JP5332246B2 - イオン注入用ステンシルマスクの製造方法 - Google Patents
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等で塗布して感光層(図示せず)を形成する。
12、32 エッチングストッパー層
13 第1の薄膜層
14 第2の薄膜層
15 第3の薄膜層
16 基板
17、19、112、114 エッチングマスク
18、35 開口部
110 表裏重ね合わせ用マーク
111 第1のイオン注入用貫通孔パターン
113 位置合わせ用マーク
115 第3のイオン注入用貫通孔パターン
116 第2のイオン注入用貫通孔パターン
117、37 イオン注入用ステンシルマスク
33 薄膜層
34 SOIウエハ
36 貫通孔
Claims (2)
- 少なくとも支持層上にエッチングストッパー層を形成する工程と、前記エッチングストッパー層上に第1の薄膜層を形成する工程と、前記第1の薄膜層上に第2の薄膜層を形成する工程と、前記第2の薄膜層上に第3の薄膜層を形成する工程と、前記支持層に開口部を形成する工程と、前記第1の薄膜層に第1のイオン注入用貫通孔パターンを形成する工程と、前記第3の薄膜層に第3のイオン注入用貫通孔パターンを形成した後に第3の薄膜層をエッチングマスクとして前記第2の薄膜層に第2のイオン注入用貫通孔パターンを形成する工程と、を含み、
前記支持層が単結晶シリコンであり、前記第1の薄膜層が単結晶シリコンであり、前記第2の薄膜層がダイヤモンドであり、前記第3の薄膜層が多結晶シリコンである
ことを特徴とするイオン注入用ステンシルマスクの製造方法。 - 少なくとも支持層上にエッチングストッパー層を形成する工程と、前記エッチングストッパー層上に第1の薄膜層を形成する工程と、前記第1の薄膜層上に第2の薄膜層を形成する工程と、前記第2の薄膜層上に第3の薄膜層を形成する工程と、前記支持層に開口部を形成する工程と、前記第1の薄膜層に第1のイオン注入用貫通孔パターンを形成する工程と、前記第3の薄膜層に第3のイオン注入用貫通孔パターンを形成した後に第3の薄膜層をエッチングマスクとして前記第2の薄膜層に第2のイオン注入用貫通孔パターンを形成する工程と、を含み、
前記支持層が単結晶シリコンであり、前記第1の薄膜層が単結晶シリコンであり、前記第2の薄膜層が銅であり、前記第3の薄膜層が多結晶シリコンである
ことを特徴とするイオン注入用ステンシルマスクの製造方法。
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