JP5343378B2 - ステンシルマスクおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
その応用プロセスのひとつに、半導体の製造プロセスにおいてステンシルマスクを用いたイオン注入プロセスがある。本注入方法ではステンシルマスクの開口パターンを通して、不純物をプロセス基板に注入するため、従来のイオン注入プロセスと比較してレジストのリソグラフィー工程やレジストの除去工程が不要であり、プロセスや装置コストの削減が可能である。さらに、一枚のステンシルマスクを繰り返して使用することでプロセスコストを削減することが出来る。
ングストッパー層が不要であるため、エッチングストッパー層の内部応力によるメンブレン変形が起きることはない。
2……補強層
3……多層メンブレン層
4……中間酸化膜層
5……支持基板層
6……開口部
7……メンブレン層開口部
8……ステンシルパターン領域
9……多層メンブレン領域
10…補強層が露出した領域
11…位置合わせ用マーク
12…直径が100mmΦのSOI基板
13…電子線感応性レジスト層
14…位置合わせ用レジストパターン
15…メンブレン層開口部用レジストパターン
16…裏面合わせ用レジストマーク
17…位置合わせ用パターン
18…裏面合わせ用マーク
19…パターン加工済みSOI基板
20…支持基板層
21…中間酸化膜層
22…メンブレン(SOI)基板
23…電子線感応性レジスト
24…注入用レジストパターン領域
25…感光層
26…開口部用レジストパターン
Claims (2)
- 支持基板層と、補強層と、メンブレン層からなるステンシルマスクにおける前記支持基板層が除かれている開口部の前記補強層と、前記メンブレン層からなる多層メンブレン層において前記補強層の一部が除去されている前記メンブレン層からなるメンブレン層開口部が、前記メンブレン層がパターン状に除去されているステンシルパターン領域より大きい面積を有しているパターン領域内にステンシルパターン領域を形成しているステンシルマスクであって、補強層が露出した領域に位置合わせ用マークが形成されていることを特徴とするステンシルマスク。
- 請求項1に記載のステンシルマスクの製造方法であって、支持層と補強層からなるブランクの補強層のみをパターン化する補強層パターン化工程、支持体とメンブレン層からなるメンブレン基板を補強層とメンブレン層が接する様に貼り合わせる貼り合せ工程、支持体を除去する支持体除去工程、メンブレン層をパターン化するメンブレン層パターン化工程、支持層をパターン化する支持層パターン化工程よりなり、ステンシルパターンを露光する工程において、補強層が露出した領域に形成された位置合わせ用マークを用い、メンブレン層開口部の位置に合わせてステンシルパターンを形成することを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
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