JP5364202B2 - Sb−Te基合金焼結体スパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
スパッタリング法による被覆法は処理時間や供給電力等を調節することによって、安定した成膜速度でオングストローム単位の薄い膜から数十μmの厚い膜まで形成できるという特徴を有している。
また、スパッタリングの際にターゲットのクラック又は割れが発生すること、さらには形成された薄膜の不均一性が発生したりすること、この他ターゲット用焼結粉の製造工程で多量に吸収された酸素等のガス成分がスパッタ膜の膜質に影響を与えることなどが挙げられる。
このようなターゲット又はスパッタリングの際の問題は、記録媒体である薄膜の品質や歩留まりを低下させる大きな原因となっている。
また、Ge、Sb、Teを含む合金粉末のうち、タップ密度(相対密度)が50%以上になる粉末を型に流し込み、冷間もしくは温間で加圧し、冷間加圧後の密度が95%以上である成形材をArもしくは真空雰囲気中で熱処理を施すことにより焼結することにより、該焼結体の含有酸素量が700ppm以下であるGe−Sb−Te基スパッタリングターゲットの製造方法及びこれらに使用する粉末をアトマイズ法により製造する技術の記載がある(例えば特許文献2参照)。
この他にアトマイズ粉を使用してターゲットを製造する技術としては、下記特許文献4、5、6がある。
しかし、以上の特許文献については、アトマイズ粉をそのまま使用するもので、ターゲットの十分な強度が得られておらず、またターゲット組織の微細化及び均質化が達成されているとは言い難い。相変化記録層を形成するためのSb−Te基スパッタリングターゲットとしては、十分とは言えないという問題がある。
しかし、最近DVDやBD(Blu-ray Disc)などでは、さらに高密度化が進み、製品歩留りを向上させるために、ターゲットに起因するパーティクルの低減が極めて重要になっている。
したがって、上記のようなプレスパッタの短縮化に限らず、パーティクル、異常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れ発生等を効果的に抑制するために、ターゲットの表面だけでなく、ターゲット全体の品質改善が必要になっている。
しかし、カーボン粉末は非金属なので、従来のSb−Te基合金スパッタリングターゲットにカーボンを混合すると、むしろ異物的な添加物となり、スパッタ時に異常放電が発生し易く、パーティクルの発生が多くなり、場合によってはターゲットにクラックが発生することもあり、好ましい添加物とは言えない問題があった。
これは、パーティクル、異常放電(アーキング)、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れ発生等を抑制する点で画期的な技術であった。
しかし、この技術ではSb-Te基合金粉末または同粉末の凝集体の表面に、カーボン又はボロンの粉末を気流などを用いて付着させていたが、凝集体の内部へのカーボン粉又はボロン粉の分散が不十分であり、またカーボン粉やボロン粉自体が凝集を起こし均一性が低下する問題があり、均一性においては、なお改良の余地があった。本発明は、これをさらに改良したものである。
1)カーボン又はボロンを0.1〜30at%含有するSb−Te基合金焼結体スパッタリングターゲットであって、Sb−Te基合金粒子と微小なカーボン(C)又はボロン(B)の粒子の均一な混合組織を備え、Sb−Te基合金粒子の平均結晶粒径が3μm以下、標準偏差が1.00未満であり、C又はBの平均粒子径が0.5μm以下、標準偏差が0.20未満であり、前記Sb−Te基合金粒子の平均結晶粒径をX、カーボン又はボロンの平均粒子径をYとした場合、Y/Xが0.1〜0.5の範囲にあることを特徴とするSb及びTeを主成分とするSb−Te基合金焼結体スパッタリングターゲット、を提供する。
2)Ag、In、Si、Ge、Ga、Ti、Au、Pt、Pdから選択した1種以上の元素を、最大30at%含有することを特徴とする上記1)記載のSb−Te基合金焼結体スパッタリングターゲット
3)カーボン又はボロンを含有するAg−In−Sb−Te合金又はGe−Sb−Te合金からなる相変化記録層を形成するためのターゲットであることを特徴とする上記1)又は2)記載のスパッタリング用Sb−Te基合金焼結体ターゲット、
4)平均抗折力が100MPa以上であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一項に記載のスパッタリング用Sb−Te基合金焼結体ターゲット、を提供する。
また、ターゲットの仕上げの段階で、切削加工等の機械加工を行うが、粗大化したカーボンやボロンが存在する場合には、それらを起点としたクラック等が発生する虞があり、これを起点とするパーティクル発生も考えられたが、本発明により、これらも未然に防止できるという大きな効果が得られた。
上記混合に際しては、必要に応じ、回転翼混合機、乳鉢、ボールミルなどによる混合機を使用することができる。混合においては、凝集体を破壊しC又はBを物理的に練りこむような機構を備えたものが望ましい。
一般に、Sb−Te基合金粉末のジェットミル粉砕は、ガスアトマイズ粉あるいは機械粉砕粉末に比べ極めて微細な粉末を得ることができ、粉砕機械の使用による汚染が防止できるという特徴を有している。このジェットミル粉砕粉を用いて焼結したターゲットは、後述するように、機械粉砕した粉末に比べ特性上優れている。
カーボン又はボロンは0.1〜30at%含有する。Sb−Te基合金粒子の平均結晶粒径が3μm以下、標準偏差が1.00未満である。また、C又はBの平均粒子径が0.5μm以下、標準偏差が0.20未満である。
このターゲットの条件は、スパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電(アーキング)、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生を好適に抑制する上で必要不可欠な条件である。この条件を備えたターゲットを用いてスパッタリングすることにより、従来に比較して、より均一な膜を形成することが可能となる。
前記カーボン又はボロンを0.1〜30at%含有させること、Sb−Te基合金粒子の平均結晶粒径を3μm以下とし標準偏差を1.00未満とすること、さらにC又はBの平均粒子径を0.5μm以下とし標準偏差を0.20未満とすることは、Y/Xを0.1〜0.5を実現する上で、重要な要件となることが容易に理解できるであろう。
したがって、上記の範囲とすることが好ましい。また、Sb−Te基合金粒子は、カーボン又はボロンの粒子径とのバランスの上で、必要な粒子径が望まれる。Sb−Te基合金粒子の平均結晶粒径が3μm以下、標準偏差が1.00未満の均一組織であることが、より望ましいと言える。
また、ターゲットの結晶粒径を小さくすることにより、エロージョンされたターゲットの表面を、エロージョン後も平滑とすることができ、従前のエロージョン面に発生した凹凸にリデポが付着し、それがノジュールに成長し、これが崩壊することによって発生するパーティクルも抑制することが可能となるという利点がある。
本願発明では、4N以上の純度を有し、この不純物によるアーキングを効果的に防止することが可能となり、アーキングによるパーティクルの発生を抑制することができる。純度はさらに5N以上であることが望ましい。
本発明のSb−Te基スパッタリングターゲットにおいて、さらに、付加的に酸素等のガス成分含有量を1500ppm以下、特に1000ppm以下さらには、酸素等のガス成分含有量を500ppm以下とすることができる。このような酸素等のガス成分の低減は、パーティクルの発生や異常放電の発生をさらに低減することができるメリットがある。
ガス成分を除くそれぞれの純度が4N以上であるGe、Sb、Te粉末原料をGe22.2Sb22.2Te55.6合金となるように調合・合成し、この合金原料を、ジェットミル粉砕機を用いてアルゴンの不活性雰囲気中で粉砕した。これにより平均直径3μm以下の粉末(P)を得た。
次に、粒子径20〜750nmのカーボン粉末(C)を、表1に示すように、所定の混合割合(0.1〜30at%)で、前記粉末(P)と、乳鉢、遊星ボールミル、振動ミルを使用して混合した。
この混合割合は、適正な範囲とすることが必要であり、これを逸脱する場合、すなわち0.1at%未満では添加の効果がなく、また30at%を超える添加では、焼結体の密度の低下により機械的強度が低下し製品加工やスパッタリングの際に割れるなどの問題が生じる傾向が見られた。
この場合、Ge22.2Sb22.2Te55.6合金粒子の平均結晶粒径を3μm以下、標準偏差を1.00未満とし、Cの平均粒子径を0.5μm以下、標準偏差が0.20未満を達成するようにした。
カーボンは凝集し易く、混合状態が不十分である場合には、ダマが発生するという問題がある。このため、均一混合が重要であり、それを達成するための手段として、Y/Xが0.1〜0.5の範囲とすることが必要となる。
表2の実施例1−16〜実施例1−25に示すように、ターゲットの相対密度(%)は、96.51%〜99.99%になり、0.3μm以上のパーティクルの発生個数は、26個〜50個と、いずれも少なかった。
比較として、実施例1−3の組成比の原料を用いて、Y/Xが0.1〜0.5の範囲外である0.608と0.811に調整し、実施例1と同様にしてGe22.2Sb22.2Te55.6合金ターゲットを作製した。
この結果、表2の比較1−A、比較1−Bに示すように、ターゲットの相対密度は実施例1よりも低下し、それぞれ97.50%、96.51%となり、パーティクルの発生は、81個、>100個と増加し、悪い結果となった。
図3の縦軸は、積算破断確率であり、同試料から作製したサンプルの個数で、1を割ったものである。例えば、4個の試料があれば、0.25、0.50、0.75、1.00の4点をプロットすることができる。
上記実施例1と同様に、ガス成分を除くそれぞれの純度が4N以上であるGe、Sb、Te粉末原料をGe22.2Sb22.2Te55.6合金となるように調合・合成し、この合金原料を、ジェットミル粉砕機を用いてアルゴンの不活性雰囲気中で粉砕した。これにより平均直径3μm以下の粉末(P)を得た。
次に、粒子径20〜750nmのボロン(B)を、表3に示すように、所定の混合割合(0.1〜30at%)で、前記粉末(P)と、乳鉢、遊星ボールミル、振動ミルを使用して混合した。
このようにして得たスパッタリングターゲットは、いずれもSb−Te基合金粒子と微小なボロン(B)の粒子の均一な混合組織を備えていた。
この場合、Ge22.2Sb22.2Te55.6合金粒子の平均結晶粒径を3μm以下、標準偏差を1.00未満とし、Bの平均粒子径を0.5μm以下、標準偏差が0.20未満を達成するようにした。
微細なボロンはカーボンと同様に凝集し易く、混合状態が不十分である場合には、ダマが発生するという問題がある。このため、均一混合が重要であり、それを達成するための手段として、Y/Xが0.1〜0.5の範囲とすることが必要となる。
100kW・hrまでのスパッタリングを実施した場合の、200mmφSiウエハー上に形成された0.3μm以上のパーティクル発生個数は28〜66個であり、優れたターゲットが得られた。以上の結果を表4に示す。
比較として、実施例2−10の組成比の原料を用いて、前記Ge22.2Sb22.2Te55.6合金粒子の平均結晶粒径をX、ボロンの平均粒子径をYとした場合、Y/Xが0.1〜0.5の範囲外である0.610と0.792に調整し、実施例2と同様にしてGe22.2Sb22.2Te55.6合金ターゲットを作製した。
この結果、比較2−A、比較2−Bに示すように、ターゲットの相対密度は実施例2よりも低下し、それぞれ97.13%、96.36%となり、0.3μm以上のパーティクルの発生個数は、83個、>100個と増加し、明らかに悪い結果となった。
Y/Xが0.5を超え、Y/Xが0.610である場合のターゲットをSEM観察したところ図2と類似しており、粗大なボロンの「だま」が見られた。
ガス成分を除くそれぞれの純度が4N以上であるIn、Sb、Te粉末原料をIn22.2Sb22.2Te55.6合金となるように調合・合成し、この合金原料を、ジェットミル粉砕機を用いてアルゴンの不活性雰囲気中で粉砕した。これにより平均直径3μm以下の粉末(P)を得た。
次に、粒子径7〜750nmのカーボン粉末(C)及びボロン粉末(B)を、表5に示す混合割合(カーボン粉末とボロン粉末の合計で0.1〜30at%)で、前記粉末(P)と、乳鉢を使用して混合した。
この混合割合は、適正な範囲とすることが必要であり、これを逸脱する場合、すなわち0.1at%未満では添加の効果がなく、また30at%を超える添加では、焼結体の密度の低下により機械的強度が低下し製品加工やスパッタリングの際に割れるなどの問題が生じる傾向が見られた。
この場合、In22.2Sb22.2Te55.6合金粒子の平均結晶粒径を3μm以下、標準偏差を1.00未満とし、C又はBの平均粒子径を0.5μm以下、標準偏差が0.20未満を達成するようにした。
比較例として、比較3−A及び比較3−Bを表6に示す。この表6に示すように、Y/Xが0.5を超え、Y/Xが0.614である場合のターゲットをSEM観察したが、まだらな組織があり、粗大なカーボン又はボロンの「だま」が見られた。また、比較3−A及び比較3−Bの相対密度は、96.62%、95.51%となり、実施例と比較して、低下した。
なお、比較としてY/Xが1/2を超え、Y/Xが0.614、Y/Xが0.789である場合のターゲットを使用した場合には、200mmφSiウエハー上に形成された0.3μm以上のパーティクル発生個数が>100個に増加し、明らかに悪い結果となった。
ガス成分を除くそれぞれの純度が4N以上であるAg、In、Sb、Te粉末原料をAg5In5Sb70Te20合金となるように調合・合成し、この合金原料を、ジェットミル粉砕機を用いてアルゴンの不活性雰囲気中で粉砕した。これにより平均直径3μm以下の粉末(P)を得た。
この混合割合は、適正な範囲とすることが必要であり、これを逸脱する場合、すなわち0.1at%未満では添加の効果がなく、また30at%を超える添加では、焼結体の密度の低下により機械的強度が低下し製品加工やスパッタリングの際に割れるなどの問題が生じる傾向が見られた。
この場合、Ag5In5Sb70Te20合金粒子の平均結晶粒径を3μm以下、標準偏差を1.00未満とし、C又はBの平均粒子径を0.5μm以下、標準偏差が0.20未満を達成するようにした。
表8に、乳鉢混合を用い、ボロン粉末の混合量を15at%、カーボン粉末の混合量を15at%、合計で30at%とした場合の本実施例のターゲットのY/Xの比率と同ターゲットの密度を示す。実施例4−5〜実施例4−14の相対密度は、97.80%〜98.25%の範囲にあった。
一方、微細なカーボン又はボロンは凝集し易く、混合状態が不十分である場合には、ダマが発生するという問題がある。このため、均一混合が重要であり、それを達成するための手段として、Y/Xが0.1〜0.5の範囲とすることが必要となる。
また、Y/Xが0.1未満の場合はカーボン粉又はボロン粉が本技術で分離分散できる最小サイズを下回るため製造することが困難であった。
比較例4に示すように、Y/Xが0.5を超え、Y/Xが0.613である場合のターゲットの表面をSEM観察したが、まだらな組織があり、粗大なカーボン又はボロンの「だま」が見られた。
なお、上記比較4−A、比較4−Bに示すように、Y/Xが0.5を超え、Y/Xが0.614である場合のターゲットを使用した場合には、200mmφSiウエハー上に形成された0.3μm以上のパーティクル発生個数が>100個に増加し、明らかに悪い結果となった。比較例4−AのY/Xが3/5、比較例4−BのY/Xが0.804である場合のターゲットを使用した場合には、200mmφSiウエハー上に形成された0.3μm以上のパーティクル発生個数が、いずれも>100個に増加し、悪い結果となった。
Claims (4)
- カーボン又はボロンを0.1〜30at%含有するSb−Te基合金焼結体スパッタリングターゲットであって、Sb−Te基合金粒子と微小なカーボン(C)又はボロン(B)の粒子の均一な混合組織を備え、Sb−Te基合金粒子の平均結晶粒径が3μm以下、標準偏差が1.00未満であり、C又はBの平均粒子径が0.5μm以下、標準偏差が0.20未満であり、前記Sb−Te基合金粒子の平均結晶粒径をX、カーボン又はボロンの平均粒子径をYとした場合、Y/Xが0.1より大きく0.5以下の範囲にあることを特徴とするSb及びTeを主成分とするSb−Te基合金焼結体スパッタリングターゲット。
- Ag、In、Si、Ge、Ga、Ti、Au、Pt、Pdから選択した1種以上の元素を、最大30at%含有することを特徴とする請求項1記載のSb−Te基合金焼結体スパッタリングターゲット。
- カーボン又はボロンを含有するAg−In−Sb−Te合金又はGe−Sb−Te合金からなる相変化記録層を形成するためのターゲットであることを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリング用Sb−Te基合金焼結体ターゲット。
- セラミックスの機械的強度の指標である平均抗折力が100MPa以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のスパッタリング用Sb−Te基合金焼結体ターゲット。
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