JP5352536B2 - Thin film deposition equipment - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A thin film deposition apparatus is provided to help a user to easily recycle deposition material while improving production yield. CONSTITUTION: A thin film deposition apparatus includes a deposition source, a deposition nozzle, and a pattern silt sheet(150). A deposition material(115) discharged from a deposition source is passed through the nozzle of the deposition source and the patterning slit sheet to be deposited on a substrate by a desired pattern. The thin film deposition apparatus is relatively moved to the substrate to perform deposition. A deposition material accepted within the deposition source is deposited in the substrate. A pattern slit sheet is separated from the substrate by a certain interval between them.

Description

本発明は、薄膜蒸着装置に係り、さらに詳細には、大型基板の量産工程に容易に適用でき、製造収率が向上した薄膜蒸着装置に関する。   The present invention relates to a thin film deposition apparatus, and more particularly to a thin film deposition apparatus that can be easily applied to a mass production process of a large substrate and has an improved manufacturing yield.

ディスプレイ装置のうち、有機発光ディスプレイ装置は、視野角が広く、コントラストに優れているだけでなく、応答速度が速いという長所を有しており、次世代ディスプレイ装置として注目されている。   Among the display devices, the organic light emitting display device has not only a wide viewing angle and excellent contrast, but also has an advantage of a high response speed, and is attracting attention as a next generation display device.

一般的に、有機発光ディスプレイ装置は、アノードとカソードとから注入される正孔と電子とが発光層で再結合して発光する原理で色相を具現できるように、アノードとカソードとの間に発光層を挿入した積層型構造である。しかし、このような構造では、高効率発光を得難いため、それぞれの電極と発光層との間に電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層及び正孔注入層などの中間層を選択的に追加挿入して使用している。   In general, an organic light emitting display device emits light between an anode and a cathode so that a color can be realized on the principle that holes and electrons injected from the anode and the cathode recombine in the light emitting layer to emit light. It is a laminated structure in which layers are inserted. However, in such a structure, since it is difficult to obtain high-efficiency light emission, an intermediate layer such as an electron injection layer, an electron transport layer, a hole transport layer, and a hole injection layer is selectively provided between each electrode and the light emitting layer. Inserted and used.

しかし、発光層及び中間層のような有機薄膜の微細パターンを形成することが実質的に非常に難しく、前記層によって、赤色、緑色及び青色の発光効率が変わるため、従来の薄膜蒸着装置では、大面積(５Ｇ以上のマザーガラス)に対するパターニングが不能であるので、満足すべきレベルの駆動電圧、電流密度、輝度、色純度、発光効率及び寿命を有する大型有機発光ディスプレイ装置を製造できないところ、その改善が至急に求められている。   However, it is very difficult to form a fine pattern of an organic thin film such as a light emitting layer and an intermediate layer, and the light emission efficiency of red, green and blue varies depending on the layer. Since patterning is not possible for large areas (mother glass of 5G or more), large organic light emitting display devices having satisfactory levels of driving voltage, current density, luminance, color purity, luminous efficiency and lifetime cannot be manufactured. There is an urgent need for improvement.

一方、有機発光ディスプレイ装置は、相互対向した第１電極と第２電極との間に、発光層及びそれを含む中間層を備える。この時、前記電極及び中間層は、多様な方法で形成できるが、そのうち一つの方法が蒸着である。蒸着方法を利用して、有機発光ディスプレイ装置を製作するためには、薄膜が形成される基板面に、形成される薄膜のパターンと同じパターンを有するファインメタルマスク(Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ：ＦＭＭ)を密着させ、かつ薄膜の材料を蒸着して、所定パターンの薄膜を形成する。   Meanwhile, the organic light emitting display device includes a light emitting layer and an intermediate layer including the light emitting layer between the first electrode and the second electrode facing each other. At this time, the electrode and the intermediate layer can be formed by various methods, one of which is vapor deposition. In order to fabricate an organic light emitting display device using a vapor deposition method, a fine metal mask (FMM) having the same pattern as the thin film pattern is closely attached to the substrate surface on which the thin film is formed. And depositing a thin film material to form a thin film with a predetermined pattern.

本発明が解決しようとする課題は、製造が容易であり、大型基板の量産工程に容易に適用でき、製造収率及び蒸着効率が向上し、蒸着物質のリサイクルが容易な薄膜蒸着装置を提供することである。   A problem to be solved by the present invention is to provide a thin film deposition apparatus that is easy to manufacture, can be easily applied to a mass production process of a large substrate, has improved manufacturing yield and deposition efficiency, and can easily recycle a deposition material. That is.

前記課題を達成するために、本発明は、基板上に薄膜を形成するための薄膜蒸着装置において、蒸着物質を放射する蒸着源と、前記蒸着源の一側に配され、第１方向に沿って複数の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部と、前記蒸着源ノズル部と対向して配され、前記第１方向に沿って複数のパターニングスリットが形成されるパターニングスリットシートと、を備え、前記パターニングスリットは、それぞれ複数のサブスリットを備えることを特徴とする薄膜蒸着装置を提供する。   In order to achieve the above object, the present invention provides a thin film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate, a deposition source that radiates a deposition material, and disposed on one side of the deposition source, along a first direction. And a patterning slit sheet disposed opposite to the vapor deposition source nozzle portion and formed with a plurality of patterning slits along the first direction. Each of the patterning slits includes a plurality of sub-slits.

本発明において、相互隣接した前記パターニングスリット間の間隔は、同じパターニングスリットに属する相互隣接した前記サブスリット間の間隔よりさらに大きく形成されうる。
本発明において、同じパターニングスリットに属するいずれか一つのサブスリットを通過して前記基板上に蒸着された前記蒸着物質が形成するパターンの少なくとも一部と、前記いずれか一つのサブスリットと隣接したサブスリットを通過して前記基板上に蒸着された前記蒸着物質が形成するパターンの少なくとも一部とが相互重畳されるように、前記サブスリットが配されうる。
本発明において、前記複数のサブスリットは、それぞれ相互平行に形成された直方形でありうる。 In the present invention, an interval between the adjacent patterning slits may be formed larger than an interval between the adjacent subslits belonging to the same patterning slit.
In the present invention, at least a part of a pattern formed by the deposition material deposited on the substrate through any one of the sub-slits belonging to the same patterning slit, and a sub-adjacent to the one sub-slit. The sub-slit may be disposed such that at least a part of a pattern formed by the vapor deposition material deposited on the substrate through the slit overlaps.
In the present invention, the plurality of sub-slits may be rectangular parallelepipeds formed in parallel to each other.

本発明において、前記複数のサブスリットは、それぞれ相互平行に形成された複数列のホール形状でありうる。
本発明において、前記薄膜蒸着装置は、前記基板と所定距離離隔されて形成され、前記基板は、前記薄膜蒸着装置に対して相対的に移動自在に形成されうる。
ここで、前記基板が前記薄膜蒸着装置に対して相対的に移動しつつ、前記基板上に前記各薄膜蒸着装置の各蒸着物質が連続して蒸着されうる。 In the present invention, the plurality of sub-slits may have a plurality of rows of holes formed in parallel to each other.
In the present invention, the thin film deposition apparatus may be formed at a predetermined distance from the substrate, and the substrate may be formed to be movable relative to the thin film deposition apparatus.
Here, the deposition materials of the thin film deposition apparatuses may be continuously deposited on the substrate while the substrate is moved relative to the thin film deposition apparatus.

ここで、前記薄膜蒸着装置と前記基板とは、前記基板で前記蒸着物質が蒸着される面と平行した面に沿って、いずれか一側が他側に対して相対的に移動できる。
本発明において、前記薄膜蒸着装置の前記パターニングスリットシートは、前記基板より小さく形成されうる。
本発明において、前記蒸着源ノズルの総数より前記パターニングスリットの総数がさらに多く形成されうる。 Here, one side of the thin film deposition apparatus and the substrate can move relative to the other side along a plane parallel to a plane on which the deposition material is deposited on the substrate.
In the present invention, the patterning slit sheet of the thin film deposition apparatus may be formed smaller than the substrate.
In the present invention, the total number of the patterning slits may be more than the total number of the deposition source nozzles.

他の側面による本発明は、基板上に薄膜を形成するための薄膜蒸着装置において、蒸着物質を放射する蒸着源と、前記蒸着源の一側に配され、第１方向に沿って複数の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部と、前記蒸着源ノズル部と対向して配され、前記第１方向に対して垂直である第２方向に沿って、複数のパターニングスリットが形成されるパターニングスリットシートと、を備え、前記基板が前記薄膜蒸着装置に対して前記第１方向に沿って移動しながら蒸着が行われ、前記蒸着源、前記蒸着源ノズル部及び前記パターニングスリットシートは、一体に形成され、前記パターニングスリットは、それぞれ複数のサブスリットを備えることを特徴とする薄膜蒸着装置を提供する。   According to another aspect of the present invention, there is provided a thin film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate, a deposition source that radiates a deposition material, and a plurality of depositions disposed along one side of the deposition source. A deposition source nozzle portion in which a source nozzle is formed, and a patterning in which a plurality of patterning slits are formed along a second direction that is disposed opposite to the deposition source nozzle portion and is perpendicular to the first direction. A vapor deposition is performed while the substrate moves along the first direction with respect to the thin film vapor deposition apparatus, and the vapor deposition source, the vapor deposition source nozzle unit, and the patterning slit sheet are integrated with each other. The thin film deposition apparatus is provided, wherein each of the patterning slits includes a plurality of sub-slits.

本発明において、相互隣接した前記パターニングスリット間の間隔は、同じパターニングスリットに属する相互隣接した前記サブスリット間の間隔よりさらに大きく形成されうる。   In the present invention, an interval between the adjacent patterning slits may be formed larger than an interval between the adjacent subslits belonging to the same patterning slit.

本発明において、同じパターニングスリットに属するいずれか一つのサブスリットを通過して前記基板上に蒸着された前記蒸着物質が形成するパターンの少なくとも一部と、前記いずれか一つのサブスリットと隣接したサブスリットを通過して前記基板上に蒸着された前記蒸着物質が形成するパターンの少なくとも一部とが相互重畳されるように、前記サブスリットが配されうる。
本発明において、前記複数のサブスリットは、それぞれ相互平行に形成された直方形でありうる。 In the present invention, at least a part of a pattern formed by the deposition material deposited on the substrate through any one of the sub-slits belonging to the same patterning slit, and a sub-adjacent to the one sub-slit. The sub-slit may be disposed such that at least a part of a pattern formed by the vapor deposition material deposited on the substrate through the slit overlaps.
In the present invention, the plurality of sub-slits may be rectangular parallelepipeds formed in parallel to each other.

本発明において、前記複数のサブスリットは、それぞれ相互平行に形成された複数列のホール形状でありうる。
本発明において、前記蒸着源、前記蒸着源ノズル部及び前記パターニングスリットシートは、連結部材によって結合されて一体に形成されうる。
ここで、前記連結部材は、前記蒸着物質の移動経路をガイドできる。
ここで、前記連結部材は、前記蒸着源、前記蒸着源ノズル部及び前記パターニングスリットシート間の空間を外部から密閉するように形成されうる。 In the present invention, the plurality of sub-slits may have a plurality of rows of holes formed in parallel to each other.
In the present invention, the vapor deposition source, the vapor deposition source nozzle portion, and the patterning slit sheet may be integrally formed by being coupled by a connecting member.
Here, the connecting member can guide a movement path of the deposition material.
Here, the connection member may be formed so as to seal a space between the vapor deposition source, the vapor deposition source nozzle unit, and the patterning slit sheet from the outside.

本発明において、前記薄膜蒸着装置は、前記基板と所定距離離隔されて形成されうる。
本発明において、前記基板が前記薄膜蒸着装置に対して前記第１方向に沿って移動しつつ、前記基板上に前記蒸着物質が連続して蒸着されうる。
本発明において、前記薄膜蒸着装置の前記パターニングスリットシートは、前記基板より小さく形成されうる。 In the present invention, the thin film deposition apparatus may be formed at a predetermined distance from the substrate.
In the present invention, the deposition material may be continuously deposited on the substrate while the substrate moves along the first direction with respect to the thin film deposition apparatus.
In the present invention, the patterning slit sheet of the thin film deposition apparatus may be formed smaller than the substrate.

本発明において、前記複数の蒸着源ノズルは、所定角度チルトされて形成されうる。
ここで、前記複数の蒸着源ノズルは、前記第１方向に沿って形成された２列の蒸着源ノズルを備え、前記２列の蒸着源ノズルは、相互対向してチルトされうる。 In the present invention, the plurality of vapor deposition source nozzles may be tilted at a predetermined angle.
The plurality of vapor deposition source nozzles may include two rows of vapor deposition source nozzles formed along the first direction, and the two rows of vapor deposition source nozzles may be tilted to face each other.

ここで、前記複数の蒸着源ノズルは、前記第１方向に沿って形成された２列の蒸着源ノズルを備え、前記２列の蒸着源ノズルのうち、第１側に配された蒸着源ノズルは、パターニングスリットシートの第２側端部に対向して配され、前記２列の蒸着源ノズルのうち、第２側に配された蒸着源ノズルは、パターニングスリットシートの第１側端部に対向して配されうる。   Here, the plurality of vapor deposition source nozzles include two rows of vapor deposition source nozzles formed along the first direction, and the vapor deposition source nozzles disposed on the first side of the two rows of vapor deposition source nozzles. Is disposed opposite to the second side end of the patterning slit sheet, and the deposition source nozzle disposed on the second side of the two rows of deposition source nozzles is disposed on the first side end of the patterning slit sheet. It can be arranged opposite.

本発明の薄膜蒸着装置によれば、製造が容易であり、大型基板の量産工程に容易に適用でき、製造収率及び蒸着効率が向上し、蒸着物質のリサイクルが容易になりうる。   According to the thin film deposition apparatus of the present invention, it is easy to manufacture and can be easily applied to a mass production process of a large substrate, the manufacturing yield and the deposition efficiency can be improved, and the deposition material can be easily recycled.

本発明の第１実施例による薄膜蒸着装置を概略的に示す斜視図である。1 is a perspective view schematically showing a thin film deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention. 図１の薄膜蒸着装置の概略的な側面図である。It is a schematic side view of the thin film vapor deposition apparatus of FIG. 図１の薄膜蒸着装置の概略的な平面図である。It is a schematic plan view of the thin film deposition apparatus of FIG. 従来のＦＭＭ方式におけるパターンの形状を示す図面である。6 is a diagram showing a pattern shape in a conventional FMM method. 基板とパターニングスリットシートとを離隔させ、単一スリットでパターニングスリットを構成する場合のパターンの形状を示す図面である。It is drawing which shows the shape of the pattern in the case of separating a board | substrate and a patterning slit sheet, and comprising a patterning slit by a single slit. 図１の薄膜蒸着装置のパターニングスリットシートを示す図面である。It is drawing which shows the patterning slit sheet of the thin film vapor deposition apparatus of FIG. 図５Ａのパターニングスリットシート及びこれによって形成されたパターンの形状を示す図面である。It is drawing which shows the shape of the patterning slit sheet | seat of FIG. 5A, and the pattern formed by this. 複数のパターンを重畳させて新たなパターンを形成する場合の具体的な実験結果を示すグラフである。It is a graph which shows the concrete experimental result in the case of forming a new pattern by superimposing a plurality of patterns. 本発明の第１実施例の一変形例によるパターニングスリットシートを示す図面である。6 is a view showing a patterning slit sheet according to a modification of the first embodiment of the present invention. 図６Ａのパターニングスリットシート及びこれによって形成されたパターンの形状を示す図面である。It is drawing which shows the shape of the patterning slit sheet of FIG. 6A, and the pattern formed by this. 本発明の第１実施例の他の変形例によるパターニングスリットシートを示す図面である。6 is a diagram illustrating a patterning slit sheet according to another modification of the first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施例の他の変形例によるパターニングスリットシートを示す図面である。6 is a diagram illustrating a patterning slit sheet according to another modification of the first embodiment of the present invention. 本発明による薄膜蒸着装置で製造されうる有機発光ディスプレイ装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device that can be manufactured with a thin film deposition apparatus according to the present invention; 本発明の第２実施例による薄膜蒸着装置を概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows roughly the thin film vapor deposition apparatus by 2nd Example of this invention. 図９の薄膜蒸着装置の概略的な側面図である。FIG. 10 is a schematic side view of the thin film deposition apparatus of FIG. 9. 図９の薄膜蒸着装置の概略的な平面図である。FIG. 10 is a schematic plan view of the thin film deposition apparatus of FIG. 9. 本発明の第３実施例による薄膜蒸着装置を示す図面である。3 is a view illustrating a thin film deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention. 本発明による薄膜蒸着装置で蒸着源ノズルをチルトさせなかった時、基板に蒸着された蒸着膜の分布形態を概略的に示す図面である。3 is a view schematically showing a distribution form of a deposited film deposited on a substrate when a deposition source nozzle is not tilted in the thin film deposition apparatus according to the present invention. 本発明による薄膜蒸着装置で蒸着源ノズルをチルトさせた時、基板に蒸着された蒸着膜の分布形態を概略的に示す図面である。3 is a view schematically showing a distribution form of a deposited film deposited on a substrate when a deposition source nozzle is tilted by the thin film deposition apparatus according to the present invention.

以下、添付した図面を参照して、本発明による望ましい実施例を詳細に説明すれば、次の通りである。   Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１は、本発明の第１実施例による薄膜蒸着装置を概略的に示した斜視図であり、図２は、図１の薄膜蒸着装置の概略的な側面図であり、図３は、図１の薄膜蒸着装置の概略的な平面図である。
図１、図２及び図３を参照すれば、本発明の第１実施例による薄膜蒸着装置１００は、蒸着源１１０、蒸着源ノズル部１２０及びパターニングスリットシート１５０を備える。
ここで、図１、図２及び図３には、説明の便宜上、チャンバを図示していないが、図１ないし図３のすべての構成は、適切な真空度が維持されるチャンバ内に配されることが望ましい。これは、蒸着物質の直進性を確保するためである。 FIG. 1 is a perspective view schematically showing a thin film deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic side view of the thin film deposition apparatus of FIG. 1, and FIG. It is a schematic plan view of 1 thin film vapor deposition apparatus.
1, 2, and 3, the thin film deposition apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention includes a deposition source 110, a deposition source nozzle unit 120, and a patterning slit sheet 150.
Here, in FIG. 1, FIG. 2 and FIG. 3, for convenience of explanation, the chamber is not shown, but all the configurations of FIG. 1 to FIG. 3 are arranged in a chamber in which an appropriate degree of vacuum is maintained. It is desirable. This is to ensure straightness of the vapor deposition material.

詳細には、蒸着源１１０から放出された蒸着物質１１５を、蒸着源ノズル部１２０及びパターニングスリットシート１５０を通過して基板４００に所望のパターンに蒸着させるためには、基本的にチャンバ(図示せず)の内部は、ＦＭＭ蒸着方法と同じ高真空状態を維持せねばならない。また、パターニングスリットシート１５０の温度が蒸着源１１０の温度より十分に低くなければならない(約１００°Ｃ以下)。それは、パターニングスリットシート１５０の温度が十分に低くなければ、温度によるパターニングスリットシート１５０の熱膨張問題を最小化できないためである。   In detail, the deposition material 115 emitted from the deposition source 110 passes through the deposition source nozzle unit 120 and the patterning slit sheet 150 and is deposited on the substrate 400 in a desired pattern. The inside of (1) must maintain the same high vacuum state as the FMM deposition method. Further, the temperature of the patterning slit sheet 150 must be sufficiently lower than the temperature of the vapor deposition source 110 (about 100 ° C. or less). This is because the thermal expansion problem of the patterning slit sheet 150 due to temperature cannot be minimized unless the temperature of the patterning slit sheet 150 is sufficiently low.

このようなチャンバ(図示せず)内には、被蒸着体である基板４００が配される。前記基板４００は、平板表示装置用基板となりうるが、多数の平板表示装置を形成できるマザーガラスのような大面積基板が適用されうる。
ここで、本発明の一実施例では、基板４００が薄膜蒸着装置１００に対して相対的に移動しつつ蒸着が進行されることを特徴とする。 In such a chamber (not shown), a substrate 400 which is a deposition target is disposed. The substrate 400 may be a flat panel display substrate, but a large area substrate such as mother glass capable of forming a large number of flat panel displays may be used.
Here, one embodiment of the present invention is characterized in that deposition proceeds while the substrate 400 moves relative to the thin film deposition apparatus 100.

詳細には、既存のＦＭＭ蒸着方法では、ＦＭＭのサイズが基板のサイズと同じく形成されねばならない。したがって、基板サイズが増大するほど、ＦＭＭも大型化されねばならず、したがって、ＦＭＭの製作が容易でなく、ＦＭＭを引っ張って精密なパターンにアラインすることも容易でないという問題点が存在した。   Specifically, in existing FMM deposition methods, the FMM size must be formed the same as the substrate size. Therefore, as the substrate size increases, the FMM has to be enlarged. Therefore, there is a problem that it is not easy to manufacture the FMM, and it is not easy to pull the FMM to align it with a precise pattern.

このような問題点を解決するために、本発明の第１実施例による薄膜蒸着装置１００は、薄膜蒸着装置１００と基板４００とが互いに相対的に移動しつつ蒸着されることを特徴とする。言い換えれば、薄膜蒸着装置１００と対向して配された基板４００がＹ軸方向に沿って移動しつつ連続して蒸着される。すなわち、基板４００が図１の矢印Ａ方向に移動しつつスキャニング方式で蒸着されることである。ここで、図面には、基板４００がチャンバ(図示せず)内でＹ軸方向に移動しつつ蒸着されると示されているが、本発明の思想は、これに制限されず、基板４００は、固定されており、薄膜蒸着装置１００自体がＹ軸方向に移動しつつ蒸着されることも可能である。   In order to solve such problems, the thin film deposition apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention is characterized in that the thin film deposition apparatus 100 and the substrate 400 are deposited while moving relative to each other. In other words, the substrate 400 disposed facing the thin film deposition apparatus 100 is continuously deposited while moving along the Y-axis direction. That is, the substrate 400 is deposited by a scanning method while moving in the direction of arrow A in FIG. Here, the drawing shows that the substrate 400 is deposited while moving in the Y-axis direction in a chamber (not shown). However, the idea of the present invention is not limited to this, and the substrate 400 The thin film deposition apparatus 100 itself can be deposited while moving in the Y-axis direction.

したがって、本発明の薄膜蒸着装置１００では、従来のＦＭＭに比べて、はるかに小さくパターニングスリットシート１５０を作りうる。すなわち、本発明の薄膜蒸着装置１００の場合、基板４００がＹ軸方向に沿って移動しつつ連続して、すなわち、スキャニング方式で蒸着するため、パターニングスリットシート１５０のＸ軸方向及びＹ軸方向の長さは、基板４００の長さよりはるかに短く形成されうる。このように、従来のＦＭＭに比べてはるかに小さくパターニングスリットシート１５０を作りうるため、本発明のパターニングスリットシート１５０は、その製造が容易である。すなわち、パターニングスリットシート１５０のエッチング作業や、それ以後の精密引張及び溶接作業、移動及び洗浄作業などのすべての工程で、小さなサイズのパターニングスリットシート１５０がＦＭＭ蒸着方法に比べて、有利である。また、これは、ディスプレイ装置が大型化されるほどさらに有利になる。   Therefore, in the thin film deposition apparatus 100 of the present invention, the patterning slit sheet 150 can be made much smaller than the conventional FMM. That is, in the case of the thin film deposition apparatus 100 of the present invention, the substrate 400 is continuously deposited while moving along the Y-axis direction, that is, the deposition is performed by the scanning method. The length can be formed much shorter than the length of the substrate 400. Thus, since the patterning slit sheet 150 can be made much smaller than the conventional FMM, the patterning slit sheet 150 of the present invention is easy to manufacture. That is, the patterning slit sheet 150 having a small size is more advantageous than the FMM deposition method in all processes such as the etching operation of the patterning slit sheet 150 and the subsequent precision tension and welding operations, movement and cleaning operations. In addition, this becomes more advantageous as the display device becomes larger.

このように、薄膜蒸着装置１００と基板４００とが互いに相対的に移動しつつ蒸着されるためには、薄膜蒸着装置１００と基板４００とが一定程度離隔されることが望ましい。これについては、後述する。   Thus, in order for the thin film deposition apparatus 100 and the substrate 400 to be deposited while moving relative to each other, it is desirable that the thin film deposition apparatus 100 and the substrate 400 be separated by a certain amount. This will be described later.

一方、チャンバ内で前記基板４００と対向する側には、蒸着物質１１５が収納及び加熱される蒸着源１１０が配される。前記蒸着源１１０内に収納されている蒸着物質１１５が気化されるにつれて、基板４００に蒸着がなされる。
詳細には、蒸着源１１０は、その内部に蒸着物質１１５が充填される坩堝１１１と、坩堝１１１を加熱させて坩堝１１１の内部に充填された蒸着物質１１５を坩堝１１１の一側、詳細には、蒸着源ノズル部１２０側に蒸発させるためのヒータ１１２と、を備える。 Meanwhile, a deposition source 110 that stores and heats the deposition material 115 is disposed on the side facing the substrate 400 in the chamber. As the deposition material 115 stored in the deposition source 110 is vaporized, deposition is performed on the substrate 400.
Specifically, the vapor deposition source 110 includes a crucible 111 in which a vapor deposition material 115 is filled, and a vapor deposition material 115 filled in the crucible 111 by heating the crucible 111. And a heater 112 for evaporating on the vapor deposition source nozzle part 120 side.

蒸着源１１０の一側、詳細には、蒸着源１１０で基板４００に向かう側には、蒸着源ノズル部１２０が配される。そして、蒸着源ノズル部１２０には、Ｘ軸方向に沿って複数の蒸着源ノズル１２１が形成される。ここで、前記複数の蒸着源ノズル１２１は、等間隔に形成されうる。蒸着源１１０内で気化した蒸着物質１１５は、このような蒸着源ノズル部１２０を通過して、被蒸着体である基板４００側に向かう。   The vapor deposition source nozzle unit 120 is disposed on one side of the vapor deposition source 110, specifically, on the side of the vapor deposition source 110 facing the substrate 400. In the vapor deposition source nozzle unit 120, a plurality of vapor deposition source nozzles 121 are formed along the X-axis direction. Here, the plurality of vapor deposition source nozzles 121 may be formed at equal intervals. The vapor deposition material 115 vaporized in the vapor deposition source 110 passes through such a vapor deposition source nozzle unit 120 and travels toward the substrate 400 that is the deposition target.

一方、蒸着源１１０と基板４００との間には、パターニングスリットシート１５０及びフレーム１５５がさらに備えられる。フレーム１５５は、大概窓枠のような形態に形成され、その内側にパターニングスリットシート１５０が結合される。そして、パターニングスリットシート１５０には、Ｘ軸方向に沿って複数のパターニングスリット１５１が形成される。蒸着源１１０内で気化した蒸着物質１１５は、蒸着源ノズル部１２０及びパターニングスリットシート１５０を通過して、被蒸着体である基板４００側に向かう。この時、前記パターニングスリットシート１５０は、従来のファインメタルマスク(ＦＭＭ)、特に、ストライプタイプのマスクの製造方法と同じ方法であるエッチングを通じて製作されうる。この時、蒸着源ノズル１２１の総数よりパターニングスリット１５１の総数がさらに多く形成されうる。   Meanwhile, a patterning slit sheet 150 and a frame 155 are further provided between the deposition source 110 and the substrate 400. The frame 155 is generally shaped like a window frame, and the patterning slit sheet 150 is coupled to the inside thereof. In the patterning slit sheet 150, a plurality of patterning slits 151 are formed along the X-axis direction. The vapor deposition material 115 vaporized in the vapor deposition source 110 passes through the vapor deposition source nozzle portion 120 and the patterning slit sheet 150 and travels toward the substrate 400 that is the deposition target. At this time, the patterning slit sheet 150 may be manufactured through etching, which is the same method as the manufacturing method of a conventional fine metal mask (FMM), particularly a stripe type mask. At this time, the total number of patterning slits 151 may be formed more than the total number of deposition source nozzles 121.

ここで、本発明の第１実施例による薄膜蒸着装置１００は、複数のサブスリット１５１ａ,１５１ｂで一つのパターニングスリット１５１を構成することを特徴とする。このように、複数のサブスリット１５１ａ,１５１ｂで一つのパターニングスリット１５１を構成し、前記複数のサブスリット１５１ａ,１５１ｂを通じて形成されたパターンが相互重畳されるように、サブスリット１５１ａ,１５１ｂを配することによって、所望のパターン形状を形成することが可能になる。これについては、後述する。
一方、前述した蒸着源１１０(及び、これと結合された蒸着源ノズル部１２０)とパターニングスリットシート１５０とは、相互一定程度離隔されて形成され、蒸着源１１０(及びこれと結合された蒸着源ノズル部１２０)とパターニングスリットシート１５０とは、連結部材１３５によって相互連結されうる。 Here, the thin film deposition apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention is characterized in that a plurality of sub-slits 151a and 151b constitute one patterning slit 151. As described above, the plurality of sub-slits 151a and 151b constitute one patterning slit 151, and the sub-slits 151a and 151b are arranged so that the patterns formed through the plurality of sub-slits 151a and 151b overlap each other. Thus, a desired pattern shape can be formed. This will be described later.
On the other hand, the deposition source 110 (and the deposition source nozzle unit 120 coupled thereto) and the patterning slit sheet 150 are formed to be spaced apart from each other by a certain distance, and the deposition source 110 (and the deposition source coupled thereto) is formed. The nozzle part 120) and the patterning slit sheet 150 may be connected to each other by a connecting member 135.

前述したように、本発明の第１実施例による薄膜蒸着装置１００は、基板４００に対して相対的に移動しつつ蒸着を行い、このように、薄膜蒸着装置１００が基板４００に対して相対的に移動するために、パターニングスリットシート１５０は、基板４００から一定程度離隔されて形成される。そして、パターニングスリットシート１５０と基板４００とを離隔させる場合、陰影が発生してパターンの形状が所望の形態に形成されないという問題が発生する。このような問題点を解決するために、本発明の一実施例による薄膜蒸着装置１００は、複数のサブスリット１５１ａ,１５１ｂで一つのパターニングスリット１５１を構成し、前記複数のサブスリット１５１ａ,１５１ｂを通じて形成されたパターンの重畳を利用して、所望のパターン形状を形成することを特徴とする。   As described above, the thin film deposition apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention performs deposition while moving relative to the substrate 400, and thus the thin film deposition apparatus 100 is relative to the substrate 400. Therefore, the patterning slit sheet 150 is formed at a certain distance from the substrate 400. When the patterning slit sheet 150 and the substrate 400 are separated from each other, there is a problem that a shadow is generated and the pattern shape is not formed in a desired form. In order to solve such a problem, the thin film deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a plurality of sub slits 151a and 151b to form a single patterning slit 151, and the plurality of sub slits 151a and 151b. A desired pattern shape is formed by using superposition of the formed patterns.

詳細には、従来のＦＭＭ蒸着方法では、基板に陰影が生じないようにするために、基板にマスクを密着させて蒸着工程を進行した。しかし、このように、基板にマスクを密着させる場合、基板とマスクとの接触による不良問題が発生するという問題点が存在した。また、マスクを基板に対して移動させられないため、マスクが基板と同じサイズに形成されねばならない。したがって、ディスプレイ装置が大型化されるにつれて、マスクのサイズも大きくならねばならないが、このような大型マスクを形成することが容易でないという問題点が存在した。   Specifically, in the conventional FMM vapor deposition method, the vapor deposition process is performed with a mask adhered to the substrate in order to prevent the substrate from being shaded. However, when the mask is brought into close contact with the substrate as described above, there is a problem that a defect problem occurs due to contact between the substrate and the mask. In addition, since the mask cannot be moved relative to the substrate, the mask must be formed in the same size as the substrate. Therefore, the size of the mask must be increased as the display device is increased in size, but there is a problem that it is not easy to form such a large mask.

このような問題点を解決するために、本発明の第１実施例による薄膜蒸着装置１００では、パターニングスリットシート１５０を被蒸着体である基板４００と所定間隔離隔させる。これは、複数のサブスリット１５１ａ,１５１ｂで一つのパターニングスリット１５１を構成し、前記複数のサブスリット１５１ａ,１５１ｂを通じて形成されたパターンの重畳を利用して所望のパターン形状を形成することによって実現可能になる。   In order to solve such a problem, in the thin film deposition apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention, the patterning slit sheet 150 is separated from the substrate 400 which is a deposition target by a predetermined distance. This can be realized by forming a single patterning slit 151 by a plurality of sub-slits 151a and 151b and forming a desired pattern shape by using the overlapping of the patterns formed through the plurality of sub-slits 151a and 151b. become.

このような本発明によってマスクを基板より小さく形成した後、マスクを基板に対して移動させつつ蒸着できることで、マスク製作が容易になる効果が得られる。また、基板とマスクとの接触による不良を防止する効果が得られる。また、工程で基板とマスクとを密着させる時間が不要になるため、製造速度が向上するという効果が得られる。
以下では、従来のＦＭＭ方式でのパターンの形状と、基板とパターニングスリットシートとを離隔させ、単一スリットでパターニングスリットを構成する場合と、基板とパターニングスリットシートとを離隔させ、複数のサブスリットでパターニングスリットを構成する場合のパターンの形状と、を詳細に比較する。 By forming the mask smaller than the substrate according to the present invention and then performing deposition while moving the mask relative to the substrate, an effect of facilitating mask manufacture can be obtained. In addition, an effect of preventing defects due to contact between the substrate and the mask can be obtained. In addition, since the time for bringing the substrate and the mask into close contact with each other in the process becomes unnecessary, an effect that the manufacturing speed is improved can be obtained.
In the following, the pattern shape in the conventional FMM method, the case where the substrate and the patterning slit sheet are separated from each other, and the patterning slit is configured by a single slit, and the substrate and the patterning slit sheet are separated from each other, and a plurality of sub slits are formed. The pattern shape when the patterning slit is formed is compared in detail.

図４Ａに示したように、従来のＦＭＭ方式では、マスク１５０'と基板４００とが密着結合された。したがって、基板４００に陰影が発生せず、所望の形状のパターンＰＳ１が形成された。しかし、このような従来のＦＭＭ方式の場合、基板とマスクとの接触による不良問題が発生するという問題点が存在した。また、マスクを基板に対して移動させられないため、マスクが基板と同じサイズに形成されねばならないという問題点が存在した。   As shown in FIG. 4A, in the conventional FMM method, the mask 150 ′ and the substrate 400 are tightly coupled. Therefore, no shadow is generated on the substrate 400, and the pattern PS1 having a desired shape is formed. However, in the case of such a conventional FMM method, there is a problem that a defect problem due to contact between the substrate and the mask occurs. Further, since the mask cannot be moved with respect to the substrate, there is a problem that the mask has to be formed in the same size as the substrate.

一方、図４Ｂに示したように、パターニングスリットが単一スリットで構成された場合、マスク１５０''を基板４００より小さく形成した後、マスク１５０''を基板４００に対して移動させつつ蒸着できることで、マスク製作が容易になり、基板とマスクとの接触による不良が防止された。しかし、この場合、マスク１５０''と基板４００とが一定程度離隔されるため、必然的に陰影が発生し、したがって、パターンＰＳ２が所望の形状に形成されないという問題点が存在する。   On the other hand, as shown in FIG. 4B, when the patterning slit is a single slit, the mask 150 ″ can be formed smaller than the substrate 400, and then the mask 150 ″ can be moved while moving relative to the substrate 400. Thus, the mask can be easily manufactured, and defects due to contact between the substrate and the mask are prevented. However, in this case, since the mask 150 ″ and the substrate 400 are separated from each other by a certain amount, a shadow is inevitably generated, and thus there is a problem that the pattern PS2 is not formed in a desired shape.

このような問題点を解決するために、本発明の一実施例による薄膜蒸着装置１００は、複数のサブスリット１５１ａ,１５１ｂで一つのパターニングスリット１５１を構成し、前記複数のサブスリット１５１ａ,１５１ｂを通じて形成されたパターンの重畳を利用して、所望のパターン形状を形成することを特徴とする。
すなわち、図５Ａに示したように、一つのパターニングスリット１５１は、二つのサブスリット１５１ａ,１５１ｂで構成される。言い換えれば、相互隣接したパターニングスリット１５１間の間隔は、一つのパターニングスリット１５１に属する相互隣接したサブスリット１５１ａ,１５１ｂ間の間隔よりさらに広く構成される。 In order to solve such a problem, the thin film deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a plurality of sub slits 151a and 151b to form a single patterning slit 151, and the plurality of sub slits 151a and 151b. A desired pattern shape is formed by using superposition of the formed patterns.
That is, as shown in FIG. 5A, one patterning slit 151 includes two sub slits 151a and 151b. In other words, the interval between the adjacent patterning slits 151 is configured to be wider than the interval between the adjacent sub-slits 151a and 151b belonging to one patterning slit 151.

このようなパターニングスリットシート１５０によって形成されたパターンの形状が、図５Ｂに示されている。すなわち、第１サブスリット１５１ａを通過して基板４００上に蒸着された蒸着物質が形成するパターンと、第２サブスリット１５１ｂを通過して基板４００上に蒸着された蒸着物質が形成するパターンとは、少なくとも一部が相互重畳されて形成される。このように重畳されたパターンは、蒸発粒子の広がり現象によって上端部が平坦になりつつ、結果的に、所定形状の単一パターンＰＳ３を形成し、これは、従来のＦＭＭ方式によって形成されたパターンＰＳ１の形状とほぼ類似した形態を有する。   The shape of the pattern formed by such a patterning slit sheet 150 is shown in FIG. 5B. That is, the pattern formed by the vapor deposition material deposited on the substrate 400 through the first sub slit 151a and the pattern formed by the vapor deposition material deposited on the substrate 400 through the second sub slit 151b are described. , At least a portion is formed to overlap each other. The superposed pattern is flattened by the spreading phenomenon of the evaporated particles, and as a result, forms a single pattern PS3 having a predetermined shape, which is a pattern formed by the conventional FMM method. It has a form almost similar to the shape of PS1.

図５Ｃは、複数のパターンを重畳させて新たなパターンを形成する場合の具体的な実験結果を示すグラフである。図５Ｃに示したように、相互隣接したサブスリットを通じて形成された二つのパターンＢ,Ｃが合成されて新たな形態のパターンＤが形成されうる。   FIG. 5C is a graph showing specific experimental results when a new pattern is formed by overlapping a plurality of patterns. As shown in FIG. 5C, two patterns B and C formed through sub slits adjacent to each other may be combined to form a new pattern D.

一方、図５Ａ及び図５Ｂには、一つのパターニングスリット１５１が二つのサブスリット１５１ａ,１５１ｂで形成されていると示されているが、本発明の思想は、これに制限されず、パターニングスリットは、二つ以上の複数のサブスリットで構成され、サブスリットの数、サブスリット間の間隔及び各パターニングスリット間の間隔は、所望のパターン形状によって自由に選択可能である。   On the other hand, FIG. 5A and FIG. 5B show that one patterning slit 151 is formed by two sub-slits 151a and 151b. However, the idea of the present invention is not limited to this. The number of sub slits, the interval between sub slits, and the interval between patterning slits can be freely selected according to a desired pattern shape.

例えば、図６Ａに示したように、一つのパターニングスリット１５１が五つのサブスリット１５１ａ,１５１ｂ,１５１ｃ,１５１ｄ,１５１ｅで形成されることもある。すなわち、各サブスリットを通過して基板４００上に蒸着された蒸着物質が形成するパターンは、それと隣接したサブスリットを通過して基板４００上に蒸着された蒸着物質が形成するパターンと少なくとも一部が相互重畳されて形成される。このように重畳されたパターンは、蒸発粒子の広がり現象によって上端部が平坦になりつつ、結果的に、所定形状の単一パターンＰＳ４を形成し、これは、従来のＦＭＭ方式によって形成されたパターンＰＳ１の形状とほぼ類似した形態を有する。   For example, as shown in FIG. 6A, one patterning slit 151 may be formed by five sub slits 151a, 151b, 151c, 151d, and 151e. That is, the pattern formed by the deposition material deposited on the substrate 400 through each sub-slit is at least partly the same as the pattern formed by the deposition material deposited on the substrate 400 through the sub-slit adjacent thereto. Are formed to overlap each other. The superposed pattern is flattened by the spreading phenomenon of the evaporated particles, and as a result, a single pattern PS4 having a predetermined shape is formed. This is a pattern formed by the conventional FMM method. It has a form almost similar to the shape of PS1.

または、図７Ａ及び図７Ｂに示されているように、パターニングスリットが多重のホール形状のサブスリットを含んで備えられることによって、四角形または所望の形状のパターンを形成することもある。
このような本発明によって、基板とマスクとが相互一定程度離隔されても、所望の形態のパターン形状を具現できることによって、マスク製作が容易になり、基板とマスクとの接触による不良が防止され、製造速度が向上する効果が得られる。
図８は、本発明の蒸着装置を利用して製造されたアクティブマトリックス型有機発光ディスプレイ装置の断面を示した図面である。 Alternatively, as shown in FIGS. 7A and 7B, the patterning slit may include a plurality of hole-shaped sub-slits to form a square or a desired pattern.
According to the present invention, even if the substrate and the mask are spaced apart from each other by a certain amount, the desired shape of the pattern shape can be realized, thereby facilitating mask manufacture and preventing defects due to contact between the substrate and the mask. The effect of improving the production speed can be obtained.
FIG. 8 is a cross-sectional view of an active matrix organic light emitting display device manufactured using the vapor deposition apparatus of the present invention.

図８に示したように、ガラス材またはプラスチック材の基板５０上にバッファ層５１が形成されており、この上に薄膜トランジスタ(ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ)と、有機電界発光素子(ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ)が形成される。   As shown in FIG. 8, a buffer layer 51 is formed on a glass or plastic substrate 50, and a thin film transistor (TFT) and an organic light emitting device (OLED) are formed on the buffer layer 51. Diode) is formed.

基板５０のバッファ層５１上に所定パターンの活性層５２が備えられる。活性層５２の上部には、ゲート絶縁膜５３が備えられ、ゲート絶縁膜５３の上部の所定領域には、ゲート電極５４が形成される。ゲート電極５４は、薄膜トランジスタのオン/オフ信号を印加するゲートライン(図示せず)と連結されている。ゲート電極５４の上部には、層間絶縁膜５５が形成され、コンタクトホールを通じてソース/ドレイン電極５６,５７がそれぞれ活性層５２のソース/ドレイン領域５２ｂ,５２ｃに接して形成される。ソース/ドレイン電極５６,５７の上部には、ＳｉＯ２、ＳｉＮＸで形成されたパッシベーション膜５８が形成され、パッシベーション膜５８の上部には、アクリル、ポリイミド、ＢＣＢ(ＢｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ)などの有機物質で平坦化膜５９が形成されている。平坦化膜５９の上部にＯＬＥＤのアノード電極となる画素電極６１が形成され、これを覆うように、有機物で画素定義膜６０が形成される。画素定義膜６０に所定の開口を形成した後、画素定義膜６０の上部及び開口が形成されて外部に露出された画素電極６１の上部に有機膜６２を形成する。有機膜６２は、発光層を備える。本発明は、必ずしもこのような構造に限定されるものではなく、多様な有機発光ディスプレイ装置の構造がそのまま適用されうる。 An active layer 52 having a predetermined pattern is provided on the buffer layer 51 of the substrate 50. A gate insulating film 53 is provided on the active layer 52, and a gate electrode 54 is formed in a predetermined region on the gate insulating film 53. The gate electrode 54 is connected to a gate line (not shown) for applying an on / off signal of the thin film transistor. An interlayer insulating film 55 is formed on the gate electrode 54, and source / drain electrodes 56 and 57 are formed in contact with the source / drain regions 52b and 52c of the active layer 52 through contact holes, respectively. A passivation film 58 made of SiO 2 and SiN X is formed on the source / drain electrodes 56 and 57, and the passivation film 58 is flat on an organic material such as acrylic, polyimide, or BCB (BenzoCycloButene). A chemical film 59 is formed. A pixel electrode 61 serving as an anode electrode of the OLED is formed on the planarizing film 59, and a pixel definition film 60 is formed of an organic material so as to cover the pixel electrode 61. After a predetermined opening is formed in the pixel definition film 60, an organic film 62 is formed on the pixel definition film 60 and on the pixel electrode 61 where the opening is formed and exposed to the outside. The organic film 62 includes a light emitting layer. The present invention is not necessarily limited to such a structure, and various structures of organic light emitting display devices can be applied as they are.

ＯＬＥＤは、電流の流れによって赤、緑、青色の光を発光して所定の画像情報を表示するものであって、薄膜トランジスタのドレイン電極５６に連結されて、これからプラス(＋)電源を供給される画素電極６１と、全体画素を覆うように備えられて、マイナス（−）電源を供給する対向電極６３と、これらの画素電極６１と対向電極６３との間に配されて発光する有機膜６２と、で構成される。   The OLED emits red, green, and blue light according to a current flow and displays predetermined image information. The OLED is connected to the drain electrode 56 of the thin film transistor and is supplied with plus (+) power from there. A pixel electrode 61, a counter electrode 63 provided so as to cover the entire pixel and supplying negative (−) power, and an organic film 62 disposed between the pixel electrode 61 and the counter electrode 63 to emit light , Composed of.

画素電極６１と対向電極６３とは、有機膜６２によって互いに絶縁されており、有機膜６２に相異なる極性の電圧を加えて有機膜６２から発光させる。
有機膜６２は、低分子または高分子有機膜が使われうるが、低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層(ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)、ホール輸送層(ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ)、発光層(ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)、電子輸送層(ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ)、電子注入層(ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)が単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も銅フタロシアニン(ＣｕＰｃ)、Ｎ,Ｎ−ジ(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン(ＮＰＢ)、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム(Ａｌｑ３)をはじめとして多様に適用可能である。これらの低分子有機膜は、真空蒸着の方法で形成される。 The pixel electrode 61 and the counter electrode 63 are insulated from each other by the organic film 62, and voltages having different polarities are applied to the organic film 62 to emit light from the organic film 62.
The organic film 62 may be a low molecular or high molecular organic film. When a low molecular organic film is used, a hole injection layer (HIL: Hole Injection Layer), a hole transport layer (HTL: Hole Transport Layer), light emission is used. A layer (EML: Emission Layer), an electron transport layer (ETL: Electron Transport Layer), and an electron injection layer (EIL: Electron Injection Layer) are laminated in a single or composite structure. Various applications are possible including phthalocyanine (CuPc), N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N′-diphenyl-benzidine (NPB), and tris-8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3). These low molecular organic films are formed by a vacuum deposition method.

高分子有機膜の場合には、大概ＨＴＬ及びＥＭＬで備えられた構造を有し、この時、ＨＴＬとしてＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙ(３,４−Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ)）を使用し、発光層としてＰＰＶ(Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｖｉｎｙｌｅｎｅ)系及びポリフルオレン系などの高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法で形成できる。   In the case of a polymer organic film, it has a structure generally provided in HTL and EML. At this time, PEDOT (Poly (3,4-Ethylene Dioxythiophene)) is used as HTL, and PPV (Poly--) is used as a light emitting layer. High molecular organic materials such as (Phenylene Vinylene) and polyfluorene can be used and formed by screen printing or ink jet printing.

このような有機膜は、必ずしもこれに限定されず、多様な実施例が適用されうる。
画素電極６１は、アノード電極の機能を行い、対向電極６３は、カソード電極の機能を行うが、もちろん、これらの画素電極６１と対向電極６３との極性は、逆になっても構わない。
画素電極６１は、透明電極または反射型電極で備えられうるが、透明電極として使われる時には、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３で備えられ、反射型電極として使われる時には、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びこれらの化合物で反射膜を形成した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３を形成できる。 Such an organic film is not necessarily limited to this, and various embodiments can be applied.
The pixel electrode 61 functions as an anode electrode, and the counter electrode 63 functions as a cathode electrode. Of course, the polarities of the pixel electrode 61 and the counter electrode 63 may be reversed.
The pixel electrode 61 may be a transparent electrode or a reflective electrode. When the pixel electrode 61 is used as a transparent electrode, the pixel electrode 61 is made of ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 , and when used as a reflective electrode, Ag, Mg After forming a reflective film with Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, and their compounds, ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 can be formed thereon.

一方、対向電極６３も透明電極または反射型電極で備えられうるが、透明電極として使われる時には、対向電極６３がカソード電極として使われるので、仕事関数の小さい金属、すなわち、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びこれらの化合物を有機膜６２の方向に蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用物質で補助電極層やバス電極ラインを形成できる。そして、反射型電極として使われる時には、前記のＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びこれらの化合物を前面蒸着して形成する。 On the other hand, the counter electrode 63 can also be provided as a transparent electrode or a reflective electrode. However, when the counter electrode 63 is used as a transparent electrode, the counter electrode 63 is used as a cathode electrode, so that a metal having a small work function, that is, Li, Ca, LiF / After vapor-depositing Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, and their compounds in the direction of the organic film 62, they are supplemented with a transparent electrode forming material such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 thereon. Electrode layers and bus electrode lines can be formed. When used as a reflective electrode, the above Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, and these compounds are formed by front deposition.

このような有機発光ディスプレイ装置において、発光層を備える有機膜６２は、前述した薄膜蒸着装置１００(図１を参照)によって形成されうる。本発明は、これ以外にも、有機ＴＦＴの有機膜または無期膜の蒸着にも使用でき、その他、多様な素材の成膜工程に適用可能である。   In such an organic light emitting display device, the organic film 62 including a light emitting layer can be formed by the thin film deposition apparatus 100 (see FIG. 1) described above. In addition to this, the present invention can be used for vapor deposition of organic films or indefinite films of organic TFTs, and can be applied to film forming processes of various other materials.

図９は、本発明の第２実施例による薄膜蒸着装置を概略的に示した斜視図であり、図１０は、図９の薄膜蒸着装置の概略的な側面図であり、図１１は、図９の薄膜蒸着装置の概略的な平面図である。
図９、図１０及び図１１を参照すれば、本発明の第２実施例に関する薄膜蒸着装置９００は、蒸着源９１０、蒸着源ノズル部９２０及びパターニングスリットシート９５０を備える。 FIG. 9 is a perspective view schematically showing a thin film deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention, FIG. 10 is a schematic side view of the thin film deposition apparatus of FIG. 9, and FIG. It is a schematic plan view of the thin film vapor deposition apparatus of FIG.
Referring to FIGS. 9, 10, and 11, the thin film deposition apparatus 900 according to the second embodiment of the present invention includes a deposition source 910, a deposition source nozzle unit 920, and a patterning slit sheet 950.

ここで、図９、図１０及び図１１には、説明の便宜上、チャンバを示していないが、図９ないし図１１のすべての構成は、適切な真空度が維持されるチャンバ内に配されることが望ましい。これは、蒸着物質の直進性を確保するためである。   Here, in FIG. 9, FIG. 10 and FIG. 11, the chamber is not shown for convenience of explanation, but all the configurations of FIG. 9 to FIG. 11 are arranged in a chamber in which an appropriate degree of vacuum is maintained. It is desirable. This is to ensure straightness of the vapor deposition material.

詳細には、蒸着源９１０から放出された蒸着物質９１５を蒸着源ノズル部９２０及びパターニングスリットシート９５０を通過して基板４００に所望のパターンに蒸着させるためには、基本的に、チャンバ(図示せず)の内部は、ＦＭＭ蒸着方法と同じ高真空状態を維持せねばならない。また、パターニングスリットシート９５０の温度が蒸着源９１０の温度より十分に低くなければ(約１００°Ｃ以下)ならない。それは、パターニングスリットシート９５０の温度が十分に低くなければ、温度によるパターニングスリットシート９５０の熱膨張問題を最小化できないためである。   In detail, in order to deposit the deposition material 915 emitted from the deposition source 910 through the deposition source nozzle unit 920 and the patterning slit sheet 950 on the substrate 400 in a desired pattern, basically, a chamber (not shown) is used. The inside of (1) must maintain the same high vacuum state as the FMM deposition method. Further, the temperature of the patterning slit sheet 950 must be sufficiently lower than the temperature of the vapor deposition source 910 (about 100 ° C. or less). This is because the thermal expansion problem of the patterning slit sheet 950 due to temperature cannot be minimized unless the temperature of the patterning slit sheet 950 is sufficiently low.

このようなチャンバ(図示せず)内には、被蒸着体である基板４００が配される。前記基板４００は、平板表示装置用基板となりうるが、多数の平板表示装置を形成できるマザーガラスのような大面積基板が適用されうる。
ここで、本発明の一実施例では、基板４００が薄膜蒸着装置９００に対して相対的に移動しつつ蒸着が進行されることを一特徴とする。
詳細には、既存のＦＭＭ蒸着方法では、ＦＭＭサイズが基板サイズと同じく形成されなければならない。したがって、基板サイズが増大するほど、ＦＭＭも大型化されなければならず、これにより、ＦＭＭの製作が容易でなく、ＦＭＭを引張して精密なパターンにアラインすることも容易でないという問題点が存在した。 In such a chamber (not shown), a substrate 400 which is a deposition target is disposed. The substrate 400 may be a flat panel display substrate, but a large area substrate such as mother glass capable of forming a large number of flat panel displays may be used.
Here, one embodiment of the present invention is characterized in that deposition proceeds while the substrate 400 moves relative to the thin film deposition apparatus 900.
Specifically, in existing FMM deposition methods, the FMM size must be formed the same as the substrate size. Therefore, as the substrate size increases, the FMM must be enlarged, which makes it difficult to fabricate the FMM, and it is not easy to pull the FMM to align it with a precise pattern. did.

このような問題点を解決するために、本発明の一実施例に関する薄膜蒸着装置９００は、薄膜蒸着装置９００と基板４００とが互いに相対的に移動しつつ蒸着されることを一特徴とする。言い換えれば、薄膜蒸着装置９００と対向して配された基板４００がＹ軸方向に沿って移動しつつ連続して蒸着する。すなわち、基板４００が図９の矢印Ａ方向に移動しつつスキャニング方式で蒸着される。ここで、図面には、基板４００がチャンバ(図示せず)内でＹ軸方向に移動しつつ蒸着されると示されているが、本発明の思想は、これに制限されず、基板４００は、固定されており、薄膜蒸着装置９００自体がＹ軸方向に移動しつつ蒸着することも可能である。   In order to solve such problems, a thin film deposition apparatus 900 according to an embodiment of the present invention is characterized in that the thin film deposition apparatus 900 and the substrate 400 are deposited while moving relative to each other. In other words, the substrate 400 disposed facing the thin film deposition apparatus 900 continuously deposits while moving along the Y-axis direction. That is, the substrate 400 is deposited by a scanning method while moving in the direction of arrow A in FIG. Here, the drawing shows that the substrate 400 is deposited while moving in the Y-axis direction in a chamber (not shown). However, the idea of the present invention is not limited to this, and the substrate 400 The thin film deposition apparatus 900 itself can also perform deposition while moving in the Y-axis direction.

したがって、本発明の薄膜蒸着装置９００では、従来のＦＭＭに比べて、はるかに小さくパターニングスリットシート９５０を作りうる。すなわち、本発明の薄膜蒸着装置９００の場合、基板４００がＹ軸方向に沿って移動しつつ連続して、すなわち、スキャニング方式で蒸着するため、パターニングスリットシート９５０のＸ軸方向及びＹ軸方向の長さは、基板４００の長さよりはるかに短く形成されうる。このように、従来のＦＭＭに比べて、はるかに小さくパターニングスリットシート９５０を作りうるため、本発明のパターニングスリットシート９５０は、その製造が容易である。すなわち、パターニングスリットシート９５０のエッチング作業や、その以後の精密引張及び溶接作業、移動及び洗浄作業などのすべての工程で、小さなサイズのパターニングスリットシート９５０がＦＭＭ蒸着方法に比べて有利である。また、これは、ディスプレイ装置が大型化されるほどさらに有利になる。   Therefore, the thin film deposition apparatus 900 of the present invention can make the patterning slit sheet 950 much smaller than the conventional FMM. That is, in the case of the thin film deposition apparatus 900 of the present invention, the substrate 400 is continuously deposited while moving along the Y-axis direction, that is, the deposition is performed by the scanning method. The length can be formed much shorter than the length of the substrate 400. Thus, since the patterning slit sheet 950 can be made much smaller than the conventional FMM, the patterning slit sheet 950 of the present invention is easy to manufacture. That is, the patterning slit sheet 950 having a small size is more advantageous than the FMM deposition method in all processes such as the etching operation of the patterning slit sheet 950, the subsequent precision tension and welding operations, the moving operation and the cleaning operation. In addition, this becomes more advantageous as the display device becomes larger.

このように、薄膜蒸着装置９００と基板４００とが互いに相対的に移動しつつ蒸着されるためには、薄膜蒸着装置９００と基板４００とが一定程度離隔されることが望ましい。これについては、後で詳細に記述する。   Thus, in order for the thin film deposition apparatus 900 and the substrate 400 to be deposited while moving relative to each other, it is desirable that the thin film deposition apparatus 900 and the substrate 400 be separated by a certain amount. This will be described in detail later.

一方、チャンバ内で前記基板４００と対向する側には、蒸着物質９１５が収納及び加熱される蒸着源９１０が配される。前記蒸着源９１０内に収納されている蒸着物質９１５の気化によって、基板４００に蒸着される。
詳細には、蒸着源９１０は、その内部に蒸着物質９１５が充填される坩堝９１１と、坩堝９１１を加熱させて坩堝９１１の内部に充填された蒸着物質９１５を坩堝９１１の一側、詳細には、蒸着源ノズル部９２０側に蒸発させるためのヒータ９１２と、を備える。 Meanwhile, a deposition source 910 that stores and heats the deposition material 915 is disposed on the side facing the substrate 400 in the chamber. The vapor deposition material 915 stored in the vapor deposition source 910 is vaporized on the substrate 400.
In detail, the vapor deposition source 910 includes a crucible 911 in which a vapor deposition material 915 is filled, and a vapor deposition material 915 filled in the crucible 911 by heating the crucible 911, And a heater 912 for evaporating on the vapor deposition source nozzle part 920 side.

蒸着源９１０の一側、詳細には、蒸着源９１０から基板４００に向かう側には、蒸着源ノズル部９２０が配される。そして、蒸着源ノズル部９２０には、Ｙ軸方向、すなわち、基板４００のスキャン方向に沿って複数の蒸着源ノズル９２１が形成される。ここで、前記複数の蒸着源ノズル９２１は、等間隔で形成されうる。蒸着源９１０内で気化した蒸着物質９１５は、このような蒸着源ノズル部９２０を通過して被蒸着体である基板４００方向に向かう。このように、蒸着源ノズル部９２０上にＹ軸方向、すなわち、基板４００のスキャン方向に沿って複数の蒸着源ノズル９２１が形成される場合、パターニングスリットシート９５０のそれぞれのパターニングスリット９５１を通過する蒸着物質によって形成されるパターンのサイズは、一つの蒸着源ノズル９２１のサイズにのみ影響を受けるので(すなわち、Ｘ軸方向には、蒸着源ノズル９２１が一つだけ存在するので)、陰影が発生しなくなる。また、複数の蒸着源ノズル９２１がスキャン方向に存在するので、個別蒸着源ノズル間フラックス(ｆｌｕｘ)差が発生しても、その差が相殺されて蒸着均一度が一定に維持される効果が得られる。   On one side of the vapor deposition source 910, specifically, on the side facing the substrate 400 from the vapor deposition source 910, a vapor deposition source nozzle unit 920 is disposed. A plurality of vapor deposition source nozzles 921 are formed in the vapor deposition source nozzle portion 920 along the Y-axis direction, that is, the scanning direction of the substrate 400. Here, the plurality of vapor deposition source nozzles 921 may be formed at equal intervals. The vapor deposition material 915 vaporized in the vapor deposition source 910 passes through the vapor deposition source nozzle unit 920 and travels toward the substrate 400 that is the vapor deposition target. As described above, when the plurality of vapor deposition source nozzles 921 are formed on the vapor deposition source nozzle portion 920 along the Y-axis direction, that is, the scanning direction of the substrate 400, the patterning slit sheet 950 passes through each patterning slit 951. Since the size of the pattern formed by the deposition material is affected only by the size of one deposition source nozzle 921 (that is, only one deposition source nozzle 921 exists in the X-axis direction), a shadow is generated. No longer. In addition, since a plurality of vapor deposition source nozzles 921 exist in the scanning direction, even if a flux (flux) difference between individual vapor deposition source nozzles occurs, the difference is canceled out and the effect of maintaining the vapor deposition uniformity is obtained. It is done.

一方、蒸着源９１０と基板４００との間には、パターニングスリットシート９５０及びフレーム９５５がさらに備えられる。フレーム９５５は、大体窓枠組のような形態で形成され、その内側にパターニングスリットシート９５０が結合される。そして、パターニングスリットシート９５０には、Ｘ軸方向に沿って複数のパターニングスリット９５１が形成される。蒸着源９１０内で気化した蒸着物質９１５は、蒸着源ノズル部９２０及びパターニングスリットシート９５０を通過して、被蒸着体である基板４００方向に向かう。この時、前記パターニングスリットシート９５０は、従来のＦＭＭ、特に、ストライプタイプのマスクの製造方法と同じ方法のエッチングを通じて製作されうる。この時、蒸着源ノズル９２１の総数よりパターニングスリット９５１の総数がさらに多く形成されうる。   Meanwhile, a patterning slit sheet 950 and a frame 955 are further provided between the vapor deposition source 910 and the substrate 400. The frame 955 is generally formed in a form like a window frame, and a patterning slit sheet 950 is coupled to the inside thereof. In the patterning slit sheet 950, a plurality of patterning slits 951 are formed along the X-axis direction. The vapor deposition material 915 vaporized in the vapor deposition source 910 passes through the vapor deposition source nozzle unit 920 and the patterning slit sheet 950 and travels toward the substrate 400 that is the deposition target. At this time, the patterning slit sheet 950 may be manufactured through the same etching method as that of a conventional FMM, particularly a stripe type mask. At this time, the total number of patterning slits 951 can be formed more than the total number of vapor deposition source nozzles 921.

一方、前述した蒸着源９１０、これと結合された蒸着源ノズル部９２０、及びパターニングスリットシート９５０は、互いに一定程度離隔されて形成され、蒸着源９１０、これと結合された蒸着源ノズル部９２０、及びパターニングスリットシート９５０は、連結部材９３５によって相互連結されうる。すなわち、蒸着源９１０、蒸着源ノズル部９２０及びパターニングスリットシート９５０が連結部材９３５によって連結されて相互一体に形成されうる。ここで、連結部材９３５は、蒸着源ノズル９２１を通じて排出される蒸着物質が分散されないように、蒸着物質の移動経路をガイドできる。図面には、連結部材９３５が蒸着源９１０、蒸着源ノズル部９２０及びパターニングスリットシート９５０の左右方向に形成されて蒸着物質のＸ軸方向のみをガイドすると示されているが、これは、図示の便宜のためのものであり、本発明の思想は、これに制限されず、連結部材９３５がボックス状の密閉型に形成されて、蒸着物質のＸ軸方向及びＹ軸方向の移動を同時にガイドすることもある。   Meanwhile, the deposition source 910, the deposition source nozzle unit 920 combined with the deposition source 910, and the patterning slit sheet 950 are formed to be spaced apart from each other by a certain distance, and the deposition source 910, the deposition source nozzle unit 920 combined with the deposition source 910, The patterning slit sheet 950 may be interconnected by a connecting member 935. That is, the vapor deposition source 910, the vapor deposition source nozzle unit 920, and the patterning slit sheet 950 may be connected to each other by the connecting member 935 and integrally formed. Here, the connecting member 935 can guide the movement path of the deposition material so that the deposition material discharged through the deposition source nozzle 921 is not dispersed. The drawing shows that the connecting member 935 is formed in the horizontal direction of the vapor deposition source 910, the vapor deposition source nozzle unit 920, and the patterning slit sheet 950, and guides only the X-axis direction of the vapor deposition material. For convenience, the idea of the present invention is not limited to this, and the connecting member 935 is formed in a box-shaped hermetic mold to simultaneously guide the movement of the deposition material in the X-axis direction and the Y-axis direction. Sometimes.

前述したように、本発明の一実施例に関する薄膜蒸着装置９００は、基板４００に対して相対的に移動しつつ蒸着し、このように、薄膜蒸着装置９００が基板４００に対して相対的に移動するために、パターニングスリットシート９５０は、基板４００から一定程度離隔されて形成される。   As described above, the thin film deposition apparatus 900 according to an embodiment of the present invention performs deposition while moving relative to the substrate 400, and thus the thin film deposition apparatus 900 moves relative to the substrate 400. Therefore, the patterning slit sheet 950 is formed to be spaced apart from the substrate 400 by a certain amount.

詳細には、従来のＦＭＭ蒸着方法では、基板に陰影を発生させないために、基板にマスクを密着させて蒸着工程を進行した。しかし、このように、基板にマスクを密着させる場合、基板とマスクとの接触による不良問題が発生するという問題点が存在した。また、マスクを基板に対して移動させられないため、マスクが基板と同じサイズに形成されねばならない。したがって、ディスプレイ装置の大型化によって、マスクのサイズも大きくならねばならないが、このような大型マスクを形成することが容易でないという問題点が存在した。   In detail, in the conventional FMM vapor deposition method, in order not to generate a shadow on the substrate, the vapor deposition process was performed with a mask adhered to the substrate. However, when the mask is brought into close contact with the substrate as described above, there is a problem that a defect problem occurs due to contact between the substrate and the mask. In addition, since the mask cannot be moved relative to the substrate, the mask must be formed in the same size as the substrate. Therefore, although the size of the mask has to be increased due to the increase in size of the display device, there is a problem that it is not easy to form such a large mask.

このような問題点を解決するために、本発明の一実施例に関する薄膜蒸着装置９００では、パターニングスリットシート９５０を被蒸着体である基板４００と所定間隔離隔して配させる。
このような本発明によって、マスクを基板より小さく形成した後、マスクを基板に対して移動させつつ蒸着することによって、マスク製作が容易になる効果が得られる。また、基板とマスクとの接触による不良を防止する効果が得られる。また、工程で基板とマスクとを密着させる時間が不要になるため、製造速度が向上する効果が得られる。 In order to solve such a problem, in the thin film deposition apparatus 900 according to an embodiment of the present invention, the patterning slit sheet 950 is disposed at a predetermined distance from the substrate 400 that is the deposition target.
According to the present invention, after the mask is formed smaller than the substrate, vapor deposition is performed while moving the mask with respect to the substrate, so that the mask can be easily manufactured. In addition, an effect of preventing defects due to contact between the substrate and the mask can be obtained. In addition, since the time for bringing the substrate and the mask into close contact with each other in the process becomes unnecessary, an effect of improving the manufacturing speed can be obtained.

ここで、本発明の第２実施例による薄膜蒸着装置９００は、複数のサブスリット９５１ａ,９５１ｂで一つのパターニングスリット９５１を構成することを一特徴とする。このように、複数のサブスリット９５１ａ,９５１ｂで一つのパターニングスリット９５１を構成し、前記複数のサブスリット９５１ａ,９５１ｂを通じて形成されたパターンが相互重畳されるようにサブスリット９５１ａ,９５１ｂを配することによって、所望のパターン形状を形成することが可能になる。これについては、第１実施例で詳細に説明したので、本実施例では、その詳細な説明は省略する。   Here, the thin film deposition apparatus 900 according to the second embodiment of the present invention is characterized in that a plurality of sub slits 951a and 951b constitute one patterning slit 951. As described above, a plurality of sub-slits 951a and 951b constitute one patterning slit 951, and the sub-slits 951a and 951b are arranged so that patterns formed through the plurality of sub-slits 951a and 951b overlap each other. Thus, a desired pattern shape can be formed. Since this has been described in detail in the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted in this embodiment.

図１２は、本発明の第３実施例による薄膜蒸着装置を示す図面である。図面を参照すれば、本発明の第３実施例による薄膜蒸着装置は、蒸着源９１０、蒸着源ノズル部９２０及びパターニングスリットシート９５０を備える。ここで、蒸着源９１０は、その内部に蒸着物質９１５が充填される坩堝９１１と、坩堝９１１を加熱させて坩堝９１１の内部に充填された蒸着物質９１５を蒸着源ノズル部９２０側に蒸発させるためのヒータ９１２と、を備える。一方、蒸着源９１０の一側には、蒸着源ノズル部９２０が配され、蒸着源ノズル部９２０には、Ｙ軸方向に沿って複数の蒸着源ノズル９２１が形成される。一方、蒸着源９１０と基板４００との間には、パターニングスリットシート９５０及びフレーム９５５がさらに備えられ、パターニングスリットシート９５０には、Ｘ軸方向に沿って複数のパターニングスリット９５１が形成される。そして、蒸着源９１０、蒸着源ノズル部９２０、及びパターニングスリットシート９５０は、連結部材９３５によって結合される。
本実施例では、蒸着源ノズル部９２０に形成された複数の蒸着源ノズル９２１が所定角度チルトされて配されるという点で、前述した第２実施例と区別される。詳細には、蒸着源ノズル９２１は、二列の蒸着源ノズル９２１ａ,９２１ｂで形成され、前記二列の蒸着源ノズル９２１ａ,９２１ｂは、交互して配される。この時、蒸着源ノズル９２１ａ,９２１ｂは、ＸＺ平面上で所定角度に傾斜するようにチルトされて形成されうる。 FIG. 12 shows a thin film deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention. Referring to the drawings, a thin film deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention includes a deposition source 910, a deposition source nozzle unit 920, and a patterning slit sheet 950. Here, the deposition source 910 heats the crucible 911 filled with the deposition material 915 and evaporates the deposition material 915 filled in the crucible 911 toward the deposition source nozzle unit 920. Heater 912. On the other hand, a vapor deposition source nozzle unit 920 is disposed on one side of the vapor deposition source 910, and a plurality of vapor deposition source nozzles 921 are formed in the vapor deposition source nozzle unit 920 along the Y-axis direction. Meanwhile, a patterning slit sheet 950 and a frame 955 are further provided between the vapor deposition source 910 and the substrate 400, and a plurality of patterning slits 951 are formed in the patterning slit sheet 950 along the X-axis direction. The vapor deposition source 910, the vapor deposition source nozzle unit 920, and the patterning slit sheet 950 are coupled by a connecting member 935.
This embodiment is distinguished from the second embodiment described above in that a plurality of vapor deposition source nozzles 921 formed in the vapor deposition source nozzle section 920 are arranged at a predetermined angle tilt. Specifically, the vapor deposition source nozzle 921 is formed by two rows of vapor deposition source nozzles 921a and 921b, and the two rows of vapor deposition source nozzles 921a and 921b are alternately arranged. At this time, the vapor deposition source nozzles 921a and 921b may be formed to be tilted at a predetermined angle on the XZ plane.

すなわち、本実施例では、蒸着源ノズル９２１ａ,９２１ｂを所定角度チルトして配させる。ここで、第１列の蒸着源ノズル９２１ａは、第２列の蒸着源ノズル９２１ｂに対向してチルトされ、第２列の蒸着源ノズル９２１ｂは、第１列の蒸着源ノズル９２１ａに対向してチルトされうる。言い換えれば、左側列に配された蒸着源ノズル９２１ａは、パターニングスリットシート９５０の右側端部に対向して配され、右側列に配された蒸着源ノズル９２１ｂは、パターニングスリットシート９５０の左側端部に対向して配されうる。   That is, in this embodiment, the vapor deposition source nozzles 921a and 921b are arranged with a predetermined angle tilt. Here, the first row of vapor deposition source nozzles 921a is tilted to face the second row of vapor deposition source nozzles 921b, and the second row of vapor deposition source nozzles 921b is opposed to the first row of vapor deposition source nozzles 921a. It can be tilted. In other words, the vapor deposition source nozzles 921a arranged in the left row are arranged to face the right end portion of the patterning slit sheet 950, and the vapor deposition source nozzles 921b arranged in the right row are arranged to the left end portion of the patterning slit sheet 950. It can be arranged opposite to.

図１３は、本発明による薄膜蒸着装置で蒸着源ノズルをチルトさせなかった時、基板に蒸着された蒸着膜の分布形態を概略的に示す図面であり、図１４は、本発明による薄膜蒸着装置で蒸着源ノズルをチルトさせた時、基板に蒸着された蒸着膜の分布形態を概略的に示す図面である。図１３と図１４とを比較すれば、蒸着源ノズルをチルトさせた時、基板の両端部に成膜される蒸着膜の厚さが相対的に増加して、蒸着膜の均一度が上昇することが分かる。   FIG. 13 is a view schematically showing a distribution form of a deposited film deposited on a substrate when the deposition source nozzle is not tilted in the thin film deposition apparatus according to the present invention, and FIG. 14 is a thin film deposition apparatus according to the present invention. 6 is a schematic view illustrating a distribution form of a deposited film deposited on a substrate when the deposition source nozzle is tilted in FIG. Comparing FIG. 13 with FIG. 14, when the deposition source nozzle is tilted, the thickness of the deposited film formed on both ends of the substrate is relatively increased, and the uniformity of the deposited film is increased. I understand that.

このような構成によって、基板の中央及び終端部における成膜の厚さ差が減少して全体的な蒸着物質の厚さが均一になるように蒸着量を制御でき、さらには、材料利用効率が上昇する効果が得られる。
ここで、本発明の第３実施例による薄膜蒸着装置９００は、基板４００と共に移動し、基板４００の非成膜領域４０１,４０２を分類して配される遮断部材９６１,９６２をさらに備え、基板４００の非成膜領域４０１,４０２に有機物が蒸着される現象を防止することを一特徴とする。これについては、第１実施例で詳細に説明したので、本実施例では、その詳細な説明は省略する。 With such a configuration, it is possible to control the deposition amount so that the thickness difference of the film formation at the center and the terminal portion of the substrate is reduced and the thickness of the entire deposition material becomes uniform. A rising effect is obtained.
Here, the thin film deposition apparatus 900 according to the third embodiment of the present invention further includes blocking members 961 and 962 that move together with the substrate 400 and are arranged by classifying the non-film formation regions 401 and 402 of the substrate 400. One feature is that a phenomenon in which an organic substance is deposited on the non-film formation regions 401 and 402 of 400 is prevented. Since this has been described in detail in the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted in this embodiment.

本発明は、図面に示された実施例を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施例が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されなければならない。   Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is by way of example only, and various modifications and equivalent other embodiments may be made by those skilled in the art. You will see that there is. Therefore, the true technical protection scope of the present invention must be determined by the technical idea of the claims.

本発明は、薄膜蒸着装置関連の技術分野に好適に利用可能である。   The present invention can be suitably used in a technical field related to a thin film deposition apparatus.

１００ 薄膜蒸着装置
１１０ 蒸着源
１２０ 蒸着源ノズル部
１５０ パターニングスリットシート
１５１ パターニングスリット
１５５ フレーム DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Thin film vapor deposition apparatus 110 Deposition source 120 Deposition source nozzle part 150 Patterning slit sheet 151 Patterning slit 155 Frame

Claims (19)

基板上に薄膜を形成するための薄膜蒸着装置において、
蒸着物質を放射する蒸着源と、
前記蒸着源の一側に配され、第１方向に沿って複数の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部と、
前記蒸着源ノズル部と対向して配され、前記第１方向に沿って複数のパターニングスリットが形成されるパターニングスリットシートと、を備え、
前記パターニングスリットは、それぞれ複数のサブスリットを備え、
相互隣接した前記パターニングスリット間の間隔は、一つの前記パターニングスリットに属する相互隣接したサブスリット間の間隔よりさらに広く形成され、
同じ前記パターニングスリットに属するいずれか一つの前記サブスリットを通過して前記基板上に蒸着された前記蒸着物質が形成するパターンの少なくとも一部と、前記いずれか一つのサブスリットと隣接したサブスリットを通過して前記基板上に蒸着された前記蒸着物質が形成するパターンの少なくとも一部とが相互重畳されるように、前記サブスリットが配されることを特徴とする薄膜蒸着装置。 In a thin film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate,
A deposition source that radiates the deposition material;
A vapor deposition source nozzle part disposed on one side of the vapor deposition source, wherein a plurality of vapor deposition source nozzles are formed along a first direction;
A patterning slit sheet that is arranged facing the vapor deposition source nozzle part and has a plurality of patterning slits formed along the first direction,
Each of the patterning slits includes a plurality of sub-slits,
An interval between the adjacent patterning slits is formed wider than an interval between adjacent sub-slits belonging to one patterning slit,
At least a part of a pattern formed by the deposition material deposited on the substrate through one of the sub-slits belonging to the same patterning slit, and a sub-slit adjacent to the one sub-slit. The thin film deposition apparatus, wherein the sub-slit is disposed so that at least a part of a pattern formed by the deposition material passing through and deposited on the substrate overlaps each other. 前記複数のサブスリットは、それぞれ相互平行に形成された長方形であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜蒸着装置。   The thin film deposition apparatus according to claim 1, wherein the plurality of sub-slits are rectangles formed in parallel to each other. 前記複数のサブスリットは、それぞれ相互平行に形成された複数列のホール形状であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜蒸着装置。   The thin film deposition apparatus according to claim 1, wherein the plurality of sub-slits are formed in a plurality of rows of holes formed in parallel to each other. 前記薄膜蒸着装置は、前記基板と所定距離離隔されて形成され、
前記基板は、前記薄膜蒸着装置に対して相対的に移動自在に形成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜蒸着装置。 The thin film deposition apparatus is formed at a predetermined distance from the substrate,
The thin film deposition apparatus according to claim 1, wherein the substrate is formed to be movable relative to the thin film deposition apparatus. 前記薄膜蒸着装置と前記基板とは、前記基板で前記蒸着物質が蒸着される面と平行した面に沿っていずれか一側が他側に対して相対的に移動することを特徴とする請求項３に記載の薄膜蒸着装置。 Wherein A the substrate and the thin film deposition apparatus, according to claim 3, characterized in that any one side in the substrate wherein the deposition material along a surface which is parallel to the surface to be deposited is moved relative to the other side The thin film vapor deposition apparatus described in 1. 前記薄膜蒸着装置の前記パターニングスリットシートは、前記基板より小さく形成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜蒸着装置。   The thin film deposition apparatus according to claim 1, wherein the patterning slit sheet of the thin film deposition apparatus is formed smaller than the substrate. 前記蒸着源ノズルの総数より前記パターニングスリットの総数がさらに多いことを特徴とする請求項１に記載の薄膜蒸着装置。   The thin film deposition apparatus according to claim 1, wherein the total number of the patterning slits is larger than the total number of the deposition source nozzles. 基板上に薄膜を形成するための薄膜蒸着装置において、
蒸着物質を放射する蒸着源と、
前記蒸着源の一側に配され、第１方向に沿って複数の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部と、
前記蒸着源ノズル部と対向して配され、前記第１方向に対して垂直である第２方向に沿って複数のパターニングスリットが形成されるパターニングスリットシートと、を備え、
前記基板が前記薄膜蒸着装置に対して前記第１方向に沿って移動しつつ蒸着が行われ、前記蒸着源、前記蒸着源ノズル部及び前記パターニングスリットシートは、一体に形成され、
前記パターニングスリットは、それぞれ複数のサブスリットを備え、
相互隣接した前記パターニングスリット間の間隔は、一つの前記パターニングスリットに属する相互隣接したサブスリット間の間隔よりさらに広く形成され、
同じ前記パターニングスリットに属するいずれか一つの前記サブスリットを通過して前記基板上に蒸着された前記蒸着物質が形成するパターンの少なくとも一部と、前記いずれか一つのサブスリットと隣接したサブスリットを通過して前記基板上に蒸着された前記蒸着物質が形成するパターンの少なくとも一部とが相互重畳されるように、前記サブスリットが配されることを特徴とする薄膜蒸着装置。 In a thin film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate,
A deposition source that radiates the deposition material;
A vapor deposition source nozzle part disposed on one side of the vapor deposition source, wherein a plurality of vapor deposition source nozzles are formed along a first direction;
A patterning slit sheet that is arranged opposite to the vapor deposition source nozzle part and has a plurality of patterning slits formed along a second direction perpendicular to the first direction,
The deposition is performed while the substrate moves along the first direction with respect to the thin film deposition apparatus, and the deposition source, the deposition source nozzle portion, and the patterning slit sheet are integrally formed,
Each of the patterning slits includes a plurality of sub-slits,
An interval between the adjacent patterning slits is formed wider than an interval between adjacent sub-slits belonging to one patterning slit,
At least a part of a pattern formed by the deposition material deposited on the substrate through one of the sub-slits belonging to the same patterning slit, and a sub-slit adjacent to the one sub-slit. The thin film deposition apparatus, wherein the sub-slit is disposed so that at least a part of a pattern formed by the deposition material passing through and deposited on the substrate overlaps each other. 前記複数のサブスリットは、それぞれ相互平行に形成された長方形であることを特徴とする請求項８に記載の薄膜蒸着装置。 9. The thin film deposition apparatus according to claim 8 , wherein the plurality of sub-slits are rectangles formed in parallel to each other. 前記複数のサブスリットは、それぞれ相互平行に形成された複数列のホール形状であることを特徴とする請求項８に記載の薄膜蒸着装置。 9. The thin film deposition apparatus according to claim 8 , wherein the plurality of sub-slits have a plurality of rows of holes formed in parallel to each other. 前記蒸着源、前記蒸着源ノズル部、及び前記パターニングスリットシートは、連結部材によって結合されて一体に形成されることを特徴とする請求項８に記載の薄膜蒸着装置。 The thin film deposition apparatus according to claim 8 , wherein the deposition source, the deposition source nozzle part, and the patterning slit sheet are integrally formed by being coupled by a connecting member. 前記連結部材は、前記蒸着物質の移動経路をガイドすることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜蒸着装置。 The thin film deposition apparatus according to claim 11 , wherein the connecting member guides a movement path of the deposition material. 前記連結部材は、前記蒸着源、前記蒸着源ノズル部、及び前記パターニングスリットシート間の空間を外部から密閉するように形成されることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜蒸着装置。 The thin film deposition apparatus according to claim 11 , wherein the connection member is formed to seal a space between the deposition source, the deposition source nozzle unit, and the patterning slit sheet from the outside. 前記薄膜蒸着装置は、前記基板と所定距離離隔されて形成されることを特徴とする請求項８に記載の薄膜蒸着装置。 The thin film deposition apparatus according to claim 8 , wherein the thin film deposition apparatus is formed at a predetermined distance from the substrate. 前記基板は、前記薄膜蒸着装置に対して前記第１方向に沿って移動しつつ、前記基板上に前記蒸着物質が連続して蒸着されることを特徴とする請求項８に記載の薄膜蒸着装置。 9. The thin film deposition apparatus of claim 8 , wherein the deposition material is continuously deposited on the substrate while the substrate moves along the first direction with respect to the thin film deposition apparatus. . 前記薄膜蒸着装置の前記パターニングスリットシートは、前記基板より小さく形成されることを特徴とする請求項８に記載の薄膜蒸着装置。 The thin film deposition apparatus according to claim 8 , wherein the patterning slit sheet of the thin film deposition apparatus is formed smaller than the substrate. 前記複数の蒸着源ノズルは、所定角度傾斜するように形成されることを特徴とする請求項８に記載の薄膜蒸着装置。 The thin film deposition apparatus according to claim 8 , wherein the plurality of deposition source nozzles are formed to be inclined at a predetermined angle. 前記複数の蒸着源ノズルは、前記第１方向に沿って形成された二列の蒸着源ノズルを備え、前記二列の蒸着源ノズルは、相互対向して互いに対向する蒸発源ノズルの方向に所定角度傾斜していることを特徴とする請求項１７に記載の薄膜蒸着装置。 The plurality of vapor deposition source nozzles include two rows of vapor deposition source nozzles formed along the first direction, and the two rows of vapor deposition source nozzles are predetermined in a direction of vaporization source nozzles facing each other and facing each other. 18. The thin film deposition apparatus according to claim 17 , wherein the thin film deposition apparatus is inclined at an angle. 前記複数の蒸着源ノズルは、前記第１方向に沿って形成された二列の蒸着源ノズルを備え、
前記二列の蒸着源ノズルのうち、第１側に配された蒸着源ノズルは、パターニングスリットシートの第２側端部に対向して配され、
前記二列の蒸着源ノズルのうち、第２側に配された蒸着源ノズルは、パターニングスリットシートの第１側端部に対向して配されることを特徴とする請求項１７に記載の薄膜蒸着装置。 The plurality of vapor deposition source nozzles includes two rows of vapor deposition source nozzles formed along the first direction,
Of the two rows of vapor deposition source nozzles, the vapor deposition source nozzle disposed on the first side is disposed to face the second side end of the patterning slit sheet,
18. The thin film according to claim 17 , wherein, of the two rows of vapor deposition source nozzles, the vapor deposition source nozzle disposed on the second side is disposed to face the first side end of the patterning slit sheet. Vapor deposition equipment.
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