JP5359486B2 - 赤外線撮像素子 - Google Patents
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Description
従来の赤外線撮像素子では、このような背景から赤外線の検知部を中空に保持する支持体の断面積を小さくし、検知部からの熱の逃げを低減することにより高感度化が進められてきた(例えば、特許文献1参照)。また、高感度化のために犠牲層等を用いて赤外線の検知部上の絶縁膜をエッチングし、画素領域全面を薄膜化することによって赤外線の検知部の熱容量を低減する方法などが提案されていた(例えば、特許文献2参照)。
図1は、この発明の実施の形態1における赤外線撮像素子の概略構成を示す斜視図である。図2は、画素領域の一部(図1中の符号30で示した破線囲み)を拡大した図であって、赤外線撮像素子の画素領域の端と走査回路の一部を拡大した模式図である。図2では、選択線2と信号線3の交差する部分を拡大して模式的に示している。図3は、図2中に示したA−A断面を矢印方向に見た断面図である。
図1において、赤外線撮像素子は、駆動走査回路4、信号走査回路5、出力アンプ6、所定のピッチで行および列方向に配列位置された複数の赤外線検出器1の群からなる構成である。また、赤外線検出器1から出力される出力信号は、駆動走査回路4、信号走査回路5により読み出され出力アンプ6から外部へ出力される。
図4は、図2中に示すB−B断面を矢印方向に見た断面図であって、赤外線撮像素子の画素領域の端と走査回路の一部の断面を示した模式図である。図5は、検出器を上から見た模式図である。図5において、説明のため赤外線吸収部9は破線で示し、赤外線吸収部9より下の構造を透視している。
はじめに、赤外線撮像素子の撮像対象となる被写体が発した赤外線が、画素である赤外線検出器1に入射すると、入射した赤外線は赤外線吸収部9に吸収されて熱に変換される。この熱は赤外線吸収部9に連結されている検出部8に伝導する。このため、吸収された熱によって断熱構造体上の検出部8の温度が上昇する。このとき、温度変化に応じてpn接合ダイオードの電気特性が変化する。さらに、図1に示した駆動走査回路4、信号走査回路5、出力アンプ6により、赤外線の検知部ごとの電気特性の変化を読み取って外部に出力し、被写体の熱画像を得る。
図17〜図20は、本実施の形態2に係るpn接合ダイオードの断面を示した模式図である。なお、切断面は、実施の形態1と同様の図5中に示すC−C断面である。ここで、実施の形態1と異なり、図17に示すように窒化膜26をマスクとし、半導体層27の一部をドライエッチングまたはウェットエッチングで薄膜する(図18〜図19)。薄膜化後は図20の状態である。この工程の後に、保護層として酸化膜10を更にこの上に積層する。係る状態が図21に示す状態である。
図21は、本実施の形態にかかる画素の断面を示した模式図である。なお、切断面は、実施の形態1と同様の図2中に示すB−B断面であって、図6と同様の模式図である。
Claims (2)
- 半導体基板上に配置された複数の画素と、前記画素からの電気信号を読み出す回路とを前記半導体基板上に有する熱型の赤外線撮像素子であって、
前記画素は、
p型あるいはn型のうち一方の導電型の半導体層が他方の導電型の半導体層の上にあり、両者の接合面が縦方向及び横方向に形成されたプレーナー型のシリコンpn接合ダイオードによって温度を検出する検出部と、
前記検出部を前記半導体基板より離して保持する支持体と、
前記pn接合ダイオードと前記回路とを結線し前記回路の配線と同一の配線層で形成された内部配線とを備え、
前記内部配線が前記他方の導電型の半導体層に接合する部分における前記pn接合ダイオードの厚みは、前記内部配線が前記一方の導電型の半導体層に接合する部分における前記pn接合ダイオードの厚みよりも薄いことを特徴とする赤外線撮像素子。 - 内部配線が他方の導電型の半導体層と接合する位置は、前記内部配線が一方の導電型の半導体層と接合する位置より低いことを特徴とする請求項1に記載の赤外線撮像素子。
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