JP5342182B2 - ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 - Google Patents
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1 基板
2 選択成長マスク
3、3a、4 GaN層
5 ショットキー電極
6 オーミック電極
7、7a 空乏層
Claims (6)
- 基板と、前記基板の表面に形成された半導体層と、前記半導体層に形成されたショットキー電極と、前記基板の裏面に形成されたオーミック電極とを備えたショットキーバリアダイオードにおいて、
前記基板上に形成されるとともに開口領域を有する選択成長マスク膜をさらに備え、
前記半導体層は、先細の凸部を有する凹凸形状を示し、
前記半導体層における先細の凸部は、前記選択成長マスク膜の開口領域上にあり、
前記ショットキー電極は、少なくとも前記凸部の上部表面に形成されることを特徴とするショットキーバリアダイオード。 - 前記半導体層は、窒化物系化合物半導体によって形成されることを特徴とする請求項1に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記窒化物系半導体層は、III族の元素としてAl、GaおよびInのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項2に記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記凸部は、前記半導体層の積層方向を含む断面が略三角形状であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のショットキーバリアダイオード。
- 前記半導体層は、少なくとも前記ショットキー電極と接触する上部に低抵抗層を備え、前記低抵抗層は、該低抵抗層の下層部よりも低い電気抵抗を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のショットキーバリアダイオード。
- 基板上に開口領域を有する選択成長マスク膜を形成するマスク形成工程と、
前記選択成長マスク膜における開口領域に、上部表面が先細の凸部を有する凹凸形状となる半導体層を選択的に形成する半導体形成工程と、
先細の凸部を有する前記半導体層の上部表面にショットキー電極を形成するショットキー電極形成工程と、
前記基板の裏面にオーミック電極を形成するオーミック電極形成工程と、
を含むことを特徴とするショットキーバリアダイオードの製造方法。
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