JP5318333B2 - フッ素化合物含有ガスの処理方法及び処理装置 - Google Patents
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Description
C2F6+3H2O → CO+CO2+6HF (式2)
CHF3+H2O → CO+3HF (式3)
SF6+3H2O → SO3+6HF (式4)
2NF3+3H2O → NO+NO2+6HF (式5)
以下、実施例にて本発明を詳細に説明する。
min 以下となるように設計することが望ましい。また、湿式処理装置への流入水として、水道水或いは装置内の循環水を使用することができるが、循環水のみを使用すると、循環水に溶解した固形物や酸性成分がミストとして多く排出される可能性がある。したがって、充填塔やスプレー塔に設置する最上段のノズルからは水道水を流入し、棚段,スクラバからの流入水には水道水も流入させ、流入水中の珪素化合物濃度を低くすることが望ましい。また、流入水としては、水道水,循環水以外に、アルカリ水溶液等を用いてもよい。
140の下部にはフッ素化合物分解触媒143を設置している。フッ素化合物分解触媒は反応塔140の外側から触媒加熱装置142によって加熱される。
NOxが生成する。これらの酸性ガスは酸性ガス除去装置であるスプレー塔170で水等により洗浄され、排ガスから除去されて、その他のガスが排気される。
Pdから選ばれた少なくとも1種を含む触媒である。触媒成分は酸化物,金属,複合酸化物などの形で含まれる。特にAlとNi,Zn,Ti,Wから選ばれた少なくとも1種との触媒が高いフッ素化合物分解性能を持つので好ましい。
400…バッファー。
Claims (16)
- フッ素化合物を含む被処理ガス中のフッ素化合物を吸着するフッ素化合物吸着工程と、フッ素化合物吸着工程に供給するガスを加熱し吸着したフッ素化合物を脱離させる第一のガス加熱工程と、前記脱離したフッ素化合物を分解するフッ素化合物処理工程と、を有するフッ素化合物含有ガスの処理方法において、
前記フッ素化合物はパーフルオロコンパウンド(PFC)を含み、
前記フッ素化合物吸着工程は活性炭、ゼオライト及びメソポーラスシリカから選ばれる吸着剤を使用するものであり、
前記フッ素化合物吸着工程の前に、フッ素化合物を含む被処理ガス中の固形物及び酸性ガスを除去する湿式処理工程と、前記湿式処理後のガス中の水分を除去する工程を有し、さらに
前記フッ素化合物吸着工程の下流側でフッ素化合物を検知する工程を有し、前記検知されたフッ素化合物の量に基づき前記第一のガス加熱工程の加熱を開始することを特徴とするフッ素化合物含有ガスの処理方法。 - 請求項1において、前記フッ素化合物吸着工程はメソポーラスシリカ吸着剤を使用するものであることを特徴とするフッ素化合物含有ガスの処理方法。
- 請求項1または2において、PFCがCF 4 ,C 2 F 6 ,C 3 F 8 ,C 4 F 8 ,SF 6 及びNF 3 から選ばれるものであることを特徴とするフッ素化合物含有ガスの処理方法。
- 請求項1ないし3のいずれかにおいて、前記脱離したフッ素化合物を含むガスを前記フッ素化合物処理工程に流入する前に加熱する第二のガス加熱工程を有することを特徴とするフッ素化合物含有ガスの処理方法。
- 請求項1ないし4のいずれかにおいて、前記フッ素化合物処理工程が触媒式分解工程であるフッ素化合物含有ガスの処理方法。
- 請求項1ないし5のいずれかにおいて、前記フッ素化合物吸着工程は、複数のフッ素ガス吸着塔を切り替えて使用することを特徴とするフッ素化合物含有ガスの処理方法。
- 請求項1ないし6のいずれかにおいて、前記第一または第二のガス加熱工程は、1000℃/分以上で急速加熱する工程であることを特徴するフッ素化合物含有ガスの処理方法。
- 請求項1ないし7のいずれかにおいて、前記検知されたフッ素化合物の量に基づきフッ素化合物吸着工程の経路変更または停止を行うことを特徴とするフッ素化合物含有ガスの処理方法。
- 請求項4において、前記第二の加熱工程の開始後に、前記第一の加熱工程を開始することを特徴とするフッ素化合物含有化合物ガスの処理方法。
- フッ素化合物を含む被処理ガス中の固形物及び酸性ガスを除去する湿式処理装置と、前記湿式処理後のガス中の水分を除去する水分除去装置と、フッ素化合物を含む被処理ガス中のフッ素化合物を吸着するフッ素化合物吸着装置と、前記フッ素化合物吸着装置を加熱し、前記吸着したフッ素化合物を脱離させる第一の加熱装置と、前記脱離したフッ素化合物を分解するフッ素化合物処理装置と、前記フッ素化合物処理装置に流入するガスを加熱する第二の加熱装置を有するフッ素化合物含有ガスの処理装置であって、
前記フッ素化合物はパーフルオロコンパウンド(PFC)を含み、
前記フッ素化合物吸着工程は活性炭、ゼオライト及びメソポーラスシリカから選ばれる吸着剤を使用するものであり、
前記フッ素化合物吸着装置の下流部に配置されたフッ素化合物検知装置と、前記フッ素化合物検知装置が所定量のフッ素化合物を検知して前記加熱装置の加熱を制御する加熱制御装置を有することを特徴とするフッ素化合物含有ガスの処理装置。 - 請求項10において、前記フッ素化合物吸着工程はメソポーラスシリカ吸着剤を使用するものであることを特徴とするフッ素化合物含有ガスの処理装置。
- 請求項10または11において、PFCがCF 4 ,C 2 F 6 ,C 3 F 8 ,C 4 F 8 ,SF 6 及びNF 3 から選ばれるものであることを特徴とするフッ素化合物含有ガスの処理装置。
- 請求項10ないし12のいずれかにおいて、前記第一の加熱装置は、前記フッ素化合物吸着装置に流入するガスを加熱する装置であることを特徴とするフッ素化合物含有ガスの処理装置。
- 請求項10ないし13のいずれかにおいて、前記第一または第二の加熱装置が、1000℃/分以上で加熱する装置であることを特徴とするフッ素化合物含有ガスの処理装置。
- 請求項10ないし14のいずれかにおいて、前記フッ素化合物分解装置が触媒式分解装置であることを特徴とするフッ素化合物含有ガスの処理装置。
- 請求項10ないし15のいずれかにおいて、前記フッ素化合物分解装置の後流側に酸性ガス除去装置を備えたことを特徴とするフッ素化合物含有ガスの処理装置。
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