JP2011071385A - Device and method for treating substrate - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and method for treating a substrate, individually recovering an etchant and a rinse agent even when the etchant is supplied onto the substrate in a liquid film-like form, and thereafter the substrate is subjected to rinse treatment. <P>SOLUTION: The device for treating a substrate includes: a plurality of transport rollers 9 for supporting a glass substrate 100 in the state where its principal surface is set in the horizontal direction, and horizontally transporting the glass substrate 100; treating/cleaning units 1a, 1b, 1c for supplying an etching to the glass substrate 100; a treating/cleaning unit 1d for supplying a rinse agent to the glass substrate 100; recovery trays 71 arranged for every treating/cleaning unit of 1a, 1b, 1c, 1d; and an air knife 7 arranged between the treating/cleaning unit 1c and the treating/cleaning unit 1d. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

この発明は、ＬＣＤ（液晶表示装置）やＰＤＰ（プラズマディスプレイ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用ガラス基板、有機ＥＬ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、半導体ウエハ、太陽電池および電子ペーパ用フィルム基板等の基板をエッチング液により処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。   The present invention relates to a glass substrate for FPD (flat panel display) such as LCD (liquid crystal display) and PDP (plasma display), a glass substrate for organic EL, a glass substrate for photomask, a substrate for optical disk, a semiconductor wafer, a solar cell, and The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a film substrate for electronic paper with an etching solution.

例えば、ＬＣＤの製造時には、アモルファスシリコン層をガラス基板上に形成し、このシリコン層表面の自然酸化膜をエッチング処理し、洗浄および乾燥処理をした後に、レーザーを照射してアモルファスシリコン層を溶融再結晶化している。このとき、エッチング工程等においては、従来、基板を水平に支持した状態で垂直軸まわりを回転させながら、その表面に順次エッチング液を供給して、基板の表面をエッチング処理する構成が採用されている。また、エッチング処理後の基板は強い撥水性を有することから、エッチング後の基板を低速回転させながら洗浄液を供給し、基板全面にその表面張力で洗浄液の液膜を形成した状態で洗浄処理を施し、しかる後、基板を高速回転させて洗浄液を除去する構成が採用されている（特許文献１参照）。   For example, when manufacturing an LCD, an amorphous silicon layer is formed on a glass substrate, a natural oxide film on the surface of the silicon layer is etched, washed and dried, and then irradiated with a laser to melt and regenerate the amorphous silicon layer. Crystallized. At this time, in the etching process or the like, conventionally, a configuration in which the surface of the substrate is etched by sequentially supplying an etching solution to the surface while rotating around the vertical axis while the substrate is horizontally supported is employed. Yes. In addition, since the substrate after the etching process has strong water repellency, the cleaning liquid is supplied while rotating the etched substrate at a low speed, and the cleaning process is performed in a state where a liquid film of the cleaning liquid is formed on the entire surface by the surface tension. Then, the structure which rotates a board | substrate at high speed and removes a washing | cleaning liquid is employ | adopted (refer patent document 1).

特開２００３−１７４６１JP2003-17461

近年の被処理基板の大型化により、特許文献１に記載された発明のように、基板を回転させながらエッチング処理を行うことは困難となっている。このため、基板を水平方向に搬送しながら、基板の表面に対してエッチング液を供給して、基板を処理することが提案されている。   Due to the recent increase in size of the substrate to be processed, it is difficult to perform the etching process while rotating the substrate as in the invention described in Patent Document 1. For this reason, it has been proposed to process the substrate by supplying an etching solution to the surface of the substrate while transporting the substrate in the horizontal direction.

すなわち、基板を複数の搬送ローラにより水平方向に向けて搬送しながら、基板の表面と対向配置されたスリットノズルやスプレーノズルから基板の表面にエッチング液を供給することにより、基板をエッチング液により処理することが考えられる。しかしながら、基板の表面が強い撥液性（撥水性）を有する場合には、エッチング液が基板の表面ではじかれてしまい、基板の表面全域にエッチング液を供給できないという問題が発生する。   That is, the substrate is processed with the etching solution by supplying the etching solution to the surface of the substrate from the slit nozzle or spray nozzle disposed opposite to the surface of the substrate while conveying the substrate in the horizontal direction by a plurality of conveying rollers. It is possible to do. However, when the surface of the substrate has strong liquid repellency (water repellency), the etching solution is repelled on the surface of the substrate, which causes a problem that the etching solution cannot be supplied to the entire surface of the substrate.

特に、エッチング液を使用したエッチング処理においては、エッチング処理を開始した後に基板の表面が強い撥液性となり、エッチング液が基板の表面ではじかれることになる。このため、極めて多量のエッチング液を基板の表面に供給することで、基板表面の全域にエッチング液を行き渡らせることも考えられるが、この場合には、極めて多量のエッチング液を消費するという問題が生ずる。   In particular, in an etching process using an etching solution, the surface of the substrate becomes strongly liquid repellent after the etching process is started, and the etching solution is repelled on the surface of the substrate. For this reason, it is conceivable that the etching solution is spread over the entire surface of the substrate by supplying an extremely large amount of the etching solution to the surface of the substrate. However, in this case, there is a problem that an extremely large amount of the etching solution is consumed. Arise.

このため、本出願人は、多量の処理液を消費することなく、基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提案している（特願２００９−０６２３９８号）。   For this reason, the present applicant has proposed a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of effectively supplying the processing liquid to the entire surface of the substrate without consuming a large amount of processing liquid (Japanese Patent Application No. 2009). -062398).

この発明を、基板に対してエッチング液を供給した後に、この基板をリンス液で洗浄する基板処理装置に適用した場合、基板の表面全域にエッチング液が保持されたまま、この基板がリンス液で洗浄されることになる。ここで、一般的に、エッチング液とリンス液とは、個別に回収され、排液処理されるが、上述したように、基板の表面全域にエッチング液が保持されたまま、この基板がリンス液で洗浄処理された場合には、リンス液中に多量のエッチング液が混入されることになる。このため、回収されたエッチング液のみならず、リンス液に対しても特殊な排液処理を行う必要が生ずる。   When the present invention is applied to a substrate processing apparatus that cleans the substrate with a rinsing liquid after supplying the etching liquid to the substrate, the substrate is rinsed with the etching liquid being held over the entire surface of the substrate. Will be washed. Here, generally, the etching solution and the rinsing liquid are individually collected and drained, but as described above, the substrate remains in the entire surface of the substrate while the etching liquid is retained. In the case where the cleaning process is performed, a large amount of etching solution is mixed in the rinsing solution. For this reason, it is necessary to perform a special drainage treatment not only on the recovered etching solution but also on the rinsing solution.

この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、基板上にエッチング液を液膜状に供給した後に、この基板をリンス処理する場合においても、エッチング液とリンス液とを個別に回収することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problem. Even when the substrate is rinsed after the etching solution is supplied onto the substrate, the etching solution and the rinsing solution are separately collected. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can be used.

請求項１に記載の発明は、基板をその主面が略水平方向となる状態で支持するとともに、その基板を略水平方向に搬送する搬送機構と、前記搬送機構により搬送される基板の表面に対してエッチング液を供給することにより、当該基板の表面にエッチング液の液膜を形成するエッチング液供給手段と、前記エッチング液供給手段により基板の表面に供給され、前記基板の端縁より流下したエッチング液を回収するエッチング液回収手段と、前記搬送機構により搬送されるエッチング液供給後の基板の表面に対してリンス液を供給することにより、当該基板の表面にリンス液の液膜を形成するリンス液供給手段と、前記リンス液供給手段により基板の表面に供給され、前記基板の端縁より流下したリンス液を回収するリンス液回収手段と、前記エッチング液供給手段と前記リンス液供給手段との間に配設され、前記エッチング液供給手段の作用によりエッチング液の液膜が形成された基板の表面に気体を供給することにより、前記基板の表面からエッチング液を流下させる気体供給手段とを備えたことを特徴とする。   According to the first aspect of the present invention, the substrate is supported in a state where the main surface thereof is in a substantially horizontal direction, and the substrate is conveyed on the surface of the substrate conveyed by the conveyance mechanism. On the other hand, an etching solution is supplied to the surface of the substrate by the etching solution supply unit by forming an etching solution liquid film on the surface of the substrate by supplying the etching solution, and then flows down from the edge of the substrate. An rinsing liquid film is formed on the surface of the substrate by supplying the rinsing liquid to the etching liquid collecting means for collecting the etching liquid and the surface of the substrate after the etching liquid is fed by the transport mechanism. A rinsing liquid supply means; a rinsing liquid recovery means for recovering a rinsing liquid supplied to the surface of the substrate by the rinsing liquid supply means and flowing down from an edge of the substrate; The surface of the substrate is disposed between the etching liquid supply means and the rinse liquid supply means, and gas is supplied to the surface of the substrate on which the liquid film of the etching liquid is formed by the action of the etching liquid supply means. And a gas supply means for causing the etching solution to flow down.

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記気体供給手段は、前記リンス液供給手段により基板の表面にリンス液が供給される直前に、前記基板の表面に気体を供給する。   According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the gas supply means supplies gas to the surface of the substrate immediately before the rinse liquid is supplied to the surface of the substrate by the rinse liquid supply means. Supply.

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記エッチング液供給手段は、下方を向くエッチング液吐出口が前記搬送機構による基板の搬送方向と交差する方向に延設されるとともに、前記エッチング液吐出口と前記搬送機構により搬送される基板の表面との距離が、それらの間が前記エッチング液吐出口より吐出されたエッチング液の液膜により液密状態となる位置に配置されたエッチング液吐出ノズルと、前記エッチング液吐出口と対向する位置にエッチング液の液溜まりを保持するエッチング液保持面を備え、前記エッチング液吐出口と前記エッチング液保持面との距離が、それらの間にエッチング液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材とを備える。   According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, the etching solution supply means has an etching solution discharge port facing downward extending in a direction crossing a substrate conveyance direction by the conveyance mechanism. In addition, the distance between the etching solution discharge port and the surface of the substrate transported by the transport mechanism is disposed at a position where the distance between the etching solution discharge port and the surface of the substrate that is transported by the transport mechanism is liquid-tight by the etchant liquid film discharged from the etching solution discharge port. An etching solution discharge nozzle, and an etching solution holding surface that holds a liquid pool of the etching solution at a position facing the etching solution discharge port, and the distance between the etching solution discharge port and the etching solution holding surface is And a liquid pool holding member disposed at a position where a liquid pool of the etching liquid can be formed.

請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記エッチング液吐出ノズルおよび前記液溜まり保持部材に対して前記搬送機構による基板の搬送方向の下流側に、前記搬送機構により搬送される基板の裏面に洗浄液を供給する裏面洗浄部を備える。   According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the transport mechanism transports the etching solution discharge nozzle and the liquid pool holding member to the downstream side of the transport direction of the substrate by the transport mechanism. A back surface cleaning unit for supplying a cleaning liquid to the back surface of the substrate to be manufactured.

請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記裏面洗浄部は、その上面に洗浄液の液溜まりを保持する洗浄液保持面を備える。   According to a fifth aspect of the present invention, in the invention according to the fourth aspect, the back surface cleaning section includes a cleaning liquid holding surface that holds a liquid pool of the cleaning liquid on an upper surface thereof.

請求項６に記載の発明は、搬送機構により主面が略水平方向となる状態で略水平方向に搬送される基板の表面より上方に配置されたエッチング液吐出ノズルからエッチング液を吐出することにより、前記エッチング液吐出ノズルと、前記搬送機構により搬送される基板の裏面より下方の前記エッチング液吐出ノズルと対向する位置に配置された液溜まり保持部材との間に、エッチング液の液溜まりを形成する液溜まり形成工程と、基板を略水平方向に搬送することにより、基板の先端を前記エッチング液吐出ノズルと前記液溜まり保持部材との間に形成されたエッチング液の液溜まり中に進入させる先端進入工程と、前記エッチング液吐出ノズルからエッチング液を吐出することにより、エッチング液吐出ノズルと基板との間をエッチング液により液密としたままの状態で基板を略水平方向に搬送して、基板の表面にエッチング液を供給するエッチング液供給工程と、基板を水平方向に搬送した状態で、前記基板の表面に気体を供給することにより、前記基板の表面からエッチング液を流下させる気体供給工程と、前記基板の表面から流下したエッチング液を回収するエッチング液回収工程と、基板を水平方向に搬送した状態で、前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給工程と、前記基板の表面から流下したリンス液を回収するリンス液回収工程とを備えたことを特徴とする。   According to the sixth aspect of the present invention, the etching solution is discharged from an etching solution discharge nozzle disposed above the surface of the substrate that is transferred in a substantially horizontal direction with the main surface being in a substantially horizontal direction by the transfer mechanism. A liquid pool of the etching liquid is formed between the etching liquid discharge nozzle and a liquid pool holding member disposed at a position facing the etching liquid discharge nozzle below the back surface of the substrate transported by the transport mechanism. A liquid reservoir forming step, and a front end that causes the front end of the substrate to enter a liquid pool of the etchant formed between the etchant discharge nozzle and the liquid pool holding member by transporting the substrate in a substantially horizontal direction. Etching solution is discharged between the etching solution discharge nozzle and the substrate by discharging the etching solution from the entry step and the etching solution discharge nozzle. An etchant supply process for transporting the substrate in a substantially horizontal direction in a more liquid-tight state and supplying an etchant to the surface of the substrate; and a gas on the surface of the substrate in a state of transporting the substrate in the horizontal direction. Gas supply step for flowing the etchant from the surface of the substrate, etching solution recovery step for recovering the etchant flowing from the surface of the substrate, and transporting the substrate in the horizontal direction, A rinsing liquid supply step for supplying a rinsing liquid to the surface of the substrate, and a rinsing liquid recovery step for recovering the rinsing liquid flowing down from the surface of the substrate are provided.

請求項１に記載の発明によれば、基板上にエッチング液を液膜状に供給した後に、この基板をリンス処理する場合においても、基板の表面に供給される気体により、リンス液中にエッチング液が混入することを防止することができ、エッチング液とリンス液とを個別に回収することが可能となる。   According to the first aspect of the present invention, even when the substrate is rinsed after the etching solution is supplied onto the substrate in the form of a liquid film, the etching is performed in the rinse solution by the gas supplied to the surface of the substrate. Mixing of the liquid can be prevented, and the etching liquid and the rinsing liquid can be individually collected.

請求項２に記載の発明によれば、エッチング液による基板の処理を十分に実行した上で基板の表面に気体を供給することにより、リンス液中にエッチング液が混入することを防止することができ、エッチング液とリンス液とを個別に回収することが可能となる。   According to the second aspect of the present invention, it is possible to prevent the etching liquid from being mixed into the rinsing liquid by sufficiently supplying the gas to the surface of the substrate after sufficiently processing the substrate with the etching liquid. In addition, the etching solution and the rinsing solution can be collected separately.

請求項３に記載の発明によれば、エッチング液吐出ノズルと液溜まり保持部材との間に形成された液溜まりの作用により、搬送機構により搬送される基板の表面の先端部全域にエッチング液を供給でき、またその後は、エッチング液吐出ノズルと基板の表面との間をエッチング液の液膜により液密状態として基板の表面にエッチング液を供給することができる。このため、基板の表面が撥液性となっても、多量のエッチング液を消費することなく、基板の表面全域に有効にエッチング液を供給することが可能となる。   According to the third aspect of the present invention, the etching liquid is applied to the entire front end portion of the surface of the substrate transported by the transport mechanism by the action of the liquid pool formed between the etching liquid discharge nozzle and the liquid pool holding member. After that, the etching solution can be supplied to the surface of the substrate by making a liquid-tight state between the etching solution discharge nozzle and the surface of the substrate by a liquid film of the etching solution. For this reason, even if the surface of the substrate becomes liquid repellent, the etching solution can be effectively supplied to the entire surface of the substrate without consuming a large amount of the etching solution.

請求項４に記載の発明によれば、基板の先端部が液溜まりに進入するときに基板に裏面に回り込むエッチング液を洗浄除去することが可能となる。   According to the fourth aspect of the present invention, it is possible to clean and remove the etching solution that enters the back surface of the substrate when the tip of the substrate enters the liquid pool.

請求項５に記載の発明によれば、基板の裏面と裏面洗浄部との間を洗浄液の液膜により液密状態として、基板の裏面の洗浄を行うことが可能となる。   According to the fifth aspect of the present invention, the back surface of the substrate can be cleaned by making the space between the back surface of the substrate and the back surface cleaning portion liquid-tight with the liquid film of the cleaning liquid.

請求項６に記載の発明によれば、基板上にエッチング液膜状に供給した後に、この基板をリンス処理する場合においても、基板の表面に供給される気体により、リンス液中にエッチング液が混入することを防止することができ、エッチング液とリンス液とを個別に回収することが可能となる。また、エッチング液吐出ノズルと液溜まり保持部材との間に形成された液溜まりの作用により、搬送機構により搬送される基板の表面の先端部全域にエッチング液を供給でき、またその後は、エッチング液吐出ノズルと基板の表面との間をエッチング液に液膜により液密状態として基板の表面にエッチング液を供給することができる。このため、基板の表面が撥液性となっても、多量のエッチング液を消費することなく、基板の表面全域に有効にエッチング液を供給することが可能となる。   According to the invention described in claim 6, even when the substrate is rinsed after being supplied in the form of an etching solution film on the substrate, the etching solution is contained in the rinse solution by the gas supplied to the surface of the substrate. Mixing can be prevented, and it becomes possible to collect | recover an etching liquid and a rinse liquid separately. Further, due to the action of the liquid pool formed between the etching liquid discharge nozzle and the liquid pool holding member, the etching liquid can be supplied to the entire front end portion of the surface of the substrate transported by the transport mechanism. The etching solution can be supplied to the surface of the substrate by making the liquid state between the discharge nozzle and the surface of the substrate with a liquid film of the etching solution. For this reason, even if the surface of the substrate becomes liquid repellent, the etching solution can be effectively supplied to the entire surface of the substrate without consuming a large amount of the etching solution.

この発明に係る基板処理装置の側面概要図である。It is a side surface schematic diagram of the substrate processing apparatus concerning this invention. 処理・洗浄ユニット１を拡大して示す側面図である。It is a side view which expands and shows the process and washing | cleaning unit. エッチング液吐出ノズル２の下面図である。4 is a bottom view of an etching liquid discharge nozzle 2. FIG. エッチング液吐出ノズル２へのエッチング液の供給機構を示す概要図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a mechanism for supplying an etchant to an etchant discharge nozzle 2. 液溜まり保持部材３の概要を示す図である。FIG. 3 is a view showing an outline of a liquid pool holding member 3. 液溜まり保持部材３の部分斜視図である。4 is a partial perspective view of a liquid pool holding member 3. FIG. 他の実施形態に係る液溜まり保持部材３の部分斜視図である。It is a fragmentary perspective view of the liquid pool holding member 3 which concerns on other embodiment. 裏面洗浄部４の概要を示す図である。It is a figure which shows the outline | summary of the back surface cleaning part. この発明に係る基板処理装置によるガラス基板１００の処理動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention. この発明に係る基板処理装置によるガラス基板１００の処理動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention. この発明に係る基板処理装置によるガラス基板１００の処理動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention. この発明に係る基板処理装置によるガラス基板１００の処理動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention. この発明に係る基板処理装置によるガラス基板１００の処理動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention. この発明に係る基板処理装置によるガラス基板１００の処理動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention. この発明に係る基板処理装置によるガラス基板１００の処理動作を示す平面図である。It is a top view which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention.

以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明に係る基板処理装置の側面概要図である。また、図２は、処理・洗浄ユニット１を拡大して示す側面図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is an enlarged side view showing the processing / cleaning unit 1.

この基板処理装置は、アモルファスシリコン層がその表面に形成されたガラス基板１００に対してレーザーアニールを行う前に、シリコン層表面に形成された酸化膜のエッチングを行うためのものである。この基板処理装置は、ガラス基板１００をその主面が水平方向となる状態で支持するとともに、このガラス基板１００を水平方向に搬送する複数の搬送ローラ９と、４個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ（これらを総称するときには「処理・洗浄ユニット１」という）と、各処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ毎に配設された回収トレー７１と、処理・洗浄ユニット１ｃと処理・洗浄ユニット１ｄとの間に配設されたエアナイフ７とを備える。   This substrate processing apparatus is for etching an oxide film formed on the surface of a silicon layer before performing laser annealing on the glass substrate 100 on which the amorphous silicon layer is formed. The substrate processing apparatus supports the glass substrate 100 in a state where its main surface is in the horizontal direction, and also includes a plurality of transport rollers 9 for transporting the glass substrate 100 in the horizontal direction, four processing / cleaning units 1a, 1b, 1c, 1d (collectively referred to as “processing / cleaning unit 1”), a collection tray 71 disposed for each processing / cleaning unit 1a, 1b, 1c, 1d, and processing / cleaning unit 1c And an air knife 7 disposed between the processing / cleaning unit 1d.

なお、後述するように、３個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃからは、ガラス基板１００に対してエッチング液が供給され、他の処理・洗浄ユニット１ｄからはガラス基板１００に対してリンス液としての純水が供給される。但し、これら４個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの構成は同様であることから、以下の説明においては、エッチング液を供給する場合を主体に、これらの構造をまとめて説明する。   As will be described later, the etching liquid is supplied to the glass substrate 100 from the three processing / cleaning units 1a, 1b, and 1c, and the glass substrate 100 is rinsed from the other processing / cleaning units 1d. Pure water as a liquid is supplied. However, since these four processing / cleaning units 1a, 1b, 1c, and 1d have the same configuration, in the following description, these structures will be described collectively with a focus on supplying an etching solution. .

処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃは、複数の搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面にエッチング液を供給するためのエッチング液吐出ノズル２と、このエッチング液吐出ノズル２との間にエッチング液の液溜まりを形成するための液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の裏面を洗浄するための一対の裏面洗浄部４とを備える。搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００に対し、３個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃの作用により、順次、その表面へのエッチング液の供給と、その裏面の洗浄とが実行される。   The processing / cleaning units 1a, 1b, and 1c are provided between the etching solution discharge nozzle 2 and the etching solution discharge nozzle 2 for supplying the etching solution to the surface of the glass substrate 100 conveyed by the plurality of conveyance rollers 9. A liquid pool holding member 3 for forming a liquid pool of an etching solution and a pair of back surface cleaning units 4 for cleaning the back surface of the glass substrate 100 are provided. The glass substrate 100 transported by the transport roller 9 is sequentially supplied with the etching liquid and cleaned the back surface thereof by the action of the three processing / cleaning units 1a, 1b, and 1c. .

なお、処理・洗浄ユニット１ｄは、エッチング液にかえてリンス液を供給する以外は、処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃと同様の構成を有する。すなわち、処理・洗浄ユニット１ｄは、複数の搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面にリンス液を供給するためのリンス液吐出ノズル２と、このリンス液吐出ノズル２との間にリンス液の液溜まりを形成するための液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の裏面を洗浄するための一対の裏面洗浄部４とを備える。搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００に対し、処理・洗浄ユニット１ｄの作用により、その表面へのリンス液の供給と、その裏面の洗浄とが実行される。   The processing / cleaning unit 1d has the same configuration as the processing / cleaning units 1a, 1b, 1c except that a rinsing liquid is supplied instead of the etching liquid. In other words, the processing / cleaning unit 1 d has a rinsing liquid between the rinsing liquid discharge nozzle 2 for supplying the rinsing liquid to the surface of the glass substrate 100 conveyed by the plurality of conveying rollers 9 and the rinsing liquid discharge nozzle 2. The liquid pool holding member 3 for forming the liquid pool and a pair of back surface cleaning units 4 for cleaning the back surface of the glass substrate 100 are provided. The glass substrate 100 transported by the transport roller 9 is supplied with the rinsing liquid on the front surface and cleaned on the back surface by the action of the processing / cleaning unit 1d.

処理・洗浄ユニット１ｃと処理・洗浄ユニット１ｄとの間には、エアナイフ７が配設されている。このエアナイフ７は、処理・洗浄ユニット１ｃの作用によりエッチング液の液膜が形成されたガラス基板１００の表面に圧縮空気を供給することにより、このガラス基板１００の表面からエッチング液を流下させるためのものである。このエアナイフ７からは、クリーンドライエアと呼ばれる圧縮空気が噴出される。この圧縮空気にかえて、窒素ガス等のその他の気体を噴出しても良い。   An air knife 7 is disposed between the processing / cleaning unit 1c and the processing / cleaning unit 1d. The air knife 7 supplies the compressed air to the surface of the glass substrate 100 on which a liquid film of the etching solution is formed by the action of the processing / cleaning unit 1c, thereby causing the etching solution to flow down from the surface of the glass substrate 100. Is. Compressed air called clean dry air is ejected from the air knife 7. Instead of this compressed air, other gases such as nitrogen gas may be ejected.

最初に、洗浄・処理ユニット１におけるエッチング液吐出ノズル２の構成について説明する。図３は、エッチング液吐出ノズル２の下面図である。なお、上述したように、以下の説明においては、エッチング液を供給するための構成について説明するが、リンス液を供給するための構成もこれと同様である。   First, the configuration of the etching solution discharge nozzle 2 in the cleaning / processing unit 1 will be described. FIG. 3 is a bottom view of the etching liquid discharge nozzle 2. As described above, in the following description, the configuration for supplying the etching liquid will be described, but the configuration for supplying the rinsing liquid is the same as this.

このエッチング液吐出ノズル２は、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００と対向する下面に、多数のエッチング液吐出口２１が形成された構成を有する。これらのエッチング液吐出口２１は、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向に列設されている。このエッチング液吐出口２１は、例えば、０．５ｍｍ程度の直径を有し、エッチング液吐出ノズル２の長手方向（搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向）に、５ｍｍ乃至１０ｍｍ程度のピッチで形成されている。このエッチング液吐出口２１は、ガラス基板１００の幅方向（搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向）全域にわたって設けられている。   The etching solution discharge nozzle 2 has a configuration in which a large number of etching solution discharge ports 21 are formed on the lower surface facing the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9. These etching solution discharge ports 21 are arranged in a direction orthogonal to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9. The etching liquid discharge port 21 has a diameter of about 0.5 mm, for example, and is 5 mm in the longitudinal direction of the etching liquid discharge nozzle 2 (a direction orthogonal to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9). It is formed with a pitch of about 10 mm. The etching solution discharge port 21 is provided over the entire width direction of the glass substrate 100 (direction orthogonal to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9).

ガラス基板１００の処理時には、後述するように、このエッチング液吐出口２１からエッチング液が吐出され、ガラス基板１００の表面に供給される。このとき、後述するように、エッチング液吐出口２１と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面との距離は、それらの間がエッチング液吐出口２１より吐出されたエッチング液の液膜により液密状態となるようにする必要があることから、できるだけ小さいことが好ましい。一方、エッチング液吐出口２１と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面との距離を過度に小さくすると、ガラス基板１００とエッチング液吐出ノズル２とが衝突するおそれがある。ガラス基板１００とエッチング液吐出ノズル２との衝突を回避しながら、エッチング液吐出ノズル２とガラス基板１００の表面との間をエッチング液の液膜により液密状態とするためには、エッチング液吐出ノズル２におけるエッチング液吐出口２１（すなわち、エッチング液吐出ノズル２の下面）と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面との距離Ｄ１（図２参照）は、１ｍｍ乃至２ｍｍとすることが好ましい。   During the processing of the glass substrate 100, as will be described later, the etching solution is discharged from the etching solution discharge port 21 and supplied to the surface of the glass substrate 100. At this time, as will be described later, the distance between the etching solution discharge port 21 and the surface of the glass substrate 100 conveyed by the conveying roller 9 is determined by the liquid film of the etching solution discharged from the etching solution discharge port 21 between them. Since it is necessary to be in a liquid-tight state, it is preferably as small as possible. On the other hand, if the distance between the etching solution discharge port 21 and the surface of the glass substrate 100 conveyed by the conveying roller 9 is excessively reduced, the glass substrate 100 and the etching solution discharge nozzle 2 may collide. In order to avoid a collision between the glass substrate 100 and the etching solution discharge nozzle 2 and to make a liquid-tight state between the etching solution discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 with a liquid film of the etching solution, the etching solution discharge The distance D1 (see FIG. 2) between the etching solution discharge port 21 (that is, the lower surface of the etching solution discharge nozzle 2) in the nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 conveyed by the conveying roller 9 is 1 mm to 2 mm. preferable.

また、エッチング液吐出ノズル２と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面との間が、エッチング液吐出口２１より吐出されたエッチング液の液膜により液密状態となるようにするためには、エッチング液吐出ノズル２の下面の形状を、平面状とするか、あるいは、ガラス基板１００の搬送方向と鉛直方向とを含む平面による断面形状が下方が凸となる円弧状とすることが好ましい。このような形状を採用することにより、エッチング液吐出ノズル２とガラス基板１００の表面との間にエッチング液の液膜を形成することができ、液密状態を容易に達成することが可能となる。なお、エッチング液吐出ノズル２の下面を上述したような下方が凸となる円弧状とするためには、エッチング液吐出ノズル２を、例えば、複数のエッチング液吐出口がその下端部に形成されたパイプから構成すればよい。そして、このエッチング液吐出ノズル２の材質は、金属イオン等が溶出することがなく、処理の清浄性を確保できる、例えば、フッ素樹脂製のものを採用することが好ましい。   In addition, in order to make a liquid-tight state between the etching solution discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 conveyed by the conveying roller 9 by the liquid film of the etching solution discharged from the etching solution discharge port 21. The shape of the lower surface of the etching solution discharge nozzle 2 is preferably a flat shape, or the cross-sectional shape by a plane including the transport direction and the vertical direction of the glass substrate 100 is preferably an arc shape with a convex downward. . By adopting such a shape, a liquid film of the etching liquid can be formed between the etching liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100, and a liquid-tight state can be easily achieved. . In addition, in order to make the lower surface of the etching solution discharge nozzle 2 into an arc shape with a convex downward as described above, the etching solution discharge nozzle 2 has, for example, a plurality of etching solution discharge ports formed at the lower end thereof. What is necessary is just to comprise from a pipe. As the material of the etching solution discharge nozzle 2, it is preferable to employ, for example, a fluororesin material that does not elute metal ions or the like and can ensure the cleanliness of processing.

図４は、エッチング液吐出ノズル２へのエッチング液の供給機構を示す概要図である。   FIG. 4 is a schematic diagram showing an etching solution supply mechanism to the etching solution discharge nozzle 2.

図４（ａ）に示すように、エッチング液吐出ノズル２は、エッチング液を貯留する貯留槽２２と、管路２３を介して接続されている。この貯留槽２２は、エッチング液吐出ノズル２よりも上方の位置に配置されており、管路２３には、開閉弁２４が配設されている。このため、開閉弁２４を開放することにより、貯留槽２２内のエッチング液がエッチング液吐出ノズル２のエッチング液吐出口２１から吐出される。   As shown in FIG. 4A, the etching solution discharge nozzle 2 is connected to a storage tank 22 that stores the etching solution via a conduit 23. The storage tank 22 is disposed at a position above the etching solution discharge nozzle 2, and an open / close valve 24 is disposed in the pipe line 23. For this reason, by opening the on-off valve 24, the etching liquid in the storage tank 22 is discharged from the etching liquid discharge port 21 of the etching liquid discharge nozzle 2.

図４（ｂ）は、エッチング液吐出ノズル２へのエッチング液の供給機構の他の実施形態を示している。この実施形態においては、エッチング液吐出ノズル２は、エッチング液を貯留する貯留槽２２と、管路２３を介して接続されており、管路２３にはポンプ２５が配設されている。この実施形態においては、ポンプ２５の駆動により、貯留槽２２内のエッチング液がエッチング液吐出ノズル２のエッチング液吐出口２１から吐出される。   FIG. 4B shows another embodiment of a mechanism for supplying an etching solution to the etching solution discharge nozzle 2. In this embodiment, the etching solution discharge nozzle 2 is connected to a storage tank 22 that stores the etching solution via a conduit 23, and a pump 25 is disposed in the conduit 23. In this embodiment, the pump 25 is driven to discharge the etching solution in the storage tank 22 from the etching solution discharge port 21 of the etching solution discharge nozzle 2.

なお、エッチング液吐出ノズル２におけるエッチング液吐出口２１としては、ガラス基板１００を処理しないときのエッチング液の流下を防止するため、そこに供給されたエッチング液に圧力が付与されない状態においては、エッチング液の表面張力の作用によりエッチング液吐出口２１よりエッチング液が流下しない大きさとすることが好ましい。すなわち、図４（ａ）に示す開閉弁２４が閉止され、あるいは、図４（ｂ）におけるポンプ２５が駆動していない状態においては、エッチング液の表面張力の作用によりエッチング液吐出口２１よりエッチング液が流下しない大きさである。このエッチング液吐出口２１の大きさとしては、エッチング液の粘度にも左右されるが、上述したように０．５ｍｍ程度とすることが好ましい。   Note that the etching solution discharge port 21 in the etching solution discharge nozzle 2 is an etching solution in a state where no pressure is applied to the etching solution supplied thereto in order to prevent the etching solution from flowing down when the glass substrate 100 is not processed. It is preferable that the etching liquid does not flow down from the etching liquid discharge port 21 due to the surface tension of the liquid. That is, when the on-off valve 24 shown in FIG. 4A is closed or the pump 25 in FIG. 4B is not driven, etching is performed from the etching solution discharge port 21 due to the surface tension of the etching solution. The liquid does not flow down. The size of the etching solution discharge port 21 depends on the viscosity of the etching solution, but is preferably about 0.5 mm as described above.

但し、ガラス基板１００の搬送方向に列設された多数のエッチング液吐出口２１に替えて、ガラス基板１００の搬送方向に延びるスリット状の吐出口を採用してもよい。   However, instead of the many etching solution discharge ports 21 arranged in the transport direction of the glass substrate 100, slit-shaped discharge ports extending in the transport direction of the glass substrate 100 may be employed.

上述した３個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃからは、エッチング液が供給される。このようなエッチング液としては、例えば、フッ酸（フッ化水素酸／ＨＦ）が使用される。なお、意図的にガラス基板１００の表面に均一な酸化膜を形成するため、処理・洗浄ユニット１ａから、フッ酸に代えてオゾン水を供給してもよい。一方、処理・洗浄ユニット１ｄからは、リンス液としての純水が供給される。   Etching liquid is supplied from the three processing / cleaning units 1a, 1b, and 1c described above. As such an etchant, for example, hydrofluoric acid (hydrofluoric acid / HF) is used. In order to intentionally form a uniform oxide film on the surface of the glass substrate 100, ozone water may be supplied from the processing / cleaning unit 1a instead of hydrofluoric acid. On the other hand, pure water as a rinse liquid is supplied from the treatment / cleaning unit 1d.

次に、洗浄・処理ユニット１における液溜まり保持部材３の構成について説明する。図５は、液溜まり保持部材３の概要を示す図であり、図５（ａ）は液溜まり保持部材３の縦断面図、また、図５（ｂ）は液溜まり保持部材３の部分平面図である。さらに、図６は、液溜まり保持部材３の部分斜視図である。   Next, the configuration of the liquid pool holding member 3 in the cleaning / processing unit 1 will be described. FIG. 5 is a view showing an outline of the liquid pool holding member 3, FIG. 5 (a) is a longitudinal sectional view of the liquid pool holding member 3, and FIG. 5 (b) is a partial plan view of the liquid pool holding member 3. It is. FIG. 6 is a partial perspective view of the liquid pool holding member 3.

この液溜まり保持部材３は、エッチング液吐出ノズル２との間にエッチング液の液溜まりを形成するためのものである。この液溜まり保持部材３は、エッチング液吐出ノズル２のエッチング液吐出口２１と対向する位置に、エッチング液の液溜まりを保持するエッチング液保持面３１を備える。そして、そのエッチング液保持面３１には、エッチング液の液溜まり保持用の凹部３２が凹設されている。   The liquid pool holding member 3 is for forming a liquid pool of the etching liquid between the etching liquid discharge nozzle 2. The liquid pool holding member 3 includes an etching liquid holding surface 31 that holds a liquid pool of the etching liquid at a position facing the etching liquid discharge port 21 of the etching liquid discharge nozzle 2. The etching solution holding surface 31 is provided with a recess 32 for holding a pool of etching solution.

この凹部３２は、エッチング液保持面３１に好適にエッチング液の液溜まりを保持するために使用される。すなわち、液溜まり保持部材３の材質としては、金属イオン等が溶出することがなく、処理の清浄性を確保できる、エッチング液吐出ノズル２と同様の、例えば、フッ素樹脂製のものを採用することが好ましい。ここで、フッ素樹脂はエッチング液をはじく強い撥液性を有する。このため、エッチング液が液溜まり保持部材３におけるエッチング液保持面３１から流下しやすくなる。このような流下を防止するために、エッチング液保持面３１には凹部３２が形成されている。なお、液溜まり保持部材３の材質として塩化ビニール等の樹脂を使用する場合には、この凹部３２を省略してもよい。   The recess 32 is used for suitably holding a liquid pool of the etching liquid on the etching liquid holding surface 31. That is, as the material for the liquid pool holding member 3, for example, a material made of a fluororesin, for example, similar to the etching liquid discharge nozzle 2, which can ensure the cleanliness of the process without elution of metal ions or the like is adopted. Is preferred. Here, the fluororesin has strong liquid repellency that repels the etching solution. For this reason, it becomes easy for the etching liquid to flow down from the etching liquid holding surface 31 of the liquid pool holding member 3. In order to prevent such a flow down, a recess 32 is formed in the etching solution holding surface 31. In addition, when using resin, such as a vinyl chloride, as the material of the liquid pool holding member 3, this recessed part 32 may be abbreviate | omitted.

図５および図６に示すように、この凹部３２は、液溜まり保持部材３の長手方向（搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向）に延びる形状を有する。この凹部３２は、ガラス基板１００の幅方向（搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向）の全域にわたって形成されている。但し、この凹部３２はこのような形状に限定されるものではない。   As shown in FIGS. 5 and 6, the recess 32 has a shape extending in the longitudinal direction of the liquid pool holding member 3 (direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9). The recess 32 is formed over the entire region in the width direction of the glass substrate 100 (a direction orthogonal to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9). However, the recess 32 is not limited to such a shape.

図７は、他の実施形態に係る液溜まり保持部材３の部分斜視図である。   FIG. 7 is a partial perspective view of a liquid pool holding member 3 according to another embodiment.

図７に示すように、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向に列設された複数の凹部３３を使用してもよい。この場合には、エッチング液吐出ノズル２におけるエッチング液吐出口２１と液溜まり保持部３の凹部３３とは、必ずしも対向していなくてもよい。エッチング液吐出ノズル２におけるエッチング液吐出口２１と液溜まり保持部３の凹部３３とが、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向に対して同一の位置にあればよい。   As shown in FIG. 7, a plurality of concave portions 33 arranged in a direction orthogonal to the conveyance direction of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9 may be used. In this case, the etching solution discharge port 21 in the etching solution discharge nozzle 2 and the recess 33 of the liquid pool holding unit 3 do not necessarily have to face each other. The etching solution discharge port 21 in the etching solution discharge nozzle 2 and the concave portion 33 of the liquid pool holding unit 3 may be at the same position with respect to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9.

ガラス基板１００にエッチング液を供給する前の段階で、後述するように、エッチング液吐出ノズル２のエッチング液吐出口２１からエッチング液が吐出され、エッチング液吐出ノズル２と液溜まり保持部３のエッチング液保持面３１との間に、エッチング液の液溜まりを形成する必要がある。このためには、エッチング液吐出ノズル２と液溜まり保持部３のエッチング液保持面３１との距離は、ガラス基板１００が通過できる範囲で、できるだけ小さいことが好ましい。一方、液溜まり保持部３と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の裏面との距離を過度に小さくすると、ガラス基板１００と液溜まり保持部３とが衝突するおそれがある。ガラス基板１００と液溜まり保持部３との衝突を回避しながら、エッチング液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３との間にエッチング液の液溜まりを形成するためには、液溜まり保持部材３におけるエッチング液保持面３１と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の裏面との距離Ｄ２（図２参照）は、１ｍｍ乃至２ｍｍとすることが好ましい。   In the stage before supplying the etchant to the glass substrate 100, as will be described later, the etchant is discharged from the etchant discharge port 21 of the etchant discharge nozzle 2, and etching of the etchant discharge nozzle 2 and the liquid reservoir holding unit 3 is performed. It is necessary to form a liquid pool of the etching liquid between the liquid holding surface 31 and the liquid holding surface 31. For this purpose, it is preferable that the distance between the etching solution discharge nozzle 2 and the etching solution holding surface 31 of the liquid holding unit 3 is as small as possible within a range in which the glass substrate 100 can pass. On the other hand, if the distance between the liquid pool holding unit 3 and the back surface of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9 is excessively small, the glass substrate 100 and the liquid pool holding unit 3 may collide. In order to form a liquid pool of the etching liquid between the etching liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding member 3 while avoiding a collision between the glass substrate 100 and the liquid pool holding part 3, The distance D2 (see FIG. 2) between the etching solution holding surface 31 and the back surface of the glass substrate 100 conveyed by the conveying roller 9 is preferably 1 mm to 2 mm.

なお、エッチング液吐出ノズル２と液溜まり保持部３のエッチング液保持面３１との間に形成されるエッチング液の液溜まりは、エッチング液吐出ノズル２と液溜まり保持部３のエッチング液保持面３１との間の全域に形成される必要はない。例えば、エッチング液吐出ノズル２の長手方向におけるところどころの領域で、部分的に液溜まりが形成されない領域が存在してもよい。エッチング液吐出ノズル２と液溜まり保持部３のエッチング液保持面３１との間の一定の領域に液溜まりが形成されれば、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の先端部が液溜まりに進入するときに、エッチング液吐出ノズル２と液溜まり保持部３のエッチング液保持面３１との間の一定の領域に形成された液溜まりを、エッチング液吐出ノズル２と液溜まり保持部３のエッチング液保持面３１との間の全領域に広げることができる。   Note that the liquid pool of the etching liquid formed between the etching liquid discharge nozzle 2 and the etching liquid holding surface 31 of the liquid pool holding section 3 is the etching liquid holding surface 31 of the etching liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding section 3. It is not necessary to be formed in the whole area between. For example, there may be a region where a liquid pool is not partially formed in various regions in the longitudinal direction of the etching solution discharge nozzle 2. If a liquid pool is formed in a certain region between the etching liquid discharge nozzle 2 and the etching liquid holding surface 31 of the liquid pool holding section 3, the tip of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9 becomes a liquid pool. When entering, the liquid pool formed in a certain region between the etching liquid discharge nozzle 2 and the etching liquid holding surface 31 of the liquid pool holding section 3 is etched into the etching liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding section 3. The entire area between the liquid holding surface 31 and the liquid holding surface 31 can be expanded.

次に、洗浄・処理ユニット１における裏面洗浄部４の構成について説明する。図８は、裏面洗浄部４の概要を示す図であり、図８（ａ）は裏面洗浄部４の部分斜視図、また、図８（ｂ）は裏面洗浄部４の縦断面図である。   Next, the configuration of the back surface cleaning unit 4 in the cleaning / processing unit 1 will be described. FIG. 8 is a diagram showing an outline of the back surface cleaning unit 4, FIG. 8A is a partial perspective view of the back surface cleaning unit 4, and FIG. 8B is a longitudinal sectional view of the back surface cleaning unit 4.

この裏面洗浄部４はガラス基板１００の裏面を洗浄するためのものである。この裏面洗浄部１００は、図１および図２に示すように、４個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの各々において、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向に沿って一対配設されている。この裏面洗浄部４は、その上面が洗浄液の液溜まりを保持する洗浄液保持面４２となっている。そして、この洗浄液保持面４２には、洗浄液の液溜まり保持用の凹部４３が凹設されており、この凹部４３内には洗浄液吐出口４１が形成されている。   The back surface cleaning unit 4 is for cleaning the back surface of the glass substrate 100. As shown in FIGS. 1 and 2, the back surface cleaning unit 100 is provided along the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9 in each of the four processing / cleaning units 1a, 1b, 1c, and 1d. A pair is arranged. The upper surface of the back surface cleaning unit 4 is a cleaning liquid holding surface 42 that holds a pool of cleaning liquid. The cleaning liquid holding surface 42 is provided with a concave portion 43 for holding a cleaning liquid reservoir, and a cleaning liquid discharge port 41 is formed in the concave portion 43.

凹部４３は、洗浄液保持面４２に好適に洗浄液の液溜まりを保持するために使用される。すなわち、裏面洗浄部４の材質としては、金属イオン等が溶出することがなく、処理の清浄性を確保できる、エッチング液吐出ノズル２や液溜まり保持部３と同様の、例えば、フッ素樹脂製のものを採用することが好ましい。ここで、フッ素樹脂は洗浄液をはじく強い撥液性を有する。このため、洗浄液が裏面洗浄部４における洗浄液保持面４２から流下しやすくなる。このような流下を防止するために、洗浄液保持面４２には凹部４３が形成されている。なお、裏面洗浄部４の材質として塩化ビニール等の樹脂を使用する場合には、この凹部４３を省略してもよい。   The recess 43 is preferably used for holding a cleaning liquid pool on the cleaning liquid holding surface 42. That is, as the material of the back surface cleaning unit 4, metal ions or the like are not eluted, and the cleanliness of the process can be ensured, as in the etching solution discharge nozzle 2 and the liquid pool holding unit 3, for example, made of fluororesin It is preferable to employ one. Here, the fluororesin has strong liquid repellency that repels the cleaning liquid. For this reason, the cleaning liquid easily flows down from the cleaning liquid holding surface 42 in the back surface cleaning unit 4. In order to prevent such a flow-down, a recess 43 is formed in the cleaning liquid holding surface 42. In addition, when using resin, such as a vinyl chloride, as a material of the back surface washing | cleaning part 4, you may abbreviate | omit this recessed part 43. FIG.

図８（ａ）に示すように、この凹部４３は、裏面洗浄部４の長手方向（搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向）に延びる形状を有する。この凹部４３は、ガラス基板１００の幅方向（搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向）の全域にわたって形成されている。そして、洗浄液吐出口４１は、凹部４３に沿って複数個列設されている。   As shown in FIG. 8A, the recess 43 has a shape extending in the longitudinal direction of the back surface cleaning unit 4 (direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9). The recess 43 is formed over the entire width direction of the glass substrate 100 (a direction orthogonal to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9). A plurality of cleaning liquid discharge ports 41 are arranged along the recess 43.

ガラス基板１００の処理時には、後述するように、この洗浄液吐出口４１から洗浄液が吐出され、ガラス基板１００の裏面に供給される。このとき、後述するように、洗浄液保持面４２と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の裏面との距離は、それらの間が洗浄液吐出口４１より吐出された洗浄液の液膜により液密状態となるようにする必要があることから、できるだけ小さいことが好ましい。一方、裏面洗浄部４と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の裏面との距離を過度に小さくすると、ガラス基板１００と裏面処理部４とが衝突するおそれがある。ガラス基板１００と裏面洗浄部４との衝突を回避しながら、裏面洗浄部４の洗浄液保持面４２とガラス基板１００の裏面との間を洗浄の液膜により液密状態とするためには、裏面洗浄部４における洗浄液保持面４２と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の裏面との距離Ｄ２（図２参照）は、１ｍｍ乃至２ｍｍとすることが好ましい。   During the processing of the glass substrate 100, as will be described later, the cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid discharge port 41 and supplied to the back surface of the glass substrate 100. At this time, as will be described later, the distance between the cleaning liquid holding surface 42 and the back surface of the glass substrate 100 conveyed by the conveying roller 9 is in a liquid-tight state due to the liquid film of the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid discharge port 41 between them. Is preferably as small as possible. On the other hand, if the distance between the back surface cleaning unit 4 and the back surface of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9 is excessively small, the glass substrate 100 and the back surface processing unit 4 may collide. In order to avoid a collision between the glass substrate 100 and the back surface cleaning unit 4, a back surface of the cleaning solution holding surface 42 of the back surface cleaning unit 4 and the back surface of the glass substrate 100 are in a liquid-tight state by a cleaning liquid film. The distance D2 (see FIG. 2) between the cleaning liquid holding surface 42 in the cleaning unit 4 and the back surface of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9 is preferably 1 mm to 2 mm.

次に、上述した基板処理装置によりガラス基板１００を処理する処理動作について説明する。図９乃至図１４は、この発明に係る基板処理装置によるガラス基板１００の処理動作を示す説明図である。なお、図９乃至図１３においては、処理・洗浄ユニット１における一対の裏面洗浄部４のうち、上流側の裏面洗浄部４のみを示している。他方の裏面洗浄部４も上流側の裏面洗浄部４と同様の動作を実行する。   Next, a processing operation for processing the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus described above will be described. 9 to 14 are explanatory views showing the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus according to the present invention. 9 to 13, only the upstream side back surface cleaning unit 4 of the pair of back surface cleaning units 4 in the processing / cleaning unit 1 is shown. The other back surface cleaning unit 4 also performs the same operation as the upstream side back surface cleaning unit 4.

複数の搬送ローラ９により水平方向に搬送されるガラス基板１００の先端が処理・洗浄ユニット１に到達する前に、図９に示すように、エッチング液吐出ノズル２のエッチング液吐出口２１から少量のエッチング液を吐出し、予め、エッチング液吐出ノズル２におけるエッチング液吐出口２１と液溜まり保持部３におけるエッチング液保持面３１との間に、エッチング液の液溜まり５１を形成しておく。また、裏面洗浄部４における洗浄液保持面４２上に、洗浄液の液溜まり６１を形成しておく。   Before the tip of the glass substrate 100 conveyed in the horizontal direction by the plurality of conveying rollers 9 reaches the processing / cleaning unit 1, a small amount is supplied from the etching solution discharge port 21 of the etching solution discharge nozzle 2 as shown in FIG. The etchant is discharged, and a liquid pool 51 of the etchant is formed in advance between the etchant discharge port 21 in the etchant discharge nozzle 2 and the etchant holding surface 31 in the liquid pool holder 3. A cleaning liquid reservoir 61 is formed on the cleaning liquid holding surface 42 of the back surface cleaning unit 4.

この状態において、さらに搬送ローラ９によりガラス基板１００の搬送を継続すると、図１０に示すように、ガラス基板１００の先端が、エッチング液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３との間に形成されたエッチング液の液溜まり５１中に進入する。ガラス基板１００の先端がエッチング液の液溜まり５１まで到達すれば、エッチング液吐出ノズル２からエッチング液を吐出する。なお、エッチング液吐出ノズル２からのエッチング液の吐出は、ガラス基板１００の先端がエッチング液の液溜まり５１に到達する前に開始してもよいし、ガラス基板１００の処理のために装置が稼働している間は、エッチング液を継続して吐出し続けてもよい。   In this state, when the conveyance of the glass substrate 100 is further continued by the conveyance roller 9, the tip of the glass substrate 100 is formed between the etching liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding member 3 as shown in FIG. It enters the liquid reservoir 51 of the etching solution. When the tip of the glass substrate 100 reaches the liquid reservoir 51 of the etching liquid, the etching liquid is discharged from the etching liquid discharge nozzle 2. The discharge of the etchant from the etchant discharge nozzle 2 may be started before the tip of the glass substrate 100 reaches the etchant pool 51, or the apparatus is operated to process the glass substrate 100. During this time, the etching liquid may be continuously discharged.

この状態でさらにガラス基板１００が水平方向に搬送された場合には、図１１に示すように、エッチング液吐出ノズル２とガラス基板１００の表面との間にエッチング液の液膜５２が形成され、エッチング液吐出ノズル２とガラス基板１００の表面との間は、エッチング液の液膜５２により液密状態となる。すなわち、ガラス基板１００の先端がエッチング液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３との間に形成されたエッチング液の液溜まり５１中に進入した後、エッチング液の表面張力によりエッチング液吐出ノズル２から吐出されたエッチング液が引っ張られるようにして、ガラス基板１００の表面全域にそこではじかれることなく塗り広げられる。このときには、エッチング液吐出ノズル２の長手方向におけるところどころの領域で部分的に液溜まりが形成されない領域が存在していたとしても、ガラス基板１００が移動を継続することに伴って、これらの領域はエッチング液で満たされ、エッチング液吐出ノズル２とガラス基板１００の表面との間は、エッチング液の液膜５２により液密状態となる。ここで、液密状態とは、それらの間が全てエッチング液で満たされた状態を指す。   When the glass substrate 100 is further transported in the horizontal direction in this state, an etchant liquid film 52 is formed between the etchant discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 as shown in FIG. Between the etching liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100, a liquid film 52 of the etching liquid makes a liquid-tight state. That is, after the front end of the glass substrate 100 enters the liquid reservoir 51 of the etching liquid formed between the etching liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding member 3, the glass substrate 100 is removed from the etching liquid discharge nozzle 2 by the surface tension of the etching liquid. The discharged etching solution is pulled and spread over the entire surface of the glass substrate 100 without being repelled there. At this time, even if there are regions where liquid pools are not partially formed in some regions in the longitudinal direction of the etching liquid discharge nozzle 2, as the glass substrate 100 continues to move, these regions The liquid is filled with the etching liquid, and the space between the etching liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 is liquid-tight by the liquid film 52 of the etching liquid. Here, the liquid-tight state refers to a state where the space between them is filled with an etching solution.

そして、エッチング液吐出ノズル２とガラス基板１００との間をエッチング液の液膜５２により液密としたままの状態でガラス基板１００が水平方向に搬送されることにより、図１２に示すように、エッチング液吐出ノズル２とガラス基板１００の表面との間がエッチング液の液膜５２により液密状態となったまま、ガラス基板１００の表面全域にエッチング液が供給される。   Then, as shown in FIG. 12, the glass substrate 100 is transported in the horizontal direction while being kept liquid-tight between the etching liquid discharge nozzle 2 and the glass substrate 100 by the liquid film 52 of the etching liquid. The etching liquid is supplied to the entire surface of the glass substrate 100 while the space between the etching liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 is kept in a liquid-tight state by the liquid film 52 of the etching liquid.

なお、ガラス基板１００の表面に供給され、ガラス基板１００の端縁より流下したエッチング液は、各処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ毎に配設された回収トレー７１により回収され、排液処理がなされる。   The etching solution supplied to the surface of the glass substrate 100 and flowing down from the edge of the glass substrate 100 is recovered by the recovery tray 71 provided for each of the processing / cleaning units 1a, 1b, and 1c, and is drained. Is made.

ガラス基板１００の先端がエッチング液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３との間に形成されたエッチング液の液溜まり５１中に進入したときには、図１０に示すように、ガラス基板１００の裏面側にもエッチング液が到達する。このエッチング液は、裏面洗浄部４により洗浄される。   When the tip of the glass substrate 100 enters the liquid pool 51 of the etching liquid formed between the etching liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding member 3, as shown in FIG. Even the etching solution reaches. This etching solution is cleaned by the back surface cleaning unit 4.

すなわち、図１２に示すように、水平方向に搬送されるガラス基板１００の先端が裏面洗浄部４に到達する前には、裏面洗浄部４における洗浄液保持面４２（図８参照）には洗浄液吐出口４１から吐出された洗浄液の液膜６１が形成されている。この状態において、ガラス基板１００がさらに搬送されて裏面洗浄部４を通過すると、図１３に示すように、ガラス基板１００の裏面と裏面洗浄部４の洗浄液保持面４２との間に洗浄液の液膜６２が形成され、ガラス基板１００の裏面と裏面洗浄部４との間は、洗浄液の液膜６２により液密状態となる。   That is, as shown in FIG. 12, before the tip of the glass substrate 100 conveyed in the horizontal direction reaches the back surface cleaning unit 4, the cleaning liquid discharge surface (see FIG. 8) in the back surface cleaning unit 4 is discharged. A liquid film 61 of the cleaning liquid discharged from the outlet 41 is formed. In this state, when the glass substrate 100 is further conveyed and passes through the back surface cleaning unit 4, as shown in FIG. 13, a liquid film of the cleaning liquid is formed between the back surface of the glass substrate 100 and the cleaning liquid holding surface 42 of the back surface cleaning unit 4. 62 is formed, and the space between the back surface of the glass substrate 100 and the back surface cleaning unit 4 is liquid-tight by the liquid film 62 of the cleaning liquid.

このような状態で、ガラス基板１００の搬送を継続することにより、図１３に示すように、ガラス基板１００の表面にはエッチング液の液膜５２が形成されてその全面にエッチング液が供給され、ガラス基板１００の裏面には洗浄液の液膜６２が形成されてその全面が洗浄される。   In such a state, by continuing the conveyance of the glass substrate 100, as shown in FIG. 13, a liquid film 52 of an etching solution is formed on the surface of the glass substrate 100, and the etching solution is supplied to the entire surface. A liquid film 62 of a cleaning liquid is formed on the back surface of the glass substrate 100 and the entire surface is cleaned.

このような動作を、３個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃにより実行し、ガラス基板１００に対するエッチング処理が終了すれば、このガラス基板１００に対して、処理・洗浄ユニット１ｄによりリンス処理が実行される。このときには、図１４に示すように、処理・洗浄ユニット１ｄによりリンス処理を実行する前に、エアナイフ７によるガラス基板１００の表面のエッチング液の除去動作が実行される。   When such an operation is performed by the three processing / cleaning units 1a, 1b, and 1c and the etching process on the glass substrate 100 is completed, the rinsing process is performed on the glass substrate 100 by the processing / cleaning unit 1d. Executed. At this time, as shown in FIG. 14, before the rinsing process is executed by the processing / cleaning unit 1d, the operation of removing the etching solution on the surface of the glass substrate 100 by the air knife 7 is executed.

図１５は、エアナイフ７によるガラス基板１００のエッチング液の除去動作を示す平面図である。   FIG. 15 is a plan view showing the operation of removing the etchant from the glass substrate 100 by the air knife 7.

図１４および図１５に示すように、処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃにおいてエッチング液の液膜５２が形成されたガラス基板１００が、そのままリンス処理を実行するための処理・洗浄ユニット１ｄに進入した場合には、処理・洗浄ユニット１ｄにおいてガラス基板１００の表面のエッチング液とリンス液とが混合する。そして、リンス液とに混合されたエッチング液は、ガラス基板１００の端縁から、処理・洗浄ユニット１ｄの回収トレー７１に流下する。この場合においては、リンス液中に多量のエッチング液が混入されることになり、回収されたエッチング液のみならず、リンス液に対しても特殊な排液処理を行う必要が生ずる。   As shown in FIGS. 14 and 15, the glass substrate 100 on which the etchant liquid film 52 is formed in the processing / cleaning units 1a, 1b, 1c enters the processing / cleaning unit 1d for performing the rinsing process as it is. In this case, the etching liquid and the rinsing liquid on the surface of the glass substrate 100 are mixed in the processing / cleaning unit 1d. Then, the etching solution mixed with the rinsing solution flows from the edge of the glass substrate 100 to the collection tray 71 of the processing / cleaning unit 1d. In this case, a large amount of etching liquid is mixed in the rinsing liquid, and it is necessary to perform a special drainage process not only on the recovered etching liquid but also on the rinsing liquid.

このため、この基板処理装置においては、エアナイフ７から搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面に圧縮空気を吹き付けることにより、ガラス基板１００の表面からエッチング液を除去するようにしている。図１５に示すように、ガラス基板１００の表面に対して圧縮空気を噴出した場合、ガラス基板１００上のエッチング液は、圧縮空気の作用により処理・洗浄ユニット１ｄ側への進入が防止され、ガラス基板１００の端縁より流下する。そして、このエッチング液は、処理・洗浄ユニット１ｃにおける回収トレー７１に回収され、排液処理がなされる。   For this reason, in this substrate processing apparatus, the etching liquid is removed from the surface of the glass substrate 100 by blowing compressed air onto the surface of the glass substrate 100 conveyed by the conveying roller 9 from the air knife 7. As shown in FIG. 15, when compressed air is ejected to the surface of the glass substrate 100, the etching solution on the glass substrate 100 is prevented from entering the processing / cleaning unit 1d side by the action of the compressed air, and the glass It flows down from the edge of the substrate 100. Then, the etching solution is collected in the collection tray 71 in the processing / cleaning unit 1c, and is subjected to a draining process.

一方、処理・洗浄ユニット１ｄにおけるリンス液吐出ノズル２からガラス基板１００の表面に供給されたリンス液は、処理・洗浄ユニット１ｄにおける回収トレー７１に回収される。これにより、エッチング液とリンス液とを別々に回収することが可能となる。   On the other hand, the rinse liquid supplied to the surface of the glass substrate 100 from the rinse liquid discharge nozzle 2 in the processing / cleaning unit 1d is recovered in the recovery tray 71 in the processing / cleaning unit 1d. Thereby, it becomes possible to collect | recover an etching liquid and a rinse liquid separately.

この発明に係る基板処理装置においては、エッチング液吐出ノズル２とガラス基板１００の表面との間にエッチング液の液膜５２を形成した状態でエッチング液を供給することから、使用するエッチング液の量が極めて少ない場合においても、ガラス基板１００の全面にエッチング液を供給することが可能となる。本発明者等の実験によると、ガラス基板１００を水平方向に向けて搬送しながら、ガラス基板１００の表面と対向配置されたスリットノズルからガラス基板１００の表面にエッチング液を流下させた場合と比較して、必要とするエッチング液の使用量を、約二十分の一とすることが可能であることが確認されている。   In the substrate processing apparatus according to the present invention, since the etching solution is supplied in a state where the etching solution liquid film 52 is formed between the etching solution discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100, the amount of the etching solution to be used. Even when there is very little, it becomes possible to supply etching liquid to the whole surface of the glass substrate 100. According to the experiments by the present inventors, the etching solution is made to flow down from the slit nozzle disposed opposite to the surface of the glass substrate 100 to the surface of the glass substrate 100 while transporting the glass substrate 100 in the horizontal direction. Thus, it has been confirmed that the required amount of etching solution used can be about one-twentieth.

また、図１に示すように、この基板処理装置においては、上述したような構成を有する処理・洗浄ユニット１が４個、列設されている。複数の搬送ローラ９により水平方向に搬送されるガラス基板１００は、これらのうちの３個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃにより順次エッチング液を供給され、また、裏面を洗浄される。このため、エッチング液を使用したエッチング処理の場合において、エッチング処理を開始した後にガラス基板１００の表面が強い撥液性となった場合においても、エッチング液吐出ノズル２とガラス基板１００との間をエッチング液の液膜５２により液密とすることでエッチング液がはじかれることを防止しすることができる。さらに、この動作を３個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃを利用して３回繰り返すことにより、ガラス基板１００の表面にエッチング液を確実に供給することができ、また、それに伴ってガラス基板１００の裏面洗浄を確実に実行することが可能となる。   Further, as shown in FIG. 1, in this substrate processing apparatus, four processing / cleaning units 1 having the above-described configuration are arranged in a line. The glass substrate 100 conveyed in the horizontal direction by the plurality of conveying rollers 9 is sequentially supplied with an etching solution by three of the processing / cleaning units 1a, 1b, and 1c, and the back surface is cleaned. For this reason, in the case of the etching process using the etching solution, even when the surface of the glass substrate 100 becomes strong liquid repellency after the etching process is started, the gap between the etching solution discharge nozzle 2 and the glass substrate 100 is maintained. It is possible to prevent the etching solution from being repelled by making it liquid-tight with the liquid film 52 of the etching solution. Furthermore, by repeating this operation three times using the three processing / cleaning units 1a, 1b, and 1c, the etching solution can be reliably supplied to the surface of the glass substrate 100, and the glass is accordingly accompanied. It becomes possible to reliably perform the back surface cleaning of the substrate 100.

そして、この発明に係る基板処理装置においては、処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃにより順次エッチング液を供給され、その正面にエッチング液の液膜５２が形成されたガラス基板１００に対してエアナイフ７から圧縮空気を供給することにより、エッチング液がそのままリンス処理を実行する処理・洗浄ユニット１ｄに持ち込まれることを有効に防止することが可能となる。   In the substrate processing apparatus according to the present invention, the etching knife is sequentially supplied by the processing / cleaning units 1a, 1b, and 1c, and the air knife 7 is applied to the glass substrate 100 on which the etching solution liquid film 52 is formed. It is possible to effectively prevent the etching solution from being brought into the processing / cleaning unit 1d that performs the rinsing process as it is by supplying the compressed air from.

なお、上述した実施形態においては、ガラス基板１００を、その主面が水平方向となる状態で支持して、水平方向に搬送しているが、ガラス基板１００がわずかに傾斜していてもよい。例えば、ガラス基板１００がその搬送方向と直交する方向に対して１度程度傾斜していても、この発明を適用することは可能である。すなわち、この発明は、ガラス基板１００を正確に水平方向に支持する場合に限らず、略水平方向に支持する場合においても適用が可能である。   In the above-described embodiment, the glass substrate 100 is supported in a state where the main surface is in the horizontal direction and is conveyed in the horizontal direction. However, the glass substrate 100 may be slightly inclined. For example, the present invention can be applied even if the glass substrate 100 is inclined by about 1 degree with respect to the direction orthogonal to the conveyance direction. That is, the present invention is not limited to the case where the glass substrate 100 is accurately supported in the horizontal direction, but can be applied to the case where the glass substrate 100 is supported in a substantially horizontal direction.

１ 処理・洗浄ユニット
２ エッチング液吐出ノズル
３ 液溜まり保持部材
４ 裏面洗浄部
７ エアナイフ
９ 搬送ローラ
２１ エッチング液吐出口
２２ 貯留槽
２３ 管路
２４ 開閉弁
２５ ポンプ
３１ エッチング液保持面
３２ 凹部
３３ 凹部
４１ 洗浄液吐出口
４２ 洗浄液保持面
４３ 凹部
７１ 回収トレー
１００ ガラス基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing and washing | cleaning unit 2 Etching liquid discharge nozzle 3 Liquid pool holding member 4 Back surface washing | cleaning part 7 Air knife 9 Conveyance roller 21 Etching liquid discharge port 22 Reservoir 23 Pipe line 24 On-off valve 25 Pump 31 Etching liquid holding surface 32 Recess 33 Recess Cleaning liquid discharge port 42 Cleaning liquid holding surface 43 Recessed portion 71 Collection tray 100 Glass substrate

Claims (6)

基板をその主面が略水平方向となる状態で支持するとともに、その基板を略水平方向に搬送する搬送機構と、
前記搬送機構により搬送される基板の表面に対してエッチング液を供給することにより、当該基板の表面にエッチング液の液膜を形成するエッチング液供給手段と、
前記エッチング液供給手段により基板の表面に供給され、前記基板の端縁より流下したエッチング液を回収するエッチング液回収手段と、
前記搬送機構により搬送されるエッチング液供給後の基板の表面に対してリンス液を供給することにより、当該基板の表面にリンス液の液膜を形成するリンス液供給手段と、
前記リンス液供給手段により基板の表面に供給され、前記基板の端縁より流下したリンス液を回収するリンス液回収手段と、
前記エッチング液供給手段と前記リンス液供給手段との間に配設され、前記エッチング液供給手段の作用によりエッチング液の液膜が形成された基板の表面に気体を供給することにより、前記基板の表面からエッチング液を流下させる気体供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 A transport mechanism for supporting the substrate in a state where its main surface is substantially horizontal, and transporting the substrate in a substantially horizontal direction;
An etchant supplying means for forming an etchant liquid film on the surface of the substrate by supplying an etchant to the surface of the substrate transported by the transport mechanism;
Etch solution recovery means for recovering the etchant supplied to the surface of the substrate by the etchant supply means and flowing down from the edge of the substrate;
Rinsing liquid supply means for forming a liquid film of the rinsing liquid on the surface of the substrate by supplying a rinsing liquid to the surface of the substrate after the supply of the etching liquid conveyed by the conveying mechanism;
Rinse liquid recovery means for recovering the rinse liquid supplied to the surface of the substrate by the rinse liquid supply means and flowing down from the edge of the substrate;
By supplying a gas to the surface of the substrate, which is disposed between the etching solution supply unit and the rinse solution supply unit, and on which a liquid film of the etching solution is formed by the action of the etching solution supply unit, A gas supply means for causing the etching solution to flow down from the surface;
A substrate processing apparatus comprising: 請求項１に記載の基板処理装置において、
前記気体供給手段は、前記リンス液供給手段により基板の表面にリンス液が供給される直前に、前記基板の表面に気体を供給する基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The said gas supply means is a substrate processing apparatus which supplies gas to the surface of the said board | substrate just before the rinse liquid is supplied to the surface of a board | substrate by the said rinse liquid supply means. 請求項２に記載の基板処理装置において、
前記エッチング液供給手段は、
下方を向くエッチング液吐出口が前記搬送機構による基板の搬送方向と交差する方向に延設されるとともに、前記エッチング液吐出口と前記搬送機構により搬送される基板の表面との距離が、それらの間が前記エッチング液吐出口より吐出されたエッチング液の液膜により液密状態となる位置に配置されたエッチング液吐出ノズルと、
前記エッチング液吐出口と対向する位置にエッチング液の液溜まりを保持するエッチング液保持面を備え、前記エッチング液吐出口と前記エッチング液保持面との距離が、それらの間にエッチング液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材と、
を備える基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
The etching solution supply means
An etching solution discharge port facing downward extends in a direction intersecting the substrate transfer direction by the transfer mechanism, and the distance between the etchant discharge port and the surface of the substrate transferred by the transfer mechanism is determined by the distance between them. An etching liquid discharge nozzle disposed between the etching liquid discharge port and a position where the liquid film of the etching liquid is liquid-tight;
An etching solution holding surface that holds a pool of an etching solution is provided at a position facing the etching solution discharge port, and the distance between the etching solution discharge port and the etching solution holding surface is a distance between them. A liquid reservoir holding member disposed at a position where the liquid can be formed;
A substrate processing apparatus comprising: 請求項３に記載の基板処理装置において、
前記エッチング液吐出ノズルおよび前記液溜まり保持部材に対して前記搬送機構による基板の搬送方向の下流側に、前記搬送機構により搬送される基板の裏面に洗浄液を供給する裏面洗浄部を備えた基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3,
Substrate processing provided with a back surface cleaning unit for supplying a cleaning liquid to the back surface of the substrate transported by the transport mechanism on the downstream side in the transport direction of the substrate by the transport mechanism with respect to the etching liquid discharge nozzle and the liquid pool holding member apparatus. 請求項４に記載の基板処理装置において、
前記裏面洗浄部は、その上面に洗浄液の液溜まりを保持する洗浄液保持面を備える基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4,
The back surface cleaning unit is a substrate processing apparatus having a cleaning liquid holding surface for holding a cleaning liquid pool on an upper surface thereof. 搬送機構により主面が略水平方向となる状態で略水平方向に搬送される基板の表面より上方に配置されたエッチング液吐出ノズルからエッチング液を吐出することにより、前記エッチング液吐出ノズルと、前記搬送機構により搬送される基板の裏面より下方の前記エッチング液吐出ノズルと対向する位置に配置された液溜まり保持部材との間に、エッチング液の液溜まりを形成する液溜まり形成工程と、
基板を略水平方向に搬送することにより、基板の先端を前記エッチング液吐出ノズルと前記液溜まり保持部材との間に形成されたエッチング液の液溜まり中に進入させる先端進入工程と、
前記エッチング液吐出ノズルからエッチング液を吐出することにより、エッチング液吐出ノズルと基板との間をエッチング液により液密としたままの状態で基板を略水平方向に搬送して、基板の表面にエッチング液を供給するエッチング液供給工程と、
基板を水平方向に搬送した状態で、前記基板の表面に気体を供給することにより、前記基板の表面からエッチング液を流下させる気体供給工程と、
前記基板の表面から流下したエッチング液を回収するエッチング液回収工程と、
基板を水平方向に搬送した状態で、前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給工程と、
前記基板の表面から流下したリンス液を回収するリンス液回収工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
By discharging an etching solution from an etching solution discharge nozzle disposed above the surface of the substrate that is transferred in a substantially horizontal direction with the main surface being in a substantially horizontal direction by the transfer mechanism, the etching solution discharge nozzle, A liquid pool forming step for forming a liquid pool of the etching liquid between the liquid pool holding member disposed at a position facing the etching liquid discharge nozzle below the back surface of the substrate transported by the transport mechanism;
A tip entry step of causing the tip of the substrate to enter a liquid pool of an etchant formed between the etchant discharge nozzle and the liquid pool holding member by conveying the substrate in a substantially horizontal direction;
By discharging the etchant from the etchant discharge nozzle, the substrate is transported in a substantially horizontal direction while being etched with the etchant between the etchant discharge nozzle and the substrate, and etched onto the surface of the substrate. An etching solution supplying step for supplying the solution;
In a state where the substrate is conveyed in the horizontal direction, a gas supply step for flowing an etching solution from the surface of the substrate by supplying gas to the surface of the substrate;
Etch solution recovery step of recovering the etchant flowing down from the surface of the substrate;
A rinsing liquid supply step for supplying a rinsing liquid to the surface of the substrate in a state where the substrate is conveyed in a horizontal direction;
A rinsing liquid recovery step of recovering a rinsing liquid flowing down from the surface of the substrate;
A substrate processing method comprising:

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