JP2014093445A - Method for processing optical device wafer - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for processing an optical device wafer capable of dividing an optical device wafer into individual optical devices which can sufficiently emit light emitted from a light-emitting layer.SOLUTION: A method for processing an optical device wafer includes the steps of: forming a laser processing groove 201 serving as a fracture base point by irradiating a region corresponding to a street 22 with a laser beam of a wavelength having absorptivity to a substrate 20 of an optical device wafer 2; positioning a cutting blade 523 with an annular cutting edge 525 having a V-shaped cross section in an outer peripheral end thereof at the laser processing groove 201 formed on the substrate 20, removing an altered substance generated when the laser processing groove was formed by relatively moving the outer peripheral end of the cutting edge along the laser processing groove 201 while rotating the cutting blade 523, and forming a groove 203 having the V-shaped cross section (groove processing step); and applying external force to the optical device wafer 2 and dividing the optical device wafer 2 into individual optical devices by fracturing the wafer along the V-shaped groove 203 (wafer dividing step).

Description

本発明は、基板の表面に発光層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、ストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法に関する。   The present invention relates to an optical device wafer in which optical devices are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets formed by laminating a light emitting layer on a surface of a substrate, and to each optical device along the streets. The present invention relates to a method of processing an optical device wafer to be divided.

光デバイス製造工程においては、略円板形状であるサファイア基板、炭化珪素基板、窒化ガリウム基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスを形成して光デバイスウエーハを構成する。そして、光デバイスウエーハをストリートに沿って切断することにより光デバイスが形成された領域を分割して個々の光デバイスを製造している。   In the optical device manufacturing process, a light-emitting layer made of a gallium nitride compound semiconductor is stacked on the surface of a substantially sapphire substrate, silicon carbide substrate, or gallium nitride substrate, and is partitioned by a plurality of streets formed in a lattice shape. In addition, optical devices such as light emitting diodes and laser diodes are formed in a plurality of regions to constitute an optical device wafer. Then, the optical device wafer is cut along the streets to divide the region where the optical device is formed to manufacture individual optical devices.

上述した光デバイスウエーハのストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。   The above-mentioned cutting along the street of the optical device wafer is usually performed by a cutting device called a dicer. The cutting apparatus includes a chuck table for holding a workpiece, a cutting means for cutting the workpiece held on the chuck table, and a cutting feed means for relatively moving the chuck table and the cutting means. It has. The cutting means includes a rotary spindle, a cutting blade mounted on the spindle, and a drive mechanism that rotationally drives the rotary spindle. The cutting blade is composed of a disk-shaped base and an annular cutting edge mounted on the outer periphery of the side surface of the base. The cutting edge is fixed to the base by electroforming, for example, diamond abrasive grains having a particle size of about 3 μm. It is formed to a thickness of about 20 μm.

しかるに、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板、炭化珪素基板、窒化ガリウム基板等はモース硬度が高いため、上記切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。従って、切削ブレードの切り込み量を大きくすることができず、切削工程を複数回実施して光デバイスウエーハを切断するため、生産性が悪いという問題がある。   However, since the sapphire substrate, silicon carbide substrate, gallium nitride substrate and the like constituting the optical device wafer have high Mohs hardness, cutting with the cutting blade is not always easy. Therefore, the cutting amount of the cutting blade cannot be increased, and the optical device wafer is cut by performing the cutting process a plurality of times, so that the productivity is poor.

上述した問題を解消するために、光デバイスウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射することにより破断の起点となるレーザー加工溝を形成し、この破断の起点となるレーザー加工溝が形成されたストリートに沿って外力を付与することにより割断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）   In order to solve the above-mentioned problems, as a method of dividing the optical device wafer along the street, laser processing that becomes the starting point of breakage by irradiating the wafer with a pulsed laser beam having a wavelength that absorbs the wafer. There has been proposed a method of forming a groove and cleaving it by applying an external force along the street where the laser-processed groove that is the starting point of the fracture is formed. (For example, refer to Patent Document 1.)

しかるに、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板、炭化珪素基板、窒化ガリウム基板の表面に形成されたストリートに沿って基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成すると、発光ダイオード等の光デバイスの側壁面にレーザー加工時に生成される変質物質が付着して光デバイスの輝度が低下し、光デバイスの品質が低下するという問題がある。   However, when the laser processing groove is formed by irradiating the substrate with a laser beam having an absorptive wavelength along the street formed on the surface of the sapphire substrate, silicon carbide substrate, and gallium nitride substrate constituting the optical device wafer, There is a problem in that a denatured material generated during laser processing adheres to the side wall surface of an optical device such as a light emitting diode, thereby lowering the brightness of the optical device and reducing the quality of the optical device.

この問題を解消するために、光デバイスウエーハの基板に形成されたレーザー加工溝に沿って切削ブレードを回転しつつレーザー加工溝の壁面をナゾリながら移動することにより、レーザー加工溝形成時に生成された変質物質を除去した後に、光デバイスウエーハに外力を付与し、個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法が下記特許文献２に記載されている。   In order to solve this problem, it was generated at the time of laser processing groove formation by moving while cutting the wall of the laser processing groove while rotating the cutting blade along the laser processing groove formed on the substrate of the optical device wafer. Patent Document 2 below describes a processing method of an optical device wafer in which an external force is applied to the optical device wafer after the degenerated material is removed, and the optical device wafer is divided into individual optical devices.

特開平１０−３０５４２０号公報JP-A-10-305420 特開２０１１−１９９１３３号公報JP 2011-199133 A

而して、光デバイスウエーハを構成する基板に形成されたレーザー加工溝の壁面に付着した変質物質を除去しても発光層が発光した光はサファイア基板、炭化珪素基板、窒化ガリウム基板の内部に一部が閉じ込められ１００％の光を放出することができないという問題がある。   Thus, the light emitted from the light-emitting layer even if the denatured material attached to the wall of the laser-processed groove formed on the substrate constituting the optical device wafer is removed is contained in the sapphire substrate, silicon carbide substrate, and gallium nitride substrate. There is a problem that some of the light is trapped and 100% of light cannot be emitted.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、光デバイスの品質を低下させることなく、発光層が発光した光を十分に放出することができる個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is to divide into individual optical devices that can sufficiently emit light emitted by the light emitting layer without degrading the quality of the optical device. Another object of the present invention is to provide a method for processing an optical device wafer.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に発光層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、ストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、
光デバイスウエーハの基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに対応する領域に照射し、破断基点となるレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、
基板に形成されたレーザー加工溝に外周端がV字状断面を有する環状の切れ刃を備えた切削ブレードを位置付け、該切削ブレードを回転しつつレーザー加工溝に沿って相対移動することにより、レーザー加工溝形成時に生成された変質物質を除去するとともに断面がV字状の溝を形成する溝加工工程と、
光デバイスウエーハに外力を付与し、光デバイスウエーハを該V字状の溝に沿って破断し個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。 In order to solve the above-described main technical problem, according to the present invention, an optical device wafer in which an optical device is formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets formed by laminating a light emitting layer on a surface of a substrate and forming a lattice shape. Is a method of processing an optical device wafer that divides an optical device into individual optical devices along a street,
A laser processing groove forming step of irradiating a region corresponding to the street with a laser beam having a wavelength having an absorptivity with respect to the substrate of the optical device wafer, and forming a laser processing groove serving as a fracture base point;
By positioning a cutting blade provided with an annular cutting edge having a V-shaped cross section at the outer peripheral end in a laser processing groove formed on the substrate, and moving relative to the laser processing groove while rotating the cutting blade, the laser A groove processing step of removing a degenerated material generated at the time of forming a processed groove and forming a groove having a V-shaped cross section,
A wafer dividing step of applying an external force to the optical device wafer and breaking the optical device wafer along the V-shaped groove to divide the wafer into individual optical devices.
An optical device wafer processing method is provided.

上記レーザー加工溝形成工程は、光デバイスウエーハの表面または裏面に実施する。
また、上記環状の切れ刃のV字状断面の角度は、４５〜９０度に設定することが望ましい。 The laser-processed groove forming step is performed on the front surface or the back surface of the optical device wafer.
The angle of the V-shaped cross section of the annular cutting edge is preferably set to 45 to 90 degrees.

本発明による光デバイスウエーハの加工方法においては、レーザー加工溝形成工程が実施され光デバイスウエーハの基板に形成されたレーザー加工溝に外周端がV字状断面を有する環状の切れ刃を備えた切削ブレードを位置付け、該切削ブレードを回転しつつレーザー加工溝に沿って相対移動することにより、レーザー加工溝形成時に生成された変質物質を除去するとともに断面がV字状の溝を形成するので、個々に分割された光デバイスは、基板の側壁面が光を吸収して輝度の低下を招く変質物質が除去されることに加え、基板の隅部に所定の角度で面取りが施されているので、発光層が発光した光が基板の内部に閉じ込められることなく十分に放出され輝度が向上する。   In the method for processing an optical device wafer according to the present invention, a laser processing groove forming step is performed and a laser processing groove formed on the substrate of the optical device wafer is provided with an annular cutting edge having an outer peripheral end having a V-shaped cross section. By positioning the blade and relatively moving along the laser processing groove while rotating the cutting blade, the altered material generated at the time of forming the laser processing groove is removed and a groove having a V-shaped cross section is formed. In the optical device divided into two, the side wall surface of the substrate absorbs light and the denatured material causing a decrease in luminance is removed, and the corner portion of the substrate is chamfered at a predetermined angle. The light emitted from the light emitting layer is sufficiently emitted without being confined inside the substrate, and the luminance is improved.

本発明による光デバイスウエーハの加工方法に従って加工される光デバイスウエーハを示す斜視図および要部拡大断面図。The perspective view and principal part expanded sectional view which show the optical device wafer processed according to the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程の説明図。Explanatory drawing of the wafer support process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるレーザー加工溝形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。The principal part perspective view of the laser processing apparatus for implementing the laser processing groove | channel formation process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるレーザー加工溝形成工程の説明図。Explanatory drawing of the laser processing groove | channel formation process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるV溝形成工程を実施するための切削装置の要部斜視図および切削ブレードを拡大して示す断面図。The main part perspective view and sectional drawing which expands and shows the cutting blade for implementing the V-groove formation process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるV溝形成工程の説明図。Explanatory drawing of the V-groove formation process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるウエーハ分割工程を実施するためのウエーハ破断装置の斜視図。The perspective view of the wafer fracture | rupture apparatus for implementing the wafer division | segmentation process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるウエーハ分割工程の説明図。Explanatory drawing of the wafer division | segmentation process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法によって光デバイスウエーハが個々に分割された光デバイスの斜視図。The perspective view of the optical device by which the optical device wafer was divided | segmented separately by the processing method of the optical device wafer by this invention.

以下、本発明による光デバイスウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a method for processing an optical device wafer according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１の(a)および(b)には、本発明による光デバイスウエーハの加工方法に従って加工される光デバイスウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図が示されている。図１の(a)および(b)に示す光デバイスウエーハ２は、例えば厚みが１００μmのサファイア基板２０の表面２０aに窒化物半導体からなる発光層（エピ層）２１が５μｍの厚みで積層されている。そして、発光層（エピ層）２１が格子状に形成された複数のストリート２２によって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイス２３が形成されている。以下、この光デバイスウエーハ２をストリート２２に沿って個々の光デバイス２３に分割する加工方法について説明する。   1A and 1B show a perspective view of an optical device wafer processed in accordance with the optical device wafer processing method according to the present invention and a cross-sectional view showing an enlarged main part. In the optical device wafer 2 shown in FIGS. 1A and 1B, a light emitting layer (epilayer) 21 made of a nitride semiconductor is laminated with a thickness of 5 μm on a surface 20a of a sapphire substrate 20 having a thickness of 100 μm, for example. Yes. An optical device 23 such as a light emitting diode or a laser diode is formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets 22 in which a light emitting layer (epi layer) 21 is formed in a lattice shape. Hereinafter, a processing method for dividing the optical device wafer 2 into the individual optical devices 23 along the streets 22 will be described.

先ず、光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の裏面２０bを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図２に示すように、環状のフレーム３の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ３０の表面に光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の裏面２０bを貼着する。   First, a wafer support process is performed in which the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 is attached to the surface of a dicing tape attached to an annular frame. That is, as shown in FIG. 2, the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 is attached to the surface of the dicing tape 30 with the outer peripheral portion mounted so as to cover the inner opening of the annular frame 3. .

上述したウエーハ支持工程を実施したならば、光デバイスウエーハ２のサファイア基板２０に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリート２２に対応する領域に照射し、破断基点となるレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程を実施する。このレーザー加工溝形成工程は、図３に示すレーザー加工装置４を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２と、チャックテーブル４１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段４３を具備している。チャックテーブル４１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図３において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。   When the wafer support process described above is performed, a laser beam having a wavelength that absorbs the sapphire substrate 20 of the optical device wafer 2 is irradiated to the area corresponding to the street 22 to form a laser processing groove that becomes a breakage starting point. A laser processing groove forming step is performed. This laser processing groove forming step is performed using a laser processing apparatus 4 shown in FIG. A laser processing apparatus 4 shown in FIG. 3 includes a chuck table 41 that holds a workpiece, laser beam irradiation means 42 that irradiates a workpiece held on the chuck table 41 with a laser beam, and a chuck table 41 that holds the workpiece. An image pickup means 43 for picking up an image of the processed workpiece is provided. The chuck table 41 is configured to suck and hold the workpiece. The chuck table 41 is moved in a processing feed direction indicated by an arrow X in FIG. 3 by a processing feed means (not shown) and is also shown in FIG. It can be moved in the index feed direction indicated by the arrow Y.

上記レーザー光線照射手段４２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング４２１を含んでいる。ケーシング４２１内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング４２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器４２２が装着されている。なお、レーザー光線照射手段４２は、集光器４２２によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段（図示せず）を備えている。   The laser beam application means 42 includes a cylindrical casing 421 arranged substantially horizontally. In the casing 421, pulse laser beam oscillation means including a pulse laser beam oscillator and repetition frequency setting means (not shown) are arranged. A condenser 422 for condensing the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillating means is attached to the tip of the casing 421. The laser beam irradiating unit 42 includes a condensing point position adjusting unit (not shown) for adjusting the condensing point position of the pulsed laser beam condensed by the condenser 422.

上記レーザー光線照射手段４２を構成するケーシング４２１の先端部に装着された撮像手段４３は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。   The image pickup means 43 attached to the tip of the casing 421 constituting the laser beam irradiation means 42 includes an illumination means for illuminating the workpiece, an optical system for capturing an area illuminated by the illumination means, and the optical system. An image pickup device (CCD) or the like for picking up the captured image is provided, and the picked-up image signal is sent to a control means (not shown).

上述したレーザー加工装置４を用いて、上記光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、破断基点となるレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程について、図３および図４を参照して説明する。
先ず、上述した図３に示すレーザー加工装置４のチャックテーブル４１上に光デバイスウエーハ２が貼着されたダイシングテープ３０側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープ３０を介して光デバイスウエーハ２をチャックテーブル４１上に保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル４１に保持された光デバイスウエーハ２は、表面２aが上側となる。なお、図３においてはダイシングテープ３０が装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレーム３はチャックテーブル４１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、光デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。 Laser that irradiates the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 with a laser beam having an absorptive wavelength along the street using the laser processing apparatus 4 described above to form a laser processing groove serving as a fracture base point. The process groove forming step will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
First, the dicing tape 30 side on which the optical device wafer 2 is adhered is placed on the chuck table 41 of the laser processing apparatus 4 shown in FIG. 3 described above. Then, the optical device wafer 2 is held on the chuck table 41 via the dicing tape 30 by operating a suction means (not shown) (wafer holding process). Therefore, the surface 2a of the optical device wafer 2 held by the chuck table 41 is on the upper side. In FIG. 3, the annular frame 3 to which the dicing tape 30 is attached is omitted, but the annular frame 3 is held by an appropriate frame holding means provided on the chuck table 41. In this way, the chuck table 41 that sucks and holds the optical device wafer 2 is positioned directly below the imaging unit 43 by a processing feed unit (not shown).

チャックテーブル４１が撮像手段４３の直下に位置付けられると、撮像手段４３および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２２と、該ストリート２２に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、光デバイスウエーハ２に上記所定方向と直交する方向に形成されたストリート２２に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。   When the chuck table 41 is positioned immediately below the image pickup means 43, an alignment operation for detecting a processing region to be laser processed of the optical device wafer 2 is executed by the image pickup means 43 and a control means (not shown). That is, the image pickup means 43 and the control means (not shown) are arranged between the street 22 formed in a predetermined direction of the optical device wafer 2 and the position of the condenser 422 of the laser beam irradiation means 42 that irradiates the laser beam along the street 22. Image processing such as pattern matching for alignment is executed, and alignment of the laser beam irradiation position is performed (alignment process). Similarly, alignment of the laser beam irradiation position is performed on the street 22 formed on the optical device wafer 2 in a direction orthogonal to the predetermined direction.

以上のようにしてチャックテーブル４１上に保持された光デバイスウエーハ２を構成する発光層（エピ層）２１の表面に形成されているストリート２２を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図４の（ａ）で示すようにチャックテーブル４１をレーザー光線照射手段４２の集光器４２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２２の一端（図４の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段４２の集光器４２２の直下に位置付ける。そして、集光器４２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを光デバイスウエーハ２の表面２a（上面）に合わせる。次に、集光器４２２からサファイア基板２０に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１を図４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図４の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段４２の集光器４２２の照射位置がストリート２２の他端（図４の（b）において右端）の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４１の移動を停止する。この結果、光デバイスウエーハ２の表面２a側には、図４の（b）および図４の(c)に示すようにストリート２２に沿って連続したレーザー加工溝２０１が形成される（レーザー加工溝形成工程）。このようにして形成されたレーザー加工溝２０１の壁面には、図４の(c)に示すように上記レーザー加工溝形成時に生成された変質物質２０２が付着している。   If the street 22 formed on the surface of the light emitting layer (epi layer) 21 constituting the optical device wafer 2 held on the chuck table 41 is detected as described above, and the alignment of the laser beam irradiation position is performed. For example, as shown in FIG. 4A, the chuck table 41 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 422 of the laser beam irradiation means 42 is located, and one end of the predetermined street 22 (the left end in FIG. 4A). ) Is positioned immediately below the condenser 422 of the laser beam irradiation means 42. Then, the condensing point P of the pulse laser beam irradiated from the condenser 422 is matched with the surface 2 a (upper surface) of the optical device wafer 2. Next, the chuck table 41 is moved at a predetermined processing feed rate in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 4A while irradiating the sapphire substrate 20 with a pulsed laser beam having an absorptive wavelength from the condenser 422. Let me. 4B, when the irradiation position of the condenser 422 of the laser beam irradiation means 42 reaches the position of the other end of the street 22 (the right end in FIG. 4B), the pulse laser beam irradiation is performed. And the movement of the chuck table 41 is stopped. As a result, a continuous laser processing groove 201 along the street 22 is formed on the surface 2a side of the optical device wafer 2 as shown in FIGS. 4B and 4C (laser processing groove). Forming step). On the wall surface of the laser-processed groove 201 formed in this way, as shown in FIG. 4 (c), the altered substance 202 generated when the laser-processed groove is formed adheres.

上記レーザー加工溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 ：半導体励起固体レーザー（Ｎｄ：YAG）
波長 ：３５５ｎｍのパルスレーザー
平均出力 ：３W
パルス幅 ：１８０ns
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
集光スポット径 ：φ２０μｍ
加工送り速度 ：６０ｍｍ／秒
溝深さ ：３０μｍ The processing conditions in the laser processing groove forming step are set as follows, for example.
Light source: Semiconductor pumped solid-state laser (Nd: YAG)
Wavelength: 355nm pulse laser Average output: 3W
Pulse width: 180ns
Repetition frequency: 100 kHz
Condensing spot diameter: φ20μm
Processing feed rate: 60 mm / second Groove depth: 30 μm

以上のようにして、光デバイスウエーハ２の所定方向に延在する全てのストリート２２に沿って上記レーザー加工溝形成工程を実施したならば、チャックテーブル４１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に形成された各ストリート２２に沿って上記レーザー加工溝形成工程を実施する。   When the laser processing groove forming step is performed along all the streets 22 extending in the predetermined direction of the optical device wafer 2 as described above, the chuck table 41 is rotated by 90 degrees to perform the predetermined direction. The laser processing groove forming step is performed along each street 22 formed in a direction orthogonal to the direction.

上述したレーザー加工溝形成工程を実施したならば、サファイア基板２０に形成されたレーザー加工溝２０１に外周端がV字状断面を有する環状の切れ刃を備えた切削ブレードを位置付け、切削ブレードを回転しつつレーザー加工溝に沿って相対移動することにより、レーザー加工溝形成時に生成された変質物質２０２を除去するとともに断面がV字状の溝を形成する溝加工工程を実施する。この溝加工工程は、図示の実施形態においては図５の(a)に示す切削装置５を用いて実施する。図５の(a)に示す切削装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を切削する切削手段５２と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している。チャックテーブル５１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図５において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。   If the above-mentioned laser processing groove forming step is carried out, a cutting blade having an annular cutting edge having an outer peripheral end having a V-shaped cross section is positioned in the laser processing groove 201 formed in the sapphire substrate 20, and the cutting blade is rotated. However, by performing relative movement along the laser processing groove, the altered material 202 generated at the time of forming the laser processing groove is removed, and a groove processing step of forming a groove having a V-shaped cross section is performed. In the illustrated embodiment, this grooving step is performed using a cutting device 5 shown in FIG. A cutting apparatus 5 shown in FIG. 5A is held by a chuck table 51 that holds a workpiece, cutting means 52 that cuts the workpiece held by the chuck table 51, and the chuck table 51. An image pickup means 53 for picking up an image of the workpiece is provided. The chuck table 51 is configured to suck and hold a workpiece. The chuck table 51 is moved in a processing feed direction indicated by an arrow X in FIG. 5 by a processing feed means (not shown) and is indicated by an arrow Y by an index feed means (not shown). It can be moved in the index feed direction shown.

上記切削手段５２は、実質上水平に配置されたスピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持された回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の先端部に装着された切削ブレード５２３を含んでおり、回転スピンドル５２２がスピンドルハウジング５２１内に配設された図示しないサーボモータによって矢印５２３aで示す方向に回転せしめられるようになっている。切削ブレード５２３は、図５の(b)に示すように基台５２４と、該基台５２４の側面外周部に装着された環状の切れ刃５２５とからなっている。環状の切れ刃５２５は、基台５２４の側面外周部に粒径が３〜４μｍのダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めた電鋳ブレードからなっており、厚みが４０μｍで外径が５２mmに形成されている。このように形成された環状の切れ刃５２５は、外周端が断面V字状に形成されている。このV字状断面の角度（θ）は、図示の実施形態においては６０度に設定されている。なお、なお、環状の切れ刃５２５のV字状断面の角度（θ）は、４５〜９０度の範囲に設定することが望ましい。   The cutting means 52 includes a spindle housing 521 arranged substantially horizontally, a rotating spindle 522 rotatably supported on the spindle housing 521, and a cutting blade 523 mounted on the tip of the rotating spindle 522. The rotating spindle 522 is rotated in the direction indicated by the arrow 523a by a servo motor (not shown) disposed in the spindle housing 521. As shown in FIG. 5B, the cutting blade 523 includes a base 524 and an annular cutting edge 525 attached to the outer peripheral portion of the side surface of the base 524. The annular cutting edge 525 is composed of an electroformed blade in which diamond abrasive grains having a particle diameter of 3 to 4 μm are solidified by nickel plating on the outer peripheral portion of the side surface of the base 524, and has a thickness of 40 μm and an outer diameter of 52 mm. ing. The annular cutting edge 525 formed in this way has an outer peripheral end formed in a V-shaped cross section. The angle (θ) of the V-shaped cross section is set to 60 degrees in the illustrated embodiment. Note that the angle (θ) of the V-shaped cross section of the annular cutting edge 525 is preferably set in the range of 45 to 90 degrees.

上記撮像手段５３は、スピンドルハウジング５２１の先端部に装着されており、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。   The imaging means 53 is attached to the tip of the spindle housing 521, and illuminates the work piece, an optical system that captures an area illuminated by the illumination means, and an image captured by the optical system. An image pickup device (CCD) or the like for picking up images is provided, and the picked-up image signal is sent to a control means (not shown).

上述した切削装置５を用いて溝加工工程を実施するには、図５に示すようにチャックテーブル５１上に上記レーザー加工溝形成工程が実施された光デバイスウエーハ２が貼着されたダイシングテープ３０側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、ダイシングテープ３０を介して光デバイスウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１に保持された光デバイスウエーハ２は、表面２aが上側となる。なお、図５においてはダイシングテープ３０が装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレーム３はチャックテーブル５１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、光デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段５３の直下に位置付けられる。   In order to perform the groove processing step using the above-described cutting device 5, as shown in FIG. 5, the dicing tape 30 in which the optical device wafer 2 on which the laser processing groove forming step has been performed is attached onto the chuck table 51 is illustrated. Place the side. Then, the optical device wafer 2 is held on the chuck table 51 via the dicing tape 30 by operating a suction means (not shown) (wafer holding step). Therefore, the surface 2a of the optical device wafer 2 held on the chuck table 51 is on the upper side. In FIG. 5, the annular frame 3 to which the dicing tape 30 is mounted is omitted, but the annular frame 3 is held by an appropriate frame holding means provided on the chuck table 51. In this way, the chuck table 51 that sucks and holds the optical device wafer 2 is positioned directly below the image pickup means 53 by a processing feed means (not shown).

チャックテーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると、撮像手段５３および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ２の加工すべき領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段５３および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ２の表面２a側に所定方向に形成されているレーザー加工溝２０１と切削ブレード５２３との位置合わせを行うためのアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、光デバイスウエーハ２の表面２a側に上記所定方向に対して直交する方向に形成されたレーザー加工溝２０１に対しても、同様に加工領域のアライメントが遂行される。   When the chuck table 51 is positioned immediately below the image pickup means 53, an alignment operation for detecting a region to be processed of the optical device wafer 2 is executed by the image pickup means 53 and a control means (not shown). That is, the imaging unit 53 and a control unit (not shown) perform alignment for aligning the laser processing groove 201 and the cutting blade 523 formed in the predetermined direction on the surface 2a side of the optical device wafer 2 (alignment). Process). In addition, the processing region alignment is similarly performed on the laser processing groove 201 formed in the direction orthogonal to the predetermined direction on the surface 2a side of the optical device wafer 2.

以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持されている光デバイスウエーハ２の加工領域を検出するアライメントが行われたならば、光デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１を切削ブレード５２３の下方である加工領域の加工開始位置に移動する。そして、図６の(a)で示すように光デバイスウエーハ２の加工すべきレーザー加工溝２０１の一端（図６の(a)において左端）が切削ブレード５２３の直下より所定量右側に位置するように位置付ける（加工送り開始位置位置付け工程）。このようにして光デバイスウエーハ２を加工領域の加工開始位置に位置付けられたならば、切削ブレード５２３を矢印５２３aで示す方向に回転しつつ図６の(a)において２点鎖線で示す待機位置から下方に切り込み送りし、図６の(a)において実線で示すように所定の切り込み送り位置に位置付ける。この切り込み送り位置は、切削ブレード５２３を構成する環状の切れ刃５２５の外周縁の下端が光デバイスウエーハ２の表面２a（上面）から例えば３５μm下方の位置に設定されている。   When the alignment for detecting the processing region of the optical device wafer 2 held on the chuck table 51 is performed as described above, the chuck table 51 holding the optical device wafer 2 by suction is moved below the cutting blade 523. Move to the machining start position of a certain machining area. Then, as shown in FIG. 6A, one end (the left end in FIG. 6A) of the laser processing groove 201 to be processed of the optical device wafer 2 is positioned to the right by a predetermined amount from directly below the cutting blade 523. (Processing feed start position positioning step). When the optical device wafer 2 is positioned at the machining start position of the machining area in this way, the cutting blade 523 is rotated in the direction indicated by the arrow 523a and from the standby position indicated by the two-dot chain line in FIG. The feed is cut downward and positioned at a predetermined cut feed position as shown by the solid line in FIG. The cutting feed position is set such that the lower end of the outer peripheral edge of the annular cutting edge 525 constituting the cutting blade 523 is, for example, 35 μm below the surface 2 a (upper surface) of the optical device wafer 2.

次に、図６の(a)に示すように切削ブレード５２３を矢印５２３aで示す方向に回転しつつ所定の回転速度（例えば２００００rpm）で回転せしめ、チャックテーブル５１即ち光デバイスウエーハ２を図６の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度（例えば５０ｍｍ／秒）で加工送りする（溝加工工程）。このV溝形成工程においては、切削ブレード５２３を構成する環状の切れ刃５２５の外周端部を形成する断面V字状の加工面がレーザー加工溝２０１をナゾリながら相対移動する。この結果、環状の切れ刃５２５の厚み（４０μｍ）はレーザー加工溝２０１（集光スポット径がφ２０μｍのパルスレーザー光線によって形成されている）の幅より厚く設定されているので、上記図６の(c)に示すようにレーザー加工溝２０１の壁面に付着している変質物質２０２（図４の(c)参照）が除去されるとともに、図６の(c)に示すように断面がV字状の溝２０３が形成される。このV字状の溝２０３は、図示の実施形態においては角度（θ）が６０度で深さ(t)が３５μmに形成される。上述した溝加工工程においては、切削ブレード５２３を構成する環状の切れ刃５２５はレーザー加工溝２０１の壁面に付着している変質物質２０２をナゾリながら加工するので、変質物質２０２を容易に除去することができるとともに、レーザー加工溝２０１の壁面を容易に研削してV字状の溝２０３に形成することができる。なお、チャックテーブル５１に保持された光デバイスウエーハ２の他端（図６の(b)において右端）が切削ブレード５２３の直下より所定量左側に位置するまで達したら、チャックテーブル５１の移動を停止する。そして、切削ブレード５２３を上昇させ２点鎖線で示す退避位置に位置付ける。   Next, as shown in FIG. 6A, the cutting blade 523 is rotated at a predetermined rotational speed (for example, 20000 rpm) while rotating in the direction indicated by the arrow 523a, and the chuck table 51, that is, the optical device wafer 2 is rotated as shown in FIG. In (a), the workpiece is fed at a predetermined machining feed rate (for example, 50 mm / second) in the direction indicated by the arrow X1 (grooving step). In this V-groove forming step, the processing surface having a V-shaped cross section that forms the outer peripheral end portion of the annular cutting edge 525 constituting the cutting blade 523 moves relative to the laser processing groove 201 while scrambling. As a result, the thickness (40 μm) of the annular cutting edge 525 is set to be thicker than the width of the laser processing groove 201 (formed by a pulsed laser beam having a focused spot diameter of φ20 μm). ), The altered material 202 (see FIG. 4 (c)) adhering to the wall surface of the laser processed groove 201 is removed, and the cross section is V-shaped as shown in FIG. 6 (c). A groove 203 is formed. In the illustrated embodiment, the V-shaped groove 203 has an angle (θ) of 60 degrees and a depth (t) of 35 μm. In the above-described grooving process, the annular cutting edge 525 constituting the cutting blade 523 processes the denatured material 202 adhering to the wall surface of the laser machined groove 201 while scratching, so that the denatured material 202 can be easily removed. In addition, the wall surface of the laser processing groove 201 can be easily ground to form the V-shaped groove 203. The movement of the chuck table 51 is stopped when the other end of the optical device wafer 2 held by the chuck table 51 (the right end in FIG. 6B) reaches a predetermined amount to the left of the cutting blade 523. To do. Then, the cutting blade 523 is raised and positioned at the retreat position indicated by the two-dot chain line.

以上のようにして、光デバイスウエーハ２の所定方向に延在する全てのストリート２２に沿って上記溝加工工程を実施したならば、チャックテーブル５１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に形成された各レーザー加工溝２０１に沿って上記溝加工工程を実施する。   As described above, when the groove processing step is performed along all the streets 22 extending in the predetermined direction of the optical device wafer 2, the chuck table 51 is rotated 90 degrees to The groove processing step is performed along each laser processing groove 201 formed in a direction orthogonal to each other.

上述したように溝加工工程を実施したならば、光デバイスウエーハ２に外力を付与し、V字状の溝２０３に沿って破断し、個々の光デバイス２３に分割するウエーハ分割工程を実施する。このウエーハ分割工程は、図７に示すウエーハ破断装置６は、基台６１と、該基台６１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された移動テーブル６２を具備している。基台６１は矩形状に形成され、その両側部上面には矢印Ｙで示す方向に２本の案内レール６１１、６１２が互いに平行に配設されている。この２本の案内レール６１１、６１２上に移動テーブル６２が移動可能に配設されている。移動テーブル６２は、移動手段６３によって矢印Ｙで示す方向に移動せしめられる。移動テーブル６２上には、上記環状のフレーム３を保持するフレーム保持手段６４が配設されている。フレーム保持手段６４は、円筒状の本体６４１と、該本体６４１の上端に設けられた環状のフレーム保持部材６４２と、該フレーム保持部材６４２の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ６４３とからなっている。このように構成されたフレーム保持手段６４は、フレーム保持部材６４２上に載置された環状のフレーム３をクランプ６４３によって固定する。また、図７に示すウエーハ破断装置６は、上記フレーム保持手段６４を回動せしめる回動手段６５を具備している。この回動手段６５は、上記移動テーブル６２に配設されたパルスモータ６５１と、該パルスモータ６５１の回転軸に装着されたプーリ６５２と、該プーリ６５２と円筒状の本体６４１に捲回された無端ベルト６５３とからなっている。このように構成された回動手段６５は、パルスモータ６５１を駆動することにより、プーリ６５２および無端ベルト６５３を介してフレーム保持手段６４を回動せしめる。   If the groove processing step is performed as described above, an external force is applied to the optical device wafer 2, the wafer is broken along the V-shaped groove 203, and the wafer dividing step is performed to divide into individual optical devices 23. In the wafer dividing step, the wafer breaking device 6 shown in FIG. 7 includes a base 61 and a moving table 62 disposed on the base 61 so as to be movable in the direction indicated by the arrow Y. The base 61 is formed in a rectangular shape, and two guide rails 611 and 612 are arranged in parallel to each other in the direction indicated by the arrow Y on the upper surface of both side portions. A moving table 62 is movably disposed on the two guide rails 611 and 612. The moving table 62 is moved in the direction indicated by the arrow Y by the moving means 63. Frame holding means 64 for holding the annular frame 3 is disposed on the moving table 62. The frame holding means 64 includes a cylindrical main body 641, an annular frame holding member 642 provided at the upper end of the main body 641, and a plurality of clamps 643 as fixing means disposed on the outer periphery of the frame holding member 642. It is made up of. The frame holding means 64 configured as described above fixes the annular frame 3 placed on the frame holding member 642 by the clamp 643. Further, the wafer breaking device 6 shown in FIG. 7 includes a rotating means 65 for rotating the frame holding means 64. The rotating means 65 is wound around a pulse motor 651 disposed on the moving table 62, a pulley 652 mounted on the rotation shaft of the pulse motor 651, and the pulley 652 and a cylindrical main body 641. It consists of an endless belt 653. The rotation means 65 configured as described above rotates the frame holding means 64 via the pulley 652 and the endless belt 653 by driving the pulse motor 651.

図７に示すウエーハ破断装置６は、上記環状のフレーム保持部材６４２に保持された環状のフレーム３にダイシングテープ３０を介して支持されている光デバイスウエーハ２にストリート２２と直交する方向に引張力を作用せしめる張力付与手段６６を具備している。張力付与手段６６は、環状のフレーム保持手段６４内に配置されている。この張力付与手段６６は、矢印Y方向と直交する方向に長い長方形の保持面を備えた第１の吸引保持部材６６１と第２の吸引保持部材６６２を備えている。第１の吸引保持部材６６１には複数の吸引孔６６１aが形成されており、第２の吸引保持部材６６２には複数の吸引孔６６２aが形成されている。複数の吸引孔６６１aおよび６６２aは、図示しない吸引手段に連通されている。また、第１の吸引保持部材６６１と第２の吸引保持部材６６２は、図示しない移動手段によって矢印Y方向にそれぞれ移動せしめられるようになっている。   The wafer breaking device 6 shown in FIG. 7 has a tensile force in a direction perpendicular to the street 22 on the optical device wafer 2 supported by the annular frame 3 held by the annular frame holding member 642 via the dicing tape 30. There is provided a tension applying means 66 for acting. The tension applying means 66 is disposed in the annular frame holding means 64. The tension applying means 66 includes a first suction holding member 661 and a second suction holding member 662 each having a rectangular holding surface that is long in a direction orthogonal to the arrow Y direction. The first suction holding member 661 has a plurality of suction holes 661a, and the second suction holding member 662 has a plurality of suction holes 662a. The plurality of suction holes 661a and 662a communicate with suction means (not shown). Further, the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 can be moved in the arrow Y direction by a moving means (not shown).

図７に示すウエーハ破断装置６は、上記環状のフレーム保持部材６４２に保持された環状のフレーム３にダイシングテープ３０を介して支持されている光デバイスウエーハ２のストリート２２を検出するための検出手段６７を具備している。検出手段６７は、基台６１に配設されたＬ字状の支持柱６７１に取り付けられている。この検出手段６７は、光学系および撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、上記張力付与手段６６の上方位置に配置されている。このように構成された検出手段６７は、上記環状のフレーム保持部材６４２に保持された環状のフレーム３にダイシングテープ３０を介して支持されている光デバイスウエーハ２のストリート２２を撮像し、これを電気信号に変換して図示しない制御手段に送る。   The wafer breaking device 6 shown in FIG. 7 has a detecting means for detecting the street 22 of the optical device wafer 2 supported by the annular frame 3 held by the annular frame holding member 642 via the dicing tape 30. 67. The detection means 67 is attached to an L-shaped support column 671 disposed on the base 61. The detection means 67 is composed of an optical system, an image pickup device (CCD), and the like, and is disposed above the tension applying means 66. The detection means 67 configured in this way images the street 22 of the optical device wafer 2 supported by the annular frame 3 held by the annular frame holding member 642 via the dicing tape 30, It is converted into an electric signal and sent to a control means (not shown).

上述したウエーハ破断装置６を用いて実施するウエーハ分割工程について、図８を参照して説明する。
上述した溝加工工程が実施された光デバイスウエーハ２が貼着されているダイシングテープ３０が装着された環状のフレーム３を、図８の（ａ）に示すようにフレーム保持部材６４２上に載置し、クランプ６４３によってフレーム保持部材６４２に固定する。次に、移動手段６３を作動して移動テーブル６２を矢印Ｙで示す方向（図７参照）に移動し、図８の（ａ）に示すようにデバイスウエーハ２に形成された１本のストリート２２(図示の実施形態においては最左端のストリート)が張力付与手段６６を構成する第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置するように位置付ける。このとき、検出手段６７によってストリート２２を撮像し、第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との位置合わせを行う。このようにして、１本のストリート２２が第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置付けられたならば、図示しない吸引手段を作動し吸引孔６６１aおよび６６２aに負圧を作用せしめることにより、第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面上にダイシングテープ３０を介して光デバイスウエーハ２を吸引保持する(保持工程)。 A wafer dividing process performed using the wafer breaker 6 described above will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 8A, the annular frame 3 on which the dicing tape 30 to which the optical device wafer 2 on which the groove processing step described above has been applied is attached is placed on the frame holding member 642. Then, it is fixed to the frame holding member 642 by the clamp 643. Next, the moving means 63 is operated to move the moving table 62 in the direction indicated by the arrow Y (see FIG. 7), and one street 22 formed on the device wafer 2 as shown in FIG. (The leftmost street in the illustrated embodiment) is positioned so as to be positioned between the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 constituting the tension applying means 66. . At this time, the street 22 is imaged by the detection means 67, and the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 are aligned. In this way, when one street 22 is positioned between the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662, the suction means (not shown) is operated to perform suction. By applying a negative pressure to the holes 661a and 662a, the optical device wafer 2 is sucked and held on the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 via the dicing tape 30. (Holding process).

上述した保持工程を実施したならば、張力付与手段６６を構成する図示しない移動手段を作動し、第１の吸引保持部材６６１と第２の吸引保持部材６６２を図８の(b)に示すように互いに離反する方向に移動せしめる。この結果、第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面との間に位置付けられたストリート２２には、ストリート２２と直交する方向に引張力が作用し、光デバイスウエーハ２はV字状の溝２０３が破断の起点となってストリート２２に沿って破断される（破断工程）。この破断工程を実施することにより、ダイシングテープ３０は僅かに伸びる。この破断工程においては、光デバイスウエーハ２はストリート２２に沿ってV字状の溝２０３が形成され強度が低下せしめられているので、第１の吸引保持部材６６１と第２の吸引保持部材６６２を互いに離反する方向に０．５mm程度移動することにより、光デバイスウエーハ２に形成されたV字状の溝２０３が破断の起点となってストリート２２に沿って破断することができる。   When the holding step described above is performed, the moving means (not shown) constituting the tension applying means 66 is operated, and the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 are shown in FIG. Move them away from each other. As a result, a tensile force acts on the street 22 positioned between the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 in a direction perpendicular to the street 22, The device wafer 2 is broken along the street 22 with the V-shaped groove 203 as a starting point of the break (breaking step). By carrying out this breaking process, the dicing tape 30 is slightly extended. In this breaking process, since the optical device wafer 2 has a V-shaped groove 203 formed along the street 22 to reduce the strength, the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 are attached to each other. By moving about 0.5 mm in directions away from each other, the V-shaped groove 203 formed in the optical device wafer 2 can be broken along the street 22 as a starting point of breakage.

以上のようにして、所定方向に形成された全てのストリート２２に対して上記保持工程および破断工程を実施したならば、回動手段６５を作動してフレーム保持手段６４を９０度回動せしめる。この結果、フレーム保持手段６４のフレーム保持部材６４２に保持された光デバイスウエーハ２も９０度回動することになり、所定方向に形成され上記破断工程が実施されたストリート２２と直交する方向に形成されたストリート２２が第１の吸引保持部材６６１の保持面と第２の吸引保持部材６６２の保持面と平行な状態に位置付けられる。次に、上記破断工程が実施されたストリート２２と直交する方向に形成された全てのストリート２２に対して上述した保持工程および破断工程を実施することにより、光デバイスウエーハ２はストリート２２に沿って個々のデバイス２３に分割される（ウエーハ分割工程）。   As described above, when the holding process and the breaking process are performed on all the streets 22 formed in the predetermined direction, the rotating means 65 is operated to rotate the frame holding means 64 by 90 degrees. As a result, the optical device wafer 2 held by the frame holding member 642 of the frame holding means 64 is also rotated 90 degrees, and is formed in a direction perpendicular to the street 22 formed in a predetermined direction and subjected to the breaking process. The street 22 is positioned in a state parallel to the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662. Next, the optical device wafer 2 is moved along the streets 22 by carrying out the holding step and the breaking step described above for all the streets 22 formed in a direction orthogonal to the streets 22 in which the breaking step is performed. The device is divided into individual devices 23 (wafer dividing step).

上記のようにして分割された個々のデバイス２３は、図示の実施形態においては図９に示すように発光層（エピ層）２１が積層された表面側隅部に所定の角度（図示の実施形態においては側面に対して３０度）で面取り２０cが形成される。このように、個々に分割されたデバイス２３は表面側隅部に所定の角度で面取り２０cが施されているので、発光層（エピ層）２１が発光した光がサファイア基板２０の内部に閉じ込められることなく十分に放出される。   In the illustrated embodiment, each device 23 divided as described above has a predetermined angle (in the illustrated embodiment) at the corner on the surface side where the light emitting layer (epi layer) 21 is laminated as shown in FIG. The chamfer 20c is formed at 30 degrees with respect to the side surface. In this way, since the individually divided devices 23 are chamfered 20c at a predetermined angle at the surface side corners, the light emitted from the light emitting layer (epi layer) 21 is confined inside the sapphire substrate 20. It is fully released without

以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述した実施形態においては光デバイスウエーハの基板としてサファイア基板を用いた例を示したが、光デバイスウエーハの基板としては炭化珪素基板、窒化ガリウム基板等を用いることができる。また、上述した実施形態においてはレーザー加工溝形成工程を光デバイスウエーハ
の表面に実施した例を示すたが、レーザー加工溝形成工程は光デバイスウエーハを構成する基板の裏面側に実施してもよい。 Although the present invention has been described based on the illustrated embodiment, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications are possible within the scope of the gist of the present invention. For example, in the above-described embodiment, an example in which a sapphire substrate is used as the substrate of the optical device wafer is shown. However, a silicon carbide substrate, a gallium nitride substrate, or the like can be used as the substrate of the optical device wafer. In the above-described embodiment, an example in which the laser processing groove forming process is performed on the surface of the optical device wafer is shown. However, the laser processing groove forming process may be performed on the back side of the substrate constituting the optical device wafer. .

２：光デバイスウエーハ
２０：サファイア基板
２１：発光層（エピ層）
３：環状のフレーム
３０：ダイシングテープ
４：レーザー加工装置
４１：レーザー加工装置のチャックテーブル
４２：レーザー光線照射手段
４２２：集光器
５：切削装置
５１：切削装置のチャックテーブル
５２：切削手段
５２３：切削ブレード
５２５：環状の切れ刃
６：ウエーハ破断装置
６１：基台
６２：移動テーブル
６４：フレーム保持手段
６５：回動手段
６６：張力付与手段
６７：検出手段 2: Optical device wafer 20: Sapphire substrate 21: Light emitting layer (epi layer)
3: annular frame 30: dicing tape 4: laser processing device 41: chuck table of laser processing device 42: laser beam irradiation means 422: condenser 5: cutting device 51: chuck table of cutting device 52: cutting means 523: cutting Blade 525: annular cutting edge 6: wafer breaking device 61: base 62: moving table 64: frame holding means 65: rotating means 66: tension applying means 67: detecting means

Claims (3)

基板の表面に発光層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、ストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、
光デバイスウエーハの基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに対応する領域に照射し、破断基点となるレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、
基板に形成されたレーザー加工溝に外周端がV字状断面を有する環状の切れ刃を備えた切削ブレードを位置付け、該切削ブレードを回転しつつレーザー加工溝に沿って相対移動することにより、レーザー加工溝形成時に生成された変質物質を除去するとともに断面がV字状の溝を形成する溝加工工程と、
光デバイスウエーハに外力を付与し、光デバイスウエーハをV字状の溝に沿って破断し個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。 An optical device that divides an optical device wafer in which an optical device is formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets formed by laminating light emitting layers on the surface of a substrate into individual optical devices along the streets Wafer processing method,
A laser processing groove forming step of irradiating a region corresponding to the street with a laser beam having a wavelength having an absorptivity with respect to the substrate of the optical device wafer, and forming a laser processing groove serving as a fracture base point;
By positioning a cutting blade provided with an annular cutting edge having a V-shaped cross section at the outer peripheral end in a laser processing groove formed on the substrate, and moving relative to the laser processing groove while rotating the cutting blade, the laser A groove processing step of removing a degenerated material generated at the time of forming a processed groove and forming a groove having a V-shaped cross section,
A wafer dividing step of applying an external force to the optical device wafer and breaking the optical device wafer along V-shaped grooves to divide the wafer into individual optical devices.
An optical device wafer processing method characterized by the above. 該レーザー加工溝形成工程は、光デバイスウエーハの表面または裏面に実施する、請求項１の光デバイスウエーハの加工方法。   2. The method for processing an optical device wafer according to claim 1, wherein the laser processing groove forming step is performed on the front surface or the back surface of the optical device wafer. 該環状の切れ刃のV字状断面の角度は、４５〜９０度に設定されている、請求項１又は２記載の光デバイスウエーハの加工方法。   The method for processing an optical device wafer according to claim 1 or 2, wherein an angle of the V-shaped cross section of the annular cutting edge is set to 45 to 90 degrees.
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