JP5335755B2 - 露光装置 - Google Patents

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本発明は、プリント配線基板又は液晶基板などの被露光基板に回路パターンを露光するととともに、回路パターンの周辺領域に記号などの情報データを露光する露光装置に関するものである。
プリント配線基板には、回路パターン以外に、製品の合否を決めるため特定の試験用又は品質適合試験用の回路の一部が形成されることがある。試験用の回路は一般にテストクーポン(Test coupon)又はテストパターン(Test pattern)と呼ばれている(以下、テストクーポン情報と呼ぶ。)また、プリント配線基板には、回路パターン又はテストクーポン情報以外に、プリント配線基板を管理する記号、およびプリント配線基板を切断・分割した後の回路パターン領域を管理する文字情報又は図形情報が形成されることもある。以下、本明細書では、テストクーポン情報、文字情報及び図形情報を総称して情報データと呼ぶ。
上述したような回路パターンと情報データとを露光する露光装置が、例えば特許文献1に開示されている。特許文献1の露光装置は、予め回路パターンとともに情報データが描かれたフォトマスクを用意している。特許文献1の露光装置は、光源とフォトマスクとの間に配置されたマスキング装置を用いて、フォトマスクから不必要な回路パターン又は情報データをマスキングしている。そして特許文献1の露光装置は、マスキングされなかったフォトマスクの回路パターン又は情報データをプリント配線基板に露光している。
特開2006−072100
しかし、フォトマスクに描かれる情報データは、用途又は生産ロットに応じて変更されることが多い。このため、フォトマスクに情報データが描かれていると、フォトマスクに描かれた回路パターンに変更が無い場合でも新たにフォトマスクを作成しなければならない。このためフォトマスクの製造コストが上がってしまう問題が生じる。また回路パターンが同じであっても複数のフォトマスクを用意しなければならず、そのフォトマスク管理が複雑になるという問題が生じている。
本発明は、上記の問題点に鑑み創案されたものであり、情報データを適宜変更しながら回路パターンを露光できる露光装置を提供することにある。
第1の観点の露光装置は、紫外線を含む光を使ってフォトマスクに描かれた所定の回路パターンを感光性物質が塗布された矩形形状の基板に露光する。そして露光装置は、紫外線を含む光でフォトマスクの回路パターンを基板に露光する投影露光ユニットと、基板を載置し投影露光ユニットに対して移動可能な基板ステージと、基板ステージを移動させるステージ駆動部と、紫外線を含む光で電子的に作成された情報データを基板に露光する空間光変調ユニットと、空間光変調ユニットを基板の辺に略平行な方向に移動させる空間光変調ユニット駆動部と、を備える。
この構成により、1つの基板ステージに載置された基板に対して、回路パターンを基板に露光するとともに電子的に作成された情報データを露光することができる。
第2の観点の露光装置は、回路パターンが基板に露光する毎に空間光変調ユニットは情報データを書き換える。
第3の観点の露光装置において、情報データは、文字情報、図形情報、又はテストクーポン情報の少なくとも一つを含む。
第4の観点の露光装置において、空間光変調ユニットが情報データを露光する領域は、投影露光ユニットが回路パターンを露光する領域に隣接する。
第5の観点の露光装置において、投影露光ユニットが回路パターンを露光する際には、空間光変調ユニット駆動部は空間光変調ユニットを停止させ、空間光変調ユニットが情報データを露光する際には、空間光変調ユニット駆動部は空間光変調ユニットを移動させ、且つステージ駆動部は基板ステージを停止させる。
この構成により、投影露光ユニットが回路パターンを露光している最中に装置の振動が減少するとともに、空間光変調ユニットが情報データを露光している最中に装置の振動が減少する。
第6の観点の露光装置において、空間光変調ユニットが情報データを露光する際に使用される紫外線を含む光の光源は、投影露光ユニットが回路パターンを露光する際に使用される紫外線を含む光の光源とは別である。
第7の観点の露光装置において、投影露光ユニットは回路パターンの倍率を変える変倍手段を備え、空間光変調ユニットは情報データを変倍手段に合わせて電子的に補正する。
この構成により、回路パターンの倍率が変えられた際には、情報データも同じ倍率に変えられて露光される。
本発明による露光装置は、情報データを適宜変更しながらフォトマスクに描かれた回路パターンを露光できる。
露光装置100の全形の斜視図である。 (a)は、露光装置100を上面から見た図である。 (b)は、露光装置100の側面から見た図である。 空間光変調ユニット40と投影露光ユニット70とを示した拡大概念図である。 水銀蒸気圧が異なる水銀ランプの各波長に対する比エネルギーを示したグラフである。 露光装置100の制御部90の構成を示したブロック図である。 露光装置100の露光フローチャートである。 露光されたプリント配線基板PWAを示した平面図である。 テストクーポン情報(情報データM1)の例を示した図である。 回路パターンPA毎に4個のアライメントマークAMが形成されたプリント配線基板PWAを示した平面図である。
<露光装置100の構成>
以下、露光装置100の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、露光装置100の全形の斜視図である。図1では、筐体11の長軸方向がX軸方向で、短軸方向がY軸方向で描かれている。また、投影露光ユニット70の配置をわかりやすくするために、投影露光ユニット70を支える支柱類が図示されていない。
露光装置100は、筐体11、空間光変調ユニット40、基板ステージ60及び投影光学ユニット70から構成されている。筐体11は、空間光変調ユニット40、基板ステージ60及び投影光学ユニット70を支えるとともに、その内部に空間光変調ユニット40、基板ステージ60及び投影光学ユニット70を制御する制御部90が配置されている。筐体11は、防振マウントで支えられている。
空間光変調ユニット40は、空間光変調ユニット駆動部50に載置されている。空間光変調ユニット駆動部50は、Y軸方向に伸びる梁と梁の端からZ軸方向に伸びる支柱とからなる門形フレーム55を有している。空間光変調ユニット駆動部50は空間光変調ユニット40をX軸方向及びY軸方向に移動させる。
空間光変調ユニット40はプリント配線基板PWAの周辺領域にプリント配線基板PWAを管理する基板管理用の文字情報又は図形情報を露光することができる。またプリント配線基板PWAは複数に切断・分割されることもあるため、空間光変調ユニット40は分割後の各分割基板を管理する基板管理用の文字情報又は図形情報を露光することもできる。さらに空間光変調ユニット40は品質適合試験などのテストクーポンもしくはテストパターンを含むテストクーポン情報を露光することもできる。
筐体11の上部には筐体11の基板ステージ60が設置される。基板ステージ60は、例えば、ボールねじ、スライドガイド及びねじ駆動用モータ等のステージ駆動部65(図2を参照)を有している。基板ステージ60はステージ駆動部65によってX軸方向及びY軸方向に移動することができる。また、基板ステージ60は、矩形状形のプリント配線基板PWAに合わせて、矩形形状の表面を有している。その表面には基板吸着孔が形成されている。基板ステージ60はプリント配線基板PWAを吸着して固定する。基板ステージ60はその上面にプリント配線基板PWAをθ方向に回転する回転テーブル(不図示)を有していてもよい。また露光装置100は、基準位置から基板ステージ60までのX軸方向又はY軸方向の位置を測定する測長器を有している。
投影光学ユニット70は複数のレンズ又は複数のミラーなどから構成されている。投影光学ユニット70は不図示の支柱によって支えられ固定されている。投影光学ユニット70を挟んでプリント配線基板PWAの反対側には回路パターンPAが描かれたフォトマスクMKが配置されている。投影光学ユニット70は紫外線を含む光で照射されたフォトマスクMKの回路パターンPAをプリント配線基板PWAに転写する。実施形態では、ダイソン型と呼ばれる反射屈折型の投影光学ユニットが使用されているが、複数のレンズのみからなる屈折型の投影光学ユニットが使用されてもよいし、オフナー型と呼ばれる反射式の投影光学ユニットが使用されてもよい。
投影光学ユニット70の鏡筒にはアライメントカメラ80が取り付けられている。アライメントカメラ80はプリント配線基板PWAに形成されたアライメントマークAM(図7を参照)を撮像する。
図2(a)は露光装置100を上面から見た平面図である。図2(b)は露光装置100の側面から見た側面図である。
プリント配線基板PWAは不図示の搬送装置により例えば図2(a)の左側から搬入される。プリント配線基板PWAはプリント配線基板PWAの基準辺が基板ステージ60の所定位置に合致させるように載置されて吸着される。矩形のプリント配線基板PWAの一辺はX軸方向にほぼ平行で且つ他の一辺はY軸方向にほぼ平行である。プリント配線基板PWAを載置した基板ステージ60は、ステージ駆動部65によって筐体11の上部の左側(−X軸側)の端から右側(+X軸側)の端まで移動することができる。基板ステージ60がX軸方向とY軸方向とに移動することで、プリント配線基板PWAの任意の領域が投影光学ユニット70の下方又はアライメントカメラ80の下方に移動する。
空間光変調ユニット駆動部50の門形フレーム55は、Y軸方向に伸びる梁55aと梁の端からZ軸方向に伸びる一対の支柱55bとを有する。梁55aには、空間光変調ユニット40をY軸方向に移動させるY軸駆動装置53が設けられている。また一対の支柱55bの先端には、空間光変調ユニット40をX軸方向に移動させるX軸駆動装置51が設けられている。X軸駆動装置51は筐体11の上面で且つ基板ステージ60の移動範囲外に配置されている。空間光変調ユニット40がX軸方向とY軸方向とに移動することで、プリント配線基板PWAの任意の領域が空間光変調ユニット40の下方に来る。
<空間光変調ユニット40の構成>
図3は空間光変調ユニット40、光源20及び投影光学ユニット70の構成を示した概念図である。
空間光変調ユニット40は水銀ランプ41、第1光学系43、コールドミラー44、ミラーブロック46、DMD(ディジタルマイクロミラーデバイス)47及び第2光学系48で構成される。水銀ランプ41は、g線(365nm)、h線(405nm)及びi線(436nm)を含む光を照射する。第1光学系は、楕円ミラー及び複数のレンズ群で構成される。コールドミラー44は赤外線を透過し紫外線を含む光を反射する。
水銀ランプ41から第2光学系48はカバー42で囲まれ、光学系以外へ光が漏れない構造となっている。カバー42は排気口が形成され、排気口にはファン49が配置されている。これによりカバー42内に熱がこもらない。またカバー42の一部には、梁55aに設けられたY軸駆動装置53と係合する係合部42aが設けられている。
コールドミラー44の下方(基板側)には反射ミラーとハーフミラーとを組み合わせたミラーブロック46が配置されている。ミラーブロック46に隣接してDMD47が配置され、ミラーブロック46の下方(基板側)には第2光学系48が設置されている。第2光学系48の光軸はプリント配線基板PWAの表面に対して垂直に配置される。DMD47の光軸は第2光学系48の光軸に対して垂直に配置される。
DMD47は、可動式の約100万個のマイクロミラーから構成されている。各マイクロミラーの鏡面サイズはおよそ10数μm角で格子状に配列されている。各マイクロミラーは鏡面をプラス/マイナス12度傾斜させることができる。マイクロミラーが「ON」のときは光線がプリント配線基板PWA側に反射される。マイクロミラーが「OFF」のときは光線が不図示の紫外線吸収体側に反射される。従って、各マイクロミラーを個別に駆動することにより、DMD47は、テストクーポン情報、文字情報又は図形情報(以下、情報データと呼ぶ。)に空間変調された光線をプリント配線基板PWAに対して照射することができる。
DMD47とプリント配線基板PWA上に形成されたフォトレジストFR面とは共役位置に配置される。プリント配線基板PWAの厚さが異なる場合には、第2光学系48を通過した光線は、プリント配線基板PWAの感光性物質であるフォトレジストFR面に結像しない。プリント配線基板PWAのフォトレジストFR面へ照射される光線の焦点距離が適切でない場合は、第2光学系48の焦点位置を調節させてDMD47の位置とプリント配線基板PWAのフォトレジストFR面の位置とを共役関係にさせる。
水銀ランプ41から射出された光線は、第1光学系43に入射しコリメートされる。第1光学系43から射出された光線は、コールドミラー44でプリント配線基板PWA側に反射され、ミラーブロック46に入射する。ミラーブロック46に入射した光線はDMD47に向かい、DMD47で情報データに空間変調される。空間変調された光線は、再びミラーブロック46に入射し、第2光学系48を経由してプリント配線基板PWAのフォトレジストFR面に照射される。
プリント配線基板PWAに露光される情報データは、DMD47で100万個のマイクロミラーの向きを電子的に換える。このためプリント配線基板PWAに転写される情報データの大きさは、任意倍率に調整される。
<光源20及び投影光学ユニット70の構成>
図3に示されるように、投影光学ユニット70の上方(+Z軸側)にはマスクステージMKSに載置されたフォトマスクMKが配置されている。そのフォトマスクMKの上方に光源20が配置されている。
光源20は、水銀ランプ21、照明光学系23及びシャッタ部25で構成されている。水銀ランプ21はカバー29で囲まれ、カバー29は光学系以外の光が漏れない構造となっている。水銀ランプ21は、g線(365nm)、h線(405nm)及びi線(436nm)を含む光を照射する。カバー29は、排気口と照射口とが形成され、空気の排出と光線の射出が可能な構造となっている。
水銀ランプ21から射出された光線は楕円ミラーによって基板方向へ反射し、照明光学系23で集光される。照明光学系23に入射した光線は平行光に矯正されフォトマスクMKへ向け出射する。照明光学系23はフォトマスクMKの表面に対して垂直に配置される。
水銀ランプ21からフォトマスクMKまでの間には、シャッタ部25が配置される。本実施形態では、照明光学系23の下方にシャッタ部25が配置されている。シャッタ部25はシャッタ羽根25a及びシャッタ駆動部25bからなる。シャッタ駆動部25bは回転モータ等からなり、シャッタ羽根25aを光路中に入れたり又は光路から外したりする。このようにしてシャッタ部25は水銀ランプ21から射出された光線を遮断したり通過させたりする。プリント配線基板PWAのある領域を露光する際にはシャッタ羽根25aが光路から外れ、次の領域にプリント配線基板PWAが動く際にはシャッタ羽根25aが光路に入る。
つぎに、投影光学ユニット70について説明する。投影光学ユニット70は、入射側凸レンズ71および出射側凸レンズ72と、この入射側凸レンズ71および出射側凸レンズ72の間に配置された反射ミラー73と、補正レンズ75と、凹面反射ミラー77とを鏡筒78内に備えている。
入射側凸レンズ71および出射側凸レンズ72は、同一の屈折率であり共軸となる位置に配置されている。入射側凸レンズ71および出射側凸レンズ72は倍率調整部79に支持されている。倍率調整部79は、入射側凸レンズ71および出射側凸レンズ72を支持する支持テーブル、リニアガイド及びモータなどを備えている。熱処理などでプリント配線基板PWAが伸縮した場合に、倍率調整部79は入射側凸レンズ71および出射側凸レンズ72を移動させて、そのプリント配線基板PWAの伸縮状態にフォトマスクMKの回路パターンPA(図1を参照)を対応させる。
反射ミラー73は、入射側凸レンズ71からの投影光を補正レンズ75及び凹面反射ミラー77へ導く第1反射面73aと、補正レンズ75及び凹面反射ミラー77からの投影光を出射側凸レンズ72へ導く第2反射面73bとを有する。複数のレンズからなる補正レンズ75は反射ミラー73からの投影光の収差を補正する。凹面反射ミラー77は、補正レンズ75を介して送られる投影光を反射する。
つまり、投影光学ユニット70はフォトマスクMKの回路パターンPAを透過した投影光を倍率調整させて、プリント配線基板PWAのフォトレジストFR面へ投影する。
次に倍率調整部79による倍率調整について説明する。なお、倍率調整部79は、光軸に沿って入射側凸レンズ71および出射側凸レンズ72をどれだけ移動させた場合、倍率がどれだけ変化するかが記憶装置等に記憶されている。
プリント配線基板PWAに投影するための倍率が1(等倍)である場合には、倍率調整部79は、入射側凸レンズ71から反射ミラー73の第1反射面73aまでの距離と、第2反射面73bから出射側凸レンズ72までの距離とが同じになるように調整している。
倍率を縮小させる場合には、倍率調整部79は、入射側凸レンズ71を反射ミラー73から離間させ、かつ、出射側凸レンズ72を反射ミラー73に近接させるように移動させる。また、倍率を拡大させる場合には、倍率調整部79は、入射側凸レンズ71を反射ミラー73に近接させ、かつ、出射側凸レンズ72を反射ミラー73から離間させるように移動させる。
<水銀ランプ21と水銀ランプ41との構成>
投影光学ユニット70に使われる水銀ランプ21はフォトマスクMKの全面を照射するため照射光量が大きい。一方、空間光変調ユニット40に使われる水銀ランプ41は情報データの領域が小さいため照射光量が小さい。水銀ランプ41自体を小型化できると空間光変調ユニット40が走査する際の運動性が向上する。そこで、水銀ランプ41自体はなるべく小型化し、その一方でフォトレジストFRに対する感光性を低下させないようにすることが好ましい。
図4は、水銀蒸気圧が異なる水銀ランプの各波長に対する比エネルギーを示したグラフである。一般に知られているように、水銀ランプのスペクトル分布は、点灯時の水銀蒸気圧の増大とともに連続スペクトル成分が増加した分光分布を示す。点灯時の水銀蒸気圧が10〜30気圧前後であれば輝線スペクトルが強いが、約200気圧前後になると連続スペクトルが強くなる。点灯時の水銀蒸気圧は、水銀ランプへの水銀の封入量と点灯入力電圧でほぼ決まる。
本実施形態では、投影光学ユニット70に使われる水銀ランプ21はその水銀封入量が1mg/cmから50mg/cm(水銀蒸気圧は約30気圧)までである。フォトレジストFRに対する感光性又は細い線幅の回路パターンPAに対応させるためである。一方、空間光変調ユニット40に使われる水銀ランプ41はの水銀封入量は150mg/cm(水銀蒸気圧は約200気圧)以上である。このように、投影光学ユニット70に使われる水銀ランプ21は、微細パターン、高エネルギーといった要求を満たし、空間光変調ユニット40に使われる水銀ランプ41は、小型で稼動ユニットに取り付けるのが容易で所定の波長範囲で高輝度の発光が得ることができる。
<制御部90の構成>
図5は、露光装置100の制御部90の構成を示したブロック図である。露光装置100は制御部90で制御される。制御部90は、情報データの露光を制御する情報データ露光制御部91、回路パターンの露光を制御する回路パターン露光制御部92及びアライメント制御部98を有している。情報データ露光制御部91、回路パターン露光制御部92及びアライメント制御部98は記憶装置MMに接続されている。
記憶装置MMには、プリント配線基板PWAの露光データ、回路パターンの露光領域のデータ、情報データの位置情報、アライメントマークの位置情報、プリント配線基板PWAのフォトレジスト感度、及び基板ステージ60の移動速度などのデータが記憶されている。記憶装置MMに記憶されるデータは制御部90に接続された外部入力部99(例えば工場側LANもしくは手入力)により入力される。
情報データ露光制御部91は、DMD駆動回路93及び空間光変調ユニット駆動部の制御回路94に接続されている。情報データ露光制御部91は記憶装置MMに記憶された識別記号露光データをDMD駆動データに変換する。DMD駆動回路93は空間光変調ユニット40のDMD47に接続されており、約100万個のマイクロミラーをプラス/マイナス12度傾斜させる。空間光変調ユニット駆動部の制御回路94は、空間光変調ユニット駆動部50のX軸駆動装置51及びY軸駆動装置53に接続されており、空間光変調ユニット40をX軸方向及びY軸方向に移動させる。情報データ露光制御部91は、記憶装置MMに記憶されたプリント配線基板PWAのフォトレジスト感度などの条件に基づき、空間光変調ユニット駆動部の制御回路94に移動速度を伝達する。つまり情報データ露光制御部91は、プリント配線基板PWAの複数の領域に情報データを露光するように制御する。
回路パターン露光制御部92は、倍率制御回路95、ステージ制御回路96及びシャッタ制御回路97に接続されている。倍率制御回路95は投影光学ユニット70の倍率調整部79に接続されており、入射側凸レンズ71及び出射側凸レンズ72を移動させる。ステージ制御回路96は基板ステージ60のステージ駆動部65に接続されており、基板ステージ60をX軸方向及びY軸方向に移動させる。シャッタ制御回路97は光源20のシャッタ部25に接続されており、シャッタ部25を開閉させる。つまり回路パターン露光制御部92は、プリント配線基板PWAの複数の領域に適切な倍率でフォトマスクMKの回路パターンPA(図1を参照)を露光するように制御する。
アライメント制御部98は、ステージ制御回路96及アライメントカメラ80に接続されており、プリント配線基板PWAの複数個所に形成されたアライメントマークAM(図7を参照)を撮像する。アライメント制御部98は、アライメントマークAMを撮像することにより、プリント配線基板PWAの配線パターンの伸縮状態を演算、すなわち倍率演算を行う。
<露光装置100の動作>
露光装置100の動作について説明する。図6は露光装置100の露光フローチャートである。図7に示されたプリント配線基板PWAの平面図、図8に示された情報データM1を参照しながら説明する。なお、図7に示されたプリント配線基板PWAは回路パターンPA又は情報データ(M1,M2)が露光されているが、露光前のプリント配線基板PWAにはアライメントマークAM(AM1,AM3,AM10,AM12)が形成されているだけである。またプリント配線基板PWAの表面には感光性物質であるフォトレジストFRが形成されている。
最初にプリント配線基板PWAが不図示の搬送装置により基板ステージ60に搬入される。
そしてステップS101において、アライメント制御部98は基板ステージ60をX軸方向及びY軸方向に移動させ、アライメントカメラ80の下方に図7に示されたプリント配線基板PWAのアライメントマークAMが存在するようにする。アライメントカメラ80はプリント配線基板PWAの複数のアライメントマークAMを撮像する。アライメントマークAM(AM1,AM3,AM10,AM12)は、プリント配線基板PWAの四隅に形成されており、例えばプリント配線基板PWAを貫通する貫通孔も含まれる。
ステップS102において、アライメントカメラ80で撮像されたアライメントマークAMのX軸及びY軸の位置に基づいて、アライメント制御部98がプリント配線基板PWAの伸縮を演算する。例えばプリント配線基板PWAがX軸及びY軸方向ともに1.01倍に拡大していたならば、露光倍率を1.01と設定する。そしてこの露光倍率が記憶装置MMに記憶される。
次にステップS111において、回路パターン露光制御部92に記憶装置MMに記憶された露光倍率が設定される。回路パターン露光制御部92は倍率制御回路95を介して投影光学ユニット70の入射側凸レンズ71及び出射側凸レンズ72を露光倍率に応じた位置に移動させる。
ステップS112において、回路パターン露光制御部92は情報データ露光制御部91へ、空間光変調ユニット駆動部50がX軸又はY軸方向に移動しないように停止(ロック)指令を出す。これにより空間光変調ユニット駆動部50が移動している最中に、フォトマスクMKの回路パターンPA(図1を参照)がプリント配線基板PWAに露光されることはない。空間光変調ユニット駆動部50が移動すると、基板ステージ60又は投影光学ユニット70などが微かに振動してしまい、回路パターンPAが精度良くプリント配線基板PWAに露光できなくなる可能性があるからである。
ステップS113において、回路パターン露光制御部92は基板ステージ60を所定の位置に移動させた後基板ステージ60を停止させ、その後、シャッタ制御回路97がシャッタ部25を開き、所定の露光量が露光された後に閉じる。回路パターン露光制御部92は再び基板ステージ60を所定の位置に移動させてシャッタ部を開閉する。この動作を繰り返すことで、図7に示されるように、6個の領域で露光倍率が補正された回路パターンPA(PA1〜PA6)が配線基板PWAに露光される。
ステップS114において、露光終了時に、回路パターン露光制御部92は情報データ露光制御部91へ空間光変調ユニット駆動部50の停止の解除指令を出す。これにより空間光変調ユニット駆動部50が移動することができる。
次にステップS121において、情報データ露光制御部91に記憶装置MMに記憶された露光倍率が設定される。情報データ露光制御部91は露光倍率に応じてどのマイクロミラーを傾斜させるかを演算する。
ステップS122において、情報データ露光制御部91は回路パターン露光制御部92へ、基板ステージ60(又はステージ駆動部65)がX軸又はY軸方向に移動しないように停止(ロック)指令を出す。これにより基板ステージ60が移動している最中に、情報データM1、M2がプリント配線基板PWAに露光されることがない。このため基板ステージ60の移動による振動がないため、情報データM1、M2が精度良くプリント配線基板PWAに露光できる。
ステップS123において、空間光変調ユニット駆動部50は空間光変調ユニット40をプリント配線基板PWAの辺に略平行な方向に移動させる。空間光変調ユニット40がX軸方向に移動している最中に、DMD駆動回路93を介して空間光変調ユニット40のDMD47が駆動される。これにより空間光変調ユニット40が移動中(走査中)に露光倍率が補正された情報データM1がプリント配線基板PWAに露光される。図7に示されるように、6個の領域で回路パターンPAに隣接して情報データM1が形成される。
情報データM1は、品質適合試験用の回路などのテストクーポン情報である。プリント配線基板PWAには外観ではわからない内在する欠陥があることがある。このために回路パターンPAに隣接して形成されたテストクーポン情報(情報データM1)を採集し、破壊して検査などが行われる。テストクーポン情報は、図8に示されるように、パターン幅間隔、穴径、パッド径、内層のクリアランス径、導体層の配置など回路パターンPAと同じにしている。またテストクーポン情報としてのスルーホールやビアは、直列に接続したデイジーパターンで導通状態又は接続の状態を測定できるようにし、また、テストクーポン情報としての櫛形パターンは絶縁抵抗を測定できるようにしている。
テストパターンはDMD47で電子的に作成されるため、テストクーポン情報を任意に変更が可能であり且つ回路パターンPAの露光倍率に合わせてテストクーポン情報の倍率も変更することができる。回路パターンPAとテストクーポン情報とを同じ大きさでプリント配線基板PWAに露光できるため、信頼度の高い品質検査が行える。
ステップS124において、空間光変調ユニット40がY軸方向に移動している最中に、DMD駆動回路93を介してDMD47が駆動される。これにより空間光変調ユニット40が移動中に(走査中)に露光倍率が補正された情報データM2がプリント配線基板PWAに露光される。図7に示されるように、6個の領域で回路パターンPAに隣接して情報データM2が形成される。
情報データM2は、回路パターン領域を管理する文字情報又は図形情報である。DMD47が電子的に情報を変更できるため、1枚のプリント配線基板PWAの複数の回路パターンPA毎に情報データM2が“a−1−11”、“a−1−12”にように形成される。必要であれば、回路パターンPAの露光倍率に合わせて文字情報である情報データM2の倍率も変更できる。
ステップS123とステップS124との順番は、逆であってもよいし、いずれか1つでもよい。また、情報データM1と情報データM2とが形成される位置は、回路パターンPAの大きさ配置などによって適宜換えられる。
ステップS125において、露光終了時に、情報データ露光制御部91は回路パターン露光制御部92へ基板ステージ60(又はステージ駆動部65)の停止の解除指令を出す。これにより基板ステージ60が移動することができる。
上述の説明では、回路パターンPAの露光が終了した後に(ステップS111〜S114)、情報データM1、M2の露光が開始した。この順序とは逆に、情報データM1、M2の露光(ステップS121〜S125)が終了した後に、回路パターンPAの露光が開始してもよい。また、1つの回路パターンPAの露光が終わってすぐにその回路パターンPAに隣接して情報データM1、M2を露光し、その情報データM1,M2の露光が終了したら再び別の回路パターンPAの露光をするようにしてもよい。
また上述の説明では、アライメントマークAM(AM1,AM3,AM10,AM12)がプリント配線基板PWAの四隅に形成されていた。そして、4つのアライメントマークAMに基づく回路パターンPAの露光倍率に合わせて情報データM2の倍率を変更した。より多くのアライメントマークAMが露光領域である回路パターンPAの周囲に形成されているとさらに細かく情報データM2の倍率を変更することができる。
図9は、回路パターンPAの四隅に4個のアライメントマークAMが形成され、6つの回路パターンPA(PA1〜PA6)に対して12個のアライメントマークAM(AM1〜AM12)が形成されているプリント配線基板PWAを示した平面図である。
図7で説明したステップS101において、アライメントカメラ80がプリント配線基板PWAの12個のアライメントマークAM(AM1〜AM12)を撮像する。そしてステップS102において、アライメントカメラ80で撮像されたアライメントマークAMのX軸及びY軸の位置に基づいて、アライメント制御部98が回路パターンPAの伸縮を演算する。例えば回路パターンPA1、PA2等がX軸及びY軸方向ともに1.01倍に拡大していたならば、露光倍率を1.01と設定する。
回路パターンPAではなく、情報データM2を空間光変調ユニット40が露光するときは、アライメントマークAM1とAM2とを使ってY軸方向の伸縮だけを計算してY軸方向だけの変倍を行ってもよい。
情報データM1を空間光変調ユニット40が露光するときは、アライメントマークAM1とAM4とを使ってX軸方向の伸縮だけを計算しX軸方向だけの変倍を行ってもよい。また、アライメントマークAM4とAM8と、又はアライメントマークAM5とAM7との斜め方向の成分も使ってX軸及びY軸方向の伸縮を補正してもよい。さらに、各アライメントマークAM1〜AM12の間に補助的naアライメントマークを配置し、より細かな領域で基板の伸縮に対して描画パターンデータを補正してもよい。
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。例えば、図3に示された空間光変調ユニット40の水銀ランプ41と投影光学ユニット70用の水銀ランプ21とは同じ紫外線を含む光源である。このため水銀ランプ41を無くして、水銀ランプ21から空間光変調ユニット40まで紫外線を含む光を導くようにしてもよい。例えば、ロッドインテグレータ、レンズ、ミラーなどで水銀ランプ21から空間光変調ユニット40まで光を導いてもよいし、光ファイバを束ねた光ファイバ束で光を導いてもよい。
20 … 光源、21 … 水銀ランプ、23 … 照明光学系
25 … シャッタ部(25a … シャッタ羽根,25b … シャッタ駆動部)
28 … 第2レンズ、29 … カバー
32 … 排気口
40 … 空間光変調ユニット、41 … 水銀ランプ
42 … カバー(42a … 係合部)
43 … 第1光学系、44 … コールドミラー
46 … ミラーブロック、48 … 第2光学系
47 … DMD(ディジタルマイクロミラーデバイス)
49 … ファン
50 … 空間光変調ユニット駆動部
51 … X軸駆動装置、53 … Y軸駆動装置
55 … 門形フレーム(55a … 梁,55b … 支柱)
60 … 基板ステージ、65 … ステージ駆動部
70 … 投影露光ユニット
71 … 入射側凸レンズ、72 … 出射側凸レンズ
73 … 反射ミラー(73a … 第1反射面,73b … 第2反射面)
75 … 補正レンズ、77 … 凹面反射ミラー
78 … 鏡筒、79 … 倍率調整部
80 … アライメントカメラ
90 … 制御部
91 … 情報データ露光制御部、92 … 回路パターン露光制御部
93 … DMD駆動回路、94 … 駆動部制御回路
95 … 倍率制御回路、96 … ステージ制御回路
97 … シャッタ制御回路、98 … アライメント制御部
99 … 外部入力部
100 … 露光装置
AM … アライメントマーク
FR … フォトレジスト
LX1 … 長さ
LX3 … 距離
LX2 … 移動範囲
M1,M2 … 情報データ
MKS … マスクステージ
MK … フォトマスク
MM … 記憶装置
PA … 回路パターン
PWA … プリント配線基板

Claims (8)

  1. 紫外線を含む光を使ってフォトマスクに描かれた所定の回路パターンを感光性物質が塗布された矩形形状の基板に露光する露光装置において、
    前記紫外線を含む光で前記フォトマスクの前記回路パターンを前記基板に露光する投影露光ユニットと、
    前記基板を載置し前記投影露光ユニットに対して移動可能な基板ステージと、
    前記基板ステージを移動させるステージ駆動部と、
    電子的に作成された情報データを前記紫外線を含む光で前記基板に露光する空間光変調ユニットと、
    前記空間光変調ユニットを前記基板の辺に略平行な方向に移動させる空間光変調ユニット駆動部と、
    を備えることを特徴とする露光装置。
  2. 前記回路パターンが前記基板に露光する毎に、前記空間光変調ユニットは前記情報データを書き換えることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記情報データは、文字情報、図形情報、又はテストクーポン情報の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の露光装置。
  4. 前記空間光変調ユニットが前記情報データを露光する領域は、前記投影露光ユニットが回路パターンを露光する領域に隣接することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の露光装置。
  5. 前記投影露光ユニットが前記回路パターンを露光する際には、前記空間光変調ユニット駆動部は前記空間光変調ユニットを停止させ、
    前記空間光変調ユニットが前記情報データを露光する際には、前記空間光変調ユニット駆動部は前記空間光変調ユニットを移動させ、且つ前記ステージ駆動部は前記基板ステージを停止させることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の露光装置。
  6. 前記空間光変調ユニットが前記情報データを露光する際に使用される前記紫外線を含む光の光源は、前記投影露光ユニットが前記回路パターンを露光する際に使用される前記紫外線を含む光の光源とは別であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の露光装置。
  7. 前記投影露光ユニットの光源および前記空間光変調ユニットの光源は、水銀を封入した水銀放電ランプであり、各々の放電容器の体積当たりの水銀封入量が前記投影露光ユニットユニットの水銀放電ランプよりも前記空間光変調ユニットの水銀放電ランプの方が多いことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の露光装置。
  8. 前記投影露光ユニットは前記回路パターンの倍率を変える変倍手段を備え、
    前記空間光変調ユニットは前記情報データを前記変倍手段に合わせて電子的に補正することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の露光装置。
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