KR101097334B1 - Apparatus for thin layer deposition - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로, 상세하게는 대형 기판 양산 공정에 용이하게 적용될 수 있고, 제조 수율이 향상된 박막 증착 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서, 증착 물질을 방사하는 증착원; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부; 및 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트를 포함하고, 상기 패터닝 슬릿들은 각각 복수 개의 서브 슬릿들을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치를 제공한다. The present invention relates to a thin film deposition apparatus, and more particularly, to a thin film deposition apparatus which can be easily applied to a large-scale substrate mass production process and has an improved manufacturing yield.
The present invention provides a thin film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate, comprising: a deposition source for emitting a deposition material; A deposition source nozzle unit disposed on one side of the deposition source and having a plurality of deposition source nozzles formed along a first direction; And a patterning slit sheet disposed to face the deposition source nozzle unit and having a plurality of patterning slits formed along the first direction, wherein each of the patterning slits includes a plurality of sub slits. Provide the device.

Description

박막 증착 장치{Apparatus for thin layer deposition}Thin film deposition apparatus {Apparatus for thin layer deposition}

본 발명은 박막 증착 장치에 관한 것으로, 상세하게는 대형 기판 양산 공정에 용이하게 적용될 수 있고, 제조 수율이 향상된 박막 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus, and more particularly, to a thin film deposition apparatus which can be easily applied to a large-scale substrate mass production process and has an improved manufacturing yield.

디스플레이 장치들 중, 유기 발광 디스플레이 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다. Among the display devices, the organic light emitting display device has attracted attention as a next generation display device because of its advantages of having a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed.

일반적으로, 유기 발광 디스플레이 장치는 애노드와 캐소드에서 주입되는 정공과 전자가 발광층에서 재결합하여 발광하는 원리로 색상을 구현할 수 있도록, 애노드와 캐소드 사이에 발광층을 삽입한 적층형 구조를 가지고 있다. 그러나, 이러한 구조로는 고효율 발광을 얻기 어렵기 때문에, 각각의 전극과 발광층 사이에 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등의 중간층을 선택적으로 추가 삽입하여 사용하고 있다. In general, an organic light emitting display device has a stacked structure in which a light emitting layer is inserted between an anode and a cathode so that colors can be realized on the principle that holes and electrons injected from the anode and the cathode recombine in the light emitting layer to emit light. However, such a structure makes it difficult to obtain high-efficiency light emission. Therefore, intermediate layers such as an electron injection layer, an electron transport layer, a hole transport layer, and a hole injection layer are selectively inserted between each electrode and the light emitting layer.

그러나, 발광층 및 중간층 등의 유기 박막의 미세 패턴을 형성하는 것이 실질적으로 매우 어렵고, 상기 층에 따라 적색, 녹색 및 청색의 발광 효율이 달라지기 때문에, 종래의 박막 증착 장치로는 대면적(5G 이상의 마더 글래스(mother-glass))에 대한 패터닝이 불가능하여 만족할 만한 수준의 구동 전압, 전류 밀도, 휘도, 색순도, 발광 효율 및 수명 등을 가지는 대형 유기 발광 디스플레이 장치를 제조할 수 없는 바, 이의 개선이 시급하다.However, since it is practically very difficult to form fine patterns of organic thin films such as a light emitting layer and an intermediate layer, and the luminous efficiency of red, green, and blue varies depending on the layers, a conventional thin film deposition apparatus has a large area (more than 5G). It is impossible to manufacture large size organic light emitting display devices with satisfactory driving voltage, current density, brightness, color purity, luminous efficiency, and lifetime because it is impossible to pattern mother-glass. It's urgent.

한편, 유기 발광 디스플레이 장치는 서로 대향된 제1 전극 및 제2 전극 사이에 발광층 및 이를 포함하는 중간층을 구비한다. 이때 상기 전극들 및 중간층은 여러 방법으로 형성될 수 있는데, 그 중 한 방법이 증착이다. 증착 방법을 이용하여 유기 발광 디스플레이 장치를 제작하기 위해서는, 박막 등이 형성될 기판 면에, 형성될 박막 등의 패턴과 동일한 패턴을 가지는 파인 메탈 마스크(fine metal mask: FMM)를 밀착시키고 박막 등의 재료를 증착하여 소정 패턴의 박막을 형성한다.Meanwhile, the organic light emitting display device includes a light emitting layer and an intermediate layer including the same between the first and second electrodes facing each other. In this case, the electrodes and the intermediate layer may be formed by various methods, one of which is deposition. In order to fabricate an organic light emitting display device using a deposition method, a fine metal mask (FMM) having the same pattern as the pattern of the thin film to be formed is in close contact with the surface of the substrate on which the thin film or the like is to be formed. The material is deposited to form a thin film of a predetermined pattern.

본 발명은 제조가 용이하고, 대형 기판 양산 공정에 용이하게 적용될 수 있으며, 제조 수율 및 증착 효율이 향상되고, 증착 물질의 재활용이 용이한 박막 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a thin film deposition apparatus that can be easily manufactured, can be easily applied to a large-scale substrate mass production process, manufacturing yield and deposition efficiency can be improved, and the deposition material can be easily recycled.

본 발명은 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서, 증착 물질을 방사하는 증착원; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부; 및 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트를 포함하고, 상기 패터닝 슬릿들은 각각 복수 개의 서브 슬릿들을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치를 제공한다. The present invention provides a thin film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate, comprising: a deposition source for emitting a deposition material; A deposition source nozzle unit disposed on one side of the deposition source and having a plurality of deposition source nozzles formed along a first direction; And a patterning slit sheet disposed to face the deposition source nozzle unit and having a plurality of patterning slits formed along the first direction, wherein each of the patterning slits includes a plurality of sub slits. Provide a device.

본 발명에 있어서, 서로 이웃한 상기 패터닝 슬릿 사이의 간격은, 동일한 패터닝 슬릿에 속한 서로 이웃한 상기 서브 슬릿들 간의 간격보다 더 크도록 형성될 수 있다. In the present invention, the spacing between the adjacent patterning slits may be formed to be larger than the spacing between the adjacent sub slits belonging to the same patterning slit.

본 발명에 있어서, 동일한 패터닝 슬릿에 속한 어느 하나의 서브 슬릿을 통과하여 상기 기판상에 증착된 상기 증착 물질이 이루는 패턴의 적어도 일부와, 상기 어느 하나의 서브 슬릿과 이웃한 서브 슬릿을 통과하여 상기 기판상에 증착된 상기 증착 물질이 이루는 패턴의 적어도 일부가 서로 중첩되도록 상기 서브 슬릿들이 배치될 수 있다. In the present invention, at least a portion of the pattern formed by the deposition material deposited on the substrate through any one subslit belonging to the same patterning slit, and through the subslit adjacent to any one of the sub slits, The sub slits may be disposed such that at least a part of the pattern formed by the deposition material deposited on the substrate overlaps each other.

본 발명에 있어서, 상기 복수 개의 서브 슬릿들은 각각 서로 나란하게 형성된 직사각형 형상일 수 있다. In the present invention, the plurality of sub slits may each have a rectangular shape formed in parallel with each other.

본 발명에 있어서, 상기 복수 개의 서브 슬릿들은 각각 서로 나란하게 형성된 복수 열의 홀(hole) 형상일 수 있다. In the present invention, each of the plurality of sub slits may have a plurality of holes formed in parallel with each other.

본 발명에 있어서, 상기 박막 증착 장치는 상기 기판과 소정 정도 이격되도록 형성되고, In the present invention, the thin film deposition apparatus is formed to be spaced apart from the substrate by a predetermined degree,

상기 기판은 상기 박막 증착 장치에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 형성될 수 있다. The substrate may be formed to be relatively movable with respect to the thin film deposition apparatus.

여기서, 상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상대적으로 이동하면서, 상기 기판상에 상기 각 박막 증착 장치들의 각 증착 물질들이 연속적으로 증착될 수 있다. Here, as the substrate moves relative to the thin film deposition apparatus, respective deposition materials of the thin film deposition apparatuses may be continuously deposited on the substrate.

여기서, 상기 박막 증착 장치와 상기 기판은, 상기 기판에서 상기 증착 물질이 증착되는 면과 평행한 면을 따라, 어느 일 측이 타 측에 대하여 상대적으로 이동할 수 있다. Here, the thin film deposition apparatus and the substrate, one side may move relative to the other side along a plane parallel to the surface on which the deposition material is deposited on the substrate.

본 발명에 있어서, 상기 박막 증착 장치의 상기 패터닝 슬릿 시트는 상기 기판보다 작게 형성될 수 있다. In the present invention, the patterning slit sheet of the thin film deposition apparatus may be formed smaller than the substrate.

본 발명에 있어서, 상기 증착원 노즐들의 총 개수보다 상기 패터닝 슬릿들의 총 개수가 더 많게 형성될 수 있다. In the present invention, the total number of the patterning slits may be formed more than the total number of the deposition source nozzles.

다른 측면에 따른 본 발명은, 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서, 증착 물질을 방사하는 증착원; 상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부; 및 상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향에 대해 수직인 제2 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트를 포함하고, 상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상기 제1 방향을 따라 이동하면서 증착이 수행되고, 상기 증착원, 상기 증착원 노즐부 및 상기 패터닝 슬릿 시트는 일체로 형성되고, 상기 패터닝 슬릿들은 각각 복수 개의 서브 슬릿들을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치를 제공한다. According to another aspect of the present invention, a thin film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate, comprising: a deposition source for emitting a deposition material; A deposition source nozzle unit disposed on one side of the deposition source and having a plurality of deposition source nozzles formed along a first direction; And a patterning slit sheet disposed to face the deposition source nozzle unit, the patterning slit sheet having a plurality of patterning slits formed along a second direction perpendicular to the first direction, and wherein the substrate is disposed on the thin film deposition apparatus. The deposition is performed while moving along one direction, wherein the deposition source, the deposition source nozzle unit, and the patterning slit sheet are integrally formed, and the patterning slits each includes a plurality of sub slits. To provide.

본 발명에 있어서, 서로 이웃한 상기 패터닝 슬릿 사이의 간격은, 동일한 패터닝 슬릿에 속한 서로 이웃한 상기 서브 슬릿들 간의 간격보다 더 크도록 형성될 수 있다. In the present invention, the spacing between the adjacent patterning slits may be formed to be larger than the spacing between the adjacent sub slits belonging to the same patterning slit.

본 발명에 있어서, 동일한 패터닝 슬릿에 속한 어느 하나의 서브 슬릿을 통과하여 상기 기판상에 증착된 상기 증착 물질이 이루는 패턴의 적어도 일부와, 상기 어느 하나의 서브 슬릿과 이웃한 서브 슬릿을 통과하여 상기 기판상에 증착된 상기 증착 물질이 이루는 패턴의 적어도 일부가 서로 중첩되도록 상기 서브 슬릿들이 배치될 수 있다. In the present invention, at least a portion of the pattern formed by the deposition material deposited on the substrate through any one subslit belonging to the same patterning slit, and through the subslit adjacent to any one of the sub slits, The sub slits may be disposed such that at least a part of the pattern formed by the deposition material deposited on the substrate overlaps each other.

본 발명에 있어서, 상기 복수 개의 서브 슬릿들은 각각 서로 나란하게 형성된 직사각형 형상일 수 있다. In the present invention, the plurality of sub slits may each have a rectangular shape formed in parallel with each other.

본 발명에 있어서, 상기 복수 개의 서브 슬릿들은 각각 서로 나란하게 형성된 복수 열의 홀(hole) 형상일 수 있다. In the present invention, each of the plurality of sub slits may have a plurality of holes formed in parallel with each other.

본 발명에 있어서, 상기 증착원 및 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트는 연결 부재에 의해 결합되어 일체로 형성될 수 있다. In the present invention, the deposition source, the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet may be integrally formed by being coupled by a connecting member.

여기서, 상기 연결 부재는 상기 증착 물질의 이동 경로를 가이드 할 수 있다. Here, the connection member may guide the movement path of the deposition material.

여기서, 상기 연결 부재는 상기 증착원 및 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 외부로부터 밀폐하도록 형성될 수 있다. Here, the connection member may be formed to seal the space between the deposition source and the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet from the outside.

본 발명에 있어서, 상기 박막 증착 장치는 상기 기판과 소정 정도 이격되도록 형성될 수 있다. In the present invention, the thin film deposition apparatus may be formed to be spaced apart from the substrate by a predetermined degree.

본 발명에 있어서, 상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상기 제1 방향을 따라 이동하면서, 상기 기판상에 상기 증착 물질이 연속적으로 증착될 수 있다. In the present invention, as the substrate moves along the first direction with respect to the thin film deposition apparatus, the deposition material may be continuously deposited on the substrate.

본 발명에 있어서, 상기 박막 증착 장치의 상기 패터닝 슬릿 시트는 상기 기판보다 작게 형성될 수 있다. In the present invention, the patterning slit sheet of the thin film deposition apparatus may be formed smaller than the substrate.

본 발명에 있어서, 상기 복수 개의 증착원 노즐들은 소정 각도 틸트 되도록 형성될 수 있다. In the present invention, the plurality of deposition source nozzles may be formed to be tilted by a predetermined angle.

여기서, 상기 복수 개의 증착원 노즐들은 상기 제1 방향을 따라 형성된 두 열(列)의 증착원 노즐들을 포함하며, 상기 두 열(列)의 증착원 노즐들은 서로 마주보는 방향으로 틸트될 수 있다. Here, the plurality of deposition source nozzles may include two rows of deposition source nozzles formed along the first direction, and the two rows of deposition source nozzles may be tilted in a direction facing each other.

여기서, 상기 복수 개의 증착원 노즐들은 상기 제1 방향을 따라 형성된 두 열(列)의 증착원 노즐들을 포함하며, 상기 두 열(列)의 증착원 노즐들 중 제1 측에 배치된 증착원 노즐들은 패터닝 슬릿 시트의 제2 측 단부를 바라보도록 배치되고, 상기 두 열(列)의 증착원 노즐들 중 제2 측에 배치된 증착원 노즐들은 패터닝 슬릿 시트의 제1 측 단부를 바라보도록 배치될 수 있다. The plurality of deposition source nozzles may include two rows of deposition source nozzles formed along the first direction, and the deposition source nozzles may be disposed on a first side of the two deposition source nozzles. Are disposed to face the second side end of the patterned slit sheet, and deposition source nozzles disposed on the second side of the two rows of deposition source nozzles may be disposed to face the first side end of the patterned slit sheet. Can be.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 박막 증착 장치에 따르면, 제조가 용이하고, 대형 기판 양산 공정에 용이하게 적용될 수 있으며, 제조 수율 및 증착 효율이 향상되고, 증착 물질의 재활용이 용이해지는 효과를 얻을 수 있다. According to the thin film deposition apparatus of the present invention made as described above, it is easy to manufacture, can be easily applied to the large-scale substrate mass production process, the production yield and deposition efficiency is improved, the deposition material can be easily recycled effect can be obtained have.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 박막 증착 장치의 개략적인 측면도이다.
도 3은 도 1의 박막 증착 장치의 개략적인 평면도이다.
도 4a는 종래 FMM 방식에서의 패턴의 형상을 나타내는 도면이다.
도 4b는 기판과 패터닝 슬릿 시트를 이격시키고 단일 슬릿으로 패터닝 슬릿을 구성하는 경우의 패턴의 형상을 나타내는 도면이다.
도 5a는 도 1의 박막 증착 장치의 패터닝 슬릿 시트를 나타내는 도면이다.
도 5b는 도 5a의 패터닝 슬릿 시트 및 이에 의하여 형성된 패턴의 형상을 나타내는 도면이다.
도 5c는 복수 개의 패턴을 중첩시켜서 새로운 패턴을 형성하는 경우의 구체적인 실험 결과를 나타내는 그래프이다.
도 6a는 본 발명의 제1 실시예의 일 변형예에 따른 패터닝 슬릿 시트를 나타내는 도면이다.
도 6b는 도 6a의 패터닝 슬릿 시트 및 이에 의하여 형성된 패턴의 형상을 나타내는 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제1 실시예의 다른 변형예에 따른 패터닝 슬릿 시트를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 박막 증착 장치로 제조될 수 있는 유기 발광 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 10은 도 9의 박막 증착 장치의 개략적인 측면도이다.
도 11은 도 9의 박막 증착 장치의 개략적인 평면도이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 증착 장치를 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명에 따른 박막 증착 장치에서 증착원 노즐을 틸트시키지 아니하였을 때 기판에 증착된 증착막의 분포 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 14는 본 발명에 따른 박막 증착 장치에서 증착원 노즐을 틸트시켰을 때 기판에 증착된 증착막의 분포 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다.1 is a perspective view schematically showing a thin film deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic side view of the thin film deposition apparatus of FIG. 1.
3 is a schematic plan view of the thin film deposition apparatus of FIG. 1.
4A is a view showing the shape of a pattern in the conventional FMM method.
It is a figure which shows the shape of the pattern at the time of separating a board | substrate and a patterning slit sheet, and forming a patterning slit by a single slit.
5A is a diagram illustrating a patterning slit sheet of the thin film deposition apparatus of FIG. 1.
FIG. 5B is a view showing the shape of the patterning slit sheet and the pattern formed thereby of FIG. 5A.
5C is a graph showing a specific experimental result in the case of forming a new pattern by overlapping a plurality of patterns.
6A is a view showing a patterning slit sheet according to a modification of the first embodiment of the present invention.
FIG. 6B is a view showing the shape of the patterning slit sheet and the pattern formed thereby of FIG. 6A.
7A and 7B show a patterning slit sheet according to another modification of the first embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device that may be manufactured by the thin film deposition apparatus according to the present invention.
9 is a perspective view schematically showing a thin film deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a schematic side view of the thin film deposition apparatus of FIG. 9.
FIG. 11 is a schematic plan view of the thin film deposition apparatus of FIG. 9.
12 is a view showing a thin film deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a view schematically illustrating a distribution form of a deposition film deposited on a substrate when the deposition source nozzle is not tilted in the thin film deposition apparatus according to the present invention.
14 is a diagram schematically illustrating a distribution form of a deposition film deposited on a substrate when the deposition source nozzle is tilted in the thin film deposition apparatus according to the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 박막 증착 장치의 개략적인 측면도이고, 도 3은 도 1의 박막 증착 장치의 개략적인 평면도이다. 1 is a perspective view schematically showing a thin film deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic side view of the thin film deposition apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a schematic view of the thin film deposition apparatus of FIG. 1. Top view.

도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 증착 장치(100)는 증착원(110), 증착원 노즐부(120) 및 패터닝 슬릿 시트(150)를 포함한다. 1, 2, and 3, the thin film deposition apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention includes a deposition source 110, a deposition source nozzle unit 120, and a patterning slit sheet 150. do.

여기서, 도 1, 도 2 및 도 3에는 설명의 편의를 위해 챔버를 도시하지 않았지만, 도 1 내지 도 3의 모든 구성은 적절한 진공도가 유지되는 챔버 내에 배치되는 것이 바람직하다. 이는 증착 물질의 직진성을 확보하기 위함이다. 1, 2 and 3 are not shown in the chamber for convenience of description, it is preferable that all the configurations of FIGS. 1 to 3 are arranged in a chamber in which an appropriate degree of vacuum is maintained. This is to ensure the straightness of the deposition material.

상세히, 증착원(110)에서 방출된 증착 물질(115)이 증착원 노즐부(120) 및 패터닝 슬릿 시트(150)를 통과하여 기판(400)에 원하는 패턴으로 증착되게 하려면, 기본적으로 챔버(미도시) 내부는 FMM 증착 방법과 동일한 고진공 상태를 유지해야 한다. 또한 패터닝 슬릿 시트(150)의 온도가 증착원(110) 온도보다 충분히 낮아야(약 100°이하) 한다. 왜냐하면, 패터닝 슬릿 시트(150)의 온도가 충분히 낮아야만 온도에 의한 패터닝 슬릿 시트(150)의 열팽창 문제를 최소화할 수 있기 때문이다. In detail, in order for the deposition material 115 emitted from the deposition source 110 to pass through the deposition source nozzle unit 120 and the patterning slit sheet 150 to be deposited on the substrate 400 in a desired pattern, a chamber (not shown) is basically used. The inside must maintain the same high vacuum as the FMM deposition method. In addition, the temperature of the patterning slit sheet 150 should be sufficiently lower than the deposition source 110 temperature (about 100 ° or less). This is because the thermal expansion problem of the patterned slit sheet 150 due to the temperature can be minimized only when the temperature of the patterned slit sheet 150 is sufficiently low.

이러한 챔버(미도시) 내에는 피 증착체인 기판(400)이 배치된다. 상기 기판(400)은 평판 표시장치용 기판이 될 수 있는데, 다수의 평판 표시장치를 형성할 수 있는 마더 글라스(mother glass)와 같은 대면적 기판이 적용될 수 있다.In such a chamber (not shown), a substrate 400 which is a deposition target is disposed. The substrate 400 may be a substrate for a flat panel display, and a large area substrate such as a mother glass capable of forming a plurality of flat panel displays may be applied.

여기서, 본 발명의 일 실시예에서는, 기판(400)이 박막 증착 장치(100)에 대하여 상대적으로 이동하면서 증착이 진행되는 것을 일 특징으로 한다. Here, in one embodiment of the present invention, the substrate 400 is characterized in that the deposition proceeds while moving relative to the thin film deposition apparatus 100.

상세히, 기존 FMM 증착 방법에서는 FMM 크기가 기판 크기와 동일하게 형성되어야 한다. 따라서, 기판 사이즈가 증가할수록 FMM도 대형화되어야 하며, 따라서 FMM 제작이 용이하지 않고, FMM을 인장하여 정밀한 패턴으로 얼라인(align) 하기도 용이하지 않다는 문제점이 존재하였다. In detail, in the conventional FMM deposition method, the FMM size should be formed to be the same as the substrate size. Therefore, as the substrate size increases, the FMM also needs to be enlarged. Therefore, there is a problem in that it is not easy to manufacture the FMM, and it is not easy to align the FMM to a precise pattern.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 증착 장치(100)는, 박막 증착 장치(100)와 기판(400)이 서로 상대적으로 이동하면서 증착이 이루어지는 것을 일 특징으로 한다. 다시 말하면, 박막 증착 장치(100)와 마주보도록 배치된 기판(400)이 Y축 방향을 따라 이동하면서 연속적으로 증착을 수행하게 된다. 즉, 기판(400)이 도 1의 화살표 A 방향으로 이동하면서 스캐닝(scanning) 방식으로 증착이 수행되는 것이다. 여기서, 도면에는 기판(400)이 챔버(미도시) 내에서 Y축 방향으로 이동하면서 증착이 이루어지는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니하며, 기판(400)은 고정되어 있고 박막 증착 장치(100) 자체가 Y축 방향으로 이동하면서 증착을 수행하는 것도 가능하다 할 것이다. In order to solve this problem, the thin film deposition apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention is characterized in that the deposition is performed while the thin film deposition apparatus 100 and the substrate 400 move relative to each other. . In other words, the substrate 400 disposed to face the thin film deposition apparatus 100 moves continuously along the Y-axis direction to continuously perform deposition. That is, deposition is performed by scanning while the substrate 400 moves in the direction of arrow A in FIG. 1. Here, although the substrate 400 is shown to be deposited while moving in the Y-axis direction in the chamber (not shown), the spirit of the present invention is not limited thereto, the substrate 400 is fixed and thin film deposition It will also be possible to perform deposition while the device 100 itself moves in the Y-axis direction.

따라서, 본 발명의 박막 증착 장치(100)에서는 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 패터닝 슬릿 시트(150)를 만들 수 있다. 즉, 본 발명의 박막 증착 장치(100)의 경우, 기판(400)이 Y축 방향을 따라 이동하면서 연속적으로, 즉 스캐닝(scanning) 방식으로 증착을 수행하기 때문에, 패터닝 슬릿 시트(150)의 X축 방향 및 Y축 방향의 길이는 기판(400)의 길이보다 훨씬 작게 형성될 수 있는 것이다. 이와 같이, 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 패터닝 슬릿 시트(150)를 만들 수 있기 때문에, 본 발명의 패터닝 슬릿 시트(150)는 그 제조가 용이하다. 즉, 패터닝 슬릿 시트(150)의 에칭 작업이나, 그 이후의 정밀 인장 및 용접 작업, 이동 및 세정 작업 등 모든 공정에서, 작은 크기의 패터닝 슬릿 시트(150)가 FMM 증착 방법에 비해 유리하다. 또한, 이는 디스플레이 장치가 대형화될수록 더욱 유리하게 된다. Therefore, in the thin film deposition apparatus 100 of the present invention, the patterning slit sheet 150 can be made much smaller than the conventional FMM. That is, in the case of the thin film deposition apparatus 100 of the present invention, since the substrate 400 moves in the Y-axis direction and performs deposition in a continuous manner, that is, by scanning, the X of the patterning slit sheet 150 The length in the axial direction and the Y-axis direction may be formed to be much smaller than the length of the substrate 400. Thus, since the patterning slit sheet 150 can be made much smaller than the conventional FMM, the patterning slit sheet 150 of the present invention is easy to manufacture. That is, in all processes, such as etching operations of the patterning slit sheet 150, precision tension and welding operations thereafter, movement and cleaning operations, the small sized patterning slit sheet 150 is advantageous over the FMM deposition method. In addition, this becomes more advantageous as the display device becomes larger.

이와 같이, 박막 증착 장치(100)와 기판(400)이 서로 상대적으로 이동하면서 증착이 이루어지기 위해서는, 박막 증착 장치(100)와 기판(400)이 일정 정도 이격되는 것이 바람직하다. 이에 대하여는 뒤에서 상세히 기술하기로 한다. As described above, in order for deposition to occur while the thin film deposition apparatus 100 and the substrate 400 move relative to each other, it is preferable that the thin film deposition apparatus 100 and the substrate 400 are spaced to some extent. This will be described later in detail.

한편, 챔버 내에서 상기 기판(400)과 대향하는 측에는, 증착 물질(115)이 수납 및 가열되는 증착원(110)이 배치된다. 상기 증착원(110) 내에 수납되어 있는 증착 물질(115)이 기화됨에 따라 기판(400)에 증착이 이루어진다. Meanwhile, the deposition source 110 in which the deposition material 115 is received and heated is disposed on the side of the chamber that faces the substrate 400. As the deposition material 115 stored in the deposition source 110 is vaporized, deposition is performed on the substrate 400.

상세히, 증착원(110)은 그 내부에 증착 물질(115)이 채워지는 도가니(111)와, 도가니(111)를 가열시켜 도가니(111) 내부에 채워진 증착 물질(115)을 도가니(111)의 일 측, 상세하게는 증착원 노즐부(120) 측으로 증발시키기 위한 히터(112)를 포함한다. In detail, the deposition source 110 includes the crucible 111 filled with the deposition material 115 therein, and the deposition material 115 filled inside the crucible 111 by heating the crucible 111. One side, in detail, comprises a heater 112 for evaporating to the deposition source nozzle unit 120 side.

증착원(110)의 일 측, 상세하게는 증착원(110)에서 기판(400)을 향하는 측에는 증착원 노즐부(120)가 배치된다. 그리고, 증착원 노즐부(120)에는, X축 방향을 따라서 복수 개의 증착원 노즐(121)들이 형성된다. 여기서, 상기 복수 개의 증착원 노즐(121)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. 증착원(110) 내에서 기화된 증착 물질(115)은 이와 같은 증착원 노즐부(120)를 통과하여 피 증착체인 기판(400) 쪽으로 향하게 되는 것이다. The deposition source nozzle unit 120 is disposed on one side of the deposition source 110, in detail, the side of the deposition source 110 facing the substrate 400. In the deposition source nozzle unit 120, a plurality of deposition source nozzles 121 are formed along the X-axis direction. Here, the plurality of deposition source nozzles 121 may be formed at equal intervals. The evaporation material 115 vaporized in the evaporation source 110 passes through the evaporation source nozzle unit 120 toward the substrate 400, which is the evaporation target.

한편, 증착원(110)과 기판(400) 사이에는 패터닝 슬릿 시트(150) 및 프레임(155)이 더 구비된다. 프레임(155)은 대략 창문 틀과 같은 형태로 형성되며, 그 내측에 패터닝 슬릿 시트(150)가 결합된다. 그리고, 패터닝 슬릿 시트(150)에는 X축 방향을 따라서 복수 개의 패터닝 슬릿(151)들이 형성된다. 증착원(110) 내에서 기화된 증착 물질(115)은 증착원 노즐부(120) 및 패터닝 슬릿 시트(150)를 통과하여 피 증착체인 기판(400) 쪽으로 향하게 되는 것이다. 이때, 상기 패터닝 슬릿 시트(150)는 종래의 파인 메탈 마스크(FMM) 특히 스트라이프 타입(stripe type)의 마스크의 제조 방법과 동일한 방법인 에칭을 통해 제작될 수 있다. 이때, 증착원 노즐(121)들의 총 개수보다 패터닝 슬릿(151)들의 총 개수가 더 많게 형성될 수 있다. Meanwhile, a patterning slit sheet 150 and a frame 155 are further provided between the deposition source 110 and the substrate 400. The frame 155 is formed in a shape substantially like a window frame, and the patterning slit sheet 150 is coupled to the inside thereof. The patterning slit sheet 150 is provided with a plurality of patterning slits 151 along the X-axis direction. The deposition material 115 vaporized in the deposition source 110 passes through the deposition source nozzle unit 120 and the patterning slit sheet 150 toward the substrate 400, which is the deposition target. In this case, the patterning slit sheet 150 may be manufactured by etching, which is the same method as a method of manufacturing a conventional fine metal mask (FMM), in particular, a stripe type mask. In this case, the total number of patterning slits 151 may be greater than the total number of deposition source nozzles 121.

여기서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 증착 장치(100)는 복수의 서브 슬릿(151a)(151b)으로 하나의 패터닝 슬릿(151)을 구성하는 것을 일 특징으로 한다. 이와 같이, 복수 개의 서브 슬릿(151a)(151b)으로 하나의 패터닝 슬릿(151)을 구성하고, 상기 복수 개의 서브 슬릿(151a)(151b)을 통해 형성된 패턴이 서로 중첩되도록 서브 슬릿(151a)(151b)들을 배치함으로써, 원하는 패턴 형상을 형성하는 것이 가능해진다. 이에 대하여는 뒤에서 상세히 기술하기로 한다. Here, the thin film deposition apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention is characterized by configuring one patterning slit 151 with a plurality of sub slits 151a and 151b. In this way, one patterning slit 151 is composed of a plurality of sub slits 151a and 151b, and the patterns formed through the plurality of sub slits 151a and 151b overlap each other. By arranging 151b, it becomes possible to form a desired pattern shape. This will be described later in detail.

한편, 상술한 증착원(110)(및 이와 결합된 증착원 노즐부(120))과 패터닝 슬릿 시트(150)는 서로 일정 정도 이격되도록 형성될 수 있으며, 증착원(110)(및 이와 결합된 증착원 노즐부(120))과 패터닝 슬릿 시트(150)는 연결 부재(135)에 의하여 서로 연결될 수 있다. Meanwhile, the above-described deposition source 110 (and the deposition source nozzle unit 120 coupled thereto) and the patterning slit sheet 150 may be formed to be spaced apart from each other to some extent, and the deposition source 110 (and coupled thereto) The deposition source nozzle unit 120 and the patterning slit sheet 150 may be connected to each other by the connection member 135.

상술한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 증착 장치(100)는 기판(400)에 대하여 상대적으로 이동하면서 증착을 수행하며, 이와 같이 박막 증착 장치(100)가 기판(400)에 대하여 상대적으로 이동하기 위해서 패터닝 슬릿 시트(150)는 기판(400)으로부터 일정 정도 이격되도록 형성된다. 그리고, 패터닝 슬릿 시트(150)와 기판(400)을 이격시킬 경우, 음영(shadow)이 발생하여 패턴의 형상이 원하는 형태대로 형성되지 아니하는 문제가 발생한다. 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치(100)는 복수의 서브 슬릿(151a)(151b)으로 하나의 패터닝 슬릿(151)을 구성하고, 상기 복수의 서브 슬릿(151a)(151b)을 통해 형성된 패턴의 중첩을 이용하여 원하는 패턴 형상을 형성하는 것을 일 특징으로 한다. As described above, the thin film deposition apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention performs deposition while moving relative to the substrate 400, and thus the thin film deposition apparatus 100 is applied to the substrate 400. The patterning slit sheet 150 is formed to be spaced apart from the substrate 400 to move relative to the substrate 400. In addition, when the patterning slit sheet 150 and the substrate 400 are spaced apart from each other, a shadow may occur and a shape of the pattern may not be formed in a desired shape. In order to solve this problem, the thin film deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention constitutes a patterning slit 151 by using a plurality of sub slits 151a and 151b, and the plurality of sub slits. It is characterized in that to form a desired pattern shape by using the overlap of the pattern formed through (151a) (151b).

상세히, 종래의 FMM 증착 방법에서는 기판에 음영(shadow)이 생기지 않도록 하기 위하여 기판에 마스크를 밀착시켜서 증착 공정을 진행하였다. 그러나, 이와 같이 기판에 마스크를 밀착시킬 경우, 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량 문제가 발생한다는 문제점이 존재하였다. 또한, 마스크를 기판에 대하여 이동시킬 수 없기 때문에, 마스크가 기판과 동일한 크기로 형성되어야 한다. 따라서, 디스플레이 장치가 대형화됨에 따라 마스크의 크기도 커져야 하는데, 이와 같은 대형 마스크를 형성하는 것이 용이하지 아니하다는 문제점이 존재하였다. In detail, in the conventional FMM deposition method, a deposition process was performed by closely attaching a mask to a substrate in order to prevent shadows on the substrate. However, when the mask is in close contact with the substrate as described above, there has been a problem that a defect problem occurs due to contact between the substrate and the mask. Also, since the mask cannot be moved relative to the substrate, the mask must be formed to the same size as the substrate. Therefore, as the display device is enlarged, the size of the mask must be increased, but there is a problem that it is not easy to form such a large mask.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 증착 장치(100)에서는 패터닝 슬릿 시트(150)가 피 증착체인 기판(400)과 소정 간격을 두고 이격되도록 배치되도록 한다. 이것은 복수의 서브 슬릿(151a)(151b)으로 하나의 패터닝 슬릿(151)을 구성하고, 상기 복수의 서브 슬릿(151a)(151b)을 통해 형성된 패턴의 중첩을 이용하여 원하는 패턴 형상을 형성함으로써 실현 가능해진다. In order to solve such a problem, in the thin film deposition apparatus 100 according to the first embodiment of the present invention, the patterning slit sheet 150 is disposed to be spaced apart from the substrate 400, which is the deposition target, at a predetermined interval. This is realized by forming one patterning slit 151 with a plurality of sub slits 151a and 151b, and forming a desired pattern shape by using a superposition of patterns formed through the plurality of sub slits 151a and 151b. It becomes possible.

이와 같은 본 발명에 의해서 마스크를 기판보다 작게 형성한 후, 마스크를 기판에 대하여 이동시키면서 증착을 수행할 수 있게 됨으로써, 마스크 제작이 용이해지는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량을 방지하는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 공정에서 기판과 마스크를 밀착시키는 시간이 불필요해지기 때문에, 제조 속도가 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
According to the present invention, after forming the mask smaller than the substrate, it is possible to perform the deposition while moving the mask with respect to the substrate, it is possible to obtain the effect that the mask fabrication becomes easy. Moreover, the effect which prevents the defect by the contact between a board | substrate and a mask can be acquired. In addition, since the time for bringing the substrate into close contact with the mask is unnecessary in the step, an effect of increasing the manufacturing speed can be obtained.

이하에서는, 종래 FMM 방식에서의 패턴의 형상과, 기판과 패터닝 슬릿 시트를 이격시키고 단일 슬릿으로 패터닝 슬릿을 구성하는 경우와, 기판과 패터닝 슬릿 시트를 이격시키고 복수의 서브 슬릿으로 패터닝 슬릿을 구성하는 경우의 패턴의 형상을 상세히 비교한다. Hereinafter, the shape of the pattern in the conventional FMM method, the case in which the substrate and the patterning slit sheet are spaced apart to form the patterning slit in a single slit, the substrate and the patterning slit sheet are separated, and the patterning slit is formed in a plurality of sub slits. The shape of the pattern in the case is compared in detail.

도 4a에 도시된 바와 같이, 종래 FMM 방식에서는 마스크(150')와 기판(400)이 밀착 결합 되었다. 따라서, 기판(400)에 음영(shadow)이 발생하지 않고, 원하는 형상의 패턴(PS1)이 형성되었다. 그러나, 이와 같은 종래 FMM 방식의 경우, 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량 문제가 발생한다는 문제점이 존재하였다. 또한, 마스크를 기판에 대하여 이동시킬 수 없기 때문에, 마스크가 기판과 동일한 크기로 형성되어야 한다는 문제점이 존재하였다. As shown in FIG. 4A, in the conventional FMM method, the mask 150 ′ and the substrate 400 are tightly coupled. Accordingly, no shadow is generated on the substrate 400, and a pattern PS1 having a desired shape is formed. However, in the conventional FMM system, there is a problem that a defect problem occurs due to contact between the substrate and the mask. Also, since the mask cannot be moved relative to the substrate, there has been a problem that the mask should be formed to the same size as the substrate.

한편, 도 4b에 도시된 바와 같이, 패터닝 슬릿이 단일 슬릿으로 구성된 경우, 마스크(150'')를 기판(400)보다 작게 형성한 후, 마스크(150'')를 기판(400)에 대하여 이동시키면서 증착을 수행할 수 있게 됨으로써, 마스크 제작이 용이해지고, 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량이 방지되었다. 그러나, 이 경우 마스크(150'')와 기판(400)이 일정 정도 이격되기 때문에 필연적으로 음영(shadow)이 발생하게 되고, 따라서 패턴(PS2)이 원하는 형상대로 형성되지 아니하는 문제점이 존재한다. On the other hand, as shown in Figure 4b, when the patterning slit is composed of a single slit, after forming the mask 150 '' smaller than the substrate 400, the mask 150 '' is moved relative to the substrate 400 By being able to perform deposition while making it easy to manufacture a mask, the defect by the contact between a board | substrate and a mask was prevented. However, in this case, since the mask 150 ″ and the substrate 400 are spaced apart by a certain degree, a shadow is inevitably generated, and thus there is a problem in that the pattern PS2 is not formed in a desired shape.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치(100)는 복수의 서브 슬릿(151a)(151b)으로 하나의 패터닝 슬릿(151)을 구성하고, 상기 복수의 서브 슬릿(151a)(151b)을 통해 형성된 패턴의 중첩을 이용하여 원하는 패턴 형상을 형성하는 것을 일 특징으로 한다. In order to solve this problem, the thin film deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention constitutes a patterning slit 151 by using a plurality of sub slits 151a and 151b, and the plurality of sub slits. It is characterized in that to form a desired pattern shape by using the overlap of the pattern formed through (151a) (151b).

즉, 도 5a에 도시된 바와 같이, 하나의 패터닝 슬릿(151)은 두 개의 서브 슬릿(151a)(151b)으로 구성된다. 다시 말하면, 서로 이웃한 패터닝 슬릿(151) 사이의 간격은, 하나의 패터닝 슬릿(151)에 속한 서로 이웃한 서브 슬릿(151a)(151b) 간의 간격보다 더 크도록 구성된다. That is, as shown in FIG. 5A, one patterning slit 151 is composed of two sub slits 151a and 151b. In other words, the spacing between the neighboring patterning slits 151 is configured to be larger than the spacing between the neighboring sub slits 151a and 151b belonging to one patterning slit 151.

이와 같은 패터닝 슬릿 시트(150)에 의해 형성된 패턴의 형상이 도 5b에 도시되어 있다. 즉, 제1 서브 슬릿(151a)을 통과하여 기판(400) 상에 증착된 증착 물질이 이루는 패턴과, 제2 서브 슬릿(151b)을 통과하여 기판(400) 상에 증착된 증착 물질이 이루는 패턴은 적어도 일부가 서로 중첩되도록 형성된다. 이렇게 중첩된 패턴은 증발 입자의 퍼짐 현상에 의하여 상단부가 편평해지면서 결과적으로 소정 형상의 단일 패턴(PS3)을 형성하게 되며, 이는 종래 FMM 방식에 의하여 형성된 패턴(PS1)의 모양과 거의 유사한 형태를 가지게 되는 것이다. The shape of the pattern formed by this patterning slit sheet 150 is shown in FIG. 5B. That is, the pattern formed by the deposition material deposited on the substrate 400 through the first sub slit 151a and the pattern formed by the deposition material deposited on the substrate 400 through the second sub slit 151b. Is formed such that at least some overlap each other. The overlapped pattern is flattened by the spreading of the evaporated particles, and as a result, forms a single pattern PS3 having a predetermined shape, which is almost similar to the shape of the pattern PS1 formed by the conventional FMM method. To have.

도 5c는 복수 개의 패턴을 중첩시켜서 새로운 패턴을 형성하는 경우의 구체적인 실험 결과를 나타내는 그래프이다. 도 5c에 도시된 바와 같이, 서로 이웃한 서브 슬릿을 통해 형성된 두 개의 패턴(B,C)이 합성되어 새로운 형태의 패턴(D)이 형성될 수 있는 것이다. 5C is a graph showing a specific experimental result in the case of forming a new pattern by overlapping a plurality of patterns. As illustrated in FIG. 5C, two patterns B and C formed through neighboring sub slits may be synthesized to form a new pattern D. FIG.

한편, 도 5a 및 도 5b에는 하나의 패터닝 슬릿(151)이 두 개의 서브 슬릿(151a)(151b)으로 이루어져 있는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니하며, 패터닝 슬릿은 두 개 이상의 복수 개의 서브 슬릿으로 구성될 수 있고, 서브 슬릿의 개수, 서브 슬릿 간의 간격 및 각 패터닝 슬릿 간의 간격은, 원하는 패턴 형상에 따라 자유롭게 선택 가능하다 할 것이다. Meanwhile, although one patterning slit 151 is shown as two sub slits 151a and 151b in FIGS. 5A and 5B, the spirit of the present invention is not limited thereto, and the patterning slit has two or more. It may be composed of a plurality of sub slits, the number of sub slits, the interval between the sub slits and the interval between each patterning slit will be freely selectable according to the desired pattern shape.

예를 들어, 도 6a에 도시된 바와 같이, 하나의 패터닝 슬릿(151)이 다섯 개의 서브 슬릿(151a)(151b)(151c)(151d)(151e)으로 이루어질 수도 있다. 즉, 각 서브 슬릿을 통과하여 기판(400) 상에 증착된 증착 물질이 이루는 패턴은, 그와 이웃한 서브 슬릿을 통과하여 기판(400) 상에 증착된 증착 물질이 이루는 패턴과 적어도 일부가 서로 중첩되도록 형성된다. 이렇게 중첩된 패턴은 증발 입자의 퍼짐 현상에 의하여 상단부가 편평해지면서 결과적으로 소정 형상의 단일 패턴(PS4)을 형성하게 되며, 이는 종래 FMM 방식에 의하여 형성된 패턴(PS1)의 모양과 거의 유사한 형태를 가지게 되는 것이다. For example, as shown in FIG. 6A, one patterning slit 151 may be formed of five sub slits 151a, 151b, 151c, 151d, and 151e. That is, the pattern formed by the deposition material deposited on the substrate 400 through each of the sub slits is at least partially formed from the pattern formed by the deposition material deposited on the substrate 400 through the adjacent sub slits. It is formed to overlap. The overlapped pattern is flattened by the spreading of the evaporated particles, and as a result, forms a single pattern PS4 having a predetermined shape, which is almost similar to the shape of the pattern PS1 formed by the conventional FMM method. To have.

또는, 도 7a 및 도 7b에 도시되어 있는 것처럼, 패터닝 슬릿이 다중의 홀(hole) 형상의 서브 슬릿들을 포함하여 구비됨으로써, 사각형 또는 원하는 형상의 패턴을 형성할 수도 있다. Alternatively, as shown in FIGS. 7A and 7B, the patterning slit may include a plurality of hole-shaped sub slits to form a square or a desired shape pattern.

이와 같은 본 발명에 의하여, 기판과 마스크가 서로 일정 정도 이격되더라도 원하는 형태의 패턴 형상을 구현할 수 있게 됨으로써, 마스크 제작이 용이해지고, 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량이 방지되며, 제조 속도가 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
According to the present invention, even if the substrate and the mask are separated from each other by a certain degree, it is possible to implement a pattern shape of the desired form, thereby facilitating the manufacture of the mask, preventing defects due to contact between the substrate and the mask, and improves the manufacturing speed The effect can be obtained.

도 8은 본 발명의 증착 장치를 이용하여 제조된 액티브 매트릭스형 유기 발광 디스플레이 장치의 단면을 도시한 것이다.8 is a cross-sectional view of an active matrix organic light emitting display device manufactured using the deposition apparatus of the present invention.

도 8에 도시된 바와 같이, 글라스재 또는 플라스틱재의 기판(50)상에 버퍼층(51)이 형성되어 있고, 이 위에 박막 트랜지스터(TFT)와, 유기 전계 발광 소자(OLED)가 형성된다. As shown in FIG. 8, a buffer layer 51 is formed on a glass or plastic substrate 50, and a thin film transistor TFT and an organic light emitting diode OLED are formed thereon.

기판(50)의 버퍼층(51) 상에 소정 패턴의 활성층(52)이 구비된다. 활성층(52)의 상부에는 게이트 절연막(53)이 구비되고, 게이트 절연막(53) 상부의 소정 영역에는 게이트 전극(54)이 형성된다. 게이트 전극(54)은 박막 트랜지스터 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결되어 있다. 게이트 전극(54)의 상부로는 층간 절연막(55)이 형성되고, 컨택 홀을 통해 소스/드레인 전극(56)(57)이 각각 활성층(52)의 소스/드레인 영역(52b)(52c)에 접하도록 형성된다. 소스/드레인 전극(56)(57) 상부로는 SiO2, SiNx 등으로 이루어진 패시베이션막(58)이 형성되고, 패시베이션막(58)의 상부에는 아크릴(acryl), 폴리 이미드(polyimide), BCB(Benzocyclobutene) 등의 유기물질로 평탄화막(59)이 형성되어 있다. 평탄화막(59)의 상부에 유기 전계 발광 소자(OLED)의 애노드 전극이 되는 화소 전극(61)이 형성되고, 이를 덮도록 유기물로 화소 정의막(Pixel Define Layer: 60)이 형성된다. 화소 정의막(60)에 소정의 개구를 형성한 후, 화소 정의막(60)의 상부 및 개구가 형성되어 외부로 노출된 화소 전극(61)의 상부에 유기막(62)을 형성한다. 유기막(62)은 발광층을 포함한 것이 된다. 본 발명은 반드시 이와 같은 구조로 한정되는 것은 아니며, 다양한 유기 발광 디스플레이 장치의 구조가 그대로 적용될 수 있음은 물론이다.The active layer 52 of a predetermined pattern is provided on the buffer layer 51 of the substrate 50. The gate insulating layer 53 is provided on the active layer 52, and the gate electrode 54 is formed in a predetermined region above the gate insulating layer 53. The gate electrode 54 is connected to a gate line (not shown) for applying a thin film transistor on / off signal. An interlayer insulating layer 55 is formed on the gate electrode 54, and the source / drain electrodes 56 and 57 are respectively formed in the source / drain regions 52b and 52c of the active layer 52 through the contact holes. It is formed to be in contact. A passivation film 58 made of SiO 2 , SiNx, or the like is formed on the source / drain electrodes 56 and 57, and acrylic, polyimide, and BCB are formed on the passivation film 58. The planarization film 59 is formed with organic substances, such as (Benzocyclobutene). A pixel electrode 61 serving as an anode electrode of the organic light emitting diode OLED is formed on the planarization layer 59, and a pixel define layer 60 is formed of an organic material to cover the pixel electrode 61. After the predetermined opening is formed in the pixel defining layer 60, the organic layer 62 is formed on the pixel electrode 61 exposed to the outside by forming the upper portion and the opening of the pixel defining layer 60. The organic film 62 includes a light emitting layer. The present invention is not necessarily limited to such a structure, and the structures of various organic light emitting display devices may be applied as it is.

유기 전계 발광 소자(OLED)는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, 박막 트랜지스터의 드레인 전극(56)에 연결되어 이로부터 플러스 전원을 공급받는 화소 전극(61)과, 전체 화소를 덮도록 구비되어 마이너스 전원을 공급하는 대향 전극(63), 및 이들 화소 전극(61)과 대향 전극(63)의 사이에 배치되어 발광하는 유기막(62)으로 구성된다.The organic light emitting diode OLED displays predetermined image information by emitting red, green, and blue light according to the flow of current, and is connected to the drain electrode 56 of the thin film transistor to receive positive power therefrom. The pixel electrode 61 and the counter electrode 63 provided to cover all the pixels to supply negative power, and the organic film 62 disposed between the pixel electrodes 61 and the counter electrode 63 to emit light. It consists of.

화소 전극(61)과 대향 전극(63)은 유기막(62)에 의해 서로 절연되어 있으며, 유기막(62)에 서로 다른 극성의 전압을 가해 유기막(62)에서 발광이 이뤄지도록 한다.The pixel electrode 61 and the counter electrode 63 are insulated from each other by the organic layer 62, and apply light to the organic layer 62 to emit light in the organic layer 62.

유기막(62)은 저분자 또는 고분자 유기막이 사용될 수 있는 데, 저분자 유기막을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기막은 진공증착의 방법으로 형성된다.The organic layer 62 may be a low molecular or polymer organic layer. When the low molecular organic layer is used, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), An electron transport layer (ETL), an electron injection layer (EIL), and the like may be formed by stacking a single or a composite structure. The organic materials usable may also be copper phthalocyanine (CuPc) or N. , N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine: NPB), tris- Various applications include 8-hydroxyquinoline aluminum (Alq3) and the like. These low molecular weight organic films are formed by the vacuum deposition method.

고분자 유기막의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이때, 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다.In the case of the polymer organic film, the structure may be generally provided as a hole transporting layer (HTL) and a light emitting layer (EML). In this case, PEDOT is used as the hole transporting layer, and poly-phenylenevinylene (PPV) and polyfluorene (Polyfluorene) are used as the light emitting layer. A polymer organic material such as) may be used, and it may be formed by screen printing or inkjet printing.

이와 같은 유기막은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 실시예들이 적용될 수 있음은 물론이다.Such an organic film is not necessarily limited thereto, and various embodiments may be applied.

화소 전극(61)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(63)은 캐소드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극(61)과 대향 전극(63)의 극성은 반대로 되어도 무방하다. The pixel electrode 61 functions as an anode electrode, and the counter electrode 63 functions as a cathode electrode. Of course, the polarities of these pixel electrodes 61 and the counter electrode 63 may be reversed.

화소 전극(61)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는 데, 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 형성할 수 있다.The pixel electrode 61 may be provided as a transparent electrode or a reflective electrode, and when used as a transparent electrode, may be provided as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 , and when used as a reflective electrode, Ag, Mg After forming a reflecting film with Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, and a compound thereof, ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 can be formed thereon.

한편, 대향 전극(63)도 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는 데, 투명전극으로 사용될 때에는 대향 전극(63)이 캐소드 전극으로 사용되므로, 일함수가 작은 금속 즉, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 및 이들의 화합물이 유기막(62)의 방향을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다. 그리고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 위 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg, 및 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성한다.Meanwhile, the counter electrode 63 may also be provided as a transparent electrode or a reflective electrode. When the counter electrode 63 is used as a transparent electrode, since the counter electrode 63 is used as a cathode, a metal having a small work function, that is, Li, Ca, or LiF is used. / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, and their compounds are deposited to face the organic film 62, and then formed thereon a transparent electrode such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 The auxiliary electrode layer or the bus electrode line may be formed of the solvent material. When used as a reflective electrode, Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Ag, Mg, and compounds thereof are formed by depositing the entire surface.

이와 같은 유기 발광 디스플레이 장치에서, 발광층을 포함하는 유기막(62) 등은 상술한 박막 증착 장치(도 1의 100 참조)에 의해서 형성될 수 있다. 본 발명은 이 외에도, 유기 TFT의 유기막 또는 무기막 등의 증착에도 사용할 수 있으며, 기타, 다양한 소재의 성막 공정에 적용 가능하다.
In such an organic light emitting display device, the organic layer 62 including the light emitting layer may be formed by the above-described thin film deposition apparatus (see 100 of FIG. 1). In addition to the above, the present invention can also be used for vapor deposition of an organic film or an inorganic film of an organic TFT, and can be applied to a film forming process of various other materials.

(제2 실시예)(2nd Example)

도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 증착 장치를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 10은 도 9의 박막 증착 장치의 개략적인 측면도이고, 도 11은 도 9의 박막 증착 장치의 개략적인 평면도이다. 9 is a perspective view schematically showing a thin film deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention, FIG. 10 is a schematic side view of the thin film deposition apparatus of FIG. 9, and FIG. 11 is a schematic view of the thin film deposition apparatus of FIG. 9. Top view.

도 9, 도 10 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 관한 박막 증착 장치(900)는 증착원(910), 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)를 포함한다. 9, 10, and 11, the thin film deposition apparatus 900 according to the second embodiment of the present invention includes a deposition source 910, a deposition source nozzle unit 920, and a patterning slit sheet 950. do.

여기서, 도 9, 도 10 및 도 11에는 설명의 편의를 위해 챔버를 도시하지 않았지만, 도 9 내지 도 11의 모든 구성은 적절한 진공도가 유지되는 챔버 내에 배치되는 것이 바람직하다. 이는 증착 물질의 직진성을 확보하기 위함이다. Here, although the chambers are not shown in FIGS. 9, 10, and 11 for convenience of description, all the components of FIGS. 9 to 11 are preferably disposed in a chamber in which an appropriate degree of vacuum is maintained. This is to ensure the straightness of the deposition material.

상세히, 증착원(910)에서 방출된 증착 물질(915)이 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)를 통과하여 기판(400)에 원하는 패턴으로 증착되게 하려면, 기본적으로 챔버(미도시) 내부는 FMM 증착 방법과 동일한 고진공 상태를 유지해야 한다. 또한 패터닝 슬릿 시트(950)의 온도가 증착원(910) 온도보다 충분히 낮아야(약 100°이하) 한다. 왜냐하면, 패터닝 슬릿 시트(950)의 온도가 충분히 낮아야만 온도에 의한 패터닝 슬릿 시트(950)의 열팽창 문제를 최소화할 수 있기 때문이다. In detail, in order for the deposition material 915 emitted from the deposition source 910 to pass through the deposition source nozzle unit 920 and the patterning slit sheet 950 to be deposited on the substrate 400 in a desired pattern, a chamber (not shown) is basically used. The inside must maintain the same high vacuum as the FMM deposition method. In addition, the temperature of the patterning slit sheet 950 should be sufficiently lower than the deposition source 910 temperature (about 100 ° or less). This is because the thermal expansion problem of the patterning slit sheet 950 due to the temperature can be minimized only when the temperature of the patterning slit sheet 950 is sufficiently low.

이러한 챔버(미도시) 내에는 피 증착체인 기판(400)이 배치된다. 상기 기판(400)은 평판 표시장치용 기판이 될 수 있는데, 다수의 평판 표시장치를 형성할 수 있는 마더 글라스(mother glass)와 같은 대면적 기판이 적용될 수 있다.In such a chamber (not shown), a substrate 400 which is a deposition target is disposed. The substrate 400 may be a substrate for a flat panel display, and a large area substrate such as a mother glass capable of forming a plurality of flat panel displays may be applied.

여기서, 본 발명의 일 실시예에서는, 기판(400)이 박막 증착 장치(900)에 대하여 상대적으로 이동하면서 증착이 진행되는 것을 일 특징으로 한다. Here, in one embodiment of the present invention, the substrate 400 is characterized in that the deposition proceeds while moving relative to the thin film deposition apparatus 900.

상세히, 기존 FMM 증착 방법에서는 FMM 크기가 기판 크기와 동일하게 형성되어야 한다. 따라서, 기판 사이즈가 증가할수록 FMM도 대형화되어야 하며, 이로 인해 FMM 제작이 용이하지 않고, FMM을 인장하여 정밀한 패턴으로 얼라인(align) 하기도 용이하지 않다는 문제점이 존재하였다. In detail, in the conventional FMM deposition method, the FMM size should be formed to be the same as the substrate size. Therefore, as the substrate size increases, the FMM needs to be enlarged. As a result, there is a problem that it is not easy to manufacture the FMM, and it is not easy to align the FMM to a precise pattern.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(900)는, 박막 증착 장치(900)와 기판(400)이 서로 상대적으로 이동하면서 증착이 이루어지는 것을 일 특징으로 한다. 다시 말하면, 박막 증착 장치(900)와 마주보도록 배치된 기판(400)이 Y축 방향을 따라 이동하면서 연속적으로 증착을 수행하게 된다. 즉, 기판(400)이 도 9의 화살표 A 방향으로 이동하면서 스캐닝(scanning) 방식으로 증착이 수행되는 것이다. 여기서, 도면에는 기판(400)이 챔버(미도시) 내에서 Y축 방향으로 이동하면서 증착이 이루어지는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니하며, 기판(400)은 고정되어 있고 박막 증착 장치(900) 자체가 Y축 방향으로 이동하면서 증착을 수행하는 것도 가능하다 할 것이다. In order to solve such a problem, the thin film deposition apparatus 900 according to an embodiment of the present invention is characterized in that the deposition is performed while the thin film deposition apparatus 900 and the substrate 400 move relative to each other. In other words, the substrate 400 disposed to face the thin film deposition apparatus 900 moves continuously along the Y-axis direction to perform deposition continuously. That is, deposition is performed by scanning while the substrate 400 moves in the direction of arrow A of FIG. 9. Here, although the substrate 400 is shown to be deposited while moving in the Y-axis direction in the chamber (not shown), the spirit of the present invention is not limited thereto, the substrate 400 is fixed and thin film deposition It will also be possible to perform deposition while the device 900 itself moves in the Y-axis direction.

따라서, 본 발명의 박막 증착 장치(900)에서는 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 패터닝 슬릿 시트(950)를 만들 수 있다. 즉, 본 발명의 박막 증착 장치(900)의 경우, 기판(400)이 Y축 방향을 따라 이동하면서 연속적으로, 즉 스캐닝(scanning) 방식으로 증착을 수행하기 때문에, 패터닝 슬릿 시트(950)의 X축 방향 및 Y축 방향의 길이는 기판(400)의 길이보다 훨씬 작게 형성될 수 있는 것이다. 이와 같이, 종래의 FMM에 비하여 훨씬 작게 패터닝 슬릿 시트(950)를 만들 수 있기 때문에, 본 발명의 패터닝 슬릿 시트(950)는 그 제조가 용이하다. 즉, 패터닝 슬릿 시트(950)의 에칭 작업이나, 그 이후의 정밀 인장 및 용접 작업, 이동 및 세정 작업 등 모든 공정에서, 작은 크기의 패터닝 슬릿 시트(950)가 FMM 증착 방법에 비해 유리하다. 또한, 이는 디스플레이 장치가 대형화될수록 더욱 유리하게 된다. Therefore, in the thin film deposition apparatus 900 of the present invention, the patterning slit sheet 950 can be made much smaller than the conventional FMM. That is, in the case of the thin film deposition apparatus 900 of the present invention, since the substrate 400 moves along the Y-axis direction and performs deposition in a continuous manner, that is, by scanning, the X of the patterning slit sheet 950 The length in the axial direction and the Y-axis direction may be formed to be much smaller than the length of the substrate 400. Thus, since the patterning slit sheet 950 can be made much smaller than the conventional FMM, the patterning slit sheet 950 of the present invention is easy to manufacture. That is, in all processes, such as etching of the patterning slit sheet 950, subsequent fine tensioning and welding operations, moving and cleaning operations, the small sized patterning slit sheet 950 is advantageous over the FMM deposition method. In addition, this becomes more advantageous as the display device becomes larger.

이와 같이, 박막 증착 장치(900)와 기판(400)이 서로 상대적으로 이동하면서 증착이 이루어지기 위해서는, 박막 증착 장치(900)와 기판(400)이 일정 정도 이격되는 것이 바람직하다. 이에 대하여는 뒤에서 상세히 기술하기로 한다. As such, in order for deposition to occur while the thin film deposition apparatus 900 and the substrate 400 move relative to each other, the thin film deposition apparatus 900 and the substrate 400 may be spaced apart from each other to some extent. This will be described later in detail.

한편, 챔버 내에서 상기 기판(400)과 대향하는 측에는, 증착 물질(915)이 수납 및 가열되는 증착원(910)이 배치된다. 상기 증착원(910) 내에 수납되어 있는 증착 물질(915)이 기화됨에 따라 기판(400)에 증착이 이루어진다. Meanwhile, a deposition source 910 in which the deposition material 915 is received and heated is disposed on the side of the chamber that faces the substrate 400. As the deposition material 915 stored in the deposition source 910 is vaporized, deposition is performed on the substrate 400.

상세히, 증착원(910)은 그 내부에 증착 물질(915)이 채워지는 도가니(911)와, 도가니(911)를 가열시켜 도가니(911) 내부에 채워진 증착 물질(915)을 도가니(911)의 일 측, 상세하게는 증착원 노즐부(920) 측으로 증발시키기 위한 히터(912)를 포함한다. In detail, the deposition source 910 includes a crucible 911 filled with the deposition material 915 therein and a deposition material 915 filled with the inside of the crucible 911 by heating the crucible 911. One side, in detail, comprises a heater 912 for evaporating to the deposition source nozzle unit 920 side.

증착원(910)의 일 측, 상세하게는 증착원(910)에서 기판(400)을 향하는 측에는 증착원 노즐부(920)가 배치된다. 그리고, 증착원 노즐부(920)에는, Y축 방향 즉 기판(400)의 스캔 방향을 따라서 복수 개의 증착원 노즐(921)들이 형성된다. 여기서, 상기 복수 개의 증착원 노즐(921)들은 등 간격으로 형성될 수 있다. 증착원(910) 내에서 기화된 증착 물질(915)은 이와 같은 증착원 노즐부(920)를 통과하여 피 증착체인 기판(400) 쪽으로 향하게 되는 것이다. 이와 같이, 증착원 노즐부(920) 상에 Y축 방향 즉 기판(400)의 스캔 방향을 따라서 복수 개의 증착원 노즐(921)들이 형성할 경우, 패터닝 슬릿 시트(950)의 각각의 패터닝 슬릿(951)들을 통과하는 증착 물질에 의해 형성되는 패턴의 크기는 증착원 노즐(921) 하나의 크기에만 영향을 받으므로(즉, X축 방향으로는 증착원 노즐(921)이 하나만 존재하는 것에 다름 아니므로), 음영(shadow)이 발생하지 않게 된다. 또한, 다수 개의 증착원 노즐(921)들이 스캔 방향으로 존재하므로, 개별 증착원 노즐 간 플럭스(flux) 차이가 발생하여도 그 차이가 상쇄되어 증착 균일도가 일정하게 유지되는 효과를 얻을 수 있다. The deposition source nozzle unit 920 is disposed on one side of the deposition source 910, in detail, the side of the deposition source 910 facing the substrate 400. In addition, a plurality of deposition source nozzles 921 are formed in the deposition source nozzle unit 920 along the Y-axis direction, that is, the scanning direction of the substrate 400. Here, the plurality of deposition source nozzles 921 may be formed at equal intervals. The evaporation material 915 vaporized in the evaporation source 910 passes through the evaporation source nozzle unit 920 and is directed toward the substrate 400, which is an evaporation target. As described above, when the plurality of deposition source nozzles 921 are formed on the deposition source nozzle unit 920 along the Y-axis direction, that is, the scanning direction of the substrate 400, each patterning slit of the patterning slit sheet 950 ( The size of the pattern formed by the deposition material passing through the portions 951 is only affected by the size of one deposition source nozzle 921 (ie, there is only one deposition source nozzle 921 in the X-axis direction). Shadows will not occur. In addition, since a plurality of deposition source nozzles 921 exist in the scanning direction, even if a flux difference between individual deposition source nozzles occurs, the difference is canceled to obtain an effect of maintaining a uniform deposition uniformity.

한편, 증착원(910)과 기판(400) 사이에는 패터닝 슬릿 시트(950) 및 프레임(955)이 더 구비된다. 프레임(955)은 대략 창문 틀과 같은 형태로 형성되며, 그 내측에 패터닝 슬릿 시트(950)가 결합된다. 그리고, 패터닝 슬릿 시트(950)에는 X축 방향을 따라서 복수 개의 패터닝 슬릿(951)들이 형성된다. 증착원(910) 내에서 기화된 증착 물질(915)은 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)를 통과하여 피 증착체인 기판(400) 쪽으로 향하게 되는 것이다. 이때, 상기 패터닝 슬릿 시트(950)는 종래의 파인 메탈 마스크(FMM) 특히 스트라이프 타입(stripe type)의 마스크의 제조 방법과 동일한 방법인 에칭을 통해 제작될 수 있다. 이때, 증착원 노즐(921)들의 총 개수보다 패터닝 슬릿(951)들의 총 개수가 더 많게 형성될 수 있다. Meanwhile, a patterning slit sheet 950 and a frame 955 are further provided between the deposition source 910 and the substrate 400. The frame 955 is formed in a substantially window-like shape, and the patterning slit sheet 950 is coupled to the inside thereof. In addition, a plurality of patterning slits 951 are formed in the patterning slit sheet 950 along the X-axis direction. The deposition material 915 vaporized in the deposition source 910 passes through the deposition source nozzle unit 920 and the patterning slit sheet 950 toward the substrate 400, which is the deposition target. In this case, the patterning slit sheet 950 may be manufactured by etching, which is the same method as a method of manufacturing a conventional fine metal mask (FMM), in particular, a stripe type mask. In this case, the total number of patterning slits 951 may be greater than the total number of deposition source nozzles 921.

한편, 상술한 증착원(910) 및 이와 결합된 증착원 노즐부(920)과 패터닝 슬릿 시트(950)는 서로 일정 정도 이격되도록 형성될 수 있으며, 증착원(910) 및 이와 결합된 증착원 노즐부(920)와 패터닝 슬릿 시트(950)는 연결 부재(935)에 의하여 서로 연결될 수 있다. 즉, 증착원(910), 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)가 연결 부재(935)에 의해 연결되어 서로 일체로 형성될 수 있는 것이다. 여기서 연결 부재(935)들은 증착원 노즐(921)을 통해 배출되는 증착 물질이 분산되지 않도록 증착 물질의 이동 경로를 가이드 할 수 있다. 도면에는 연결 부재(935)가 증착원(910), 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)의 좌우 방향으로만 형성되어 증착 물질의 X축 방향만을 가이드 하는 것으로 도시되어 있으나, 이는 도시의 편의를 위한 것으로, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니하며, 연결 부재(935)가 박스 형태의 밀폐형으로 형성되어 증착 물질의 X축 방향 및 Y축 방향 이동을 동시에 가이드 할 수도 있다. Meanwhile, the above-described deposition source 910, the deposition source nozzle unit 920 and the patterning slit sheet 950 coupled thereto may be formed to be spaced apart from each other to some extent, and the deposition source 910 and the deposition source nozzles coupled thereto. The portion 920 and the patterning slit sheet 950 may be connected to each other by the connecting member 935. That is, the deposition source 910, the deposition source nozzle unit 920, and the patterning slit sheet 950 may be connected by the connection member 935 to be integrally formed with each other. The connection members 935 may guide the movement path of the deposition material so that the deposition material discharged through the deposition source nozzle 921 is not dispersed. In the drawing, the connecting member 935 is formed only in the left and right directions of the deposition source 910, the deposition source nozzle unit 920, and the patterning slit sheet 950 to guide only the X-axis direction of the deposition material. For convenience of illustration, the spirit of the present invention is not limited thereto, and the connection member 935 may be formed in a sealed shape in a box shape to simultaneously guide the X-axis direction and the Y-axis movement of the deposition material.

상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(900)는 기판(400)에 대하여 상대적으로 이동하면서 증착을 수행하며, 이와 같이 박막 증착 장치(900)가 기판(400)에 대하여 상대적으로 이동하기 위해서 패터닝 슬릿 시트(950)는 기판(400)으로부터 일정 정도 이격되도록 형성된다. As described above, the thin film deposition apparatus 900 according to the embodiment of the present invention performs deposition while moving relative to the substrate 400, and thus the thin film deposition apparatus 900 is performed on the substrate 400. The patterning slit sheet 950 is formed to be spaced apart from the substrate 400 to move relatively.

상세히, 종래의 FMM 증착 방법에서는 기판에 음영(shadow)이 생기지 않도록 하기 위하여 기판에 마스크를 밀착시켜서 증착 공정을 진행하였다. 그러나, 이와 같이 기판에 마스크를 밀착시킬 경우, 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량 문제가 발생한다는 문제점이 존재하였다. 또한, 마스크를 기판에 대하여 이동시킬 수 없기 때문에, 마스크가 기판과 동일한 크기로 형성되어야 한다. 따라서, 디스플레이 장치가 대형화됨에 따라 마스크의 크기도 커져야 하는데, 이와 같은 대형 마스크를 형성하는 것이 용이하지 아니하다는 문제점이 존재하였다. In detail, in the conventional FMM deposition method, a deposition process was performed by closely attaching a mask to a substrate in order to prevent shadows on the substrate. However, when the mask is in close contact with the substrate as described above, there has been a problem that a defect problem occurs due to contact between the substrate and the mask. Also, since the mask cannot be moved relative to the substrate, the mask must be formed to the same size as the substrate. Therefore, as the display device is enlarged, the size of the mask must be increased, but there is a problem that it is not easy to form such a large mask.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 관한 박막 증착 장치(900)에서는 패터닝 슬릿 시트(950)가 피 증착체인 기판(400)과 소정 간격을 두고 이격되도록 배치되도록 한다. In order to solve such a problem, in the thin film deposition apparatus 900 according to the exemplary embodiment of the present invention, the patterning slit sheet 950 is disposed to be spaced apart from the substrate 400, which is the deposition target, at a predetermined interval.

이와 같은 본 발명에 의해서 마스크를 기판보다 작게 형성한 후, 마스크를 기판에 대하여 이동시키면서 증착을 수행할 수 있게 됨으로써, 마스크 제작이 용이해지는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 기판과 마스크 간의 접촉에 의한 불량을 방지하는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 공정에서 기판과 마스크를 밀착시키는 시간이 불필요해지기 때문에, 제조 속도가 향상되는 효과를 얻을 수 있다. According to the present invention, after forming the mask smaller than the substrate, it is possible to perform the deposition while moving the mask with respect to the substrate, it is possible to obtain the effect that the mask fabrication becomes easy. Moreover, the effect which prevents the defect by the contact between a board | substrate and a mask can be acquired. In addition, since the time for bringing the substrate into close contact with the mask is unnecessary in the step, an effect of increasing the manufacturing speed can be obtained.

여기서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 증착 장치(900)는 복수의 서브 슬릿(951a)(951b)으로 하나의 패터닝 슬릿(951)을 구성하는 것을 일 특징으로 한다. 이와 같이, 복수 개의 서브 슬릿(951a)(951b)으로 하나의 패터닝 슬릿(951)을 구성하고, 상기 복수 개의 서브 슬릿(951a)(951b)을 통해 형성된 패턴이 서로 중첩되도록 서브 슬릿(951a)(951b)들을 배치함으로써, 원하는 패턴 형상을 형성하는 것이 가능해진다. 이에 대하여는 제1 실시예에서 상세히 설명하였는바, 본 실시예에서는 그 상세한 설명은 생략하도록 한다.
Here, the thin film deposition apparatus 900 according to the second embodiment of the present invention is characterized by configuring one patterning slit 951 with a plurality of sub slits 951a and 951b. In this manner, a plurality of sub slits 951a and 951b constitute one patterning slit 951, and the sub slits 951a (the sub slits 951a and 951b overlap the patterns formed through the plurality of sub slits 951a and 951b). By arranging 951b), it becomes possible to form a desired pattern shape. As it has been described in detail in the first embodiment, the detailed description thereof will be omitted.

(제3 실시예)(Third Embodiment)

도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 증착 장치를 나타내는 도면이다. 도면을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 증착 장치는 증착원(910), 증착원 노즐부(920) 및 패터닝 슬릿 시트(950)를 포함한다. 여기서, 증착원(910)은 그 내부에 증착 물질(915)이 채워지는 도가니(911)와, 도가니(911)를 가열시켜 도가니(911) 내부에 채워진 증착 물질(915)을 증착원 노즐부(920) 측으로 증발시키기 위한 히터(912)를 포함한다. 한편, 증착원(910)의 일 측에는 증착원 노즐부(920)가 배치되고, 증착원 노즐부(920)에는 Y축 방향을 따라서 복수 개의 증착원 노즐(921)들이 형성된다. 한편, 증착원(910)과 기판(400) 사이에는 패터닝 슬릿 시트(950) 및 프레임(955)이 더 구비되고, 패터닝 슬릿 시트(950)에는 X축 방향을 따라서 복수 개의 패터닝 슬릿(951)들이 형성된다. 그리고, 증착원(910) 및 증착원 노즐부(920)와 패터닝 슬릿 시트(950)는 연결 부재(935)에 의해서 결합된다. 12 is a view showing a thin film deposition apparatus according to a third embodiment of the present invention. Referring to the drawings, the thin film deposition apparatus according to the third embodiment of the present invention includes a deposition source 910, a deposition source nozzle unit 920, and a patterning slit sheet 950. Here, the deposition source 910 is a crucible 911 filled with the deposition material 915 therein, and the deposition material 915 filled with the inside of the crucible 911 by heating the crucible 911. A heater 912 for evaporating to the side of 920. Meanwhile, a deposition source nozzle unit 920 is disposed on one side of the deposition source 910, and a plurality of deposition source nozzles 921 are formed in the deposition source nozzle unit 920 along the Y-axis direction. Meanwhile, a patterning slit sheet 950 and a frame 955 are further provided between the deposition source 910 and the substrate 400, and the patterning slit sheet 950 includes a plurality of patterning slits 951 along the X-axis direction. Is formed. In addition, the deposition source 910, the deposition source nozzle unit 920, and the patterning slit sheet 950 are coupled by the connection member 935.

본 실시예에서는, 증착원 노즐부(920)에 형성된 복수 개의 증착원 노즐(921)들이 소정 각도 틸트(tilt)되어 배치된다는 점에서 전술한 제2 실시예와 구별된다. 상세히, 증착원 노즐(921)은 두 열의 증착원 노즐(921a)(921b)들로 이루어질 수 있으며, 상기 두 열의 증착원 노즐(921a)(921b)들은 서로 교번하여 배치된다. 이때, 증착원 노즐(921a)(921b)들은 XZ 평면상에서 소정 각도 기울어지도록 틸트(tilt)되어 형성될 수 있다. In the present embodiment, the plurality of deposition source nozzles 921 formed in the deposition source nozzle unit 920 are distinguished from the above-described second embodiment in that they are arranged at a predetermined angle. In detail, the deposition source nozzles 921 may be formed of two rows of deposition source nozzles 921a and 921b, and the two rows of deposition source nozzles 921a and 921b are alternately disposed. In this case, the deposition source nozzles 921a and 921b may be tilted to be inclined at a predetermined angle on the XZ plane.

즉, 본 실시예에서는 증착원 노즐(921a)(921b)들이 소정 각도 틸트되어 배치되도록 한다. 여기서, 제1 열의 증착원 노즐(921a)들은 제2 열의 증착원 노즐(921b)들을 바라보도록 틸트되고, 제2 열의 증착원 노즐(921b)들은 제1 열의 증착원 노즐(921a)들을 바라보도록 틸트될 수 있다. 다시 말하면, 왼쪽 열에 배치된 증착원 노즐(921a)들은 패터닝 슬릿 시트(950)의 오른쪽 단부를 바라보도록 배치되고, 오른쪽 열에 배치된 증착원 노즐(921b)들은 패터닝 슬릿 시트(950)의 왼쪽 단부를 바라보도록 배치될 수 있는 것이다. That is, in this embodiment, the deposition source nozzles 921a and 921b are tilted and disposed at a predetermined angle. Here, the deposition source nozzles 921a of the first row are tilted to face the deposition source nozzles 921b of the second row, and the deposition source nozzles 921b of the second row are tilted to face the deposition source nozzles 921a of the first row. Can be. In other words, the deposition source nozzles 921a disposed in the left column face the right end of the patterning slit sheet 950, and the deposition source nozzles 921b disposed in the right column move the left end of the patterning slit sheet 950. It can be arranged to look at.

도 13은 본 발명에 따른 박막 증착 장치에서 증착원 노즐을 틸트시키지 아니하였을 때 기판에 증착된 증착막의 분포 형태를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 14는 본 발명에 따른 박막 증착 장치에서 증착원 노즐을 틸트시켰을 때 기판에 증착된 증착막의 분포 형태를 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 13과 도 14를 비교하면, 증착원 노즐을 틸트시켰을 때 기판의 양단부에 성막되는 증착막의 두께가 상대적으로 증가하여 증착막의 균일도가 상승함을 알 수 있다. FIG. 13 is a view schematically illustrating a distribution form of a deposition film deposited on a substrate when the deposition source nozzle is not tilted in the thin film deposition apparatus according to the present invention, and FIG. 14 illustrates the deposition source nozzle in the thin film deposition apparatus according to the present invention. It is a figure which shows the distribution form of the vapor deposition film deposited on a board | substrate when tilting. Comparing FIG. 13 and FIG. 14, it can be seen that when the deposition source nozzle is tilted, the thickness of the deposition film formed on both ends of the substrate is relatively increased, thereby increasing the uniformity of the deposition film.

이와 같은 구성에 의하여, 기판의 중앙과 끝 부분에서의 성막 두께 차이가 감소하게 되어 전체적인 증착 물질의 두께가 균일하도록 증착량을 제어할 수 있으며, 나아가서는 재료 이용 효율이 증가하는 효과를 얻을 수 있다. By such a configuration, the difference in film thickness at the center and the end of the substrate is reduced, so that the deposition amount can be controlled so that the thickness of the entire deposition material is uniform, and further, the material utilization efficiency can be increased. .

여기서, 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 증착 장치(900)는 기판(400)과 함께 이동하며 기판(400)의 비성막 영역(401)(402)을 가리도록 배치되는 차단 부재(961)(962)를 더 구비하여, 기판(400)의 비성막 영역(401)(402)에 유기물이 증착되는 현상을 방지하는 것을 일 특징으로 한다. 이에 대하여는 제1 실시예에서 상세히 설명하였는바, 본 실시예에서는 그 상세한 설명은 생략하도록 한다.
Here, the thin film deposition apparatus 900 according to the third embodiment of the present invention moves along with the substrate 400 and is disposed to cover the non-film forming regions 401 and 402 of the substrate 400. 962 may be further provided to prevent a phenomenon in which an organic material is deposited on the non-film forming regions 401 and 402 of the substrate 400. As it has been described in detail in the first embodiment, the detailed description thereof will be omitted.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

100: 박막 증착 장치 110: 증착원
120: 증착원 노즐부 150: 패터닝 슬릿 시트
151: 패터닝 슬릿 155: 프레임100: thin film deposition apparatus 110: deposition source
120: vapor deposition source nozzle portion 150: patterning slit sheet
151: patterning slit 155: frame

Claims (24)

기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서,
증착 물질을 방사하는 증착원;
상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부; 및
상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트를 포함하고,
상기 패터닝 슬릿들은 각각 복수 개의 서브 슬릿들을 포함하되, 하나의 패터닝 슬릿을 구성하는 복수 개의 서브 슬릿들을 통과하여 상기 기판상에 증착된 증착 물질이 하나의 패턴을 형성하고,
상기 박막 증착 장치는 상기 기판과 소정 정도 이격되도록 형성되어, 상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상대적으로 이동가능하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. In the thin film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate,
A deposition source for emitting a deposition material;
A deposition source nozzle unit disposed on one side of the deposition source and having a plurality of deposition source nozzles formed along a first direction; And
A patterning slit sheet disposed to face the deposition source nozzle unit and having a plurality of patterning slits formed along the first direction,
Each of the patterning slits includes a plurality of sub slits, and the deposition material deposited on the substrate forms a pattern by passing through the plurality of sub slits constituting one patterning slit.
The thin film deposition apparatus is formed to be spaced apart from the substrate by a predetermined degree, the thin film deposition apparatus, characterized in that the substrate is formed so as to move relative to the thin film deposition apparatus. 제 1 항에 있어서,
서로 이웃한 상기 패터닝 슬릿 사이의 간격은, 동일한 패터닝 슬릿에 속한 서로 이웃한 상기 서브 슬릿들 간의 간격보다 더 크도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 1,
And the spacing between the adjacent patterning slits is greater than the spacing between the neighboring sub slits belonging to the same patterning slit. 제 1 항에 있어서,
동일한 패터닝 슬릿에 속한 어느 하나의 서브 슬릿을 통과하여 상기 기판상에 증착된 상기 증착 물질이 이루는 패턴의 적어도 일부와, 상기 어느 하나의 서브 슬릿과 이웃한 서브 슬릿을 통과하여 상기 기판상에 증착된 상기 증착 물질이 이루는 패턴의 적어도 일부가 서로 중첩되도록 상기 서브 슬릿들이 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 1,
At least a portion of a pattern formed by the deposition material deposited on the substrate through any one subslit belonging to the same patterning slit, and deposited on the substrate through the subslit adjacent to the one subslit And the sub slits are disposed so that at least a part of the pattern formed by the deposition material overlaps each other. 제 1 항에 있어서,
상기 복수 개의 서브 슬릿들은 각각 서로 나란하게 형성된 직사각형 형상인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 1,
And the plurality of sub slits each have a rectangular shape formed in parallel with each other. 제 1 항에 있어서,
상기 복수 개의 서브 슬릿들은 각각 서로 나란하게 형성된 복수 열의 홀(hole) 형상인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 1,
And the plurality of sub slits have a plurality of rows of holes formed in parallel with each other. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상대적으로 이동하면서, 상기 기판상에 상기 각 박막 증착 장치들의 각 증착 물질들이 연속적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 1,
And the deposition materials of each of the thin film deposition apparatuses are successively deposited on the substrate while the substrate is moved relative to the thin film deposition apparatus. 제 1 항에 있어서,
상기 박막 증착 장치와 상기 기판은, 상기 기판에서 상기 증착 물질이 증착되는 면과 평행한 면을 따라, 어느 일 측이 타 측에 대하여 상대적으로 이동하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 1,
The thin film deposition apparatus and the substrate, the thin film deposition apparatus, characterized in that one side is relatively moved relative to the other side along the surface parallel to the surface on which the deposition material is deposited on the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 박막 증착 장치의 상기 패터닝 슬릿 시트는 상기 기판보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 1,
And the patterning slit sheet of the thin film deposition apparatus is smaller than the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 증착원 노즐들의 총 개수보다 상기 패터닝 슬릿들의 총 개수가 더 많은 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 1,
And the total number of patterning slits is larger than the total number of deposition source nozzles. 기판상에 박막을 형성하기 위한 박막 증착 장치에 있어서,
증착 물질을 방사하는 증착원;
상기 증착원의 일 측에 배치되며, 제1 방향을 따라 복수 개의 증착원 노즐들이 형성되는 증착원 노즐부; 및
상기 증착원 노즐부와 대향되게 배치되고, 상기 제1 방향에 대해 수직인 제2 방향을 따라 복수 개의 패터닝 슬릿들이 형성되는 패터닝 슬릿 시트를 포함하고,
상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상기 제1 방향을 따라 이동하면서 증착이 수행되고,
상기 증착원, 상기 증착원 노즐부 및 상기 패터닝 슬릿 시트는 일체로 형성되고,
상기 패터닝 슬릿들은 각각 복수 개의 서브 슬릿들을 포함하되, 하나의 패터닝 슬릿을 구성하는 복수 개의 서브 슬릿들을 통과하여 상기 기판상에 증착된 증착 물질이 하나의 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. In the thin film deposition apparatus for forming a thin film on a substrate,
A deposition source for emitting a deposition material;
A deposition source nozzle unit disposed on one side of the deposition source and having a plurality of deposition source nozzles formed along a first direction; And
A patterning slit sheet disposed to face the deposition source nozzle unit and having a plurality of patterning slits formed along a second direction perpendicular to the first direction,
Deposition is performed while the substrate moves along the first direction with respect to the thin film deposition apparatus,
The deposition source, the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet are integrally formed,
Each of the patterning slits includes a plurality of sub slits, and the deposition material deposited on the substrate forms a pattern by passing through the plurality of sub slits constituting one patterning slit. 제 11 항에 있어서,
서로 이웃한 상기 패터닝 슬릿 사이의 간격은, 동일한 패터닝 슬릿에 속한 서로 이웃한 상기 서브 슬릿들 간의 간격보다 더 크도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 11,
And the spacing between the adjacent patterning slits is greater than the spacing between the neighboring sub slits belonging to the same patterning slit. 제 11 항에 있어서,
동일한 패터닝 슬릿에 속한 어느 하나의 서브 슬릿을 통과하여 상기 기판상에 증착된 상기 증착 물질이 이루는 패턴의 적어도 일부와, 상기 어느 하나의 서브 슬릿과 이웃한 서브 슬릿을 통과하여 상기 기판상에 증착된 상기 증착 물질이 이루는 패턴의 적어도 일부가 서로 중첩되도록 상기 서브 슬릿들이 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 11,
At least a portion of a pattern formed by the deposition material deposited on the substrate through any one subslit belonging to the same patterning slit, and deposited on the substrate through the subslit adjacent to the one subslit And the sub slits are disposed so that at least a part of the pattern formed by the deposition material overlaps each other. 제 11 항에 있어서,
상기 복수 개의 서브 슬릿들은 각각 서로 나란하게 형성된 직사각형 형상인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 11,
And the plurality of sub slits each have a rectangular shape formed in parallel with each other. 제 11 항에 있어서,
상기 복수 개의 서브 슬릿들은 각각 서로 나란하게 형성된 복수 열의 홀(hole) 형상인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 11,
And the plurality of sub slits have a plurality of rows of holes formed in parallel with each other. 제 11 항에 있어서,
상기 증착원 및 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트는 연결 부재에 의해 결합되어 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 11,
And the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet are integrally formed by a coupling member. 제 16 항에 있어서,
상기 연결 부재는 상기 증착 물질의 이동 경로를 가이드 하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. 17. The method of claim 16,
The connecting member is a thin film deposition apparatus, characterized in that for guiding the movement path of the deposition material. 제 16 항에 있어서,
상기 연결 부재는 상기 증착원 및 상기 증착원 노즐부와 상기 패터닝 슬릿 시트 사이의 공간을 외부로부터 밀폐하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. 17. The method of claim 16,
And the connection member is formed to seal a space between the deposition source and the deposition source nozzle unit and the patterning slit sheet from the outside. 제 11 항에 있어서,
상기 박막 증착 장치는 상기 기판과 소정 정도 이격되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 11,
The thin film deposition apparatus is formed to be spaced apart from the substrate by a predetermined degree. 제 11 항에 있어서,
상기 기판이 상기 박막 증착 장치에 대하여 상기 제1 방향을 따라 이동하면서, 상기 기판상에 상기 증착 물질이 연속적으로 증착되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 11,
And the deposition material is continuously deposited on the substrate while the substrate moves in the first direction with respect to the thin film deposition apparatus. 제 11 항에 있어서,
상기 박막 증착 장치의 상기 패터닝 슬릿 시트는 상기 기판보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 11,
And the patterning slit sheet of the thin film deposition apparatus is smaller than the substrate. 제 11 항에 있어서,
상기 복수 개의 증착원 노즐들은 소정 각도 틸트 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 11,
And the plurality of deposition source nozzles are formed to be tilted at a predetermined angle. 제 22 항에 있어서,
상기 복수 개의 증착원 노즐들은 상기 제1 방향을 따라 형성된 두 열(列)의 증착원 노즐들을 포함하며, 상기 두 열(列)의 증착원 노즐들은 서로 마주보는 방향으로 틸트되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치. The method of claim 22,
The plurality of deposition source nozzles may include two rows of deposition source nozzles formed along the first direction, and the two rows of deposition source nozzles may be tilted in a direction facing each other. Thin film deposition apparatus. 제 22 항에 있어서,
상기 복수 개의 증착원 노즐들은 상기 제1 방향을 따라 형성된 두 열(列)의 증착원 노즐들을 포함하며,
상기 두 열(列)의 증착원 노즐들 중 제1 측에 배치된 증착원 노즐들은 패터닝 슬릿 시트의 제2 측 단부를 바라보도록 배치되고,
상기 두 열(列)의 증착원 노즐들 중 제2 측에 배치된 증착원 노즐들은 패터닝 슬릿 시트의 제1 측 단부를 바라보도록 배치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
The method of claim 22,
The plurality of deposition source nozzles include two rows of deposition source nozzles formed along the first direction,
Deposition source nozzles disposed on the first side of the two rows of deposition source nozzles are disposed to face the second side end of the patterned slit sheet,
And deposition source nozzles disposed on a second side of the two rows of deposition source nozzles to face an end of the first side of the patterned slit sheet.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101826068B1 (en) * 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for thin layer deposition
KR101252756B1 (en) * 2011-08-08 2013-04-09 공주대학교 산학협력단 Nozzle of point source
JP5812753B2 (en) * 2011-08-11 2015-11-17 株式会社アルバック Film forming apparatus and film forming method
KR102120895B1 (en) * 2013-08-09 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 Deposition apparatus, method for manufacturing organic light emitting display apparatus using the same, and organic light emitting display apparatus manufactured by the same
CN104298069B (en) * 2014-10-13 2016-03-02 京东方科技集团股份有限公司 A kind of solder mask frame, mask plate and preparation method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003321767A (en) 2002-04-26 2003-11-14 Seiko Epson Corp Vapor deposition method for thin film, organic electroluminescence device, method for manufacturing organic electroluminescence device, and electronic apparatus

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075638A (en) * 2000-08-29 2002-03-15 Nec Corp Vapor deposition method of mask and vapor deposition device
JP4072422B2 (en) * 2002-11-22 2008-04-09 三星エスディアイ株式会社 Deposition mask structure, method for producing the same, and method for producing organic EL element using the same
JP2004349101A (en) * 2003-05-22 2004-12-09 Seiko Epson Corp Film forming method, film forming device, manufacturing method of organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device
JP2005174843A (en) * 2003-12-15 2005-06-30 Sony Corp Deposition mask and its manufacturing method
JP2006210038A (en) * 2005-01-26 2006-08-10 Seiko Epson Corp Manufacturing method of mask
KR100980729B1 (en) * 2006-07-03 2010-09-07 주식회사 야스 Multiple nozzle evaporator for vacuum thermal evaporation

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003321767A (en) 2002-04-26 2003-11-14 Seiko Epson Corp Vapor deposition method for thin film, organic electroluminescence device, method for manufacturing organic electroluminescence device, and electronic apparatus

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