JP5331442B2

JP5331442B2 - Detaching method for chuck table

Info

Publication number: JP5331442B2
Application number: JP2008278333A
Authority: JP
Inventors: 力相川; 善規矢口; 智裕遠藤; 邦充高橋
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2008-10-29
Filing date: 2008-10-29
Publication date: 2013-10-30
Anticipated expiration: 2028-10-29
Also published as: JP2010105010A

Description

本発明は、レーザー加工装置の被加工物を保持するチャックテーブルに付着した付着物を除去するチャックテーブルの付着物除去方法に関する。 The present invention relates to a chuck table deposit removal method for removing deposits adhered to a chuck table holding a workpiece of a laser processing apparatus.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。 In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs, LSIs, etc. are partitioned in the partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is cut along the streets to divide the region in which the device is formed to manufacture individual semiconductor chips. In addition, optical device wafers with gallium nitride compound semiconductors laminated on the surface of a sapphire substrate are also divided into individual optical devices such as light emitting diodes and laser diodes by cutting along the streets, and are widely used in electrical equipment. ing.

上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに形成されたストリートに沿ってウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
特開平１０−３０５４２０号公報 As a method of dividing a wafer such as the above-described semiconductor wafer or optical device wafer along the street, a laser processing groove is formed by irradiating the wafer with a pulsed laser beam having a wavelength that absorbs the wafer along the street formed on the wafer. And a method of breaking along the laser-processed groove has been proposed. (For example, refer to Patent Document 1.)
JP-A-10-305420

半導体ウエーハ等のウエーハをレーザー加工する場合には、ウエーハの搬送等の取り扱いを容易にするために、ウエーハを環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着した状態でチャックテーブルに保持し、該チャックテーブルに保持されたウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射する。しかるに、ウエーハをオーバーランしてレーザー光線が照射されると粘着テープにレーザー光線が照射され、ポリオレフィンやポリエチレン等の合成樹脂によって形成されている粘着テープが溶融してチャックテーブルに付着し、チャックテーブルを汚染したり損傷させるという問題がある。また、溶融した粘着テープの一部がチャックテーブルに付着すると、加工後に粘着テープに貼着されているウエーハをチャックテーブルから搬出する際に、搬出を阻害するという問題がある。
このような問題は、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に変質層を形成するレーザー加工方法においても発生する。 When laser processing a wafer such as a semiconductor wafer, the wafer is held on a chuck table in a state of being adhered to the surface of an adhesive tape mounted on an annular frame in order to facilitate handling of the wafer. Then, a laser beam is irradiated along the street of the wafer held on the chuck table. However, when the wafer is overrun and irradiated with a laser beam, the adhesive tape is irradiated with the laser beam, and the adhesive tape formed of a synthetic resin such as polyolefin or polyethylene melts and adheres to the chuck table, contaminating the chuck table. There is a problem of damage or damage. In addition, when a part of the melted adhesive tape adheres to the chuck table, there is a problem that when the wafer adhered to the adhesive tape after processing is unloaded from the chuck table, unloading is hindered.
Such a problem also occurs in a laser processing method in which a deteriorated layer is formed inside a wafer by irradiating a pulse laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer.

一方、チャックテーブルの被加工物を保持する保持面を有する保持テーブルを石英によって形成し、保持面に照射されたレーザー光線を透過させることにより保持テーブルの加熱を抑制し、粘着テープが溶融することを防止したウエーハの保持機構が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
特開２００６−２８１４３４号公報 On the other hand, the holding table having the holding surface for holding the workpiece of the chuck table is formed of quartz, and the heating of the holding table is suppressed by transmitting the laser beam irradiated to the holding surface, and the adhesive tape is melted. Proposed wafer holding mechanisms have been proposed. (For example, see Patent Document 2.)
JP 2006-281434 A

而して、保持テーブルを石英によって形成し、保持テーブルの保持面に照射されたレーザー光線を透過させることにより保持テーブルの加熱を抑制しても、ウエーハをオーバーランしてレーザー光線が粘着テープに照射されると、合成樹脂によって形成されている粘着テープが溶融して保持テーブルの保持面に焦げ付いて経時的に強固に付着するという問題がある。
このようにして保持テーブルの保持面に付着した付着物は、界面活性剤または有機溶剤によって払拭することによりある程度除去することができるものの、確実に除去することは困難である。そして、保持テーブルの保持面に付着した付着物は、次のレーザー加工を実施した際に粘着テープの溶融を促進する要因となる。 Thus, even if the holding table is formed of quartz and the heating of the holding table is suppressed by transmitting the laser beam irradiated to the holding surface of the holding table, the wafer is overrun and the laser beam is applied to the adhesive tape. Then, there is a problem that the adhesive tape formed of the synthetic resin melts and burns on the holding surface of the holding table and adheres firmly with time.
The deposits attached to the holding surface of the holding table in this way can be removed to some extent by wiping with a surfactant or an organic solvent, but it is difficult to remove them reliably. And the deposit | attachment adhering to the holding surface of a holding table becomes a factor which accelerates | stimulates the melting of an adhesive tape when the next laser processing is implemented.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、チャックテーブルの被加工物を保持する保持面を有する保持テーブルに付着した付着物を除去するチャックテーブルの付着物除去方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is to remove the deposit on the chuck table that removes the deposit adhered to the holding table having a holding surface for holding the workpiece of the chuck table. It is to provide a method.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持面を有する石英からなる保持テーブルを備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段とを具備し、該保持テーブルの保持面に粘着テープを介して保持された被加工物にレーザー光線を照射することにより該粘着テープが溶融して該保持テーブルの保持面に付着した付着物を除去するチャックテーブルの付着物除去方法であって、
該保持テーブルはチャックテーブル本体に着脱可能に装着されており、該保持面に該付着物が付着した該保持テーブルを該チャックテーブル本体から外して加熱炉によって３５０〜６５０℃の加熱温度で加熱するとともに、該加熱温度に達するまでの加熱速度を２〜３℃／分に設定し、該加熱温度に達したら加熱温度に対応した所定時間該加熱温度を維持することにより、該保持テーブルの保持面に付着した付着物を焼失せしめる、
ことを特徴とするチャックテーブルの付着物除去方法が提供される。 In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a chuck table having a holding table made of quartz having a holding surface for holding a workpiece, and a laser beam on the workpiece held on the chuck table. A laser beam irradiating means for irradiating, and by irradiating the work piece held on the holding surface of the holding table via the adhesive tape with the laser beam, the adhesive tape melts and adheres to the holding surface of the holding table A method for removing deposits on a chuck table that removes adhered deposits,
The holding table is detachably attached to the chuck table main body, and the holding table with the attached matter attached to the holding surface is removed from the chuck table main body and heated at a heating temperature of 350 to 650 ° C. by a heating furnace. In addition, the heating rate until reaching the heating temperature is set to 2 to 3 ° C./min, and when the heating temperature is reached, the heating temperature is maintained for a predetermined time corresponding to the heating temperature, thereby holding the holding surface of the holding table. Burn off the deposits that adhere to the
A method for removing deposits on a chuck table is provided.

本発明によれば、保持テーブルはチャックテーブル本体に着脱可能に装着されており、保持面に付着物が付着した保持テーブルをチャックテーブル本体から外して加熱炉によって３５０〜６５０℃の加熱温度で加熱するとともに、該加熱温度に達するまでの加熱速度を２〜３℃／分に設定し、該加熱温度に達したら加熱温度に対応した所定時間該加熱温度を維持することにより、保持テーブルの保持面に付着した付着物を焼失せしめるので、保持テーブルの保持面に付着した付着物は確実に除去される。 According to the present invention, the holding table is detachably attached to the chuck table main body, and the holding table with the adhering matter attached to the holding surface is removed from the chuck table main body and heated at a heating temperature of 350 to 650 ° C. by a heating furnace. In addition, the heating rate until reaching the heating temperature is set to 2 to 3 ° C./min, and when the heating temperature is reached, the heating temperature is maintained for a predetermined time corresponding to the heating temperature, thereby holding the holding surface of the holding table. As a result, the adhering material adhering to the holding table is burned out, so that the adhering material adhering to the holding surface of the holding table is reliably removed.

以下、本発明にチャックテーブルの付着物除去方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
先ず、レーザー加工装置の被加工物を保持するチャックテーブルの保持面に付着物が付着する現象について説明する。
図１には、レーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向と直交する矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構５と、該レーザー光線ユニット支持機構５に矢印Ｚで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット６とを具備している。 Hereinafter, preferred embodiments of the method for removing deposits on a chuck table according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
First, a phenomenon in which deposits adhere to the holding surface of the chuck table that holds the workpiece of the laser processing apparatus will be described.
FIG. 1 is a perspective view of the laser processing apparatus. A laser processing apparatus shown in FIG. 1 includes a stationary base 2 and a chuck table mechanism 3 that is disposed on the stationary base 2 so as to be movable in a machining feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X and holds a workpiece. A laser beam irradiation unit support mechanism 5 disposed on the stationary base 2 so as to be movable in an indexing feed direction indicated by an arrow Y orthogonal to the direction indicated by the arrow X, and the laser beam unit support mechanism 5 indicated by an arrow Z. And a laser beam irradiation unit 6 arranged to be movable in the direction.

上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す加工送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒状の支持筒体３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物を保持するチャックテーブル４を具備している。 The chuck table mechanism 3 includes a pair of guide rails 31, 31 arranged in parallel along the machining feed direction indicated by the arrow X on the stationary base 2, and the arrow X on the guide rails 31, 31. A first slide block 32 movably disposed in the processing feed direction; and a second slide block 33 disposed on the first slide block 32 movably in the index feed direction indicated by an arrow Y; A cover table 35 supported by a cylindrical support cylinder 34 on the second sliding block 33 and a chuck table 4 for holding a workpiece are provided.

チャックテーブル４について、図２および図３を参照して説明する。
図２および図３に示すチャックテーブル４は、第２の滑動ブロック３３の上面に配設された円筒状の支持筒体３４に軸受３６を介して回転可能に支持されている。チャックテーブル４は、円柱状のチャックテーブル本体４１と、該チャックテーブル本体４１の上面に着脱可能に装着される石英からなる保持テーブル４２とを具備している。チャックテーブル本体４１は、その上面に設けられた円形状の嵌合凹部４１１と、該嵌合凹部４１１を囲繞して設けられた環状の段部４１２と、該環状の段部４１２を囲繞して形成された環状のシール部４１３と、上記環状の段部４１２の上面に開口する連通路４１４と、該連通路４１４に連通する該吸引通路４１５を備えている。なお、吸引通路４１５は、上記円形状の嵌合凹部４１１の底面に開口するとともに、図示しない吸引手段に連通されている。従って、図示しない吸引手段が作動すると、吸引通路４１５を通して円形状の嵌合凹部４１１に負圧が作用せしめられるとともに、吸引通路４１５および連通路４１４を通して環状の段部４１２と環状のシール部４１３および円形状の嵌合凹部４１１に嵌合される保持テーブル４２によって形成される環状の吸引溝４１６に負圧が作用せしめられる。このように構成された本体４１は、円筒状の支持筒体３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。 The chuck table 4 will be described with reference to FIGS.
The chuck table 4 shown in FIGS. 2 and 3 is rotatably supported via a bearing 36 on a cylindrical support cylinder 34 disposed on the upper surface of the second sliding block 33. The chuck table 4 includes a cylindrical chuck table main body 41 and a holding table 42 made of quartz that is detachably mounted on the upper surface of the chuck table main body 41. The chuck table main body 41 includes a circular fitting recess 411 provided on the upper surface thereof, an annular step 412 provided surrounding the fitting recess 411, and an annular step 412 surrounding the annular step 412. An annular seal portion 413 formed, a communication passage 414 opening on the upper surface of the annular step portion 412, and the suction passage 415 communicating with the communication passage 414 are provided. The suction passage 415 opens to the bottom surface of the circular fitting recess 411 and communicates with a suction means (not shown). Therefore, when a suction means (not shown) is operated, negative pressure is applied to the circular fitting recess 411 through the suction passage 415, and the annular step 412 and the annular seal portion 413 and the like through the suction passage 415 and the communication passage 414. A negative pressure is applied to the annular suction groove 416 formed by the holding table 42 fitted in the circular fitting recess 411. The main body 41 configured in this manner is rotated by a pulse motor (not shown) disposed in a cylindrical support cylinder 34.

上記着脱可能に嵌合される保持テーブル４２は、厚さが２〜５ｍｍの石英板からなっており、その上面が後述するウエーハを保持する保持面４２１として機能する。なお、保持面４２１には、全面に渡って外周に達する複数の溝４２１aが形成されている。この複数の溝４２１aは、幅２０μm、深さ２０μm m、溝間隔２０μmに設定されており、溝形状はV字状でもU字状でもよい。このような溝を形成するには、半導体ウエーハ等をストリートに沿って切断する切削装置を用いて、切削ブレードの切り込み送り量を所定の値に設定することにより形成することができる。 The detachably fitted holding table 42 is made of a quartz plate having a thickness of 2 to 5 mm, and its upper surface functions as a holding surface 421 for holding a wafer described later. The holding surface 421 is formed with a plurality of grooves 421a that reach the outer periphery over the entire surface. The plurality of grooves 421a are set to have a width of 20 μm, a depth of 20 μm, and a groove interval of 20 μm, and the groove shape may be V-shaped or U-shaped. Such a groove can be formed by setting a cutting blade feed amount to a predetermined value using a cutting device that cuts a semiconductor wafer or the like along a street.

なお、上記チャックテーブル本体４１の上部外周には、環状の溝４１７が形成されている。この環状の溝４１７内には４個のクランプ４４の基部が配設され、このクランプ４４の基部がチャックテーブル本体４１に適宜の固定手段によって取付けられている。また、円筒状の支持筒体３４の上端には、カバーテーブル３５が載置される。 An annular groove 417 is formed on the upper outer periphery of the chuck table main body 41. The bases of the four clamps 44 are disposed in the annular groove 417, and the bases of the clamps 44 are attached to the chuck table main body 41 by appropriate fixing means. A cover table 35 is placed on the upper end of the cylindrical support cylinder 34.

図１に戻って説明を続けると、上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられる。 Returning to FIG. 1 and continuing the description, the first sliding block 32 is provided with a pair of guided grooves 321 and 321 fitted to the pair of guide rails 31 and 31 on the lower surface thereof. A pair of guide rails 322 and 322 formed in parallel along the index feed direction indicated by the arrow Y are provided on the upper surface. The first sliding block 32 configured in this way is processed by the arrow X along the pair of guide rails 31, 31 when the guided grooves 321, 321 are fitted into the pair of guide rails 31, 31. It is configured to be movable in the feed direction. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes a machining feed means 37 for moving the first sliding block 32 along the pair of guide rails 31 and 31 in the machining feed direction indicated by the arrow X. The processing feed means 37 includes a male screw rod 371 disposed in parallel between the pair of guide rails 31 and 31, and a drive source such as a pulse motor 372 for rotationally driving the male screw rod 371. One end of the male screw rod 371 is rotatably supported by a bearing block 373 fixed to the stationary base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 372 by transmission. The male screw rod 371 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the first sliding block 32. Therefore, when the male screw rod 371 is driven to rotate forward and backward by the pulse motor 372, the first sliding block 32 is moved along the guide rails 31, 31 in the machining feed direction indicated by the arrow X.

上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動させるための第１の割り出し送り手段３８を具備している。第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。 The second sliding block 33 is provided with a pair of guided grooves 331 and 331 which are fitted to a pair of guide rails 322 and 322 provided on the upper surface of the first sliding block 32 on the lower surface thereof. By fitting the guided grooves 331 and 331 to the pair of guide rails 322 and 322, the guided grooves 331 and 331 are configured to be movable in the indexing and feeding direction indicated by the arrow Y. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment is for moving the second slide block 33 along the pair of guide rails 322 and 322 provided in the first slide block 32 in the index feed direction indicated by the arrow Y. First index feeding means 38 is provided. The first index feed means 38 includes a male screw rod 381 disposed in parallel between the pair of guide rails 322 and 322, and a drive source such as a pulse motor 382 for rotationally driving the male screw rod 381. It is out. One end of the male screw rod 381 is rotatably supported by a bearing block 383 fixed to the upper surface of the first sliding block 32, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 382. The male screw rod 381 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the second sliding block 33. Therefore, when the male screw rod 381 is driven to rotate forward and reversely by the pulse motor 382, the second slide block 33 is moved along the guide rails 322 and 322 in the index feed direction indicated by the arrow Y.

上記レーザー光線照射ユニット支持機構５は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール５１、５１と、該案内レール５１、５１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台５２を具備している。この可動支持基台５２は、案内レール５１、５１上に移動可能に配設された移動支持部５２１と、該移動支持部５２１に取付けられた装着部５２２とからなっている。装着部５２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向に延びる一対の案内レール５２３、５２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構５は、可動支持基台５２を一対の案内レール５１、５１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動させるための第２の割り出し送り手段５３を具備している。第２の割り出し送り手段５３は、上記一対の案内レール５１、５１の間に平行に配設された雄ネジロッド５３１と、該雄ネジロッド５３１を回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド５３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ５３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド５３１は、可動支持基台５２を構成する移動支持部５２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ５３２によって雄ネジロッド５３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台５２は案内レール５１、５１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。 The laser beam irradiation unit support mechanism 5 includes a pair of guide rails 51, 51 disposed in parallel along the indexing feed direction indicated by the arrow Y on the stationary base 2, and the arrow Y on the guide rails 51, 51. The movable support base 52 is provided so as to be movable in the direction indicated by. The movable support base 52 includes a movement support portion 521 that is movably disposed on the guide rails 51, 51, and a mounting portion 522 that is attached to the movement support portion 521. The mounting portion 522 is provided with a pair of guide rails 523 and 523 extending in the direction indicated by the arrow Z on one side surface in parallel. The laser beam irradiation unit support mechanism 5 in the illustrated embodiment includes a second index feed means 53 for moving the movable support base 52 along the pair of guide rails 51, 51 in the index feed direction indicated by the arrow Y. doing. The second index feeding means 53 includes a male screw rod 531 disposed in parallel between the pair of guide rails 51, 51, and a drive source such as a pulse motor 532 for rotationally driving the male screw rod 531. It is out. One end of the male screw rod 531 is rotatably supported by a bearing block (not shown) fixed to the stationary base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 532. The male screw rod 531 is screwed into a female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the moving support portion 521 constituting the movable support base 52. For this reason, by driving the male screw rod 531 forward and backward by the pulse motor 532, the movable support base 52 is moved along the guide rails 51, 51 in the index feed direction indicated by the arrow Y.

図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット６は、ユニットホルダ６１と、該ユニットホルダ６１に取付けられたレーザー光線照射手段６２を具備している。ユニットホルダ６１は、上記装着部５２２に設けられた一対の案内レール５２３、５２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝６１１、６１１が設けられており、この被案内溝６１１、６１１を上記案内レール５２３、５２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。 The laser beam irradiation unit 6 in the illustrated embodiment includes a unit holder 61 and laser beam irradiation means 62 attached to the unit holder 61. The unit holder 61 is provided with a pair of guided grooves 611 and 611 that are slidably fitted to a pair of guide rails 523 and 523 provided in the mounting portion 522. By being fitted to the guide rails 523 and 523, the guide rails 523 and 523 are supported so as to be movable in the direction indicated by the arrow Z.

図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット６は、ユニットホルダ６１を一対の案内レール５２３、５２３に沿って矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動させるための移動手段６３を具備している。移動手段６３は、一対の案内レール５２３、５２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ６３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ６３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ６１およびレーザビーム照射手段６２を案内レール５２３、５２３に沿って矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ６３２を正転駆動することによりレーザー光線照射手段６２を上方に移動し、パルスモータ６３２を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段６２を下方に移動するようになっている。 The laser beam irradiation unit 6 in the illustrated embodiment includes a moving means 63 for moving the unit holder 61 along the pair of guide rails 523 and 523 in the direction indicated by the arrow Z (Z-axis direction). The moving means 63 includes a male screw rod (not shown) disposed between the pair of guide rails 523 and 523, and a drive source such as a pulse motor 632 for rotationally driving the male screw rod. By driving the male screw rod (not shown) in the forward and reverse directions by the motor 632, the unit holder 61 and the laser beam irradiation means 62 are moved along the guide rails 523 and 523 in the direction indicated by the arrow Z (Z-axis direction). In the illustrated embodiment, the laser beam irradiation means 62 is moved upward by driving the pulse motor 632 forward, and the laser beam irradiation means 62 is moved downward by driving the pulse motor 632 in the reverse direction. Yes.

図示のレーザー光線照射手段６２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング６２１を含んでいる。ケーシング６２１内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング６２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器６２２が装着されている。 The illustrated laser beam application means 62 includes a cylindrical casing 621 arranged substantially horizontally. In the casing 621, a pulsed laser beam oscillation means including a pulsed laser beam oscillator and a repetition frequency setting means (not shown) are arranged. A condenser 622 for condensing the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillating means is attached to the tip of the casing 621.

上記レーザー光線照射手段６２を構成するケーシング６２１の先端部には、チャックテーブル４に保持された被加工物の上記レーザー光線照射手段６２によってレーザー加工すべき加工領域およびチャックテーブル４の保持テーブル４２の保持面を撮像する撮像手段７が配設されている。この撮像手段７は、撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。 At the front end of the casing 621 constituting the laser beam irradiation means 62, the processing area of the workpiece held by the chuck table 4 to be laser processed by the laser beam irradiation means 62 and the holding surface of the holding table 42 of the chuck table 4. An image pickup means 7 is provided for picking up images. The image pickup means 7 is composed of an image pickup device (CCD) or the like, and sends the picked up image signal to a control means (not shown).

次に、上述したレーザー加工装置によって加工されるウエーハについて、図４を参照して説明する。図４に示す半導体ウエーハ１０は、厚さが例えば１００μmのシリコンウエーハからなり、その表面１０aには複数のストリート１０１が格子状に形成されているとともに複数のストリート１０１によって区画された複数の領域にデバイス１０２が形成されている。 Next, a wafer processed by the laser processing apparatus described above will be described with reference to FIG. A semiconductor wafer 10 shown in FIG. 4 is made of a silicon wafer having a thickness of, for example, 100 μm, and a plurality of streets 101 are formed in a lattice shape on the surface 10 a and are divided into a plurality of regions partitioned by the plurality of streets 101. A device 102 is formed.

上述した半導体ウエーハ１０を上記レーザー加工装置によって加工するには、半導体ウエーハ１０を図５に示すよう環状のフレームFに装着された粘着テープTに貼着する。このとき、半導体ウエーハ１０は、表面１０ａを上にして裏面側を粘着テープTに貼着する。なお、粘着テープTは、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等の樹脂シートからなっている。 In order to process the semiconductor wafer 10 described above with the laser processing apparatus, the semiconductor wafer 10 is attached to an adhesive tape T mounted on an annular frame F as shown in FIG. At this time, the semiconductor wafer 10 is adhered to the adhesive tape T with the back surface side facing up. The adhesive tape T is made of a resin sheet such as polyvinyl chloride (PVC).

次に、上述した半導体ウエーハ１０のストリート１０１に沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー光線照射工程について説明する。
先ず、図５に示すように環状のフレームFに粘着テープTを介して支持された半導体ウエーハ１０を、図６に示すようにレーザー加工装置のチャックテーブル４上に粘着テープT側を載置する。そして、環状のフレームFをクランプ４４によって固定する。この状態で、粘着テープTの外周部がチャックテーブル本体４１の環状のシール部４１３に接触する。次に、図示しない吸引手段を作動すると、吸引通路４１５を通して円形状の嵌合凹部４１１に負圧が作用せしめられるとともに、吸引通路４１５および連通路４１４を通して環状の吸引溝４１６と保持テーブル４２の保持面４２１に形成された複数の溝４２１aに負圧が作用せしめられる。この結果、円形状の嵌合凹部４１１に嵌合された保持テーブル４２が吸引保持されるとともに、粘着テープTの下面に負圧が作用し、粘着テープTにおける半導体ウエーハ１０が貼着している領域が保持テーブル４２の保持面４２１に吸引保持される。このとき、保持テーブル４２の保持面４２１には全面に渡って外周に達する複数の溝４２１aが形成されているので、該複数の溝４２１aに負圧が作用するため、保持面４２１に粘着テープTにおける半導体ウエーハ１０が貼着している領域を確実に吸引保持することができる。 Next, a laser beam irradiation process for forming a laser processed groove along the street 101 of the semiconductor wafer 10 will be described.
First, as shown in FIG. 5, the semiconductor wafer 10 supported by the annular frame F via the adhesive tape T is placed on the chuck table 4 of the laser processing apparatus as shown in FIG. . Then, the annular frame F is fixed by the clamp 44. In this state, the outer peripheral portion of the adhesive tape T contacts the annular seal portion 413 of the chuck table main body 41. Next, when a suction means (not shown) is operated, negative pressure is applied to the circular fitting recess 411 through the suction passage 415, and the annular suction groove 416 and the holding table 42 are held through the suction passage 415 and the communication passage 414. Negative pressure is applied to the plurality of grooves 421a formed in the surface 421. As a result, the holding table 42 fitted in the circular fitting recess 411 is sucked and held, and negative pressure acts on the lower surface of the adhesive tape T, so that the semiconductor wafer 10 on the adhesive tape T is adhered. The region is sucked and held on the holding surface 421 of the holding table 42. At this time, since the holding surface 421 of the holding table 42 is formed with a plurality of grooves 421a reaching the outer periphery over the entire surface, a negative pressure acts on the plurality of grooves 421a, so that the adhesive tape T is applied to the holding surface 421. The area where the semiconductor wafer 10 is adhered can be reliably sucked and held.

上述したように半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル４は、加工送り手段３７の作動により撮像手段７の直下に位置付けられる。チャックテーブル４が撮像手段７の直下に位置付けられると、撮像手段７および制御手段８によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段７および制御手段８は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されているストリート１０１と、ストリート１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２の集光器６２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ１０に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びるストリート１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。 As described above, the chuck table 4 that sucks and holds the semiconductor wafer 10 is positioned directly below the imaging unit 7 by the operation of the processing feed unit 37. When the chuck table 4 is positioned directly below the image pickup means 7, the image pickup means 7 and the control means 8 execute an alignment operation for detecting a processing region to be laser processed on the semiconductor wafer 10. That is, the imaging unit 7 and the control unit 8 align the street 101 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 10 with the condenser 622 of the laser beam irradiation unit 62 that irradiates the laser beam along the street 101. Image processing such as pattern matching is performed to align the laser beam irradiation position. The alignment of the laser beam irradiation position is similarly performed on the street 101 formed in the semiconductor wafer 10 and extending in a direction orthogonal to the predetermined direction.

以上のようにしてチャックテーブル４上に保持された半導体ウエーハ１０に形成されているストリート１０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図７の(a)で示すようにチャックテーブル４を集光器６２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート１０１を集光器６２２の直下に位置付ける。このとき、半導体ウエーハ１０は、ストリート１０１の一端(図７の(a)において左端)が集光器６２２の直下に位置するように位置付けられる。次に、レーザー光線照射手段６２を作動し集光器６２２からシリコンウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ、チャックテーブル４を図７の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（レーザー加工溝形成工程）。そして、ストリート１０１の他端が図７の(b)に示すように集光器６２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ１０の表面１０aには、図７の(b)に示すようにストリート１０１に沿ってレーザー加工溝１１０が形成される。このレーザー加工溝形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐをストリート２３の表面付近に合わせる。 When the street 101 formed on the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 4 is detected as described above and alignment of the laser beam irradiation position is performed, the chuck as shown in FIG. The table 4 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 622 is located, and a predetermined street 101 is positioned immediately below the condenser 622. At this time, the semiconductor wafer 10 is positioned so that one end of the street 101 (the left end in FIG. 7A) is located immediately below the condenser 622. Next, the chuck table 4 is moved in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 7A while activating the laser beam irradiation means 62 and irradiating the silicon wafer with a pulsed laser beam having an absorptive wavelength from the condenser 622. Move at a predetermined processing feed rate (laser processing groove forming step). When the other end of the street 101 reaches a position immediately below the condenser 622 as shown in FIG. 7B, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 4 is stopped. As a result, a laser processed groove 110 is formed along the street 101 on the surface 10a of the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. In this laser processing groove forming step, the condensing point P of the pulse laser beam is matched with the vicinity of the surface of the street 23.

上記レーザー加工溝形成工程おける加工条件は、次のように設定されている。
光源：YVO4レーザーまたはYAGレーザー
波長：３５５ｎｍ
繰り返し周波数：２０kHz
平均出力：５W
スポット径：φ１０μｍ
加工送り速度：１００ｍｍ／秒 The processing conditions in the laser processing groove forming step are set as follows.
Light source: YVO4 laser or YAG laser Wavelength: 355nm
Repetition frequency: 20kHz
Average output: 5W
Spot diameter: φ10μm
Processing feed rate: 100 mm / sec

上述したレーザー加工溝形成工程を半導体ウエーハ１０に所定方向に形成された全てのストリート１０１に沿って実施したならば、チャックテーブル４を９０度回動して該チャックテーブル４に保持されている半導体ウエーハ１０を９０度回動する。そして、半導体ウエーハ１０に上記所定方向と直交する方向に形成された全てのストリート１０１に沿って上述したレーザー加工溝形成工程を実施する。このようにして全てのストリート１０１に沿ってレーザー加工溝１１０が形成された半導体ウエーハ１０は、レーザー加工溝１１０に沿って個々のデバイスに分割する分割工程に搬送される。 If the above-mentioned laser processing groove forming step is performed along all the streets 101 formed in the semiconductor wafer 10 in a predetermined direction, the semiconductor held on the chuck table 4 by rotating the chuck table 4 by 90 degrees. The wafer 10 is rotated 90 degrees. Then, the laser processing groove forming process described above is performed along all the streets 101 formed in the semiconductor wafer 10 in a direction orthogonal to the predetermined direction. The semiconductor wafer 10 in which the laser processing grooves 110 are formed along all the streets 101 in this way is transported to a dividing process for dividing the semiconductor wafer 10 into individual devices along the laser processing grooves 110.

上述したレーザー加工溝形成工程を実施した際に、半導体ウエーハ１０をオーバーランして粘着テープTにレーザー光線が照射されることがある。このようにして粘着テープTにレーザー光線が照射されると、粘着テープTを支持しているチャックテーブル４の保持テーブル４２は石英によって形成されているので、上記波長のレーザー光線は透過するために加熱されることはない。しかるに、粘着テープTはレーザー光線の一部を吸収することにより溶融する。この結果、図８に示すように保持テーブル４２の保持面４２１に粘着テープTの溶融部が付着物Gとして付着する。このように保持テーブル４２の保持面４２１に付着した付着物Gは、次回のレーザー加工溝形成工程を実施した際に粘着テープTの溶融を促進する要因となる。また、半導体ウエーハ１０にレーザー光線が照射されることによって半導体ウエーハ１０が加熱され、この熱によって粘着テープTが溶融することにより溶融部が保持テーブル４２の保持面４２１に付着する場合もある。従って、保持テーブル４２の保持面４２１に付着した付着物Gを除去する必要がある。 When the laser processing groove forming step described above is performed, the semiconductor wafer 10 may be overrun and the adhesive tape T may be irradiated with a laser beam. When the adhesive tape T is irradiated with the laser beam in this way, the holding table 42 of the chuck table 4 supporting the adhesive tape T is formed of quartz, so that the laser beam having the above wavelength is heated to transmit. Never happen. However, the adhesive tape T melts by absorbing a part of the laser beam. As a result, the melted portion of the adhesive tape T adheres to the holding surface 421 of the holding table 42 as the deposit G as shown in FIG. Thus, the deposit G adhering to the holding surface 421 of the holding table 42 becomes a factor for promoting the melting of the adhesive tape T when the next laser processing groove forming step is performed. In addition, the semiconductor wafer 10 is heated by irradiating the semiconductor wafer 10 with a laser beam, and the adhesive tape T is melted by this heat, so that the melted portion may adhere to the holding surface 421 of the holding table 42. Therefore, it is necessary to remove the deposit G attached to the holding surface 421 of the holding table 42.

以下、チャックテーブル４の保持テーブル４２の保持面４２１に付着した付着物Gを除去する方法について説明する。
先ず、チャックテーブル４のチャックテーブル本体４１に形成された嵌合凹部４１１に着脱可能に嵌合された保持テーブル４２をチャックテーブル本体４１から取り外す。次に、チャックテーブル本体４１から取り外した保持テーブル４２を、図９に示すように加熱炉２０の支持台２０１上に保持面４２１を上にして載置する。そして、加熱炉２０の支持台２０１に載置された保持テーブル４２を加熱する。石英によって形成された保持テーブル４２を加熱すると、加熱の仕方によっては熱歪が発生して保持面４２１の面精度が維持できない場合がある。そこで本発明においては、次のとおり加熱する。即ち、加熱温度は３５０〜６５０℃の範囲に設定する必要がある。加熱温度が３５０℃より低いとチャックテーブル４の保持テーブル４２の保持面４２１に付着した付着物Gを焼失即ち酸化または昇華することができず、加熱温度が６５０℃より高いと石英によって形成された保持テーブル４２に熱歪が発生して保持面４２１の面精度が低下する。そして、加熱温度が３５０℃の場合は加熱時間は４時間程度維持する必要があり、加熱温度が６５０℃の場合は加熱時間は１時間程度でよい。また、常温から上記加熱温度に達するまでの加熱速度を所定の範囲に設定することが望ましい。即ち、加熱速度が３℃／分より速いと石英によって形成された保持テーブル４２に割れが発生し、加熱速度が２℃／分より遅いと保持テーブル４２の保持面４２１に付着した付着物Gの焼失に長時間を要してしまう。従って、保持テーブル４２の保持面４２１に付着した付着物Gの焼失する条件としては、加熱温度を３５０〜６５０℃の範囲に設定し、この加熱温度に達するまでの加熱速度を２〜３℃／分に設定して、上記加熱温度に達したら加熱温度に対応した所定時間（４〜１時間）加熱温度を維持することが望ましい。そして、所定の加熱時間が経過したならば、自然冷却する。このように加熱条件を設定することにより、石英によって形成された保持テーブル４２に割れが発生したり保持面４２１の面精度を低下させることなく、保持面４２１に付着した付着物Gを残存が確認できない程度に焼失することができる。 Hereinafter, a method for removing the deposit G attached to the holding surface 421 of the holding table 42 of the chuck table 4 will be described.
First, the holding table 42 detachably fitted in the fitting recess 411 formed in the chuck table main body 41 of the chuck table 4 is removed from the chuck table main body 41. Next, the holding table 42 removed from the chuck table main body 41 is placed on the support table 201 of the heating furnace 20 with the holding surface 421 facing upward as shown in FIG. Then, the holding table 42 placed on the support table 201 of the heating furnace 20 is heated. When the holding table 42 made of quartz is heated, thermal distortion may occur depending on the heating method, and the surface accuracy of the holding surface 421 may not be maintained. Therefore, in the present invention, heating is performed as follows. That is, the heating temperature needs to be set in the range of 350 to 650 ° C. When the heating temperature is lower than 350 ° C., the deposit G adhering to the holding surface 421 of the holding table 42 of the chuck table 4 cannot be burned out, that is, oxidized or sublimated, and when the heating temperature is higher than 650 ° C., it is formed of quartz. Thermal distortion occurs in the holding table 42, and the surface accuracy of the holding surface 421 decreases. When the heating temperature is 350 ° C., the heating time needs to be maintained for about 4 hours, and when the heating temperature is 650 ° C., the heating time may be about 1 hour. Moreover, it is desirable to set the heating rate until it reaches the said heating temperature from normal temperature to a predetermined range. That is, if the heating rate is higher than 3 ° C./min, the holding table 42 formed of quartz is cracked, and if the heating rate is lower than 2 ° C./min, the deposit G adhering to the holding surface 421 of the holding table 42 is generated. It takes a long time to burn out. Accordingly, as a condition for burning out the deposit G attached to the holding surface 421 of the holding table 42, the heating temperature is set in a range of 350 to 650 ° C., and the heating rate until the heating temperature is reached is 2 to 3 ° C. / It is desirable to set the minute and maintain the heating temperature for a predetermined time (4 to 1 hour) corresponding to the heating temperature when the heating temperature is reached. When a predetermined heating time has elapsed, natural cooling is performed. By setting the heating conditions in this way, it is confirmed that the deposit G attached to the holding surface 421 remains without causing cracks in the holding table 42 formed of quartz or reducing the surface accuracy of the holding surface 421. It can be burned to the extent that it cannot.

レーザー加工装置の斜視図Perspective view of laser processing equipment 図１に示すレーザー加工装置に装備されるチャックテーブルの斜視図。The perspective view of the chuck table with which the laser processing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図２に示すチャックテーブルの断面図。Sectional drawing of the chuck table shown in FIG. 被加工物としての半導体ウエーハを示す斜視図。The perspective view which shows the semiconductor wafer as a to-be-processed object. 図４に示す半導体ウエーハが環状のフレームに粘着テープを介して支持された状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state by which the semiconductor wafer shown in FIG. 4 was supported by the cyclic | annular flame | frame via the adhesive tape. 環状のフレームに粘着テープを介して支持された半導体ウエーハをレーザー加工装置のチャックテーブル上に保持した状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state which hold | maintained the semiconductor wafer supported by the cyclic | annular flame | frame via the adhesive tape on the chuck table of a laser processing apparatus. 図１に示すレーザー加工装置によって実施するレーザー加工溝形成工程の説明図。Explanatory drawing of the laser processing groove | channel formation process implemented with the laser processing apparatus shown in FIG. 図２に示すチャックテーブルを構成する保持テーブルの保持面に付着物が付着した状態を示す説明図。FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a state in which deposits are attached to a holding surface of a holding table constituting the chuck table shown in FIG. 2. 本発明によるチャックテーブルの付着物除去方法の説明図。Explanatory drawing of the deposit removal method of the chuck table by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１：レーザー加工装置
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３２：第１の滑動ブロック
３３：第２の滑動ブロック
３７：加工送り手段
３７４：加工送り位置検出手段
３８：第１の割り出し送り手段
３８４：割り出し送り位置検出手段
４：チャックテーブル
４１：チャックテーブル本体
４２：保持テーブル
５：レーザー光線照射ユニット支持機構
５２：可動支持基台
５３：第２の割り出し送り手段
６：レーザー光線照射ユニット
６１：ユニットホルダ
６２：レーザー光線照射手段
６２２：パルスレーザー光線発振手段
６２４：集光器
６３：移動手段
７：撮像手段
８：制御手段
１０：半導体ウエーハ
２０：加熱炉
F：環状のフレーム
T：粘着テープ 1: Laser processing device 2: Stationary base 3: Chuck table mechanism 32: First sliding block 33: Second sliding block 37: Processing feed means 374: Processing feed position detection means 38: First index feed means 384 : Index feed position detection means 4: Chuck table 41: Chuck table main body 42: Holding table 5: Laser beam irradiation unit support mechanism 52: Movable support base 53: Second index feed means 6: Laser beam irradiation unit 61: Unit holder 62 : Laser beam irradiation means 622: Pulsed laser beam oscillation means 624: Light collector 63: Moving means 7: Imaging means 8: Control means 10: Semiconductor wafer 20: Heating furnace
F: Ring frame
T: Adhesive tape

Claims

被加工物を保持する保持面を有する石英からなる保持テーブルを備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段とを具備し、該保持テーブルの保持面に粘着テープを介して保持された被加工物にレーザー光線を照射することにより該粘着テープが溶融して該保持テーブルの保持面に付着した付着物を除去するチャックテーブルの付着物除去方法であって、
該保持テーブルはチャックテーブル本体に着脱可能に装着されており、該保持面に該付着物が付着した該保持テーブルを該チャックテーブル本体から外して加熱炉によって３５０〜６５０℃の加熱温度で加熱するとともに、該加熱温度に達するまでの加熱速度を２〜３℃／分に設定し、該加熱温度に達したら加熱温度に対応した所定時間該加熱温度を維持することにより、該保持テーブルの保持面に付着した付着物を焼失せしめる、
ことを特徴とするチャックテーブルの付着物除去方法。 A chuck table having a holding table made of quartz having a holding surface for holding a workpiece, and a laser beam irradiation means for irradiating a workpiece with a laser beam to the workpiece, and holding the holding table This is a chuck table deposit removal method for removing deposits adhered to the holding surface of the holding table by irradiating the workpiece held on the surface with the laser beam to melt the adhesive tape. And
The holding table is detachably attached to the chuck table main body, and the holding table with the attached matter attached to the holding surface is removed from the chuck table main body and heated at a heating temperature of 350 to 650 ° C. by a heating furnace. In addition, the heating rate until reaching the heating temperature is set to 2 to 3 ° C./min, and when the heating temperature is reached, the heating temperature is maintained for a predetermined time corresponding to the heating temperature, thereby holding the holding surface of the holding table. Burn off the deposits that adhere to the
A method for removing deposits on a chuck table.