JP5362623B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置、特に、処理液を噴射させることによって、基板表面に付着する不要物を除去する基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly to a substrate processing apparatus that removes unnecessary substances attached to a substrate surface by spraying a processing liquid.
液晶表示装置、プラズマ表示装置や有機ＥＬ表示装置等の画像表示装置用ガラス基板、フォトマスク用基板、光ディスク用基板、半導体ウエハ、太陽電池用基板等の基板の製造には、種々の基板処理装置が必要となる。 Various substrate processing apparatuses are used for manufacturing substrates such as glass substrates for image display devices such as liquid crystal display devices, plasma display devices and organic EL display devices, photomask substrates, optical disk substrates, semiconductor wafers, solar cell substrates, etc. Is required.
これらの基板処理装置の中には、薬液や純水等の処理液を基板に供給することによって、所要の処理を行うウエット処理がある。 Among these substrate processing apparatuses, there is a wet process for performing a required process by supplying a processing solution such as a chemical solution or pure water to a substrate.
ウエット処理には、ノズルから薬液や純水等の処理液を細かなシャワー状に噴射するように供給することにより、噴射された処理液が勢いのある飛沫となって、基板表面の不要物に衝突することで、基板から不要物を除去する噴射式のウエット処理がある。 In wet processing, by supplying a processing liquid such as chemical liquid or pure water from a nozzle so as to be sprayed in a fine shower, the sprayed processing liquid becomes vigorous droplets and becomes unnecessary on the substrate surface. There is a jet-type wet process that removes unnecessary materials from the substrate by collision.
また、ウエット処理には、基板を傾斜姿勢で搬送しつつ、基板に対して処理液を供給することにより、基板に供給された処理液が、傾斜した基板に沿って速やかに流下し、基板表面の処理効率が向上するという利点を活かした傾斜搬送型のウエット処理が知られている。 In addition, in the wet processing, by supplying the processing liquid to the substrate while transporting the substrate in an inclined posture, the processing liquid supplied to the substrate quickly flows down along the inclined substrate. Inclined transport type wet processing is known which takes advantage of the improvement of the processing efficiency.
噴射式であって、傾斜搬送型のウエット処理を行う処理装置としては、例えば特許文献１の基板処理装置が開示されている。
For example, a substrate processing apparatus disclosed in
従来、噴射式のウエット処理装置を、傾斜搬送型にすると、処理中に傾斜させた基板の高い部位に比べて、基板の低い部位では、ウエット処理の出来具合が弱く、基板の全面を均一にウエット処理できない不都合があった。 Conventionally, when the jet-type wet processing apparatus is an inclined conveyance type, the wet processing is weaker at the lower part of the substrate than at the higher part of the substrate inclined during processing, and the entire surface of the substrate is made uniform. There was an inconvenience that the wet treatment could not be performed.
このような不都合のため、エッチング処理では、基板の傾斜時の高い部位で所定の線幅にエッチングしようとすると、低い部位ではエッチング不足となる。他方、低い部位で所定の線幅にエッチングしようとすると、高い部位では過剰にエッチングしてしまう。基板の全面に渡って、所定の線幅となるように、均一にエッチングすることが困難であった。 Due to such inconvenience, in the etching process, if an attempt is made to etch to a predetermined line width at a high part when the substrate is inclined, the etching is insufficient at a low part. On the other hand, if an attempt is made to etch to a predetermined line width at a low part, etching is excessive at a high part. It was difficult to etch uniformly so as to have a predetermined line width over the entire surface of the substrate.
洗浄処理や剥離処理においては、基板の傾斜時の高い部位では、十分に洗浄できたが、低い部位では洗浄不足が生じ、無理矢理に低い部位まで十分に洗浄しようとすると、高い部位では、必要以上に洗浄することになり、処理液を無駄に消費する不具合が避けられなかった。 In the cleaning process and the peeling process, it was possible to sufficiently clean the high part when the substrate was tilted, but insufficient cleaning occurred in the low part. Therefore, the problem of wasteful consumption of the processing solution was unavoidable.
本発明は、上記課題を解消しようとしてなされたものであり、基板の全面に対して、ウエット処理を均一に施すことができるようにした噴射式で傾斜搬送型のウエット処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and provides a jet-type inclined conveyance type wet processing apparatus capable of uniformly performing wet processing on the entire surface of a substrate. Objective.
上記課題を解決するために、
請求項１に記載の発明は、基板に処理液を供給してウエット処理を行う基板処理装置において、基板を傾斜姿勢で搬送する傾斜搬送手段と、傾斜搬送手段により搬送される基板へ、処理液を噴射する複数の液噴射ノズルを備え、前記複数の噴射ノズルは、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルの間隔が、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルの間隔より狭く、噴射ノズルから噴射された処理液の基板に対する打力が、傾斜姿勢の基板の低い部位が高い部位より強いことを特徴とする。
To solve the above problem,
According to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a wet process by supplying a processing liquid to a substrate, an inclined transporting means for transporting the substrate in an inclined posture, and a processing liquid to the substrate transported by the inclined transporting means. The plurality of spray nozzles are spray nozzles for spraying the processing liquid onto the high part of the substrate with the interval between the spray nozzles spraying the processing liquid onto the low part of the inclined substrate. It is narrower than the interval, and the striking force of the processing liquid sprayed from the spray nozzle on the substrate is stronger at the lower portion of the inclined substrate than at the higher portion.
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明の基板処理装置において、前記複数の噴射ノズルのうち、傾斜搬送手段の基板搬送方向と交差する方向に沿って配置された噴射ノズルは、傾斜搬送手段の基板搬送方向と交差する方向に関する噴射ノズルの間隔を、傾斜姿勢の基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルでは、狭くしたことを特徴とする。
Further, the invention according to claim 2, in the substrate processing apparatus of the invention described in
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明の基板処理装置において、前記複数の噴射ノズルのうち、傾斜搬送手段による基板搬送方向に沿って配置された噴射ノズルは、基板搬送方向に関する噴射ノズルの間隔を、傾斜姿勢の基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルでは、狭くしたことを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first or second aspect of the present invention, among the plurality of spray nozzles, the spray nozzles arranged along the substrate transport direction by the inclined transport means are The spray nozzle interval in the substrate transport direction is narrower in the spray nozzle that sprays the processing liquid to the lower part of the substrate than the spray nozzle that sprays the processing liquid to the higher part of the inclined substrate.
また、請求項４に記載の発明は、基板に処理液を供給してウエット処理を行う基板処理装置において、基板を傾斜姿勢で搬送する傾斜搬送手段と、傾斜搬送手段により搬送される基板へ、処理液を噴射する複数の液噴射ノズルを備え、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板との距離を近づけられており、噴射ノズルから噴射された処理液の基板に対する打力が、傾斜姿勢の基板の低い部位が高い部位より強いことを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a wet process by supplying a processing liquid to a substrate, to an inclined conveyance unit that conveys the substrate in an inclined posture, and to a substrate that is conveyed by the inclined conveyance unit, The injection nozzle that injects the processing liquid to a low part of the substrate in an inclined posture and has a plurality of liquid injection nozzles for injecting the processing liquid is closer to the substrate than the injection nozzle that injects the processing liquid to a high part of the substrate And the striking force of the processing liquid sprayed from the spray nozzle on the substrate is stronger at the lower portion of the inclined substrate than at the higher portion .
また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明の基板処理装置において、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、噴射ノズル噴射角を、狭くしたことを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the fourth aspect of the present invention, the spray nozzle that sprays the processing liquid onto the low part of the substrate in the inclined posture sprays the processing liquid onto the high part of the substrate. The spray nozzle spray angle is narrower than that of the spray nozzle.
また、請求項６に記載の発明は、請求項４または５に記載の発明の基板処理装置において、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、噴射する処理液の流量を多くしたことを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the fourth or fifth aspect of the present invention, the spray nozzle for injecting the processing liquid to the low part of the substrate in the inclined posture is configured to supply the processing liquid to the high part of the substrate. This is characterized in that the flow rate of the processing liquid to be injected is increased from the injection nozzle for injecting.
また、請求項７に記載の発明は、請求項１から６のいずれかに記載の発明の基板処理装置において、前記噴射ノズルは、処理液としてエッチング液を噴射し、基板をエッチング処理することを特徴とする。
The invention according to claim 7 is the substrate processing apparatus according to any one of
上記課題を解消するために、上記課題の原因を鋭意探究した結果、噴射式のウエット処理を、傾斜型でウエット処理することより基板表面の処理液に起こる独特な挙動に原因があることを見出した。つまり、基板へ向けて噴射された処理液は、傾斜姿勢であるから基板表面では、処理液が高い部位から低い部位へ流れる。低い部位では、当該低い部位へ向けて噴射された処理液に加えて、高い部位から流下して来た処理液が合わさって、基板表面に処理液の膜が厚く存在する。 As a result of diligent investigation of the cause of the above-mentioned problem in order to eliminate the above-mentioned problem, it was found that there is a cause due to the unique behavior that occurs in the processing liquid on the substrate surface by performing the wet treatment of the jet type with an inclined type. It was. That is, since the processing liquid sprayed toward the substrate is in an inclined posture, the processing liquid flows from a high part to a low part on the substrate surface. In the low part, in addition to the processing liquid sprayed toward the low part, the processing liquid flowing down from the high part is combined, and the film of the processing liquid exists thickly on the substrate surface.
このため、低い部位では、噴射された処理液が基板表面に衝突する勢いが、処理液の厚い膜で弱められ、噴射式のウエット処理に不足が生じる不具合が生じていた。 For this reason, at the low part, the momentum that the injected processing liquid collides with the substrate surface is weakened by the thick film of the processing liquid, and there is a problem that shortage occurs in the jet type wet processing.
他方、高い部位では、より高い部位から流下して来る処理液は無い、または、あっても僅かであるから、その高い部位の基板表面に存在する処理液は膜を形成しても薄く、噴射された処理液は基板表面に、弱められることがなく勢いよく衝突し、噴射式のウエット処理が支障なく行われる。 On the other hand, at the high part, there is no processing liquid flowing down from the higher part, or even a little, so that the processing liquid present on the substrate surface at the high part is thin even if a film is formed, and jetted. The treated liquid collides with the substrate surface vigorously without being weakened, and the spray-type wet treatment is performed without any trouble.
上記したような噴射式で傾斜搬送型のウエット処理の独特の処理液の挙動を回避すれば、傾斜姿勢の基板の低い部位も、高い部位と同様に、噴射式ウエット処理が達成でき、基板全面を均一にウエット処理できることの知見に基づき、請求項１から請求項７に記載の発明は創作されたものである。
By avoiding the unique processing solution behavior of the jetting and inclined transport type wet processing as described above, the lower part of the substrate in the inclined posture can achieve the jetting wet processing as well as the higher part, and the entire surface of the substrate can be achieved. The inventions of
すなわち、請求項１から請求項７に記載の発明は、ノズルから噴射された処理液の基板に対する打力を、傾斜姿勢の基板の低い部位では高い部位より強くしたので、処理液の膜が厚く存在する基板の低い部位に対しても、処理液の厚い膜に抗して、処理液の下の基板表面に処理液の打力が十分に影響を及ぼすことができる。このため、基板表面が直に受ける打力は、処理液の厚い膜状に存在する基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。 That is, in the inventions of the first to seventh aspects, the striking force of the processing liquid sprayed from the nozzle on the substrate is made stronger at the lower part of the inclined substrate than at the higher part, so that the film of the processing liquid is thicker. The striking force of the processing liquid can sufficiently affect the surface of the substrate under the processing liquid even against a low portion of the existing substrate against the thick film of the processing liquid. For this reason, the striking force directly received by the substrate surface can be ensured at the same level in both the low and high portions of the substrate present in the form of a thick film of the processing solution, and the entire surface of the substrate is uniformly subjected to the jet-type wet treatment. be able to.
特に、請求項１に記載の発明によれば、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルの間隔を、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルの間隔より、狭くしたので、低い部位ほどノズルが密に配置される。このため、単位面積当たりで処理液の噴射を受ける量が多くなり、処理液の膜に抗して基板表面が直に受ける打力は、処理液の厚い膜状に存在する基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。 In particular, according to the first aspect of the present invention, the interval between the spray nozzles for injecting the processing liquid to the low part of the inclined substrate is made smaller than the interval between the spray nozzles for injecting the processing liquid to the high part of the substrate. Therefore, the nozzles are densely arranged in the lower part. For this reason, the amount of injection of the processing liquid per unit area increases, and the striking force that the substrate surface directly receives against the processing liquid film is low even on the low part of the substrate that exists in the form of a thick film of the processing liquid. The same degree can be ensured even at a high part, and the entire surface of the substrate can be uniformly subjected to the spray-type wet treatment.
特に、請求項２に記載の発明によれば、前記複数の噴射ノズルのうち、傾斜搬送手段の基板搬送方向と交差する方向に沿って配置された噴射ノズルは、基板搬送方向と交差する方向での間隔を、傾斜姿勢の基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルでは、狭くしたことにより、基板搬送方向と交差する方向に関する噴射ノズルの密度は、低い部位ほど密に配置されることになる。このため、基板の低い部位は単位面積当たりに処理液の噴射を受ける量が多く、基板表面が直に受ける打力は、処理液の厚い膜状に存在する基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。 In particular, according to the second aspect of the present invention, among the plurality of spray nozzles, the spray nozzles arranged along the direction intersecting the substrate transport direction of the inclined transport means are in a direction intersecting the substrate transport direction. The injection nozzle for injecting the processing liquid to a lower part of the substrate is narrower than the injection nozzle for injecting the processing liquid to a higher part of the substrate in an inclined posture. The lower the density, the denser the arrangement. For this reason, the low part of the substrate receives a large amount of processing liquid spray per unit area, and the striking force directly received by the substrate surface can be low or high on the substrate that exists in a thick film of the processing liquid. The same level can be secured, and the spray-type wet treatment can be uniformly applied to the entire surface of the substrate.
特に、請求項３に記載の発明によれば、前記複数の噴射ノズルのうち、傾斜搬送手段の基板搬送方向に沿って配置された噴射ノズルは、基板搬送方向での間隔を、傾斜姿勢の基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルでは、狭くしたことにより、基板搬送方向に関して噴射ノズルを密に配置されることになる。このため、噴射ノズルは、低い部位で密に配置されことになり、低い部位ほど基板表面の単位面積当たりに処理液の噴射を受ける量が多く、基板表面が直に受ける打力は、処理液の厚い膜状に存在する基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。 In particular, according to the third aspect of the present invention, among the plurality of spray nozzles, the spray nozzles arranged along the substrate transport direction of the slant transport means are spaced apart from each other in the substrate transport direction. The injection nozzle for injecting the processing liquid to the lower part of the substrate is narrower than the injection nozzle for injecting the processing liquid to the higher part of the substrate, so that the injection nozzles are densely arranged in the substrate transport direction. For this reason, the spray nozzles are densely arranged at a low part, and the lower part has a larger amount of jetting of the processing liquid per unit area of the substrate surface, and the striking force directly received by the substrate surface is the processing liquid. The same level can be ensured in both the low and high portions of the substrate present in a thick film, and the spray wet process can be uniformly applied to the entire surface of the substrate.
特に、請求項４に記載の発明によれば、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板との距離を近づけたので、基板の低い部位では、ノズルから噴射された処理液の勢いが、基板周囲のガスの抵抗で弱められることが少なく、基板表面が直に受ける打力は、基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。 In particular, according to the fourth aspect of the present invention, the spray nozzle that sprays the processing liquid onto the low part of the substrate in the inclined posture is closer to the substrate than the spray nozzle that sprays the processing liquid onto the high part of the substrate. Therefore, in the low part of the substrate, the momentum of the processing liquid ejected from the nozzle is less weakened by the resistance of the gas around the substrate, and the striking force directly received by the substrate surface is high even in the low part of the substrate. The same level can be secured even at the site, and the spray-type wet treatment can be uniformly applied to the entire surface of the substrate.
特に、請求項５に記載の発明によれば、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、噴射ノズル噴射角を、狭くしたので、基板の低い部位では、噴射角度の狭い噴射ノズルから処理液が噴射され、処理液の勢いが強く、基板に向かう処理液の角度も基板に対して垂直に近いことも相乗して、基板表面が直に受ける打力は、処理液が厚い膜状に存在する基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。 In particular, according to the invention described in claim 5 , the injection nozzle that injects the processing liquid to the low part of the substrate in the inclined posture has an injection nozzle injection angle larger than the injection nozzle that injects the processing liquid to the high part of the substrate. Since it is narrow, the processing liquid is injected from the injection nozzle with a narrow injection angle at a low part of the substrate, the momentum of the processing liquid is strong, and the angle of the processing liquid toward the substrate is also close to perpendicular to the substrate. The striking force directly received by the substrate surface can be ensured at the same level in both the low and high portions of the substrate where the processing liquid is present in a thick film, and the entire surface of the substrate can be uniformly subjected to a jet-type wet treatment. it can.
特に、請求項６に記載の発明によれば、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、噴射する処理液の流量を多くしたので、基板表面が直に受ける打力は、処理液が厚い膜状に存在する基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。 In particular, according to the invention described in claim 6 , the injection nozzle for injecting the processing liquid to the low part of the substrate in the inclined posture is more than the injection nozzle for injecting the processing liquid to the high part of the substrate. Therefore, the striking force directly applied to the substrate surface can be secured at the same level in both the low and high parts of the substrate where the processing liquid exists in the form of a thick film. Can be applied.
特に、請求項７に記載の発明によれば、処理液としてエッチング液を噴射するので、傾斜姿勢の基板の低い部位でも、高い部位と同程度にエッチングが進行し、基板全面を均一にエッチングすることができる。 In particular, according to the invention described in claim 7 , since the etching liquid is sprayed as the processing liquid, the etching progresses to the same degree as the high part even in the low part of the inclined substrate, and the entire surface of the substrate is uniformly etched. be able to.
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置１の概略斜視図であり、図２は、基板処理装置１を、基板搬送方向と垂直な鉛直面で破断して示す縦断面図である。基板処理装置１は、箱形のエッチングチャンバー２の内部に、処理対象物として液晶表示装置の製造に供するガラス製の基板Ｗを、傾斜姿勢（水平面に対して角度θ）にした状態で、水平方向に搬送する基板搬送機構３と、傾斜姿勢で水平搬送される基板Ｗの上面に対して、処理液としてエッチング液を噴射する処理液供給機構４を備える。
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a schematic perspective view of a
基板処理装置１は、エッチングチャンバー２内で基板Ｗを、基板搬送機構３によって傾斜姿勢で移動する間に、基板Ｗの上面は全面がエッチング液の噴射を受けて、エッチング液の化学作用に、噴射の衝撃による物理作用が相乗して、基板Ｗの表面の金属膜をむら無くエッチング処理する。
While the
なお、本明細書および図面では、説明の便宜のためにｘ，ｙ，ｚの直行座標形を用い、鉛直方向をｚ方向として、水平方向のｘ方向とｙ方向のうち、基板Ｗの搬送方向と同じ方向をｘ方向とする。 In the present specification and drawings, for the convenience of explanation, an orthogonal coordinate form of x, y, and z is used, and the vertical direction is the z direction, and the transport direction of the substrate W among the x direction and the y direction in the horizontal direction. The same direction as x is the x direction.
エッチングチャンバー２は、ｘ方向手前側の基板搬入側壁体２１と、ｘ方向の向こう側の基板搬出側壁体２２と、ｙ方向に沿って延在し前記両壁体２１，２２を連接する側壁体２３と側壁体２４と、底壁体２５と、上蓋２６からなる箱体を形成している。
The etching chamber 2 includes a substrate carry-in
なお、図１は、基板処理装置１の内部が見えるように上蓋を取り外した状態で図示しているが、基板Ｗをエッチング処理する稼働時には、エッチング液が周囲へ飛散しないように上蓋は装填される。
1 shows the state in which the upper lid is removed so that the inside of the
また、エッチングチャンバー２の基板搬入側壁体２１には、基板Ｗを基板処理装置１の内部へ入れるための基板搬入口２６を開口し、基板搬出側壁体２２には、基板Ｗを基板処理装置１の外へ出すための搬出口２７を開口している。
Further, the substrate carrying-in
基板搬送機構３は、図２に示すように、側壁体２３の下部に設けた下位軸受け部材３１と、側壁体２４の中程に設けた上位軸受け３２によって、水平面に対して角度θに軸を傾けた姿勢で、両端を回転可能に支持されたローラ軸３３を備える。ローラ軸３３は、複数の搬送ローラ３４を環装している。それら複数の搬送ローラ３４を環装したローラ軸３３は、基板Ｗの搬送方向に沿って、所定の間隔を置いて複数配備されている。したがって、基板搬送方向（ｘ方向）に沿って、かつ、ｙ方向から角度θ傾斜した方向に沿って、水平面に対して角度θ傾けた搬送面を形成するようにして、多数の搬送ローラ３４が配置されることとなる。
As shown in FIG. 2, the substrate transport mechanism 3 has an axis at an angle θ with respect to a horizontal plane by a
これら搬送ローラ３４は、図示しない搬送駆動機構でローラ軸３３が回転駆動されるにともない、ローラ軸３３と一体に搬送ローラ３４が回転し、その外周上端に載せた基板Ｗを搬送する。この際に、基板Ｗは、ローラ軸３３の傾き角度θの傾斜姿勢でｘ方向に搬送される。
As the
なお、搬送機構３には、搬送ローラ３４に載せられた基板Ｗが、傾斜姿勢で搬送されることにともない、下方へずれ落ちないように、基板Ｗの下方への移動を規制する補助ローラ３５を備える。補助ローラ３５は、その回転軸３６が、ローラ軸３３の軸線と直角な向きになるように、下位軸受け部材３１に付設された補助軸受け部材３７に軸支される。補助ローラ３５は、外周面が傾斜姿勢の基板Ｗの下方端面と回転しながら接触することで、基板Ｗの搬送を妨げずに支える。
It should be noted that an
処理液供給機構４は、搬送機構３によって傾斜姿勢で水平搬送される基板Ｗの上方に配置され、多数の噴射ノズル４１からエッチングを基板Ｗの上面へ向けて噴射する。
The processing
噴射ノズル４１は、基板Ｗの搬送方向（ｘ方向）に延在するスプレーパイプ４２に取り付けられている。スプレーパイプ４２は、一端が基板搬出側壁体２２に付設された基板搬出側パイプ支持部材４４に支持され、他端は基板搬入側壁体２１に付設された基板搬入側パイプ支持部材（図示せず）に支持されている。
The
なお、噴射ノズル４１をスプレーパイプ４２に取り付けるに際しては、スプレーパイプ４２と噴射ノズル４１との途中にノズル吊下具４３を介在させている。これは、ノズル吊下具４３の長さを違えることにより、噴射ノズル４１と基板Ｗとの距離を後で説明するようにするためである。
In addition, when attaching the
スプレーパイプ４２とノズル吊下具４３および噴射ノズル４１は、内部で連通し、スプレーパイプ４２の管内のエッチング液は、ノズル吊下具４３を経由して、噴射ノズル４１から噴射される。
The
なお、スプレーパイプ４２は、Ｙ方向に複数本並列配置しているが、各スプレーパイプ４２は共通配管４５が連通している。この共通配管４５は、エッチング供給機構（図示せず）から提供されるエッチングを各スプレーパイプ４２へ分配供給する。
Although a plurality of
スプレーパイプ４２は１１本あり、各スプレーパイプ４２は、一つ上方へ隣のスプレーパイプ４２との間隔が、下方のスプレーパイプ４２ほど狭い間隔に配置している。つまり、一番下方のスプレーパイプ４２から１番、２番、３番…１１番（最も上方のスプレーパイプ４２）と称すと、１番と２番のスプレーパイプ４２の間隔をＤ１、２番と３番の間隔をＤ２，３番と４番の間隔をＤ３，…１０番と１１番の間隔をＤ１０と準々に表記すると、Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜…＜Ｄ１０のように、下方のスプレーパイプ４２どうしの間隔を狭く配置している。
There are eleven
上記したような間隔でスプレーパイプ４２が配置されることに従い、スプレーパイプ４２に取り付けられる噴射ノズル４１どうしの間隔も、同様に、基板Ｗの搬送方向に垂直な方向（ｙ方向）に関して、より厳密にはｙ方向から角度θだけ傾けた方向に関して、低い位置の噴射ノズル４１ほど、隣の噴射ノズル４１との間隔を狭く配置することになる。なお、噴射ノズル４１は、いわゆる千鳥配置にしているので基板搬送方向に若干前後するものの、低い位置の噴射ノズル４１ほど、隣の噴射ノズル４１との間隔を狭く配置することには変わりはない。
As the
また、噴射ノズル４１は、下方の噴射ノズル４１ほど、ノズル吊下具４３を長寸にすることにより、噴射ノズル４１と基板Ｗとの距離を、下方の噴射ノズル４１ほど小さくしている。つまり、下方の噴射ノズル４１から上方の噴射ノズル４１へ向けて準々に、噴射ノズル４１から基板Ｗへの距離をＨ１，Ｈ２、Ｈ３…Ｈ１１と表記すると、Ｈ１＜Ｈ２＜Ｈ３…Ｈ１１となる。
In addition, the
また、一本のスプレーパイプ４２に取り付ける噴射ノズル４１の数は、下方のスプレーパイプ４２ほど多い。噴射ノズル４１は、基板Ｗの搬送方向（ｘ方向）に隣の噴射ノズル４１との間隔を、１番のスプレーパイプ４２に取り付けられた噴射ノズル４１どうしの間隔をＳ１、２番のスプレーパイプ４２に取り付けられた噴射ノズル４１どうしの間隔をＳ２、３番のスプレーパイプ４２取り付けられた噴射ノズル４１どうしの間隔をＳ３、最も上方の１１番のスプレーパイプ４２に取り付けられた噴射ノズル４１どうしの間隔をＳ１１と、準々に表記すると、Ｓ１＜Ｓ２＜Ｓ３…＜Ｓ１０となる。
Further, the number of
上記のように噴射ノズル４１を配置したことにより、基板Ｗにエッチング液が噴射される様子を図３に模式的に示す。図３は、この第１実施形態に係る基板処理装置１による基板Ｗへのエッチング液の噴射状態を説明するための図であり、傾斜姿勢の基板Ｗを傾斜姿勢のままで上方から観察して、傾斜姿勢の基板Ｗの低い部位を紙面手前側として、噴射ノズル４１から噴射されたエッチング液の飛沫が基板Ｗに衝突する範囲の輪郭を円で、各噴射ノズル４１に対応させて模式的に示している。
FIG. 3 schematically shows how the etching liquid is sprayed onto the substrate W by arranging the
図３から明らかなように、基板Ｗの低い部位では、噴射ノズル４１から噴射されたエッチング液の飛沫が基板Ｗに衝突する範囲が狭く、噴射ノズル４１から噴射されたエッチング液が狭く集中している。また、基板Ｗの低い部位では、噴射されたエッチング液の飛沫が基板Ｗに衝突する範囲の重なりが多い。
As is clear from FIG. 3, in a region where the substrate W is low, the range in which the droplets of the etchant sprayed from the
他方、基板Ｗの高い部位では、低い部位と比較してのことであるが、噴射ノズル４１から噴射されたエッチング液の飛沫が基板Ｗに衝突する範囲が広い。また、噴射されたエッチング液の飛沫が基板Ｗに衝突する範囲の重なりが少ない。
On the other hand, in the high part of the substrate W, as compared with the low part, the range in which the droplets of the etching solution sprayed from the
上記したように噴射ノズル４１を配置することにより、傾斜搬送される基板Ｗにおいて、基板Ｗの低い部位ほど、噴射ノズル４１から基板Ｗまでの距離を近づけたことにより、基板の低い部位ほど、噴射ノズル４１から噴射された勢いが削がれることが少ない状態でエッチング液が基板に衝突するので、エッチング液の打力が強くなる。
By disposing the
噴射ノズル４１から出たエッチング等の処理液は、基板Ｗに到達するまでに、基板Ｗの周囲の空気（空気以外の所要のガスを雰囲気とする処理では、そのガス）によって、噴射された処理液の飛沫が運動エネルギーを奪われ、噴射ノズル４１から離れるほど強く運動エネルギーを奪われる。これは、処理液が基板に及ぼす打力が、噴射ノズル４１に近いほど強く、遠いほど弱いからである。
The processing liquid such as etching that has exited from the
また、下方のスプレーパイプ４２ほど、隣のスプレーパイプ４２との間隔を狭くしているので、基板Ｗの低い部位ほど、基板Ｗの搬送方向に垂直な方向（ｙ方向）に関して、より厳密にはｙ方向から角度θだけ傾けた方向に関して、隣の噴射ノズル４１との間隔が狭く、噴射ノズル４１が密に配置されるので、基板Ｗへ噴射される単位面積当たりのエッチング液の流量が多く、基板Ｗが受けるエッチング液の打力が強くなる。
In addition, since the
更に、各スプレーパイプ４２に取り付ける噴射ノズル４１の数を、下方のスプレーパイプ４２ほど多くしたことにより、基板Ｗの低い部位ほど、基板Ｗの搬送方向（ｘ方向）へ隣の噴射ノズル４１との間隔が狭く、噴射ノズル４１が密に配置されるので、基板Ｗへ噴射される単位面積当たりのエッチング液の流量が多く、基板Ｗが受けるエッチング液の打力が強くなる。
Furthermore, since the number of
第１実施形態は、最適の実施形態であって、上記した３つの作用が相乗的に奏功するので、噴射式であって、かつ、傾斜搬送型のウエット処理を、基板全面に対して均一に施すことができる。つまり、噴射ノズル４１から噴射されたエッチング液の基板Ｗへ向かう打力を、傾斜姿勢の基板Ｗの高い部位より低い部位が強くなるようにしたので、基板Ｗの上にエッチング液の膜が厚く存在する基板Ｗの低い部位に対しても、エッチング液の厚い膜に抗して、エッチング液の下の基板表面にエッチング液の打力が十分に影響を及ぼすことができる。このため、処理液の下で基板表面が直に受ける打力は、基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。
The first embodiment is an optimum embodiment, and the above-described three actions are synergistically effective. Therefore, the wet process of the injection type and the inclined conveyance type is uniformly applied to the entire surface of the substrate. Can be applied. That is, the etching solution sprayed from the
前記した基板処理装置では、共通配管４５が各スプレーパイプ４２へ処理液すなわちエッチング液を供給するようにしたが、個々のスプレーパイプ４２ごとに独立した配管としてもよい。それにより、エッチング液を所望の圧力で各スプレーパイプ４２へ供給できる。
In the substrate processing apparatus described above, the
また、噴射ノズル４１へ処理液を供給するには、スプレーパイプ４２の内部を通さず、スプレーパイプ４２は噴射ノズル４１を支持させることだけに使用し、噴射ノズル４１ごとに独立した配管、例えば樹脂製ホースなどを使用して、処理液を供給するようにすてもよい。
Further, in order to supply the processing liquid to the
また、スプレーパイプ４２は、基板搬送方向に沿って長く配置したが、基板搬送方向と交差する方向に沿って、長く配してもよい。
また、噴射ノズル４１は、鉛直下方向きに設置したが、所要の方向に傾けて設置してもよい。
Moreover, although the
Moreover, although the
また、噴射ノズル４１は、静止させずに、基板Ｗの搬送方向、および／または基板の搬送方向に揺動させて、いわゆる首振り噴射させてもよい。
Further, the
＜２．第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態が第１実施形態と相違するのは、スプレーパイプ２４２とスプレーパイプ２４２との間隔、噴射ノズル２４１と噴射ノズル２４１との間隔、ノズル吊下具２４３の長さ、および、噴射ノズル２４１の数である。
図４は、第２実施形態に係る基板処理装置における基板搬送方向に垂直な縦断面図である。処理液供給機構２０４は、搬送機構３によって傾斜姿勢で水平搬送される基板Ｗの上方に配置され、多数の噴射ノズル２４１からエッチング液を基板Ｗの上面へ向けて噴射する。
<2. Second Embodiment>
Next, a second embodiment will be described. The second embodiment differs from the first embodiment in that the distance between the
FIG. 4 is a longitudinal sectional view perpendicular to the substrate transport direction in the substrate processing apparatus according to the second embodiment. The processing
噴射ノズル２４１は、基板Ｗの搬送方向（ｘ方向）に延在するスプレーパイプ２４２に取り付けられ、スプレーパイプ２４２は、一端が基板搬出側壁体２２に付設された基板搬出側パイプ支持部材２４４に支持され、他端は基板搬入側壁体２１に付設された基板搬入側パイプ支持部材（図示せず）に支持されている。
The
第２実施形態では、スプレーパイプ２４２は２３本あり、一番下方のスプレーパイプ２４２から１番、２番、３番…２３番（最も上方のスプレーパイプ２４２）と称すと、１番と２番のスプレーパイプ２４２の間隔をＤ１、２番と３番の間隔をＤ２，３番と４番の間隔をＤ３，…２２番と２３番の間隔をＤ２２と準々に表記すると、（Ｄ１＝Ｄ２＝Ｄ３＝Ｄ４＝Ｄ５＝Ｄ６＝Ｄ７＝Ｄ８）＜（Ｄ９＝Ｄ１０＝Ｄ１１＝Ｄ１２＝Ｄ１３＝Ｄ１４＝Ｄ１５＝Ｄ１６）＜（Ｄ１７＝Ｄ１８＝Ｄ１９＝Ｄ２０＝Ｄ２１＝Ｄ２２）となる。
In the second embodiment, there are 23
つまり、下方の１番から９番のスプレーパイプ２４２までを第１群と称すると、第１群内のスプレーパイプ２４２どうしの間隔は等しい。９番から１７番のスプレーパイプ２４２までを第２群と称すると、第２群内のスプレーパイプ２４２どうしの間隔は等しい。１７番から２３番のスプレーパイプ２４２までを第３群と称すると、第３群内のスプレーパイプ２４２どうしの間隔は等しい。これらのように、本発明では、高さが違うスプレーパイプ２４２の一部において、スプレーパイプ２４２どうしが同じ間隔であることを排除しない。
That is, when the lower first through
第１群内のスプレーパイプ２４２どうしの間隔は、第２群内のスプレーパイプ２４２どうしの間隔よりも狭い。第２群内のスプレーパイプ４２どうしの間隔は、第３群内のスプレーパイプ２４２どうしの間隔よりも狭い。
The interval between the
上記したような間隔でスプレーパイプ２４２が配置されることに従い、スプレーパイプ２４２に取り付けられる噴射ノズル２４１の間隔も、同様に、基板Ｗの搬送方向に垂直な方向（ｙ方向）に関して、より厳密にはｙ方向から角度θだけ傾けた方向に関して、１番から９番のスプレーパイプ２４２に取り付けられた噴射ノズル２４１までを第１群と称すると、第１群内の噴射ノズル２４１どうしの間隔は等しい。９番から１７番のスプレーパイプ２４２に取り付けられた噴射ノズル２４１を第２群と称すると、第２群内の噴射ノズル２４１どうしの間隔は等しい。１７番から２３番のスプレーパイプ２４２に取り付けられた噴射ノズル２４１を第３群と称すると、第３群内の噴射ノズル２４１どうしの間隔は等しい。これらのように、本発明では、高さが違う噴射ノズル２４１の一部において、噴射ノズル２４１どうしが同じ間隔であることを排除しない。
As the
第１群内の噴射ノズル２４１どうしの間隔は、第２群内の噴射ノズル２４１どうしの間隔よりも狭い。第２群内の噴射ノズル２４１どうしの間隔は、第３群内の噴射ノズル２４１どうしの間隔よりも狭い。
The interval between the
以上説明したように第２実施形態では、基板Ｗの搬送方向に垂直な方向（ｙ方向）に関して、より厳密にはｙ方向から角度θだけ傾けた方向に関して、噴射ノズル２４１どうしの間隔は、配置される高さに応じて、第１群、第２群、第３群の３種に区分けし、群単位で、前記方向に関する噴射ノズル２４１の間隔を、下方の噴射ノズル２４１群は上方の噴射ノズル２４１群よりも、狭くなるように配置している。
As described above, in the second embodiment, the interval between the
したがって、第１群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される基板の部位は、第２群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される部位よりも、打力が強い。第２群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される基板の部位は、第３群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される部位よりも、打力が強い。
Accordingly, the portion of the substrate where the etching liquid is sprayed by the first group of
ただし、第１群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される基板の部位では、第１群内の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される打力が等しい。第２群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される基板の部位では、第２群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される打力が等しい。第３群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される基板の部位では、第３群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される打力が等しい。これらのように、本発明では、高さが違う噴射ノズル２４１がエッチング液を噴射する部位で、一部の噴射ノズル２４１からエッチングが噴射される打力が同じであることを排除しない。
However, the striking force at which the etching solution is injected by the
また、第２実施形態でも、噴射ノズル２４１は、下方の噴射ノズル２４１ほど、ノズル吊下具２４３を長寸にすることにより、噴射ノズル２４１と基板Ｗとの距離を、下方の噴射ノズル２４１ほど小さくしているが、２３本あるスプレーパイプ２４２の一つ一つ準々と、下方の噴射ノズル２４１から上方の噴射ノズル２４１へ向けて準々に、噴射ノズル２４１から基板Ｗへの距離は、Ｈ１＜Ｈ２＜Ｈ３…Ｈ２３となるようにしている。
Also in the second embodiment, the
また、一本のスプレーパイプ２４２に取り付ける噴射ノズル２４１の数は、下方のスプレーパイプ２４２ほど多いが、郡単位で多くしている。基板Ｗの搬送方向（ｘ方向）へ隣の噴射ノズル２４１との間隔を、下方から１番のスプレーパイプ２４２に取り付けられた噴射ノズル２４１どうしの間隔をＳ１、２番のスプレーパイプ２４２に取り付けられた噴射ノズル２４１どうしの間隔をＳ２、３番のスプレーパイプ２４２取り付けられた噴射ノズル２４１どうしの間隔をＳ３、最も上方の１１番のスプレーパイプ２４２に取り付けられた噴射ノズル２４１どうしの間隔をＳ１１と、準々に表記すると、Ｓ１＝Ｓ２＝Ｓ３＝Ｓ４＝Ｓ５＝Ｓ６＝Ｓ７＝Ｓ８＝Ｓ９＜Ｓ１０＝Ｓ１１＝Ｓ１２＝Ｓ１３＝Ｓ１４＝Ｓ１５＝Ｓ１６＝Ｓ１７＜Ｓ１８＝Ｓ１９＝Ｓ２０＝Ｓ２１＝Ｓ２２＝Ｓ２３となる。
The number of the injection nozzle 2 41 attached to one of the
つまり、下方の１番から９番のスプレーパイプ２４２を第１群とすると、第１群内では、スプレーパイプ２４２に取り付ける噴射ノズル２４１どうしの間隔は等しい。１０番から１７番のスプレーパイプ２４２を第２群とすると、第１群内では、スプレーパイプ２４２に取り付ける噴射ノズル２４１どうしの間隔は等しい。１８番から２３番のスプレーパイプ２４２を第３群とすると、第３群内では、スプレーパイプ２４２に取り付ける噴射ノズル２４１どうしの間隔は等しい。これらのように、本発明では、高さが違う噴射ノズル２４１の一部において、基板Ｗの搬送方向（ｘ方向）に関する噴射ノズル２４１どうしが同じ間隔であることを排除しない。
That is, if the first to
第１群内にてスプレーパイプ２４２に取り付けられた噴射ノズル２４１の基板Ｗの搬送方向（ｘ方向）に関する間隔は、第２群内のスプレーパイプ２４２に取り付けられた噴射ノズル２４１どうしの間隔よりも狭い。第２群内にてスプレーパイプ２４２に取り付けられた噴射ノズル２４１どうしの間隔は、第３群内のスプレーパイプ２４２に取り付けられた噴射ノズル２４１どうしの間隔よりも狭い。
In the first group, the interval between the
したがって、第１群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される基板の部位は、第２群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される部位よりも、打力が強い。第２群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される基板の部位は、第３群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される部位よりも、打力が強い。
Thus, portions of the substrate where the etching liquid is injected by the first group of
ただし、第１群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される基板の部位では、第１群内の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される打力が等しい。第２群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される基板の部位では、第２群の噴射ノズル４１によってエッチング液が噴射される打力が等しい。第３群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される基板の部位では、第３群の噴射ノズル２４１によってエッチング液が噴射される打力が等しい。これらのように、本発明では、高さが違う噴射ノズル２４１がエッチング液を噴射する部位で、噴射ノズル２４１からエッチングが噴射される打力が同じであることを排除しない。
However, the striking force at which the etching solution is injected by the
ここで、第２実施形態における噴射ノズル２４１の配置により、基板Ｗにエッチング液が噴射される様子を図５に模式的に示す。図５は、第２実施形態におけるエッチング液の噴射状態を説明するための図であり、傾斜姿勢の基板Ｗを傾斜姿勢のままで上方から観察して、傾斜姿勢の基板Ｗ低い部位を紙面手前側として、噴射ノズル２４１から噴射されたエッチング液の飛沫が基板Ｗに衝突する範囲の輪郭を円で、各噴射ノズル２４１に対応させて模式的に示している。
Here, FIG. 5 schematically shows the state in which the etching liquid is sprayed onto the substrate W by the arrangement of the
図５から明らかなように、第１群の噴射ノズル２４１から噴射されたエッチング液が基板Ｗに到達することになる基板Ｗの比較的低い部位では、各噴射ノズル２４１から噴射されたエッチング液の飛沫が基板に衝突する範囲が狭く、集中している。また、噴射されたエッチング液の飛沫が基板Ｗに衝突する範囲の重なりが多い。
As is clear from FIG. 5, the etching solution sprayed from each of the
第３群の噴射ノズル２４１から噴射されたエッチング液が基板Ｗに到達することになる基板Ｗの比較的高い部位では、各噴射ノズル２４１から噴射されたエッチング液の飛沫が基板Ｗに衝突する範囲が広く、拡散している。また、噴射されたエッチング液の飛沫が基板Ｗに衝突する範囲の重なりも少ない。
In a relatively high part of the substrate W where the etching solution sprayed from the third group of
第２群の噴射ノズル２４１から噴射されたエッチング液が基板Ｗに到達することになる基板Ｗの中間部位では、各噴射ノズル２４１から噴射されたエッチング液の飛沫が基板Ｗに衝突する範囲は、前記低い部位より広いが、前記高い部位よりは狭く、中間である。また、噴射されたエッチング液の飛沫が基板Ｗに衝突する範囲の重なりは、前記低い部位より少ないが、前記高い部位よりは多く、中ぐらいである。
In the intermediate portion of the substrate W where the etching liquid sprayed from the second group of
上記したように噴射ノズル２４１を配置することにより、傾斜搬送される基板Ｗにおいて、基板Ｗの低い部位ほど、噴射ノズル２４１から基板Ｗまでの距離を近づけたことにより、基板の低い部位ほど、噴射ノズル２４１から噴射された勢いが削がれることが少ない状態でエッチング液が基板に衝突するので、エッチング液の打力が強くなる。
By disposing the
また、郡単位ではあるが、下方のスプレーパイプ２４２の群ほど、上方のスプレーパイプ２４２の群と比較して、スプレーパイプ２４２どうしの間隔を狭くしている。したがって、基板Ｗの搬送方向に垂直な方向（ｙ方向）に関して、より厳密にはｙ方向から角度θだけ傾けた方向に関して、下方のスプレーパイプ２４２の群は、それより上方のスプレーパイプ２４２の群よりも、噴射ノズル２４１どうしの間隔が狭く、噴射ノズル２４１が密に配置されるので、基板Ｗへ噴射される単位面積当たりのエッチング液の流量が多く、基板Ｗが受けるエッチング液の打力が強くなる。
Further, although in the county units, as a group under the
更に、各スプレーパイプ２４２に取り付ける噴射ノズル２４１の数は、郡単位ではあるが、下方のスプレーパイプ２４２の群は、それより上方のスプレーパイプ２４２の群よりも多くしたので、基板Ｗの搬送方向（ｘ方向）に関して、一つのスプレーパイプ２４２に取り付ける噴射ノズル２４１同士の間隔が狭く、噴射ノズル２４１が密に配置されるので、基板Ｗへ噴射される単位面積当たりのエッチング液の流量が多く、基板Ｗが受けるエッチング液の打力が強くなる。
Furthermore, although the number of
第２実施形態は、噴射ノズル２４１から噴射されたエッチング液の基板Ｗへ向かう打力を、傾斜姿勢の基板Ｗの高い部位より低い部位が強くなるようにしたので、基板Ｗの上にエッチング液の膜が厚く存在する基板Ｗの低い部位に対しても、エッチング液の厚い膜に抗して、エッチング液の下の基板表面にエッチング液の打力が十分に影響を及ぼすことができ、このため、処理液の下で基板表面が直に受ける打力は、基板の低い部位でも、高い部位でも同程度が確保でき、基板全面に均一に、噴射式のウエット処理を施すことができる。
In the second embodiment, the striking force of the etching solution sprayed from the
＜３．変形例＞
噴射ノズルから噴射されたエッチング液が基板Ｗへ向かう打力を、傾斜姿勢の基板Ｗの高い部位より低い部位を強くするには、基板処理装置を様々に構成することで行うことができる。次に、前記した第１実施形態や第２実施形態にて採用した構成要素および、採用していない構成要素も含めて、基板の低い部位で高い部位よりも処理液の打力を強くすることを可能にする構成要素を、図６、図７、図８、図９、図１０を参照して説明する。
<3. Modification>
In order to increase the striking force of the etching solution sprayed from the spray nozzle toward the substrate W in a region lower than a region where the inclined substrate W is high, the substrate processing apparatus can be variously configured. Next, including the components adopted in the first embodiment and the second embodiment described above and the components not adopted, the striking force of the treatment liquid is made stronger at the lower part of the substrate than at the higher part. The components that enable this will be described with reference to FIGS. 6, 7, 8, 9, and 10.
図６に示す構成要素は、噴射ノズル３４１を、基板Ｗの搬送方向（ｘ方向）と交差する方向に複数配置し、基板搬送方向と交差する方向における噴射ノズルの間隔Ｄを、傾斜姿勢の基板Ｗの低い部位では高い部位より、狭くしている。なお、この構成要素は、第１実施形態および第２実施形態で採用されている。
6 includes a plurality of
基板搬送方向と交差する方向における噴射ノズル３４１の間隔Ｄを、傾斜姿勢の基板Ｗの低い部位では高い部位より、狭くすることにより、基板Ｗの低い部位では高い部位より噴射ノズル３４１が密に配置されるので、基板Ｗへ噴射される単位面積当たりの処理液の流量が多く、基板Ｗが受ける処理液の打力が強くなる。
By narrowing the interval D of the
なお、基板Ｗの搬送方向と交差する方向は、第１実施形態および第２実施形態では、基板Ｗの搬送方向と平面視で、直角に交差する方向であるが、直交に限定する必要はなく、所望の角度で交差させればよい。 In the first and second embodiments, the direction intersecting the transport direction of the substrate W is a direction perpendicular to the transport direction of the substrate W in a plan view. The crossing may be performed at a desired angle.
また、複数在る噴射ノズル３４１のうち、基板搬送方向と交差する方向で隣り合う噴射ノズル３４１の間隔は、必ずしも全ての噴射ノズル３４１において、下方隣の噴射ノズル３４１との間隔が、上方隣の噴射ノズル３４１との間隔よりも、狭くすることが求められるわけではない。少なくとも、基板搬送方向と交差する方向に複数在る噴射ノズル３４１のうち、少なくとも一つの噴射ノズル３４１が、下方隣の噴射ノズル３４１との間隔が、上方隣の噴射ノズル３４１との間隔よりも、狭くしてあればよい。なお、その他の噴射ノズル３４１においては、隣の噴射ノズル３４１との間隔が同じでもよい。
Further, among the plurality of
ただし、基板搬送方向と交差する方向に複数在る噴射ノズル３４１のうち、下方に隣の噴射ノズル３４１との間隔が、上方に隣の噴射ノズル３４１との間隔よりも狭い噴射ノズル３４１は、なるべく多い方が好ましい。傾斜姿勢の基板の低い部位から、高い部位へ向けて、打力を高めることの変化を滑らかにできるからである。
However, among the plurality of
図７に示す構成要素では、噴射ノズル３４１を、基板Ｗの搬送方向（ｘ方向）に複数配置し、基板搬送方向と交差する方向における噴射ノズル３４１の間隔Ｓを、傾斜姿勢の基板Ｗの低い部位では高い部位より、狭くしている。なお、図７において、噴射ノズル３の基板搬送方向の並びいついては、その一部を波線で描き、その他は図示を省略している。この構成要素は、第１実施形態および第２実施形態で採用されている。
In the component shown in FIG. 7, a plurality of
基板搬送方向と交差する方向における噴射ノズル３４１の間隔Ｓを、傾斜姿勢の基板Ｗの低い部位では高い部位より、狭くすることにより、基板Ｗの低い部位では高い部位より噴射ノズル３４１が密に配置されるので、基板Ｗへ噴射される単位面積当たりの処理液の流量が多く、基板Ｗが受ける処理液の打力が強くなる。
By narrowing the spacing S of the
なお、複数在る噴射ノズル３４１のうち、基板搬送方向で隣り合う噴射ノズル３４１の間隔は、必ずしも全ての噴射ノズル３４１について、下方の噴射ノズル３４１の並びにおける噴射ノズル３４１どうしの間隔が、上方の噴射ノズル３４１の並びにおける噴射ノズル３４１どうしの間隔よりも、狭くすることが求められるわけではない。基板搬送方向に複数在る噴射ノズル３４１のうち、少なくとも一つの噴射ノズル３４１について、当該噴射ノズル３４１より上方の噴射ノズル３４１と比較して、基板搬送方向に隣の噴射ノズル３４１との間隔が、狭くなっていればよい。なお、その他の噴射ノズル３４１においては、隣の噴射ノズル３４１との間隔が同じでもよい。
Among the plurality of
ただし、基板搬送方向に複数在る噴射ノズル３４１のうち、上方の噴射ノズル３４１と比較して、基板搬送方向に隣の噴射ノズル３４１との間隔が、狭くした噴射ノズル３４１は、なるべく多い方が好ましい。傾斜姿勢の基板の低い部位から、高い部位へ向けて、打力を高めることの変化を滑らかにできるからである。
However, among the plurality of
図８に示す構成要素では、噴射ノズル３４１の基板Ｗとの距離Ｈを、下方の噴射ノズル３４１ほど上方の噴射ノズル３４１より、小さく、すなわち近づけている。なお、この構成要素は、第１実施形態および第２実施形態で採用されている。
In the component shown in FIG. 8, the distance H between the
下方の噴射ノズル３４１を上方の噴射ノズル３４１より、基板Ｗとの距離Ｈを小さくしたことにより、基板Ｗの低い部位は、高い部位と比較して、噴射ノズル３４１から出た処理液が基板周囲のガスによって、噴射されたことによる運動エネルギーが削がれることが少なく、基板Ｗが受ける処理液の打力が強くなる。
By lowering the distance H between the
なお、複数在る噴射ノズル３４１のうち、必ずしも全ての噴射ノズル３４１が、当該噴射ノズル３４１より上方の噴射ノズル３４１と比較して、基板Ｗとの距離を小さくすることが求められるわけではない。少なくとも一つの噴射ノズル３４１が、上方の噴射ノズル３４１より、基板Ｗとの距離が小さくなっていればよい。なお、その他の噴射ノズル３４１においては、隣の噴射ノズル３４１との間隔が同じでもよい。
Note that it is not always necessary for all of the
ただし、複数在る噴射ノズル３４１のうち、上方の噴射ノズル３４１と比較して、基板Ｗとの距離を小さくした噴射ノズル３４１は、なるべく多い方が好ましい。傾斜姿勢の基板の低い部位から、高い部位へ向けて、打力を高めることの変化を滑らかにできるからである。
However, among the plurality of
図９に示す構成要素では、噴射ノズル３４１の噴射角度（処理液を噴射する広がりの角度）αを、下方の噴射ノズル３４１を上方の噴射ノズル３４１より、狭めている。なお、この構成要素は、第１実施形態や第２実施形態には採用していない、他の構成要素である。
In the components shown in FIG. 9, the spray angle (spreading angle at which the processing liquid is sprayed) α of the
下方の噴射ノズル３４１を上方の噴射ノズル３４１より、噴射角度αを狭めたことにより、基板Ｗの低い部位は、高い部位と比較して、噴射ノズル３４１から出た処理液の飛沫が狭い範囲に集中的に衝突し、基板Ｗが受ける処理液の打力が強くなる。
By narrowing the
なお、複数在る噴射ノズル３４１のうち、必ずしも全ての噴射ノズル３４１が、当該噴射ノズル３４１より上方の噴射ノズル３４１と比較して、噴射角度αを狭めることが求められるわけではない。少なくとも一つの噴射ノズル３４１が、上方の噴射ノズル３４１より、噴射角度αが狭ければよい。その他の噴射ノズル３４１においては、隣の噴射ノズル３４１と噴射角度αが同じでもよい。
Note that, among the plurality of
ただし、複数在る噴射ノズル３４１のうち、上方の噴射ノズル３４１と比較して、噴射角度αを狭めた噴射ノズル３４１は、なるべく多い方が好ましい。傾斜姿勢の基板の低い部位から、高い部位へ向けて、打力を高めることの変化を滑らかにできるから。
However, among the plurality of
図１０に示す構成要素では、噴射ノズル３４１が噴射する処理液の流量を、下方の噴射ノズル３４１を上方の噴射ノズル３４１より、多くしている。なお、この構成要素は、第１実施形態や第２実施形態には採用していない、他の構成要素である。
In the components shown in FIG. 10, the flow rate of the processing liquid ejected by the
下方の噴射ノズル３４１を上方の噴射ノズル３４１より、噴射する処理液の流量を多くしたことにより、基板Ｗの低い部位は、高い部位と比較して、噴射ノズル３４１から出た処理液の単位面積当たりの量が多いので、基板Ｗが受ける処理液の打力が強くなる。
By increasing the flow rate of the processing liquid sprayed from the
なお、複数在る噴射ノズル３４１のうち、必ずしも全ての噴射ノズル３４１が、当該噴射ノズル３４１より上方の噴射ノズル３４１と比較して、流量を多くすることが求められるわけではない。少なくとも一つの噴射ノズル３４１が、上方の噴射ノズル３４１より、流量が多ければよい。その他の噴射ノズル３４１においては、隣の噴射ノズル３４１と流量が同じでもよい。
Note that, among the plurality of
ただし、複数在る噴射ノズル３４１のうち、上方の噴射ノズル３４１と比較して、流量を多くした噴射ノズル３４１は、なるべく多い方が好ましい。傾斜姿勢の基板の低い部位から、高い部位へ向けて、打力を高めることの変化を滑らかにできるからである。
However, among the plurality of
ここまで、図６、図７、図８、図９、図１０を参照して、基板の低い部位で高い部位よりも処理液の打力を強くすることを可能にする幾つもの構成要素を例示列挙したが、そのことを可能にするのは、上記構成要素だけに限定されることはない。 Up to now, with reference to FIGS. 6, 7, 8, 9, and 10, a number of components that make it possible to increase the striking force of the processing liquid at the lower part of the substrate than at the higher part are illustrated. Although listed, this is not limited to the above components.
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述のもの以外に種々の変更を行うことが可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be modified in various ways other than those described above without departing from the spirit of the present invention.
本発明は、上記した各種の構成要素を、いずれか一つ、または、幾つかの構成要素を組み合わせて採用してもよい。また、基板の低い部位で高い部位よりも処理液の打力を強くすることを可能できれば上記構成要素とは別の構成要素を、採用してもよい。 The present invention may employ any one of the various components described above or a combination of several components. In addition, a component other than the above-described components may be employed as long as the striking force of the treatment liquid can be made stronger at a lower portion of the substrate than at a higher portion.
また、エッチング処理に本発明を適用した実施形態を説明したが、本発明は、エッチング処理に限らず、処理液を基板へ向けて噴射することにより、処理液の化学作用と、噴射による物理作用の双方を活用して基板表面に対して処理を施す処理に適用することができる。 Moreover, although embodiment which applied this invention to the etching process was described, this invention is not restricted to an etching process, By spraying a process liquid toward a board | substrate, the chemical action of a process liquid, and the physical effect | action by injection | spray It is possible to apply both to the processing for processing the substrate surface.
そのような処理の好適例としては、基板表面の不要物を除去する洗浄処理、現像処理、剥離処理などが挙げられる。なお、不要物とは、例えば、洗浄処理におけるパーティクルや自然酸化膜、カラーフィルタの現像処理におけるカラーレジスト、感光性ポリイミド樹脂、剥離処理におけるパーティクルやレジスト等である。 Preferable examples of such treatment include cleaning treatment for removing unnecessary materials on the substrate surface, development treatment, peeling treatment, and the like. The unnecessary materials are, for example, particles and natural oxide films in the cleaning process, color resists in the development process of color filters, photosensitive polyimide resins, particles and resists in the stripping process, and the like.
また、処理液も、処理の種類に応じて、洗浄液、現像液、剥離液、エッチング液などを使用することができ、どのような機能の液を用いるか限定されない。処理液の種類は、純水、酸、アルカリ、有機の薬液など、細かな氷の粒子を含む液など限定されない。 Further, as the processing solution, a cleaning solution, a developing solution, a stripping solution, an etching solution, or the like can be used depending on the type of processing, and there is no limitation on the function of the liquid used. The type of the treatment liquid is not limited to a liquid containing fine ice particles such as pure water, acid, alkali, or organic chemical liquid.
なお、本発明をエッチング処理に適用した場合には、エッチング処理に独特の優れた効果が期待できる。 When the present invention is applied to the etching process, an excellent effect unique to the etching process can be expected.
本発明では、傾斜姿勢の基板の高い部位に対しては、変更を加える必要はなく、低い部位に対して基板に噴射するエッチングの打力を強くすればよいから、基板の高い部位でのエッチング処理の仕上がりに悪影響を与えることなく、低い部位でのエッチング不足を解消できる。 In the present invention, it is not necessary to change the high portion of the inclined substrate, and it is only necessary to increase the etching force sprayed onto the substrate to the low portion. Insufficient etching at low sites can be resolved without adversely affecting the finish of the treatment.
すなわち、エッチング処理は、エッチング不足を解消せねばならないが、その影響で、エッチングを必要以上に進行させることを招いては成らない。例えば、フォトレジスト膜に対する剥離処理の場合、フォトレジスト膜を漏れなく除去するように、処理の不足を生じないことだけを目指せばよく、基板のどこかの部位で、フォトレジストの除去が十分進行した後に、まだ剥離処理を強く行っても、そのことで基板を損ねることはない。 That is, the etching process must eliminate the etching deficiency, but the influence should not cause the etching to proceed more than necessary. For example, in the case of a stripping process on a photoresist film, it is only necessary to aim at not causing a shortage of the process so that the photoresist film is removed without omission, and the removal of the photoresist is sufficiently advanced at some part of the substrate. After that, even if the peeling treatment is performed strongly, the substrate is not damaged by that.
エッチング処理の場合は、適正なエッチングの度合いを超えて、エッチング処理を進行させるような事態が、基板のどこかで生じると、過剰エッチングとなり、エッチングパターンの線幅がやせ細るなどの新たな不具合が生じてしまう。本発明をエッチング処理に適用した場合には、そのような不具合を来すことがなく、高品質で均一にエッチングをすることができる。 In the case of an etching process, if a situation that causes the etching process to proceed beyond the appropriate level of etching occurs somewhere on the substrate, overetching occurs and new defects such as thinning of the line width of the etching pattern occur. It will occur. When the present invention is applied to the etching process, it is possible to etch uniformly with high quality without causing such a problem.
また、本発明によって処理する基板は、液晶表示装置、プラズマ表示装置や有機ＥＬ表示装置等の画像表示装置用ガラス基板、フォトマスク用基板、光ディスク用基板、半導体ウエハ、太陽電池用基板等など、各種基板に対する処理に本発明は用いることができる。 The substrate to be processed according to the present invention is a glass substrate for an image display device such as a liquid crystal display device, a plasma display device or an organic EL display device, a substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, a semiconductor wafer, a substrate for a solar cell, etc. The present invention can be used for processing various substrates.
１ 基板処理装置
２ エッチングチャンバー
３ 基板搬送機構
４ 処理液供給機構
２１ 基板搬入側壁体
２２ 基板搬出側壁体
２３，２４ 側壁体
２５ 底壁体
２６ 基板搬入口
２７ 基板搬出口
３１ 下位軸受け部材
３２ 上位軸受け部材
３３ ローラ軸
３４ 搬送ローラ
３５ 補助ローラ
３６ 回転軸
３７ 補助軸受け部材
４１、２４１、３４１ 噴射ノズル
４２、２４２ スプレーパイプ
４３、２４３ ノズル吊下具
４４、２４４ 基板搬出側パイプ支持部材
Ｗ 基板
DESCRIPTION OF
Claims (7)
基板を傾斜姿勢で搬送する傾斜搬送手段と、
傾斜搬送手段により搬送される基板へ、処理液を噴射する複数の液噴射ノズルを備え、
前記複数の噴射ノズルは、傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルの間隔が、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルの間隔より狭く、
噴射ノズルから噴射された処理液の基板に対する打力が、傾斜姿勢の基板の低い部位が高い部位より強いことを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus that performs a wet process by supplying a processing liquid to a substrate,
An inclined conveying means for conveying the substrate in an inclined posture;
Provided with a plurality of liquid injection nozzles for injecting the processing liquid onto the substrate conveyed by the inclined conveyance means,
In the plurality of injection nozzles, an interval between the injection nozzles for injecting the processing liquid to a low part of the inclined substrate is smaller than an interval between the injection nozzles for injecting the processing liquid to a high part of the substrate,
A substrate processing apparatus, wherein a striking force of a processing liquid sprayed from a spray nozzle on a substrate is stronger at a lower portion of a tilted substrate than at a higher portion.
前記複数の噴射ノズルのうち、傾斜搬送手段の基板搬送方向と交差する方向に沿って配置された噴射ノズルは、傾斜搬送手段の基板搬送方向と交差する方向に関する噴射ノズルの間隔を、傾斜姿勢の基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルでは、狭くしたことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 ,
Among the plurality of spray nozzles, the spray nozzles arranged along the direction intersecting the substrate transport direction of the inclined transport unit are configured so that the interval between the spray nozzles in the direction intersecting the substrate transport direction of the tilt transport unit is A substrate processing apparatus characterized in that an injection nozzle for injecting a processing liquid to a lower part of the substrate is narrower than an injection nozzle for injecting a processing liquid to a higher part of the substrate.
前記複数の噴射ノズルのうち、傾斜搬送手段による基板搬送方向に沿って配置された噴射ノズルは、基板搬送方向に関する噴射ノズルの間隔を、傾斜姿勢の基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルでは、狭くしたことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2 ,
Among the plurality of spray nozzles, the spray nozzle arranged along the substrate transport direction by the tilt transport means sprays the processing liquid to a high part of the substrate in the tilt posture with the spray nozzle interval in the substrate transport direction. Further, the substrate processing apparatus is characterized in that the spray nozzle for spraying the processing liquid to a lower part of the substrate is narrowed.
基板を傾斜姿勢で搬送する傾斜搬送手段と、
傾斜搬送手段により搬送される基板へ、処理液を噴射する複数の液噴射ノズルを備え、
傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、基板との距離を近づけられており、
噴射ノズルから噴射された処理液の基板に対する打力が、傾斜姿勢の基板の低い部位が高い部位より強いことを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus that performs a wet process by supplying a processing liquid to a substrate,
An inclined conveying means for conveying the substrate in an inclined posture;
Provided with a plurality of liquid injection nozzles for injecting the processing liquid onto the substrate conveyed by the inclined conveyance means,
The injection nozzle for injecting the processing liquid to the low part of the substrate in the inclined posture is closer to the substrate than the injection nozzle for injecting the processing liquid to the high part of the substrate ,
A substrate processing apparatus, wherein a striking force of a processing liquid sprayed from a spray nozzle on a substrate is stronger at a lower portion of a tilted substrate than at a higher portion.
傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、噴射ノズル噴射角を、狭くしたことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4 ,
A substrate processing apparatus, wherein an injection nozzle for injecting a processing liquid to a low part of a substrate in an inclined posture has an injection nozzle injection angle narrower than an injection nozzle for injecting a processing liquid to a high part of the substrate.
傾斜姿勢の基板の低い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルは、基板の高い部位へ処理液を噴射する噴射ノズルより、噴射する処理液の流量を多くしたことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4 or 5 ,
The substrate processing apparatus, wherein the injection nozzle for injecting the processing liquid to a low part of the inclined substrate has a higher flow rate of the injecting processing liquid than the injection nozzle for injecting the processing liquid to a high part of the substrate.
前記噴射ノズルは、処理液としてエッチング液を噴射し、基板をエッチング処理することを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6 ,
The said injection | spray nozzle injects etching liquid as a processing liquid, and etches a board | substrate, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
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