JP5336060B2 - 不揮発性メモリ装置およびそれを動作させる方法 - Google Patents
不揮発性メモリ装置およびそれを動作させる方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5336060B2 JP5336060B2 JP2007271763A JP2007271763A JP5336060B2 JP 5336060 B2 JP5336060 B2 JP 5336060B2 JP 2007271763 A JP2007271763 A JP 2007271763A JP 2007271763 A JP2007271763 A JP 2007271763A JP 5336060 B2 JP5336060 B2 JP 5336060B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- data
- log
- log block
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 238000007726 management method Methods 0.000 claims description 18
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/06—Addressing a physical block of locations, e.g. base addressing, module addressing, memory dedication
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
- G06F2212/7205—Cleaning, compaction, garbage collection, erase control
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Memory System (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Description
Claims (23)
- 第1データを保存する第1データブロック及び前記第1データの少なくとも一部のアップデートされたバージョンを保存する第1ログブロックを備える不揮発性メモリ装置を動作させる方法において、
データの記録されていない自由ブロックに第1データブロックにある前記第1データの有効部分をコピーして第2データブロックを生成する段階と、
前記第2データブロックに前記第1ログブロックから前記第1データの少なくとも一部のアップデートされたバージョンをコピーする段階と、
少なくとも一つの既定の条件が満足されたことに応答して、前記第1ログブロックからデータを消去せずに、前記第1ログブロックを再使用ログブロックとして割り当てる段階とを含み、
前記少なくとも一つの既定の条件が満足されたことに応答して、前記第1ログブロックからデータを消去せずに、前記第1ログブロックを再使用ログブロックとして割り当てる段階は、
前記第1ログブロックの空きメモリの量を判断する段階と、
前記判断された空きメモリの量と既定の基準値とを比べる段階と、
前記既定の基準値を超える前記第1ログブロックの前記判断された空きメモリの量に基づいて、前記第1ログブロックからデータを消去せずに、前記第1ログブロックを再使用ログブロックとして割り当てる段階と、
を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置を動作させる方法。 - 前記不揮発性メモリ装置は、フラッシュメモリ装置であることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置を動作させる方法。
- 前記空きメモリ量は、前記第1ログブロックの空きページの数であり、
前記第1ログブロックからデータを消去せずに、前記第1ログブロックを再使用ログブロックとして割り当てる段階は、前記第1ログブロックの識別子及び前記第1ログブロックと関連した空きページ開始アドレスを再使用プールテーブルに記録する段階を含む、
ことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置を動作させる方法。 - 前記第1ログブロックの識別子は、前記第1ログブロックの物理的ブロック番号を含むことを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ装置を動作させる方法。
- 前記方法は、
前記再使用ログブロックから前記第1データを消去せずに、前記再使用ログブロックに第2データブロックに保存された第2データの少なくとも一部のアップデートされたバージョンを記録する段階をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ装置を動作させる方法。 - 前記再使用ログブロックから前記第1データを消去せずに、前記再使用ログブロックに第2データブロックに保存された第2データの少なくとも一部のアップデートされたバージョンを記録する段階は、
前記第2データの少なくとも一部のアップデートされたバージョンを受信する段階と、
前記第2データの少なくとも一部のアップデートされたバージョンを新たなログブロックに保存するか否かを判断する段階と、
前記新たなログブロックが、自由メモリブロックである必要があるかどうか判断する段階と、
前記再使用ログブロックを前記新たなログブロックに選択する段階と、
前記第2データブロックに保存された第2データの少なくとも一部のアップデートされたバージョンを前記再使用ログブロックに記録する段階と、
を含むことを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリ装置を動作させる方法。 - 前記既定の基準値は、前記第1ログブロックの全体ページ数の約1/2であることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置を動作させる方法。
- 請求項1に記載の不揮発性メモリ管理方法を実行するためのプログラムを記録した記録媒体。
- 第1データブロック及び前記第1データブロックを更新するためのデータを記録するための第1ログブロックを備える不揮発性メモリと、
前記プログラムを実行して前記不揮発性メモリを管理するプロセッサと、を備え、
前記プロセッサは、
データの記録されていない自由ブロックに前記第1データブロックの有効データと前記第1ログブロックの有効データとをコピーして第2データブロックを生成させ、
既定の条件に基づいて、前記第1ログブロックのデータを消去せずに、前記第1ログブロックを第3ログブロックに割り当て、
上記プロセッサは、前記第1のログブロックの空きメモリの量を判断して、
上記判断された空きメモリの量プリセットの基準値を比較し、
上記予め設定された基準値を超えている上記第1のログブロックの上判断された空きメモリの量に基づいて前記第1のログブロックからデータを消去せずに上記第1のログブロックを第3ログブロックに割り当てることを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記第1メモリは、ROM(Read−only memory)であり、
前記第2メモリは、フラッシュメモリである、
ことを特徴とする請求項9に記載の不揮発性メモリ装置。 - 第1メモリブロックの消去されたページ数が既定の基準値を越えたことを判断したことに応答して、前記第1メモリブロックを再使用メモリブロックに割り当てる段階と、
不揮発性メモリ装置の前記第1メモリブロックの前記消去されたページに第1データを記録する段階を含み、
前記第1メモリブロックは、消去されたページと以前に記録されたこれ以上有効ではない第2データを含むページとを含む、
ことを特徴とする不揮発性メモリ装置を動作させる方法。 - 前記方法は、
前記第1メモリブロックの第1の消去されたページセットの第1ページを指示する前記第1メモリブロックの第1アドレスを保存する段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリ装置を動作させる方法。 - 前記第1メモリブロックに第1データを記録する段階は、
前記第1の消去されたページセットの第1ページで始まる前記第1メモリブロックで消去されたページの少なくとも一部に第1データを記録する段階を備えることを特徴とする請求項12に記載の不揮発性メモリ装置を動作させる方法。 - 前記第1メモリブロックの第1アドレスは、前記第1メモリブロックで前記消去されたページの数が基準値を超えるかどうかの判断に応答して保存され、前記第1メモリブロックに対する指示とともに再使用ブロック管理データ構造に保存されることを特徴とする請求項12に記載の不揮発性メモリ装置を動作させる方法。
- 前記第1メモリブロックはログブロックであり、前記第1データは第1データブロックと関連し、前記第2データは第2データブロックと関連することを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリ装置を動作させる方法。
- 不揮発性メモリ装置の第1ログブロックに保存された第1データと前記不揮発性メモリ装置の第1データブロックに保存された第2データとを前記不揮発性メモリ装置の第2データブロックに記録して併合する段階と、
前記第1ログブロックで空きページの数を判断する段階と、
前記空きページの数が基準値を超えるか否か判断する段階と、
を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置を動作させる方法。 - 前記方法は、
もし、前記空きページの数が前記基準値を超えれば、前記第1ログブロックを再使用ログブロックプールに割り当てる段階をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の不揮発性メモリ装置を動作させる方法。 - 前記方法は、
前記空きページの数が前記基準値以下であれば、前記第1ログブロックを消去可能なログブロックプールに割り当てる段階をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の不揮発性メモリ装置を動作させる方法。 - 前記方法は、
前記空きページの第1ページに対するアドレスと前記第1ログブロックに対する指示子とを前記不揮発性メモリ装置で保存される再使用ブロック管理データ構造に追加する段階をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の不揮発性メモリ装置を動作させる方法。 - 前記第2データは、前記第1ログブロックにまた保存される第3データのアップデートされたバージョンを含むことを特徴とする請求項16に記載の不揮発性メモリ装置を動作させる方法。
- ログブロック領域、データブロック領域、消去可能なブロック領域、自由ブロック領域及び再使用ブロック領域を備える多数の論理領域に分けられたメモリセル領域と、
前記メモリセル領域を管理するプロセッサと、を備え、
前記データブロック領域は、前記不揮発性メモリ装置に入力されるデータを保存する複数のデータブロックを含み、前記ログブロック領域は、前記データブロック領域に保存されたデータに対するアップデートデータを保存する複数のログブロックを含み、前記消去可能なブロック領域は、消去を待つ複数の消去可能なブロックを含み、前記自由ブロック領域は、複数の消去されたメモリブロックを含み、前記再使用ブロック領域は、少なくとも第1ログブロックでアップデートされたデータが、併合動作の一部として、他のブロックに記録された後に消去動作なしに再使用領域に割り当てられる前記第1ログブロックを含み、
上記第1のログブロックの空きメモリの量を判断して、
上記判断された空きメモリの量プリセットの基準値を比較し、
上記予め設定された基準値を超えている上記第1のログブロックの上判断された空きメモリの量に基づいて前記第1のログブロックからデータを消去せずに上記第1のログブロックを再利用領域に割り当てることを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記メモリセル領域はマップ領域をさらに含み、前記再使用ブロック管理データ構造は前記マップ領域に保存されることを特徴とする請求項21に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記再使用ブロック管理データ構造は、
前記再使用ブロックの第1空きページとともに前記再使用ブロックに対する指示子を含むそれぞれの利用可能な再使用ブロックに対するエントリーを備えることを特徴とする請求項22に記載の不揮発性メモリ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2006-0101643 | 2006-10-19 | ||
KR1020060101643A KR100849221B1 (ko) | 2006-10-19 | 2006-10-19 | 비휘발성 메모리의 관리 방법 및 비휘발성 메모리 기반의장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008103071A JP2008103071A (ja) | 2008-05-01 |
JP5336060B2 true JP5336060B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=39198533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007271763A Active JP5336060B2 (ja) | 2006-10-19 | 2007-10-18 | 不揮発性メモリ装置およびそれを動作させる方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7783851B2 (ja) |
JP (1) | JP5336060B2 (ja) |
KR (1) | KR100849221B1 (ja) |
CN (1) | CN101165660B (ja) |
DE (1) | DE102007006307A1 (ja) |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI358068B (en) * | 2007-10-19 | 2012-02-11 | Phison Electronics Corp | Writing method for non-volatile memory and control |
US8219740B2 (en) * | 2008-06-25 | 2012-07-10 | International Business Machines Corporation | Flash sector seeding to reduce program times |
US8843691B2 (en) * | 2008-06-25 | 2014-09-23 | Stec, Inc. | Prioritized erasure of data blocks in a flash storage device |
KR100954039B1 (ko) * | 2008-08-11 | 2010-04-20 | (주)인디링스 | 플래시 메모리 제어 방법 및 제어 장치 |
KR100987251B1 (ko) * | 2008-10-10 | 2010-10-12 | 한양대학교 산학협력단 | 완전 연관 섹터 변환 기법을 사용하는 플래시 변환 계층에서 합병연산을 줄이기 위한 플래시 메모리 관리 방법및 장치 |
KR101021364B1 (ko) * | 2008-10-10 | 2011-03-14 | 한양대학교 산학협력단 | 완전 연관 섹터 변환 기법을 사용하는 플래시 변환 계층에서 합병연산을 줄이기 위한 멀티 플래시 메모리 관리방법 및 장치 |
KR101510120B1 (ko) * | 2008-11-21 | 2015-04-10 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 메모리 장치의 관리 방법 |
KR101663667B1 (ko) * | 2009-02-03 | 2016-10-07 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리의 주소 매핑에 의한 데이터 관리 방법 및 장치 |
JP5310053B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2013-10-09 | 住友電気工業株式会社 | マイクロコントローラを備えた光データリンク |
KR101020781B1 (ko) | 2009-03-04 | 2011-03-09 | 한국과학기술원 | 플래시 메모리를 기반으로 한 데이터베이스 시스템에 대한 로그 관리 방법 |
WO2010144587A2 (en) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | Violin Memory, Inc. | Memory system having persistent garbage collection |
CN101957797B (zh) * | 2009-07-17 | 2013-01-09 | 群联电子股份有限公司 | 闪速存储器逻辑区块管理方法及其控制电路与储存*** |
KR20110018157A (ko) * | 2009-08-17 | 2011-02-23 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치의 액세스 방법 |
US8838877B2 (en) * | 2009-09-16 | 2014-09-16 | Apple Inc. | File system derived metadata for management of non-volatile memory |
US20110119462A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-19 | Ocz Technology Group, Inc. | Method for restoring and maintaining solid-state drive performance |
US8131772B2 (en) * | 2009-12-04 | 2012-03-06 | Unisys Corporation | Method and apparatus for improving the performance of object-oriented queues |
KR101153688B1 (ko) * | 2010-10-15 | 2012-06-18 | 성균관대학교산학협력단 | 데이터 페이지들에 대해 무효화 기회를 부여하는 방법 및 이를 위한 낸드 플래시 메모리 시스템 |
US9569351B2 (en) * | 2010-10-25 | 2017-02-14 | Seagate Technology Llc | Storing corresponding data units in a common storage unit |
KR20120043521A (ko) * | 2010-10-26 | 2012-05-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 |
US9396106B2 (en) * | 2011-05-12 | 2016-07-19 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Advanced management of a non-volatile memory |
US9158670B1 (en) * | 2011-06-30 | 2015-10-13 | Western Digital Technologies, Inc. | System and method for dynamically adjusting garbage collection policies in solid-state memory |
US9075708B1 (en) * | 2011-06-30 | 2015-07-07 | Western Digital Technologies, Inc. | System and method for improving data integrity and power-on performance in storage devices |
US8762627B2 (en) | 2011-12-21 | 2014-06-24 | Sandisk Technologies Inc. | Memory logical defragmentation during garbage collection |
US9223649B2 (en) * | 2012-02-15 | 2015-12-29 | Sandisk Technologies Inc. | System and method of sending correction data to a buffer of a non-volatile memory |
US9244833B2 (en) * | 2012-05-30 | 2016-01-26 | Silicon Motion, Inc. | Data-storage device and flash memory control method |
KR101997572B1 (ko) * | 2012-06-01 | 2019-07-09 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 저장 장치 및 그것의 쓰기 방법 |
KR102147359B1 (ko) * | 2012-06-29 | 2020-08-24 | 삼성전자 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 관리 방법 및 비휘발성 메모리 장치 |
US9268652B1 (en) | 2012-10-31 | 2016-02-23 | Amazon Technologies, Inc. | Cached volumes at storage gateways |
US9448919B1 (en) | 2012-11-13 | 2016-09-20 | Western Digital Technologies, Inc. | Data storage device accessing garbage collected memory segments |
KR102252419B1 (ko) * | 2014-01-09 | 2021-05-14 | 한국전자통신연구원 | 플래시 메모리 장치를 위한 주소변환 시스템 및 그 방법 |
CN103838521B (zh) * | 2014-02-28 | 2017-02-08 | 华为技术有限公司 | 一种数据处理方法及装置 |
KR102285462B1 (ko) * | 2014-03-26 | 2021-08-05 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템의 동작 방법 |
JP6241373B2 (ja) * | 2014-06-19 | 2017-12-06 | 株式会社デンソー | 記憶装置、フラッシュメモリ制御装置、及びプログラム |
WO2015196470A1 (zh) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | 华为技术有限公司 | 一种将数据写入闪存装置的方法、闪存装置和存储*** |
US10210168B2 (en) * | 2015-02-23 | 2019-02-19 | International Business Machines Corporation | Managing data in storage according to a log structure |
US10599352B2 (en) * | 2015-08-14 | 2020-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Online flash resource allocation manager based on a TCO model |
JP6414852B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2018-10-31 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステムおよび制御方法 |
US9880743B1 (en) * | 2016-03-31 | 2018-01-30 | EMC IP Holding Company LLC | Tracking compressed fragments for efficient free space management |
KR20180026876A (ko) * | 2016-09-05 | 2018-03-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작방법 |
KR102107604B1 (ko) * | 2018-03-26 | 2020-05-07 | 성균관대학교 산학협력단 | 비휘발성 메모리 장치, 및 비휘발성 메모리의 데이터 관리 방법 |
US10698621B2 (en) * | 2018-04-23 | 2020-06-30 | Western Digital Technologies, Inc. | Block reuse for memory operations |
KR102387960B1 (ko) * | 2018-07-23 | 2022-04-19 | 삼성전자주식회사 | 컨트롤러 및 그것의 동작 방법 |
CN110045918B (zh) * | 2018-12-03 | 2021-09-03 | 蚂蚁金服(杭州)网络技术有限公司 | 一种高效的数据单元重用方法和*** |
US11204722B1 (en) * | 2020-06-04 | 2021-12-21 | Western Digital Technologies, Inc. | Content-aware storage system and method for use therewith |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5404485A (en) | 1993-03-08 | 1995-04-04 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. | Flash file system |
US6105103A (en) * | 1997-12-19 | 2000-08-15 | Lsi Logic Corporation | Method for mapping in dynamically addressed storage subsystems |
KR100644602B1 (ko) | 2000-10-11 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 플래시메모리를 위한 재사상 제어방법 및 그에 따른플래시 메모리의 구조 |
KR100389867B1 (ko) * | 2001-06-04 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 관리방법 |
JP4812192B2 (ja) | 2001-07-27 | 2011-11-09 | パナソニック株式会社 | フラッシュメモリ装置、及び、それに記憶されたデータのマージ方法 |
KR100608602B1 (ko) * | 2003-12-10 | 2006-08-03 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리, 이를 위한 사상 제어 장치 및 방법 |
KR20070005730A (ko) | 2004-04-28 | 2007-01-10 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 불휘발성 기억장치 및 데이터 기록방법 |
KR100638638B1 (ko) * | 2004-09-03 | 2006-10-26 | 명지대학교 산학협력단 | 플래시 메모리의 제어 방법 |
US7315916B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-01-01 | Sandisk Corporation | Scratch pad block |
US7984084B2 (en) * | 2005-08-03 | 2011-07-19 | SanDisk Technologies, Inc. | Non-volatile memory with scheduled reclaim operations |
JP2007133541A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Tokyo Electron Device Ltd | 記憶装置、メモリ管理装置、メモリ管理方法及びプログラム |
-
2006
- 2006-10-19 KR KR1020060101643A patent/KR100849221B1/ko active IP Right Grant
- 2006-11-30 US US11/565,009 patent/US7783851B2/en active Active
-
2007
- 2007-01-30 DE DE102007006307A patent/DE102007006307A1/de not_active Withdrawn
- 2007-01-31 CN CN2007100061185A patent/CN101165660B/zh active Active
- 2007-10-18 JP JP2007271763A patent/JP5336060B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101165660A (zh) | 2008-04-23 |
KR20080035237A (ko) | 2008-04-23 |
US7783851B2 (en) | 2010-08-24 |
DE102007006307A8 (de) | 2008-07-31 |
KR100849221B1 (ko) | 2008-07-31 |
US20080098192A1 (en) | 2008-04-24 |
CN101165660B (zh) | 2011-12-21 |
DE102007006307A1 (de) | 2008-04-24 |
JP2008103071A (ja) | 2008-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5336060B2 (ja) | 不揮発性メモリ装置およびそれを動作させる方法 | |
US10657047B2 (en) | Data storage device and method of performing partial garbage collection | |
US8041884B2 (en) | Controller for non-volatile memories and methods of operating the memory controller | |
US9489301B2 (en) | Memory systems | |
JP3692313B2 (ja) | 不揮発性メモリの制御方法 | |
US8086787B2 (en) | Wear leveling method, and storage system and controller using the same | |
JP3906825B2 (ja) | 計算機システム、計算機システム起動方法およびプログラム | |
US20030229753A1 (en) | Flash memory file system | |
US20100191897A1 (en) | System and method for wear leveling in a data storage device | |
JP2005242897A (ja) | フラッシュディスク装置 | |
JP2005301591A (ja) | 不揮発性メモリを備えた装置及びメモリコントロ−ラ | |
JP2013174975A (ja) | メモリシステムとそのデータ書き込み方法 | |
US8261013B2 (en) | Method for even utilization of a plurality of flash memory chips | |
JP2010287049A (ja) | メモリシステムおよびメモリシステムの管理方法 | |
JP2009205689A (ja) | フラッシュディスク装置 | |
US20070005929A1 (en) | Method, system, and article of manufacture for sector mapping in a flash device | |
JP2004326165A (ja) | メモリ制御装置およびメモリ制御方法 | |
KR100703727B1 (ko) | 비휘발성 메모리, 이를 위한 사상 제어 장치 및 방법 | |
JP5520880B2 (ja) | フラッシュメモリ装置 | |
JP2009211152A (ja) | 情報処理装置、メモリシステムおよびその制御方法 | |
JP2021068129A (ja) | メモリコントローラ及びフラッシュメモリシステム | |
JP2021140464A (ja) | ストレージ装置、ストレージシステム及び方法 | |
JP2011123560A (ja) | フラッシュディスク装置 | |
JP2009199211A (ja) | メモリ制御方法及び装置、コンピュータプログラム | |
KR20090032690A (ko) | 플래시 메모리의 오류블록 관리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080201 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080702 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101007 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110614 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130801 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5336060 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |