール(St. Paul)の3Mカンパニー(3M Company)より商標表記「ノヴェック(NOVEC)HFE−7100」にて入手可能)溶液(3リットル(L))を、室温で4Lのビーカー内に入れた。前記ビーカーをディップコーター内に定置した。上記方法に従ってプラズマ処理された各取付具を、溶液上に垂直に固定し、制御された速度で溶液中に導入した。取付具が溶液中に完全に浸った後、それをその位置で5秒間保持した。取付具を毎秒15ミリメートル(mm)で溶液から引き抜き、その後アルミニウムパン内に定置した。前記パンを次いで、100℃にて30分間オーブンに入れた。前記取付具を、続いて、接触角測定の前に少なくとも24時間静置した。
水及びヘキサデカンに対する接触角を、実施例1及び2の取付具について、クラス(KRUSS)G120/G140 MKI測角器(クラス(Kruss)USA、ノースカロライナ州シャルロット(Charlotte))を用いて測定した。接触角の値が大きいほど、撥液性が優れていることを示す。3回の測定の平均値を、度単位で表1(下記)に報告する。
Figure 0005385146
(実施例3)
電気めっきされたクロムの層を有するほぼ平坦な円形金属盤を、工程1において圧力を6.0Pa(45mtorr)に維持し、工程2で圧力を6.7Pa(50mTorr)に維持したことを除いて、実施例1及び2のプラズマ処理方法に従って処理した。プラズマ処理の前に、チャンバをベース圧力の1.3Pa(10mtorr)までポンプダウンした。前記円盤を、コーティング工程後に試料を強制空気炉内で120℃で20分間加熱したことを除いて、実施例1及び2のシラン処理方法に従ってディップコーティングした。
実施例3の方法を、工程2の処理時間に2秒、5秒、及び20秒を用いて繰返した。20分の処理後、取付具の表面の色はわずかに茶色に変化した。各処理時間の結果、洗浄性が改良された取付具が得られた。
比較例1
電気めっきされたクロムの層を有するほぼ平坦な円形金属盤を、コーティング工程後に試料を強制空気炉内で120℃で20分間加熱したことを除いて、実施例1及び2のシラン処理方法に従ってディップコーティングした。プラズマ処理工程は実施しなかった。
実施例3及び比較例(CE)1の円盤並びに未処理円盤について、水及びヘキサデカンに対する静的接触角を、オリンパス(Olympus)モデルTGHM測角器(フロリダ州ポンパオビーチ(Pompano Beach)のオリンパス・コーポレーション・オブ・アメリカ(Olympus Corporation of America)より入手可能)を用いて測定した。摩耗試験は、汎用洗浄剤(ウイスコンシン州ラシーン(Racine)のSCジョンソン(Johnson)より商標表記「ミスターマッスル(MR MUSCLE)」で入手可能)を適用し、拭取り用品(ミネソタ州セントポール(St. Paul)の3Mカンパニー(3M Company)より商標表記「3Mハイパフォーマンス・ワイプ(HIGH PERFORMANCE WIPE)」で入手可能)で5000回拭取ることによって実施した。静的接触角を、摩耗試験後に再度測定した。接触角測定について、3回の測定の平均値を度単位で表2(下記)に報告する。
Figure 0005385146
実施例3及びCE1の取付具並びに未処理円盤の洗浄性は、ミネラルウォーター(ドイツのトニスタイナー(Tonissteiner)より入手可能)を適用することによって実施した。前記水を、室温で5×10Pa(0.5bar)にて、基材が完全に覆われるまで噴霧した。基材をオーブン内に70℃で2時間定置し、取り出し、放冷した。基材上に石灰石付着物が存在し、これを続いて、乾燥した拭取り紙で清浄にした。前記洗浄結果を、目視評価し、0(付着物の除去が不可能)〜10(3回の拭取り後に目に見える痕跡がない)の段階で格付けした。基材に、前記試験手順を5回まで実施した。その結果を表3(下記)に示す。
Figure 0005385146
(実施例4〜8)
実施例1及び2のプラズマ処理方法を、表4(下記)に示す基材に適用した。
Figure 0005385146
低すぎて測定不可能
プラズマ処理後、基材をポリエステル織物拭取り用品(ペンシルバニア州ウエストチェスター(West Chester)のVWRインターナショナル(VWR International)より入手可能)で包んだ。
シランの化学蒸着(CVD)
基材を蒸着チャンバ内に定置し、(CHO)Si(CHNHCOCF(OCFCF9−10(OCF9−10OCFCONH(CHSi(OCHをチャンバ内側の黒鉛ストリップ上に注射器を用いて定置した。真空を印加し、チャンバ内の圧力が5.3×10−4Pa(4×10−6トール)に達したとき、前記黒鉛ストリップにバリアックを用いて熱を加えた。
(CHO)Si(CHNHCOCF(OCFCF9−10(OCF9−10OCFCONH(CHSi(OCHを450℃〜500℃で気化して、金属表面上に薄いコーティングを形成した。
接触角測定を実施する前に、コーティングされた基材を周囲条件で24時間静置した。接触角を、実施例4〜8及び未処理のクロムめっき金属プレートについて、実施例1及び2に関する上記方法を用いて測定した。この結果を表4(上記)に示す。
本明細書で引用した特許、特許文書、及び刊行物の全ての開示内容は、それぞれが個々に援用された場合と同様に、その全内容が参照によって援用される。抵触がある場合は、定義を含めて、本明細書が支配するものとする。本発明の様々な変更及び改変は、本発明の範囲及び趣旨を逸脱せずに、当業者には明らかとなるであろう。例示的な実施形態及び実施例は例示のみを提供し、本発明の範囲の制限を意図しない。本発明の範囲は以下に記載する請求項にのみ制限される。
以下に、本願発明に関連する発明の実施形態について列挙する。
[実施形態1]
少なくとも1つの易洗浄金属基材又は易洗浄金属化基材を形成する方法であって、
ケイ素、酸素、及び水素を含む層を基材の表面の少なくとも一部にプラズマ蒸着によって形成する工程と、
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物を、ケイ素、酸素、及び水素を含む層の表面の少なくとも一部に適用する工程と、を含む、方法。
[実施形態2]
前記ケイ素、酸素、及び水素を含む層の形成が、オルガノシリコン又はシラン化合物の少なくとも1つを含むガスのイオン化を含む、実施形態1に記載の方法。
[実施形態3]
前記オルガノシリコン又はシラン化合物の少なくとも1つのケイ素が、前記ガスの全原子量を基準にして前記ガスの少なくとも約5原子%の量で存在する、実施形態2に記載の方法。
[実施形態4]
前記ガスがオルガノシリコンを含む、実施形態2又は3に記載の方法。
[実施形態5]
前記オルガノシリコンがテトラメチルシランを含む、実施形態4に記載の方法。
[実施形態6]
前記ケイ素、酸素、及び水素を含む層が、炭素を更に含む、実施形態1〜5のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態7]
前記ガスがシラン化合物を含む、実施形態2又は3に記載の方法。
[実施形態8]
前記シラン化合物がSiH を含む、実施形態7に記載の方法。
[実施形態9]
前記ガスが酸素を更に含む、実施形態2〜8のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態10]
前記ガスが、アルゴン、アンモニア、水素、及び窒素の少なくとも1つを更に含む、実施形態9に記載の方法。
[実施形態11]
前記ガスが、アンモニア、水素、及び窒素の少なくとも1つの総量がガスの少なくとも約5モル%であって約50モル%以下であるように、アンモニア、水素、及び窒素の少なくとも1つを更に含む、実施形態10に記載の方法。
[実施形態12]
前記ケイ素、酸素、及び水素を含む層のプラズマ蒸着が、約5秒以上及び約15秒以下の時間で実施される、実施形態1〜11のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態13]
前記時間が約10秒である、実施形態12に記載の方法。
[実施形態14]
前記基材が、ケイ素、酸素、及び水素を含む層のプラズマ蒸着の前に酸素プラズマに曝露される、実施形態1〜13のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態15]
前記ケイ素、酸素、及び水素を含む層が酸素プラズマに曝露される、実施形態1〜14のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態16]
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物がポリフルオロポリエーテルシランである、実施形態1〜15のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態17]
前記ポリフルオロポリエーテルシランが式Iaであり:
[Q’−C(R) −Si(Y’) 3−x (R 1a Ia
式中、
は一価又は多価のポリフルオロポリエーテルセグメントであり、
Q’は有機二価連結基であり、
各Rは独立して水素又はC 1〜4 アルキル基であり、
各Y’は、ハロゲン、アルコキシ、アシルオキシ、ポリアルキレンオキシ、及びアリールオキシ基から成る群から独立して選択される加水分解性基であり、
1a はC 1〜8 アルキル又はフェニル基であり、
xは0又は1又は2であり、
zは1、2、3、又は4である、実施形態16に記載の方法。
[実施形態18]
前記ポリフルオロポリエーテルセグメント、R が、−(C 2n O)−、−(CF(Z)O)−、−(CF(Z)C 2n O)−、−(C 2n CF(Z)O)−、−(CF CF(Z)O)−、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される全フッ素化繰返し単位を含み、式中、Zはペルフルオロアルキル基、酸素含有ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、又は酸素置換ペルフルオロアルコキシ基であり、この各々が線状、分岐状、又は環状であることができ、1〜9個の炭素原子及び酸素含有又は酸素置換の場合には4個までの酸素原子を有し、nは1〜12の整数である、実施形態17に記載の方法。
[実施形態19]
zが2であり、R が−CF O(CF O) (C O) CF −、−CF(CF )−(OCF CF(CF )) O−R ’−O(CF(CF )CF O) CF(CF )−、−CF O(C O) CF −、及び−(CF O(C O) (CF −からなる群から選択され、式中R ’は、少なくとも1つの炭素原子を含有し、鎖にO又はNが割り込んだ、二価のペルフルオロアルキレン基であり、mは1〜50であり、pは3〜40である、実施形態17又は18に記載の方法。
[実施形態20]
が−CF O(CF O) (C O) CF −であり、Q’−C(R) −Si(Y’) 3−x (R 1a はC(O)NH(CH Si(OR’) であり、式中R’はメチル又はエチルである、実施形態19に記載の方法。
[実施形態21]
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物が有機溶媒を更に含む、実施形態1〜15のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態22]
前記ポリフルオロポリエーテルシランが、ポリフルオロポリエーテルシランと有機溶媒とを含む組成物として適用される、実施形態16〜20のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態23]
前記有機溶媒がフッ素化溶媒である、実施形態21又は22に記載の方法。
[実施形態24]
前記有機溶媒が低級アルコールである、実施形態21又は22に記載の方法。
[実施形態25]
前記組成物が酸を更に含む、実施形態24に記載の方法。
[実施形態26]
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物である実施形態1〜15のいずれか一項又はポリフルオロポリエーテルシランが化学蒸着によって適用される実施形態16〜20のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態27]
少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物の適用後に基材を高温に曝すことを更に含む、実施形態1〜15、21、及び実施形態21に従属する実施形態23、24、及び25のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態28]
ポリフルオロポリエーテルシランの適用後に基材を高温に曝す工程を更に含む、実施形態16〜20、22、実施形態22に従属する実施形態23、24、及び25、及び実施形態26のいずれか一項に記載の方法。
[実施形態29]
組成物の適用後に基材を約15℃〜約30℃の温度で乾燥する工程を更に含む、実施形態25に記載の方法。
[実施形態30]
少なくとも1つの金属基材又は金属化基材と、
前記基材上に配置されたプラズマ蒸着層であって、少なくとも10原子%のケイ素と、少なくとも10原子%の酸素と、少なくとも5原子%の水素とを含み、ここですべての原子%の値はプラズマ蒸着層の全原子量に基づき、
前記プラズマ蒸着層に固着したポリフルオロポリエーテル含有コーティングと、を含み、前記ポリフルオロポリエーテル含有コーティングが、次式Ibのポリフルオロポリエーテルシラン基を含み:
[Q’−C(R) −Si(O−) 3−x (R 1a Ib
これは少なくとも1つの共有結合をプラズマ蒸着層と共有し、
式中:
は一価又は多価のポリフルオロポリエーテルセグメントであり、
Q’は有機二価連結基であり、
各Rは独立して水素又はC 1〜4 アルキル基であり、
1a はC 1〜8 アルキル又はフェニル基であり、
xは0又は1又は2であり、
zは1、2、3、又は4である、易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態31]
前記プラズマ蒸着層が、プラズマ蒸着層の全原子量を基準にして、少なくとも約20原子%のケイ素を含む、実施形態30に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態32]
前記プラズマ蒸着層が、プラズマ蒸着層の全原子量を基準にして、少なくとも約15原子%の酸素を更に含む、実施形態30又は31に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態33]
前記プラズマ蒸着層が、炭素又は窒素の少なくとも1つの全原子含有量がプラズマ蒸着層の全原子量を基準にして少なくとも5原子%であるように、炭素又は窒素の少なくとも1つを更に含む、実施形態30〜32のいずれか一項に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態34]
前記プラズマ蒸着層が、炭素の全原子含有量がプラズマ蒸着層の全原子量を基準にして少なくとも約5原子%であるように炭素を更に含む、実施形態33に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態35]
前記プラズマ蒸着層の厚さが少なくとも約0.5nm及び約100nm以下である、実施形態30〜34のいずれか一項に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態36]
前記プラズマ蒸着層の厚さが少なくとも約1nm及び約10nm以下である、実施形態35に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態37]
ポリフルオロポリエーテルセグメント、R が、−(C 2n O)−、−(CF(Z)O)−、−(CF(Z)C 2n O)−、−(C 2n CF(Z)O)−、−(CF CF(Z)O)−、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される全フッ素化繰返し単位を包含し、式中、Zはペルフルオロアルキル基、酸素含有ペルフルオロアルキル基、ペルフルオロアルコキシ基、又は酸素置換ペルフルオロアルコキシ基であり、この各々が線状、分岐状、又は環状であることができ、1〜9個の炭素原子及び酸素含有又は酸素置換の場合には4個までの酸素原子を有し、nは1〜12の整数である、実施形態30〜36のいずれか一項に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態38]
zが2であり、R が−CF O(CF O) (C O) CF −、−CF(CF )−(OCF CF(CF )) O−R ’−O(CF(CF )CF O) CF(CF )−、−CF O(C O) CF −、及び−(CF O(C O) (CF −からなる群から選択され、式中R ’は、少なくとも1つの炭素原子を含有し、任意にO又はNが鎖に割り込んだ二価のペルフルオロアルキレン基であり、mは1〜50であり、pは3〜40である、実施形態30〜36のいずれか一項に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態39]
が、−CF O(CF O) (C O) CF −であり、Q−C(R) −Si(Y) 3−x (R がC(O)NH(CH Si(OR であり、式中R はメチル又はエチルである、実施形態38に記載の易洗浄コーティングされた物品。
[実施形態40]
前記基材が硬質面を含む、実施形態1〜29のいずれか一項に記載の方法又は実施形態30〜39のいずれか一項に記載の易洗浄物品。
[実施形態41]
前記基材がクロム又はクロム合金を含む、実施形態1〜29及び40のいずれか一項に記載の方法又は実施形態30〜40のいずれか一項に記載の易洗浄物品。

Claims (4)

  1. 少なくとも1つの易洗浄金属基材又は易洗浄金属化基材を形成する方法であって、
    ケイ素、酸素、及び水素を含む層を前記金属基材または金属化基材の表面の少なくとも一部にプラズマ蒸着によって形成する工程と、
    少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物を、ケイ素、酸素、及び水素を含む層の表面の少なくとも一部に適用する工程と、を含む、方法。
  2. 前記ケイ素、酸素、及び水素を含む層の形成が、オルガノシリコン又はシラン化合物の少なくとも1つを含むガスのイオン化を含む、請求項1に記載の方法。
  3. 少なくとも1つのシラン基を含む少なくとも部分的にフッ素化された組成物がポリフルオロポリエーテルシランである、請求項1または2に記載の方法。
  4. 少なくとも1つの金属基材又は金属化基材と、
    前記金属基材または金属化基材上に配置されたプラズマ蒸着層であって、少なくとも10原子%のケイ素と、少なくとも10原子%の酸素と、少なくとも5原子%の水素とを含み、ここですべての原子%の値はプラズマ蒸着層の全原子量に基づき、
    前記プラズマ蒸着層に固着したポリフルオロポリエーテル含有コーティングと、を含み、前記ポリフルオロポリエーテル含有コーティングが、次式Ibのポリフルオロポリエーテルシラン基を含み:
    [Q’−C(R)−Si(O−)3−x(R1a Ib
    これは少なくとも1つの共有結合をプラズマ蒸着層と共有し、
    式中:
    は一価又は多価のポリフルオロポリエーテルセグメントであり、
    Q’は有機二価連結基であり、
    各Rは独立して水素又はC1〜4アルキル基であり、
    1aはC1〜8アルキル又はフェニル基であり、
    xは0又は1又は2であり、
    zは1、2、3、又は4である、易洗浄コーティングされた物品。
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WO (1) WO2008051789A1 (ja)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BRPI0711781B1 (pt) 2006-06-01 2019-02-05 3M Innovative Properties Co esteira de montagem multicamadas adaptada operacionalmente para uso na montagem de um elemento de controle de poluição em um dispositivo de controle de poluição e dispositivo de controle de poluição
US8084103B2 (en) * 2006-08-15 2011-12-27 Sakhrani Vinay G Method for treating a hydrophilic surface
JP4884180B2 (ja) * 2006-11-21 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8309237B2 (en) 2007-08-28 2012-11-13 Alcoa Inc. Corrosion resistant aluminum alloy substrates and methods of producing the same
GB0721737D0 (en) 2007-11-06 2007-12-19 3M Innovative Properties Co Medicinal inhalation devices and components thereof
CN101909684B (zh) 2007-11-06 2014-03-19 3M创新有限公司 药物吸入装置及其部件
ITMI20080773A1 (it) * 2008-04-24 2009-10-25 Moma S R L Dispositivo per applicazioni termoidrauliche con migliorate proprieta anticalcare e relativo metodo di ottenimento
GB0817578D0 (en) * 2008-09-25 2008-11-05 3M Innovative Properties Co Method for treating wheel rims and composition for use therein
CN101736346A (zh) * 2008-11-24 2010-06-16 3M创新有限公司 在不锈钢表面形成易清洁层的制品及其制备方法
US8267805B2 (en) * 2009-10-01 2012-09-18 Lyle Dean Johnson Three in one-HBC(hand, belly, chest) putter
KR101262300B1 (ko) 2009-10-06 2013-05-20 헬릭스 주식회사 형질전환 식물 유래의 고병원성 조류독감 바이러스 단백질 백신 및 그 제조방법
US20110214909A1 (en) 2010-03-05 2011-09-08 International Business Machines Corporation Hydrophobic Silane Coating for Preventing Conductive Anodic Filament (CAF) Growth in Printed Circuit Boards
US8664323B2 (en) * 2010-06-25 2014-03-04 3M Innovative Properties Company Fluorinated composition, method of coating the composition, and article thereby
JP2012144695A (ja) * 2010-09-14 2012-08-02 Central Glass Co Ltd 防汚性物品及びその製造方法、並びに防汚層形成用塗布剤
JP5718753B2 (ja) * 2011-07-19 2015-05-13 日本パーカライジング株式会社 金属表面処理用水性組成物、これを用いた金属表面処理方法及び皮膜付金属材料の製造方法並びにこれらを用いた金属表面処理皮膜
FR2979214B1 (fr) * 2011-08-26 2014-04-25 Seb Sa Article comportant un revetement antiadhesif presentant des proprietes ameliorees d'adherence au support
JP2013244470A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 含フッ素ドライコーティング剤のコーティング方法
MX350444B (es) 2012-12-19 2017-09-06 Mabe S A De C V * Recubrimiento de facil limpieza aplicado en superficies metalicas de acero inoxidable empleadas en la fabricacion de electrodomesticos.
JP6279222B2 (ja) * 2013-03-25 2018-02-14 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 摩擦係数の低い表面を有するポリマーを含む物品及びその製造方法
EP2878641A1 (en) 2013-11-25 2015-06-03 Eczacibasi Yapi Gerecleri Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi Hydrophobic coating composition for surfaces and a method for preparing and applying this coating composition to surfaces
JP6625998B2 (ja) 2014-03-18 2019-12-25 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 処理された物品及びこれを作製する方法
WO2016048944A1 (en) 2014-09-22 2016-03-31 3M Innovative Properties Company Internal combustion engine components with anti-fouling properties and methods of making same
CN108026406B (zh) 2015-09-23 2021-03-09 3M创新有限公司 包含硅烷的组合物和制造经处理的制品的方法
US10212812B2 (en) 2016-01-15 2019-02-19 International Business Machines Corporation Composite materials including filled hollow glass filaments
US11479858B2 (en) * 2016-10-12 2022-10-25 Dow Silicones Corporation Thio(di)silanes
EP3693160A4 (en) * 2017-10-03 2021-07-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. HYDROPHOBIC AND OLEOPHOBIC ELEMENT AND PROCESS FOR MAKING A HYDROPHOBIC AND OLEOPHOBIC ELEMENT
US20190118221A1 (en) 2017-10-24 2019-04-25 The Boeing Company Conformal fluoropolymer coatings
WO2019240093A1 (ja) * 2018-06-13 2019-12-19 Agc株式会社 防汚性物品およびその製造方法
KR20200021200A (ko) * 2018-08-20 2020-02-28 삼성전자주식회사 표면 코팅재, 필름, 적층체 및 표시 장치
GB201814231D0 (en) * 2018-08-31 2018-10-17 Univ Surrey Apparatus for forming a poly(p-xylylene) film on a component
WO2020128860A1 (en) 2018-12-18 2020-06-25 3M Innovative Properties Company Composition including polysiloxane phosphate or phosphonate and method of making a treated article
US20220177303A1 (en) 2019-05-08 2022-06-09 3M Innovative Properties Company Nanostructured article

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2803615A (en) * 1956-01-23 1957-08-20 Minnesota Mining & Mfg Fluorocarbon acrylate and methacrylate esters and polymers
US3442664A (en) * 1966-04-26 1969-05-06 Minnesota Mining & Mfg Treating composition,method of treating and treated surfaces
US3492394A (en) * 1966-10-03 1970-01-27 Minnesota Mining & Mfg Molding capable of providing multiple release of articles therefrom and of using same
US3423234A (en) * 1967-04-14 1969-01-21 Minnesota Mining & Mfg Dripless container coated with fluoroaliphatic siloxanes
US3810874A (en) * 1969-03-10 1974-05-14 Minnesota Mining & Mfg Polymers prepared from poly(perfluoro-alkylene oxide) compounds
US4085137A (en) * 1969-03-10 1978-04-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Poly(perfluoroalkylene oxide) derivatives
US3646085A (en) * 1970-09-24 1972-02-29 Du Pont Perfluoroalkyletheramidoalkyltrialkoxysilanes
FR2220600B2 (ja) * 1973-03-09 1976-09-10 Mecano Bundy Gmbh
US3950588A (en) * 1974-11-01 1976-04-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coating of silanol-reactive surfaces with di-silyl poly(perfluorooxyalkylenes)
US4094749A (en) * 1976-07-06 1978-06-13 Tools For Bending, Inc. Surface treatment with durable low-friction material
JPS6168725A (ja) * 1984-09-10 1986-04-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 磁気記録媒体およびその製造方法
GB2218097A (en) 1988-04-26 1989-11-08 Mitsubishi Metal Corp Perfluoroalkylsulphonamidoalkyl silanes; surface treatment agents
AU632869B2 (en) * 1989-12-14 1993-01-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Fluorocarbon-based coating compositions and articles derived therefrom
CA2039667C (en) * 1990-04-07 2001-10-02 Tetsuya Masutani Leather treatment composition and process for treating leather
DE69232591T2 (de) * 1991-01-23 2002-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Wasser- und Ölabweisende adsorbierte Folie
JP3155025B2 (ja) * 1991-05-17 2001-04-09 旭硝子株式会社 表面処理された建築・建装用物品および該物品の製造方法
CA2071596A1 (en) 1991-07-10 1993-01-11 Frederick E. Behr Perfluoroalkyl halides and derivatives
JPH0523643A (ja) * 1991-07-19 1993-02-02 Bridgestone Corp フツ素樹脂皮膜の形成方法及び該方法によりフツ素樹脂皮膜を形成した物品
FR2680583B1 (fr) * 1991-08-22 1993-10-08 Commissariat A Energie Atomique Materiau presentant des proprietes antireflet, hydrophobes et de resistance a l'abrasion et procede de depot d'une couche antireflet, hydrophobe et resistante a l'abrasion sur un substrat.
US5274159A (en) * 1993-02-18 1993-12-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Destructable fluorinated alkoxysilane surfactants and repellent coatings derived therefrom
JPH0778844A (ja) * 1993-09-08 1995-03-20 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体装置
US5488142A (en) * 1993-10-04 1996-01-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Fluorination in tubular reactor system
EP0661558A1 (en) 1993-12-29 1995-07-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Polymer-ceramic sol gel
US5658962A (en) * 1994-05-20 1997-08-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Omega-hydrofluoroalkyl ethers, precursor carboxylic acids and derivatives thereof, and their preparation and application
US5550277A (en) * 1995-01-19 1996-08-27 Paciorek; Kazimiera J. L. Perfluoroalkyl and perfluoroalkylether substituted aromatic phosphates, phosphonates and related compositions
EP0844265B1 (en) 1995-08-11 2002-11-20 Daikin Industries, Limited Silicon-containing organic fluoropolymers and use of the same
CN1074006C (zh) * 1995-10-13 2001-10-31 陶氏化学公司 涂覆的塑料基材
US5702509A (en) * 1995-12-22 1997-12-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Masonry treatment composition
JP3945664B2 (ja) * 1996-09-06 2007-07-18 治 高井 撥水性酸化シリコン皮膜の製造方法
DE19641399A1 (de) * 1996-09-27 1998-04-02 Siemens Ag Verfahren zum Ermitteln von auf einer ATM-Übertragungsstrecke in ATM-Nutzzellen aufgetretenen Bitfehlern mit Hilfe von Monitoring-OAM-Zellen
US5888594A (en) * 1996-11-05 1999-03-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for depositing a carbon-rich coating on a moving substrate
JP3454110B2 (ja) * 1996-11-18 2003-10-06 日本板硝子株式会社 撥水性ガラス
US6001485A (en) * 1996-11-18 1999-12-14 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Water repellant glass plate and method for manufacturing the same
DE19730245B4 (de) * 1997-07-15 2007-08-30 W.L. Gore & Associates Gmbh Beschichtungsmaterial, beschichtetes Material und Verfahren zu deren Herstellung
US5851674A (en) * 1997-07-30 1998-12-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Antisoiling coatings for antireflective surfaces and methods of preparation
JPH1148402A (ja) 1997-07-31 1999-02-23 Nisshin Steel Co Ltd 耐汚染性、耐磨耗性に優れたキッチンパネル用プレコートステンレス鋼板
US5980992A (en) * 1997-10-03 1999-11-09 3M Innovative Properties Company Fluorochemical treatments to provide low-energy surfaces
US6015597A (en) * 1997-11-26 2000-01-18 3M Innovative Properties Company Method for coating diamond-like networks onto particles
US6277485B1 (en) * 1998-01-27 2001-08-21 3M Innovative Properties Company Antisoiling coatings for antireflective surfaces and methods of preparation
US6319594B1 (en) * 1998-03-17 2001-11-20 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Low reflective antistatic hardcoat film
US6184187B1 (en) * 1998-04-07 2001-02-06 E. I. Dupont De Nemours And Company Phosphorus compounds and their use as corrosion inhibitors for perfluoropolyethers
DE19917367A1 (de) 1999-04-16 2000-10-19 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Verfahren zur Herstellung von Überzügen auf Basis fluorhaltiger Kondensate
US6582823B1 (en) * 1999-04-30 2003-06-24 North Carolina State University Wear-resistant polymeric articles and methods of making the same
EP1123991A3 (en) * 2000-02-08 2002-11-13 Asm Japan K.K. Low dielectric constant materials and processes
US6696157B1 (en) * 2000-03-05 2004-02-24 3M Innovative Properties Company Diamond-like glass thin films
JP2002030707A (ja) 2000-07-19 2002-01-31 Inax Corp 水廻り金具及びその製造方法
US6613860B1 (en) * 2000-10-12 2003-09-02 3M Innovative Properties Company Compositions comprising fluorinated polyether silanes for rendering substrates oil and water repellent
EP1225188B1 (en) * 2001-01-19 2007-03-28 3M Innovative Properties Company Water soluble or water dispersible fluorochemical silanes for rendering substrates oil and water repellent.
ATE432298T1 (de) * 2001-01-19 2009-06-15 3M Innovative Properties Co Fluorovinyloligomerkomponente mit silangruppen, flüssigzusammensetzungen daraus und beschichtungsverfahren
DE10131156A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-16 Fraunhofer Ges Forschung Arikel mit plasmapolymerer Beschichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
US6828284B2 (en) * 2001-08-06 2004-12-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Flourinated compositions comprising phosphorus
US6689854B2 (en) * 2001-08-23 2004-02-10 3M Innovative Properties Company Water and oil repellent masonry treatments
JP2003064348A (ja) 2001-08-28 2003-03-05 Sony Corp 防汚性表面処理剤及び防汚性表面処理用組成物
US6649272B2 (en) * 2001-11-08 2003-11-18 3M Innovative Properties Company Coating composition comprising fluorochemical polyether silane polycondensate and use thereof
US6716534B2 (en) * 2001-11-08 2004-04-06 3M Innovative Properties Company Coating composition comprising a fluorochemical polyether silane partial condensate and use thereof
US6592659B1 (en) * 2001-11-15 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Compositions for aqueous delivery of fluorinated silanes
US6878419B2 (en) * 2001-12-14 2005-04-12 3M Innovative Properties Co. Plasma treatment of porous materials
DE10163864A1 (de) 2001-12-22 2003-07-10 Leybold Vakuum Gmbh Beschichtung von Gegenständen
JP2003236977A (ja) * 2002-02-19 2003-08-26 Matsushita Electric Works Ltd 防汚性部材
ES2277985T3 (es) * 2002-06-03 2007-08-01 3M Innovative Properties Company Composicion de oligomero de fluoro-silano.
CA2448410A1 (en) * 2002-11-06 2004-05-06 Pentax Corporation Anti-relfection spectacle lens and its production method
DE10310827A1 (de) 2003-03-07 2004-09-23 Innovent E.V. Technologieentwicklung Schichtkombination mit hydrophoben Eigenschaften und Verfahren zu deren Aufbringung
DE10318234A1 (de) * 2003-04-22 2004-11-25 Clariant Gmbh Verwendung von Polysilazan zur Herstellung von hydrophob- und oleophobmodifizierten Oberflächen
DE102004029911B4 (de) 2003-06-20 2006-11-23 Innovent E.V. Technologieentwicklung Verfahren und Anordnung zur Herstellung anorganischer Schichten
US20050271893A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Applied Microstructures, Inc. Controlled vapor deposition of multilayered coatings adhered by an oxide layer
EP1656385B1 (en) * 2003-08-21 2006-11-29 3M Innovative Properties Company Perfluoropolyether amide-linked phosphonates, phosphates, and derivatives thereof
US7652115B2 (en) * 2003-09-08 2010-01-26 3M Innovative Properties Company Fluorinated polyether isocyanate derived silane compositions
US20050136180A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 3M Innovative Properties Company Method of coating a substrate with a fluoropolymer
US7321018B2 (en) * 2003-12-23 2008-01-22 3M Innovative Properties Company Compositions for aqueous delivery of fluorinated oligomeric silanes
US7148360B2 (en) * 2004-01-30 2006-12-12 3M Innovative Properties Company Perfluoropolyether benzotriazole compounds
DE102004011212A1 (de) 2004-03-04 2005-09-29 Clariant International Limited Perhydropolysilazane enthaltende Beschichtungen für Metall- und Polymeroberflächen
US6991826B2 (en) * 2004-04-20 2006-01-31 3M Innovative Properties Company Antisoiling coatings for antireflective substrates
US20060131700A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 David Moses M Flexible electronic circuit articles and methods of making thereof
US7495118B2 (en) * 2004-12-30 2009-02-24 3M Innovative Properties Company Compositions containing C4-swallow tail silanes
CN101952047A (zh) * 2007-12-31 2011-01-19 3M创新有限公司 施用可涂覆型材料的方法

Also Published As

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