JP5347412B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置では、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備えることにより、アクティブマトリクス駆動可能に構成されている。また、高コントラスト化等を目的として、ＴＦＴと画素電極との間に蓄積容量が設けられることもある。例えば特許文献１には、蓄積容量を、容量絶縁膜を介して対向する一対の透明電極から構成することで、高い開口率を確保する技術が開示されている。

ここで、アクティブマトリクス駆動では、走査線に走査信号を供給することで前記ＴＦＴの動作を制御すると共に、ＴＦＴがＯＮ（オン）駆動されるタイミングでデータ線に画像信号を供給することによって、画像表示が実現される。このような電気光学装置では、データ線に書き込まれる画像信号電位のプッシュダウンに起因した表示ムラが発生してしまうという技術的問題点がある。特許文献２では、このような技術的問題点を解決する手段として、データ線の一部に電気的に接続してコンデンサ或いはキャパシタを設ける技術が開示されている。

特開平６−１４８６８４号公報 特開２００４−１２５８８７号公報

ここで、上述したような基板上に形成された各種機能膜がイオン化傾向の異なる導電性材料によって形成されている場合、例えば、各種機能膜をパターニングすることによって形成する際に、ウェットエッチングやフォトレジストの剥離などのウェット処理工程において、これらの異なるイオン化傾向を有する材料同士が同時に処理液中に曝されることによって、電蝕が生じてしまうという技術的問題点がある。例えば、基板上の上層側に配置されたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる容量電極と、アルミニウムからなる配線とが、ウェット処理工程において用いられるエッチング液やレジスト剥離液等の処理液に同時に曝されると、イオン化傾向の高いアルミニウム原子が処理液中に溶け出し、ぼろぼろに腐食しまう。その結果、画像信号等の電気信号の電圧値に誤差やエラーが生じ、表示画像の質が低下してしまう。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、ウェット処理工程における電蝕の発生が防止されており、高品質な表示を行うことが可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、第１導電性材料を含んでなり、画素領域に設けられた画素電極と、前記画素電極に電気的に接続され、画素領域に設けられたスイッチングトランジスタと、前記第１導電性材料と同一の材料を含んでなり、前記画素領域に所定電位を供給する第１導電層と、前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置され、イオン化傾向が前記第１導電性材料に比べて異なる第２導電性材料を含んでなる第２導電層と、ソース及びドレインの一方が、前記第１導電層及び前記第２導電層の一方に電気的に接続されていると共に、前記ソース及び前記ドレインの他方が、前記第１導電層及び前記第２導電層の他方に電気的に接続されており、ゲートに電圧が印加されることで前記第１導電層及び前記第２導電層を中継接続する薄膜トランジスタと を備えることを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記画素電極及び前記第１導電層は、容量絶縁膜を介して対向配置されることにより前記保持容量を形成してもよい。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記第１導電層は、前記画素領域において、互いに電位の異なる導電層間に生じる電界を遮断するシールド層を構成してもよい。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記第１導電性材料は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であってもよい。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記第２導電層は、前記周辺領域に配置された外部接続用端子を構成してもよい。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、所定電位を供給する第２の電位線を備え、前記ゲートは、前記第２の電位線に電気的に接続されてもよい。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記薄膜トランジスタ及び前記スイッチングトランジスタを構成する夫々の半導体層は、互いに同一膜からなってもよい。
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、第１導電性材料を含んでなり、画素領域に配列された複数の画素電極と、前記第１導電性材料と同一の材料を含んでなり、前記画素領域で電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する第１導電層と、イオン化傾向が前記第１導電性材料に比べて異なる第２導電性材料を含んでなり、前記配線、前記電極及び前記電子素子の少なくとも他の一部を構成する第２導電層と、ソース及びドレインの一方が、前記第１導電層及び前記第２導電層の一方に電気的に接続されていると共に、前記ソース及び前記ドレインの他方が、前記第１導電層及び前記第２導電層の他方に電気的に接続されており、ゲートに電圧が印加されることで前記第１導電層及び前記第２導電層を中継接続する薄膜トランジスタとを備える。

本発明の電気光学装置によれば、基板上に、例えば、走査線、データ線等の配線や画素スイッチング用のＴＦＴ等の電子素子が、絶縁膜を介して相互に絶縁されつつ必要に応じて積層されることで画素電極を駆動するための回路が構成され、その上層側に画像電極が形成されている。特に本発明における画素電極は、第１導電性材料、例えばＩＴＯ膜等の透明材料を含んで形成されている。電気光学装置の動作時において、画素電極には、例えば、画素スイッチング用のＴＦＴのオン／オフ動作に応じたタイミングで、画像信号がデータ線を通じて供給される。これにより、複数の画素電極が配列された画素領域或いは画素アレイ領域（典型的には「画像表示領域」とも呼ばれる）における画像表示が可能となる。

第１導電層は、画素領域で電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部である。例えば、第１導電層を、高コントラスト化を図るための付加容量を構成する一対の容量電極の一方として構成してもよいし、又は、互いに電位の異なる導電層間に生じる電界を遮断するシールド層等を構成してもよい。また、第１導電層は、画素電極と同じ第１導電性材料を含んで形成されている。このように、画素電極と第１導電層とを同じ材料で形成することによって、電気光学装置の製造段階のウェット処理工程において用いられるエッチング液やレジスト剥離液等の処理液種類を少なく抑えることができ、より低コスト化を図ることが可能となる。また、同じ導電性材料で形成していれば、仮に画素電極及び第１導電層の形成工程において、画素電極及び第１導電層が同時に剥離液等の酸に曝されたとしても電触が生じて画素電極及び第１導電層が腐食することもない。

第２導電層は、第１導電層とは別の、電気光学動作（例えば、上述の画像表示）を行うための他の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を構成している。例えば、第２導電層を、付加容量を構成する一対の容量電極の一方に固定電位を供給するための定電位線等として構成することができる。また、第２導電層は、イオン化傾向が前記第１導電性材料に比べて異なる第２導電性材料を含んで形成されている。そのため、仮に第１導電層と第２導電層とが同時に剥離液等の処理液に曝されてしまうと、上述のように、イオン化傾向の高い導電性材料から、イオン化傾向の低い導電性材料に電子が移動し、イオン化傾向の高い導電層の構成原子がイオンとして処理液に溶け出し、電蝕が生じ、導電層が腐食してしまう。例えば第１導電層をＩＴＯ膜等の透明電極で形成し、第２導電層を導電性の高いアルミニウム等の金属で形成した場合、イオン化傾向の高いアルミニウムが処理液中に溶け出してしまい、せっかく形成した第２導電層が腐食してしまう。そこで、本発明では、次に説明するトランジスタを第１導電層と第２導電層との間に介在させることによって、電蝕が起こることを防いでいる。

トランジスタは、そのゲートに電圧が印加されたときに、第１導電層及び第２導電層間を中継接続するように配置されている。つまり、ソース及びドレインの一方が、第１導電層及び第２導電層の一方に電気的に接続されており、ソース及びドレインの他方が、前記第１導電層及び前記第２導電層の他方に電気的に接続されている。このように、第１導電層及び第２導電層間にトランジスタを配置することによって、電気光学装置の製造プロセスにおいて、第１導電層及び第２導電層に電蝕が生じることを防ぐことができる。製造段階では、当然ながら電気光学装置は動作していないので、トランジスタは常にオフ状態となり、第１導電層及び第２導電層間は電気的に遮断されている状態に保持される（即ち、導電層及び容量電極間は絶縁されている）。そのため、製造プロセスにおいて、第１導電層及び第２導電層を同時に処理液に曝したとしても、両者間に電子の移動は生ずることはなく、電蝕は生じない。一方、製造プロセスが終了して、実際に電気光学装置を動作させたときには、例えば、トランジスタを常にオン状態にすることによって、第１導電層と第２導電層とを常に電気的に接続された状態にすることができる。つまり、電気光学装置の動作中においては、トランジスタは第１導電層及び第２導電層と共に、単に導電性を有する配線の一部として機能する。このように、トランジスタを設けることで、製造プロセスにおいては、第１導電層と第２導電層とを電気的に絶縁することによって電蝕が起こることを防ぎつつ、電気光学装置が完成して実際に動作させる際には、第１導電層と第２導電層とを電気的に接続して、あたかも一体的な配線と同等に機能させることができる。従って、第１導電層及び第２導電層が電気的に接続された状態で同時に処理液に曝されることによって電蝕（言い換えれば、電池効果或いは電池作用が生じることにより導電層が腐食する現象）の発生を防止することができる。

以上説明したように、本発明に係る電気光学装置によれば、ウェット処理工程における電蝕の発生を防止することができる。その結果、異なる導電性材料からなる導電層を高品位に形成することができるので、画像信号等の電気信号に劣化やエラーが生じにくく、高品質な画像表示を行うことが可能な電気光学装置を実現することができる。

本発明の電気光学装置の一の態様では、前記画素電極及び前記第１導電層は、容量絶縁膜を介して対向配置されることにより保持容量を形成する。

本態様によれば、電気光学装置には画素電極及び第１導電層を一対の容量電極として、間に容量絶縁膜が挟持された保持容量が形成されている。例えば、画素電極の下層側に形成された第１導電層に固定電位を電源線等から供給することにより、画像信号が供給される画素電極に接続された保持容量を形成することができる。これにより、例えば画像信号が印加される配線の配線容量、或いは他の配線との重なり合いにより生じる容量に対し、保持容量が加わることにより、本来の画像信号が保有すべき電位に変動が生じてしまうこと、即ち、画素電極に書き込まれる画像信号電位のプッシュダウンが生じることを抑制することができる。この結果、画素電極に書き込まれる画像信号電位のプッシュダウンに起因した例えばデータ線に沿った表示ムラが発生することを低減或いは防止できる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１導電性材料はＩＴＯである。

この態様によれば、画素電極及び第１導電層は共にＩＴＯから形成されている。ＩＴＯは、透明な導電性材料であるので、画素毎に配置された画素電極や、画素電極の下層側に形成される第１導電層に用いることによって、電気光学装置の透過率を低下させることなく、良好な信号伝達を実現することができる。そのため、ＩＴＯを第１導電性材料として用いることで、透過率が高く、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。

尚、ＩＴＯはアルミニウム等の金属材料に比べて比較的大きい抵抗値を有しているため、本態様においてＩＴＯによって形成される第１導電層は、高速動作が要求されない素子等として形成されることが好ましい。例えば、上述したように、固定電位が印加される容量電極やシールド層を第１導電性材料で形成するとよい。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２導電層は、前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に配列された外部接続用端子を構成する。

この態様によれば、電気光学動作を行うための一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を構成する第２導電層は、電気光学動作が行われる画像表示領域ではなく、その周辺領域に外部接続端子として形成されている。そのため、第２導電層にトランジスタを介して電気的に接続されている第１導電層は、大部分が画像表示領域に形成されているものの、その一部が周辺領域まで延在している。従って、上述のトランジスタも周辺領域に配置されており、周辺領域において第１導電層及び第２導電層に、ソース及びドレインが接続されている。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上に所定電位を供給する電位線を備え、前記ゲートは、前記電位線に電気的に接続されている。

この態様によれば、トランジスタのゲートは、所定電位（例えば、一定電位）を供給する電位線に電気的に接続される。よって、製造プロセスにおけるウェット処理工程においてトランジスタをオフ状態とすることができると共に、その完成後の電気光学装置の動作時において、トランジスタをオン状態とすることができる。即ち、ウェット処理工程においては、トランジスタのゲートに所定電位が供給されず、トランジスタがオフ状態となることで、第１導電層及び第２導電層間を電気的に遮断することができ、且つ、電気光学装置の動作時においては、トランジスタのゲートに所定電位が供給され、トランジスタがオン状態となることで、第１導電層及び第２導電層間を電気的に接続することができる。よって、ウェット処理工程における電蝕の発生を防止できる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素に対応して設けられ、前記画素電極をスイッチング制御するスイッチングトランジスタを備え、前記トランジスタ及び前記スイッチングトランジスタを構成する夫々の半導体層は、互いに同一膜からなる。

この態様によれば、トランジスタを構成する半導体層と、画素スイッチング用のＴＦＴとして機能するスイッチングトランジスタを構成する半導体層とは、互いに同一膜からなるので、両者の半導体層を同一の成膜工程で形成することが可能となる。よって、製造工程の長期化及び複雑高度化、基板上における積層構造の複雑化等を防止することが可能となる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

＜１．液晶装置＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。

図１は、ＴＦＴアレイ基板１０を、その上に形成された各構成要素と共に、対向基板２０の側から見た液晶装置の構成を示す概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板又はシリコン基板である。対向基板２０も例えばＴＦＴアレイ基板１０と同様の材料からなる基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、電気光学動作の行われる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、走査線駆動回路１０４及び外部回路接続端子１０２が夫々形成されている。

ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に夫々沿って設けられている。

また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置されている。

また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９は、ＩＴＯ膜からなる透明電極として形成されている。画素電極９上には、配向膜１６が形成されている。

他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。

液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９と対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図３を参照して説明する。図３は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。

本実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０の画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域（即ち、画像表示領域１０ａ以外の領域）に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、画像信号線１７１及び容量部ＣＡを備えている。

走査線駆動回路１０４には、外部に設けられたタイミング制御回路（図示省略）から外部回路接続端子１０２（図１参照）を介して、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｇｉ（ｉ＝１、…、ｍ）を順次生成して出力する。走査線駆動回路１０４には、外部に設けられた電源回路（図示省略）から外部接続端子１０２（図１参照）を介して高電位側電源電位ＶＤＤ及び該高電位側電源電位よりも低い電位を有する低電位側電源電位ＶＳＳが供給される。

データ線駆動回路１０１には、外部に設けられたタイミング制御回路から外部回路接続端子１０２を介して、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、…、ｎ）を順次生成して出力する。データ線駆動回路１０１には、外部に設けられた電源回路から外部回路接続端子１０２（図１参照）を介して高電位側電源電位ＶＤＤ及び低電位側電源電位ＶＳＳが供給される。

サンプリング回路７は、データ線６毎に設けられた複数のサンプリングスイッチ７７を備えている。各サンプリングスイッチ７７は、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴから構成されている。このため、仮に各サンプリングスイッチ７７が相補型ＴＦＴから構成される場合と比較して、各サンプリングスイッチ７７を配置するために必要となるＴＦＴアレイ基板１０上の面積が小さくて済むので、複数のサンプリングスイッチ７７を、より微細ピッチで配列することができる。

図３において、本実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０の中央を占める画像表示領域１０ａに、縦横に配線されたデータ線６及び走査線１１を備えている。データ線６及び走査線１１が互いに交差する交点に対応する位置にマトリクス状に画素部７００が設けられている。画素部７００は、液晶素子１１８、画素スイッチング用のＴＦＴ３０、及び蓄積容量７０を備えている。

液晶素子１１８は、画素電極９及び対向電極２１、並びにこれら一対の電極間に挟持された液晶層５０から構成される（図２参照）。画素電極９は、対向電極２１との間で形成される液晶容量を、画像信号に応じて一定期間保持する。

本発明における「スイッチングトランジスタ」の一例たるＴＦＴ３０は、データ線６から供給される画像信号を選択画素に印加するために設けられている。ＴＦＴ３０のゲートは走査線１１に電気的に接続されており、ソースはデータ線６に電気的に接続されている。ＴＦＴ３０のドレインは液晶素子１１８を構成する画素電極９（図２参照）に電気的に接続されている。

蓄積容量７０の一方の容量電極７１は、共通電位線９１に電気的に接続されている。共通電位線９１は、周辺領域にまで延在しており、本発明における「トランジスタ」たるトランジスタ５００を介して接続端子１０２ｃに接続されている。尚、接続端子１０２ｃは、外部接続端子１０２の一部である。（図１参照）そして、外部接続端子１０２に接続される外部装置に内蔵されており、ＬＣＣＯＭ電圧を出力する電源回路によって、接続端子１０２ｃはＬＣＣＯＭ電圧に保持される。

蓄積容量７０は、液晶素子１１８と並列に付加されている。画素電極９の電圧は、画像信号が印加された時間よりも、例えば３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現される。尚、蓄積容量７０の具体的構成については後に詳述する。

トランジスタ５００のゲート電極は、液晶装置の駆動時に外部に設けられた電源回路から外部回路接続端子１０２を介して高電位側電源電位ＶＤＤが供給される電源電位線９５に電気的に接続されている。よって、トランジスタ５００は、液晶装置の製造プロセスにおいてはオフ状態とされ、液晶装置の駆動時には、オン状態とされることで、電源端子１０２ｃと共通電位線９１との間の電気的な接続をスイッチング制御することができる。尚、トランジスタ５００の具体的な構成については後に詳述する。また、電源電位線９５は、本発明に係る「電位線」の一例である。

画像信号線１７１の各々は、サンプリング回路７を介して夫々対応するデータ線６に電気的に接続されている。本実施形態では、６系統、即ち６相（Ｎ＝６）の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が生成され、これら６相の画像信号に対応して画像信号線１７１は６本設けられている。

容量部ＣＡは、ＴＦＴアレイ基板１０上において画像表示領域１０ａの周辺領域のうち、画像表示領域１０ａに対してデータ線駆動回路１０１と反対側に設けられている。容量部ＣＡは、本発明に係る「保持容量」の一例としての複数のコンデンサ６００を備えている。複数のコンデンサ６００は、共通電位線９１及び各データ線６に電気的に接続されている。コンデンサ６００は、データ線６におけるデータ線駆動回路１０１が接続された一端とは異なる他端に接続されている。即ち、データ線６の一端にデータ線駆動回路１０１が、その他端にコンデンサ６００が配置されている。

尚、本実施形態では、容量部ＣＡ（言い換えれば、複数のコンデンサ６００）が、周辺領域のうち、画像表示領域１０ａに対してデータ線駆動回路１０１と反対側に設けられるように構成したが、容量部ＣＡは、周辺領域における他の領域、或いは画像表示領域１０ａの一部に設けられるように構成してもよい。

このようなコンデンサ６００によって、サンプリングスイッチ７７がオン状態に切り換えられた際に、データ線６に供給された画像信号電位が本来の画像信号電位に比べて、小さくなること（即ち、プッシュダウン）を低減或いは防止できる。即ち、例えばデータ線６の配線容量、或いはデータ線６と他の配線との重なり合いにより生じる容量に対し、コンデンサ６００の静電容量が加わることにより、データ線６周りの容量を適切に確保することができる。従って、データ線６が保有すべき電位に変動が生じてしまうこと、即ち、データ線６に書き込まれる画像信号電位のプッシュダウンが生じてしまうことを抑制できる。この結果、データ線６に書き込まれる画像信号電位のプッシュダウンに起因した例えばデータ線６に沿った表示ムラが発生することを低減或いは防止できる。

次に、本実施形態に係る液晶装置の動作原理について説明する。

図３において、本実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採り、走査線駆動回路１０４から各走査線１１に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを線順次に印加すると共に、ＴＦＴ３０がオン状態となる水平方向の選択画素領域の列に、データ線駆動回路１０１からデータ線１１に画像信号を印加するようになっている。この際、画像信号を各データ線６に線順次に供給してもよい。これにより、画像信号が、選択画素領域の画素電極９に供給される。本実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが液晶層５０を介して対向配置されているので（図２参照）、以上のようにして区画配列された画素毎に液晶層５０に電界を印加することにより、両基板間の透過光量が画素毎に制御され、画像が階調表示される。

６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、Ｎ本、本実施形態では６本の画像信号線１７１を介して各画素部７００に供給される。データ線６は、以下に説明するように、画像信号線１７１の本数に対応する６本のデータ線６を１群とするデータ線群毎に順次駆動される。

データ線駆動回路１０１から、データ線群に対応するサンプリングスイッチ７７毎にサンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、２、…、ｎ）が順次供給され、サンプリング信号Ｓｉに応じて各サンプリングスイッチ７７はオン状態となる。

よって、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、オン状態に切り換えられたサンプリングスイッチ７７を介して６本の画像信号線１７１の各々からデータ線群に属するデータ線６に同時に、且つデータ線群毎に順次供給され、一のデータ線群に属するデータ線６は互いに同時に駆動されることとなる。従って、本実施形態に係る液晶装置によれば、データ線６をデータ線群毎に駆動するため、駆動周波数を抑制できる。

液晶素子１１８には、画素電極９及び対向電極２１の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として本実施形態に係る液晶装置から画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６に応じたコントラストをもつ光が出射され、画像が表示される。

続いて、図４を参照して、本実施形態に係る液晶装置の画素部７００の具体的な構成について説明する。尚、図４では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また図４では、説明の便宜上、画素電極９より上側に位置する部分の図示を省略している。

図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、上述した画素電極９等の各種構成要素が積層構造をなしている。具体的には、ＴＦＴアレイ基板１０上には走査線１１が形成され、その上層側に下地絶縁膜１２を介して、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を構成する半導体層３０ａが形成されている。

図４において、ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａ及びゲート電極３０ｂを含んで構成されている。尚、ＴＦＴ３０は、本発明に係る「スイッチングトランジスタ」の一例である。

半導体層３０ａは、ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、ドレイン領域３０ａ３、ソース領域３０ａ１及びチャネル領域３０ａ２間に形成されたソース領域側ＬＤＤ領域３０ａ４、並びにチャネル領域３０ａ２及びドレイン領域３０ａ３間に形成されたドレイン領域側ＬＤＤ領域３０ａ５からなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。

ソース領域３０ａ１は、ゲート絶縁膜４１及び層間絶縁膜４２に開口されたコンタクトホール８１を介して、データ線６に電気的に接続されている。一方、ドレイン領域３０ａ３は、ゲート絶縁膜４１及び層間絶縁膜４２に開口されたコンタクトホール８２に形成されたドレイン中継配線７に電気的に接続されている。更に、ドレイン中継配線７は、層間絶縁膜４３に開口されたコンタクトホール８３を介して画素電極９に電気的に接続されている。

ソース領域３０ａ１及びドレイン領域３０ａ３は、チャネル領域３０ａ２を基準として、ほぼミラー対称に形成されている。ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、ドレイン領域３０ａ３、ソース領域側ＬＤＤ領域３０ａ４、及びドレイン領域側ＬＤＤ領域３０ａ５は、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層３０ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。ソース領域側ＬＤＤ領域３０ａ４、及びドレイン領域側ＬＤＤ領域３０ａ５は夫々、ソース領域３０ａ１及びドレイン領域３０ａ３よりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、ソース領域側ＬＤＤ領域３０ａ４、及びドレイン領域側ＬＤＤ領域３０ａ５に不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでソース領域及びドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

図４において、ゲート電極３０ｂは、半導体層３０ａよりもゲート絶縁膜４１を介して上層側に配置され、チャネル領域３０ａ２に対向するように形成されている。層間絶縁膜４１は、ＴＦＴアレイ基板１０上のほぼ全面に亘って形成されている。ゲート絶縁膜４１は、例えば導電性のポリシリコンからなる。

図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上の半導体層３０ａよりも下地絶縁膜１２を介して下層側には、走査線１１が設けられている。走査線１１は、例えばタングステン（Ｗ）、
Ｔｉ、ＴｉＮ等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料からなる。このような走査線１１によれば、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域３０ａ２及びドレイン領域側ＬＤＤ領域３０Ｌａ５を殆ど或いは完全に遮光できる。特に、本実施形態では、走査線１１は半導体層３０ａよりも幅広に形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１０に対して横方向或いは斜めから半導体層３０ａに向かって入射しようとする光についても遮光性を高めるように構成されている。

図４において、下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなる。下地絶縁膜１２は、走査線１１から半導体層３０ａを層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等によるＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上の半導体層３０ａよりもゲート絶縁膜４１を介して上層側には、データ線６及びドレイン中継配線７が設けられている。データ線６は、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０のソース領域３０ａ１に電気的に接続されている。コンタクトホール８１は、一層の層間絶縁膜（即ち、層間絶縁膜４１）のみを貫通するので、その深さは、相対的に短くて済み、その開孔は、エッチング等により容易である。また、そのアスペクト比も小さいので底部にても良好なコンタクトを取り易く形成されている。ドレイン中継配線７は、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３を介してＴＦＴ３０のドレイン領域３０ａ３に電気的に接続されると共に、層間絶縁膜４３を貫通して開孔されたコンタクトホール８５を介して画素電極９に電気的に接続されている。従って、ドレイン中継配線７及びドレイン領域３０ａ３間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を、回避できる。更に、ドレイン中継配線７の存在によって、画素電極９及びドレイン領域３０ａ３間の電気的な抵抗を低減することが可能となる。

ここで、データ線６及びドレイン中継配線７は共に、遮光性を有する導電性材料から形成されている。このようにデータ線６及びドレイン中継配線７を設けることによって、ＴＦＴアレイ基板１０の上方から入射しようとする光から半導体層３０ａを効果的に保護することができる。特に本実施形態では、データ線６及びドレイン中継配線７を半導体層３０ａよりも幅広に形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１０の真上から入射しようとする光だけでなく、横方向或いは斜めから入射しようとする光に対しても遮光性を高めるように形成されている。このように上側遮光膜を設けることによって、半導体層３０ａにおいて発生する光リーク電流を抑制することができ、ＴＦＴ３０の誤作動を予防することができる。

更に上層側には、容量電極７１が、画素電極９と容量絶縁膜７５を介して対向するように配置されており、蓄積容量７０を形成している。また、容量電極７１は、本発明における「第１導電層」に相当する。容量電極７１は、容量絶縁膜７５を介して、画素電極９の下層側に形成されており、画素電極９と同じ第１導電性材料から形成されている。このように、画素電極９と容量電極７１とを同じ材料で形成することによって、液晶装置の製造工程において用いる剥離液等の処理液の種類を少なく抑えることができ、より低コストで液晶装置を製造することが可能となる。更に、液晶装置の製造過程における工程数の削減にも効果的である。また、画素電極９と容量電極７１とを同じ導電性材料で形成していれば、製造プロセスにおいて剥離液等の処理液に曝したとしても、画素電極９及び容量電極７１に電蝕が生じることもない。

本実施形態では特に、画素電極９及び容量電極７１は共に、ＩＴＯから形成されている。ＩＴＯは、透明な導電性材料であるので、画素毎に配置された画素電極や、画素電極の下層側に形成される容量電極７１に用いることによって、液晶装置の透過率を低下させることなく、良好に画像信号を伝達させることができ、高品位な画像表示を実現することができる。

尚、容量電極７１は、共通電位線９１に電気的に接続され、共通電位ＬＣＣＯＭに保持されている（図３参照）。また、容量絶縁膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、或いは窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有するように形成するとよい。

上述したように、蓄積容量７０が形成されることによって、画素電極９における電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。また、画素電極９と容量電極７１とによって蓄積容量７０を形成しているため、例えば画素電極９の他に、上部電極及び下部電極を設けて蓄積容量を形成する場合に比較して、装置構成を単純化させることが可能である。更に、容量電極７１は、画素電極９より下層側に設けられているため、画素電極９と容量電極７１の下層側（例えば、データ線６など）との電気的或いは電磁気的なカップリングを防止するシールド層として機能することもできる。よって、画素電極９における電位変動等が生じる可能性を低減することも可能となる。

次に、図５を参照して、周辺領域における積層構造について具体的に説明する。図５は、周辺領域における積層構造を模式的に示す断面図である。尚、図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

周辺領域では、ＴＦＴアレイ基板１０上に下地絶縁膜１２を介して、本発明の「トランジスタ」の一例であるトランジスタ５００が形成されている。トランジスタ５００は半導体層５００ａと、ゲート絶縁膜４１を介して配置されたゲート電極５００ｂとから構成されている。更に、半導体層５００ａは、ソース領域５００ａ１、チャネル領域５００ａ２、ドレイン領域５００ａ３、ソース領域５００ａ１及びチャネル領域５００ａ２間に形成されたソース領域側ＬＤＤ領域５００ａ４、並びにチャネル領域５００ａ２及びドレイン領域５００ａ３間に形成されたドレイン領域側ＬＤＤ領域５００ａ５を含んで形成されている。そして、ゲート電極５００ｂは、チャネル領域５００ａ２に対抗するように配置されている。尚、ゲート電極５００ｂは、画像表示領域１０ａにおけるＴＦＴ３０と同様に、導電性のポリシリコンから形成されている。

ソース領域５００ａ１は、コンタクトホール８４に形成されたソース中継配線９４を経由して共通電位線９１に電気的に接続されている。共通電位線９１は、上述の通り、ＬＣＣＯＭ電位に保持されている。共通電位線９１は、画素電極９及び容量電極７１と同じ材料、即ち、本実施形態ではＩＴＯから形成されている。ここでソース中継配線９４は、良好な導電性を有するアルミニウムで形成されている。このように、トランジスタ５００のソース領域５００ａ１側において、アルミニウムで形成されたソース中継配線９４と、ＩＴＯで形成された共通電位線９１とが電気的に接続されているが、両者はコンタクトホール８５を介して接続されているため、当該箇所において製造プロセス中において電蝕が生じることはない。

尚、共通電位線９１は、画像表示領域１０ａ（図４参照）における容量電極７１と同層に形成される。具体的には、共通電位線９１及び容量電極７１はＴＦＴアレイ基板１０上に同一膜から形成され、パターニングされることによって形成されている。

共通電位線９１の上層側には、容量絶縁膜７５を介して保持容量電極９３が形成されている。つまり、周辺領域には共通電位線９１及び付加容量電極９３を一対の電極とするコンデンサ６００（図３参照）が形成されている。このようにコンデンサ６００を設けることによって、サンプリングスイッチ７７がオン状態に切り換えられた際に、データ線６に供給された画像信号電位が本来の画像信号電位に比べて、小さくなること（即ち、プッシュダウン）を低減或いは防止できる。

尚、本実施形態では、保持容量線９３もまたＩＴＯから形成されている。このように、保持容量線９３を、画像表示領域１０ａにおける容量電極７１等を同じ材料で形成することによって、液晶装置の製造工程において用いる剥離液等の処理液の種類を少なく抑えることができ、より低コストで液晶装置を製造することが可能となる。更に、製造プロセスにおいて剥離液等の処理液による電蝕を生じることも防ぐことができる。

一方、トランジスタ５００のドレイン領域５００ａ３は、コンタクトホール８６を介して、上層側に形成された電源線９２に電気的に接続されている。電源線９２は周辺領域に設けられた電源回路（図５において省略）の出力端子に接続されており、ＬＣＣＯＭ電位に保持されている。本実施形態では特に、電源線９２はソース中継配線９４と同様に良好な導電性を有するアルミニウムで形成されており、共に同層に形成されている。即ち、電源線９２及びソース中継配線９４は同一膜、つまり、同工程で成膜されたアルミニウム膜をパターニングすることによって同じ下地層上に形成されている。

本実施形態における電源線９２は、本発明における「第２導電層」の一例である。本実施形態では特に、電源線９２は容量電極７１や共通電位線９１等に一定電位（即ち、ＬＣＣＯＭ電位）を供給するための配線として構成されている。また、周辺領域に配置された電源線９２及び共通電位線９１は、下層側（例えば、データ線６など）との電気的或いは電磁気的なカップリングを防止するシールド層として機能することもできる。

電源線９２及びソース中継配線９４は、共通電位線９１、画素電極９及び容量電極７１とはイオン化傾向の異なる導電性材料から形成されている。本実施形態では特に、電源線９２及びソース中継配線９４はＩＴＯよりイオン化傾向の高いアルミニウムから形成されている。そのため、仮に共通電位線９１と、電源線９２及びソース中継配線９４とを直接、電気的に接続すると、剥離液等の酸に同時に曝された際に、アルミニウムで形成された電源線９２及びソース中継配線９４から、ＩＴＯで形成された共通電位線９１に電子が移動し、電源線９２及びソース中継配線９４を構成しているアルミニウム原子がイオンとして剥離液等の酸に溶け出してしまう。そこで本実施形態では、図５に示すように、電源線９２と共通電位線９１との間にトランジスタ５００を介在させることによって電蝕が起こることを防いでいる。つまり、製造プロセスにおいては、ゲート電極５００ｂに駆動電圧が印加されていないので、トランジスタ５００はオフ状態となっている。そのため、電源線９２と、共通電位線９１とは互いに電気的に絶縁されており、同時に剥離液等の酸に曝した場合でも両者間に電子の移動は生じない。そのため、仮に製造プロセスにおいて電源線９２と共通電位線９１との間に電位差が生じていたとしても電蝕が生じることはない。

一方、液晶装置の動作中においては、ゲート電極５００ｂにオン電圧を印加することによってトランジスタ５００のソース領域５００ａ１及びドレイン領域５００ａ３間を短絡状態にすることで、共通電位線９１にＬＣＣＯＭ電圧を印加することができる。

以上のように、本実施形態によれば、剥離液等の酸に曝すウェット処理工程における電蝕の発生を防止できるので、積層構造における配線等を高品質に作成することができる。その結果、画像信号が配線等を伝搬する際のロスやノイズを減少させることができ、高品位な画像表示が可能な液晶装置を実現することができる。

尚、本実施形態では、周辺領域にトランジスタ５００を設置しているが、画像表示領域１０ａ内にトランジスタ５００を配置して共通電位線９１を周辺領域に引き伸ばすことによって、電源線９２に一定電位を供給してもよい。

＜変形例＞
続いて、図６を参照して上述した実施形態の変形例について説明する。本変形例に係る液晶装置においては、上述の実施形態と同様に周辺領域においてコンデンサ６００を備えているが、２層に渡って形成されたＩＴＯ層（即ち、共通電位線９１及び保持容量線９３）のうち上側に形成された層が共通電位線として機能している点で上述の実施形態と異なっている。つまり、図５では、下側のＩＴＯ層を共通電位線９１として周辺領域まで延在して電源線９２とトランジスタ５００を介して接続していたが、図６に示す本変形例のように、上側のＩＴＯ層を共通電位線９１として周辺領域まで延在して電源線９２にトランジスタ５００を介して接続してもよい。尚、コンデンサ６００以外の積層構造については図５の場合と同様である。

尚、本変形例では、周辺領域にトランジスタ５００を設置しているが、画像表示領域１０ａ内にトランジスタ５００を配置して共通電位線９１を周辺領域に引き伸ばすことによって、電源線９２に一定電位を供給してもよい。

＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。

図７は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図７に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図７を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ’断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。 本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における積層構造を示す断面図である。 本実施形態に係る液晶装置の周辺領域における積層構造を示す断面図である。 変形例に係る液晶装置の周辺領域における積層構造を示す断面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

６ データ線、 ７ ドレイン中継配線、 ９ 画素電極、 １０ ＴＦＴアレイ基板、 １０ａ 画像表示領域、 １１ 走査線、 １２ 下地絶縁膜、 ３０ ＴＦＴ、 ７０ 蓄積容量、 ７１ 容量電極、 ７５ 容量絶縁膜、 ９１ 共通電位線、 ９２ 電源線、 ９３ 保持容量電極、 １０２ 外部接続端子、 ５００ トランジスタ、 ６００ コンデンサ

Claims (10)

1. 画像表示領域と周辺領域とを備えた基板と、
   前記基板の前記画像表示領域及び前記周辺領域の少なくとも一方に設けられた第１導電層と、
   前記基板の前記周辺領域に設けられた第２導電層と、
   前記基板の前記周辺領域に設けられたトランジスタと、を有し、
   前記トランジスタは、ゲート電極とソース領域とドレイン領域とを備え、
   前記第１導電層は、前記ソース領域と前記ドレイン領域とのいずれか一方に電気的に接続され、
   前記第２導電層は、前記ソース領域と前記ドレイン領域との他方に電気的に接続され、
   前記第１導電層は、第１導電性材料を含み、
   前記第２導電層は、前記第１導電性材料とはイオン化傾向が異なる第２導電性材料からなることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置において、
   さらに、前記画像表示領域に設けられ、前記第１導電性材料を含む画素電極と、
   前記画素電極と前記第１導電層との間に設けられた容量絶縁膜と、を有し、
   前記第１導電層、前記画素電極及び前記容量絶縁膜は、容量を形成することを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１または２に記載の電気光学装置において、
   前記第２導電層は、前記基板の外部と電気的に接続する第１接続端子となる部分を含むことを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置において、
   前記第２導電性材料は、前記第１導電性材料よりもイオン化傾向が高いことを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置において、
   前記第１導電性材料は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置において、
   さらに、前記周辺領域に設けられ、前記容量絶縁膜を介して前記第１導電層と対向する位置に設けられた第１電極と、を有し、
   前記第１導電層、前記第１電極及び前記容量絶縁膜は、容量を形成することを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置において、
   さらに、前記基板の外部と電気的に接続する第２接続端子を含む第３導電層と、を有し、
   前記第３導電層は、前記ゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の電気光学装置において、
   さらに、前記第１導電層よりも下層に位置する第２電極と、を有し、
   前記画素電極は、前記第１導電層よりも上層に位置し、
   前記第１導電層は、前記画素電極と前記第２電極との間に位置する部分を含み、前記画素電極と前記第２電極との間に発生する電界を緩和するシールド層となることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載の電気光学装置において、
   さらに、前記画素電極に電気的に接続されたスイッチングトランジスタと、を有し、
   前記トランジスタの半導体層と前記スイッチングトランジスタの半導体層とは、同一膜であることを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

Images