JP5361947B2 - 適応熱導体を有するプラズマ処理チャンバ部品を備えるアセンブリ、及び、プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Description
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
[適用例1]
プラズマ処理チャンバの部品と、熱源と、前記部品と前記熱源との間に挟まれたポリマ複合材とを備えるアセンブリであって、前記部品は、温度制御表面を有し、
前記ポリマ複合材は、高熱伝導率の相と低熱伝導率の相との間で温度誘発相転移を示す、アセンブリ。
[適用例2]
適用例1に記載のアセンブリであって、
前記熱源は、ヒートソースである、アセンブリ。
[適用例3]
適用例1に記載のアセンブリであって、
前記熱源は、ヒートシンクである、アセンブリ。
[適用例4]
適用例1に記載のアセンブリであって、
前記ポリマ複合材は、前記ポリマ複合材の温度が転移温度を超えて上昇するときに前記低熱伝導率の相から前記高熱伝導率の相への温度誘発相転移を示す、アセンブリ。
[適用例5]
適用例1に記載のアセンブリであって、
前記ポリマ複合材は、前記ポリマ複合材の温度が転移温度未満に下がるときに前記低熱伝導率の相から前記高熱伝導率の相への温度誘発相転移を示す、アセンブリ。
[適用例6]
適用例2に記載のアセンブリであって、
前記部品は、上部電極、受け板、チャンバ壁、エッジリング、及び基板サポート板からなる群より選択される、アセンブリ。
[適用例7]
適用例3に記載のアセンブリであって、
前記部品は、上部電極、受け板、チャンバ壁、エッジリング、基板サポート板、基板サポート板と、該基板サポート板に直接に熱的に接触している電気ヒータとを含む基板サポートアセンブリ、及びエッジリングと、該エッジリングに直接に熱的に接触しているヒータリングとを含むエッジリングアセンブリからなる群より選択される、アセンブリ。
[適用例8]
適用例1に記載のアセンブリであって、
前記熱源は、流体冷却板又は電気ヒータである、アセンブリ。
[適用例9]
適用例1に記載のアセンブリであって、
前記ポリマ複合材は、前記ポリマ複合材が前記低熱伝導率の相にあるときに前記部品を前記熱源から実質的に熱的に分離するように、及び前記ポリマ複合材が前記高熱伝導率の相にあるときに前記部品を前記熱源に実質的に熱的に結合するように適応される、アセンブリ。
[適用例10]
適用例1に記載のアセンブリであって、
前記プラズマ処理チャンバの内部に温度制御表面が曝される、アセンブリ。
[適用例11]
適用例1に記載のアセンブリを作成する方法であって、
前記部品の前記温度制御表面と前記熱源との間に前記ポリマ複合材を挟むことを備える方法。
[適用例12]
適用例1のアセンブリを含むプラズマ処理チャンバにおいて基板をプラズマエッチングする方法であって、
(a)第1の温度及び第1のプラズマ出力で前記基板をエッチングすることと、
(b)前記低熱伝導率の相から前記高熱伝導率の相への、又は、前記高熱伝導率の相から前記低熱伝導率の相への前記ポリマ複合材の相転移を誘発させることと、
(c)第2の温度及び第2のプラズマ出力で前記基板をエッチングすることと、
を備え、
前記第1の温度は前記第2の温度よりも高く尚且つ前記第1のプラズマ出力は前記第2のプラズマ出力よりも低い、又は、前記第1の温度は前記第2の温度よりも低く尚且つ前記第1のプラズマ出力は前記第2のプラズマ出力よりも高い、方法。
[適用例13]
適用例12に記載の方法であって、
前記部品は、エッチングの間その上で前記基板を支える基板サポート層と、該基板サポート層に直接に熱的に接触している電気ヒータとを含む基板サポートアセンブリであり、
前記熱源は、ヒートシンクであり、
工程(a)の間、前記電気ヒータは、前記基板サポートを加熱し、前記ポリマ複合材を前記転移温度よりも高くに且つ前記低熱伝導率の相に維持し、
工程(b)の間、前記電気ヒータは、オフであり、前記ヒートシンクは、前記ポリマ複合材を前記転移温度未満に冷却し、
工程(c)の間、前記ヒートシンクは、前記ポリマ複合材を前記転移温度未満に且つ前記高熱伝導率の相に維持する、方法。
[適用例14]
適用例12に記載の方法であって、
前記部品は、エッジリングと、該エッジリングに直接に熱的に接触しているヒータリングとを含むエッジリングアセンブリであり、
前記熱源は、ヒートシンクであり、
工程(a)の間、前記ヒータリングは、前記エッジリングを加熱し、前記ポリマ複合材を前記転移温度よりも高くに且つ前記低熱伝導率の相に維持し、
工程(b)の間、前記ヒータリングは、オフであり、前記ヒートシンクは、前記ポリマ複合材を前記転移温度未満に冷却し、
工程(c)の間、前記ヒートシンクは、前記エッジリングを冷却し、前記ポリマ複合材を前記転移温度未満に且つ前記高熱伝導率の相に維持する、方法。
[適用例15]
適用例12に記載の方法であって、
前記部品は、上部電極、受け板、チャンバ壁、エッジリング、及び基板サポート層である、方法。
Claims (15)
- プラズマ処理チャンバの部品と、ヒートソース又はヒートシンクである熱源と、前記部品と前記熱源との間に挟まれたポリマ複合材とを備えるアセンブリであって、前記部品は、温度制御表面を有し、
前記ポリマ複合材は、高熱伝導率の相と低熱伝導率の相との間で温度変化による相転移を示す、アセンブリ。 - 請求項1に記載のアセンブリであって、
前記熱源は、ヒートソースである、アセンブリ。 - 請求項1に記載のアセンブリであって、
前記熱源は、ヒートシンクである、アセンブリ。 - 請求項1に記載のアセンブリであって、
前記ポリマ複合材は、前記ポリマ複合材の温度が転移温度を超えて上昇するときに前記低熱伝導率の相から前記高熱伝導率の相への温度変化による相転移を示す、アセンブリ。 - 請求項1に記載のアセンブリであって、
前記ポリマ複合材は、前記ポリマ複合材の温度が転移温度未満に下がるときに前記低熱伝導率の相から前記高熱伝導率の相への温度変化による相転移を示す、アセンブリ。 - 請求項2に記載のアセンブリであって、
前記部品は、上部電極、受け板、チャンバ壁、エッジリング、及び基板サポート層からなる群より選択される、アセンブリ。 - 請求項3に記載のアセンブリであって、
前記部品は、上部電極、受け板、チャンバ壁、エッジリング、基板サポート層、基板サポート層と、該基板サポート層に直接に熱的に接触している電気ヒータとを含む基板サポートアセンブリ、及びエッジリングと、該エッジリングに直接に熱的に接触しているヒータリングとを含むエッジリングアセンブリからなる群より選択される、アセンブリ。 - 請求項1に記載のアセンブリであって、
前記熱源は、流体冷却板又は電気ヒータである、アセンブリ。 - 請求項1に記載のアセンブリであって、
前記ポリマ複合材は、前記ポリマ複合材が前記低熱伝導率の相にあるときに前記部品を前記熱源から実質的に熱的に分離するように、及び前記ポリマ複合材が前記高熱伝導率の相にあるときに前記部品を前記熱源に実質的に熱的に結合するように適応される、アセンブリ。 - 請求項1に記載のアセンブリであって、
前記プラズマ処理チャンバの内部に温度制御表面が曝される、アセンブリ。 - 請求項1に記載のアセンブリを作成する方法であって、
前記部品の前記温度制御表面と前記熱源との間に前記ポリマ複合材を挟むことを備える方法。 - 請求項1のアセンブリを含むプラズマ処理チャンバにおいて基板をプラズマエッチングする方法であって、
(a)第1の温度及び第1のプラズマ出力で前記基板をエッチングすることと、
(b)前記低熱伝導率の相から前記高熱伝導率の相への、又は、前記高熱伝導率の相から前記低熱伝導率の相への前記ポリマ複合材の相転移を誘発させることと、
(c)第2の温度及び第2のプラズマ出力で前記基板をエッチングすることと、
を備え、
前記第1の温度は前記第2の温度よりも高く尚且つ前記第1のプラズマ出力は前記第2のプラズマ出力よりも低い、又は、前記第1の温度は前記第2の温度よりも低く尚且つ前記第1のプラズマ出力は前記第2のプラズマ出力よりも高い、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記部品は、エッチングの間その上で前記基板を支える基板サポート層と、該基板サポート層に直接に熱的に接触している電気ヒータとを含む基板サポートアセンブリであり、
前記熱源は、ヒートシンクであり、
工程(a)の間、前記電気ヒータは、前記基板サポート層を加熱し、前記ポリマ複合材を転移温度よりも高くに且つ前記低熱伝導率の相に維持し、
工程(b)の間、前記電気ヒータは、オフであり、前記ヒートシンクは、前記ポリマ複合材を前記転移温度未満に冷却し、
工程(c)の間、前記ヒートシンクは、前記ポリマ複合材を前記転移温度未満に且つ前記高熱伝導率の相に維持する、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記部品は、エッジリングと、該エッジリングに直接に熱的に接触しているヒータリングとを含むエッジリングアセンブリであり、
前記熱源は、ヒートシンクであり、
工程(a)の間、前記ヒータリングは、前記エッジリングを加熱し、前記ポリマ複合材を転移温度よりも高くに且つ前記低熱伝導率の相に維持し、
工程(b)の間、前記ヒータリングは、オフであり、前記ヒートシンクは、前記ポリマ複合材を前記転移温度未満に冷却し、
工程(c)の間、前記ヒートシンクは、前記エッジリングを冷却し、前記ポリマ複合材を前記転移温度未満に且つ前記高熱伝導率の相に維持する、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記部品は、上部電極、受け板、チャンバ壁、エッジリング、及び基板サポート層である、方法。
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