JP5315078B2 - 同期整流方式を用いたコンパレータ方式dc−dcコンバータ - Google Patents

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Description

本発明は、同期整流方式を用いたコンパレータ方式DC−DCコンバータに関するものである。
入力電圧から安定化した出力電圧を生成するDC−DCコンバータが知られている。DC−DCコンバータは、スイッチング素子をスイッチングすることによって入力電圧を電圧変換した出力電圧を生成する電圧変換部と、電圧変換部の出力電圧を安定化するためにスイッチング素子のスイッチングを制御する制御部とを有している。
電圧変換部の構成としては、ハイサイド側にスイッチング素子を用い、ローサイド側にダイオードを用いる構成や、ハイサイド側及びローサイド側にスイッチング素子を用いる構成、すなわち同期整流方式を用いた構成などがある。この同期整流方式では、ローサイド側にも、ダイオードと比較して電圧降下量が小さいスイッチング素子が用いられるので、電力変換効率を向上することができる。特許文献1には、電圧変換部に同期整流方式を用いたDC−DCコンバータが開示されている。この同期整流方式DC−DCコンバータでは、二つのスイッチング素子が同時にオン状態となることによる短絡を防止するために、これらのスイッチング素子を同時にオフ状態にする期間、すなわち、デッドタイムが設けられている。
一方、制御部の制御手法としては、例えば、PWM(パルス幅変調)方式を用いた手法やコンパレータ方式を用いた手法などがある。PWM方式を用いた手法では、スイッチング素子のスイッチング周波数を一定とし、オンパルス幅を調整することによって、電圧変換部の出力電圧を安定化する。一方、コンパレータ方式では、コンパレータを用いてスイッチング素子のオンパルス幅を一定とし、オフパルス幅(すなわち、スイッチング周波数)を調整することによって、電圧変換部の出力電圧を安定化する。
これらの制御手法の相違により、コンパレータ方式は、PWM方式と比較して、以下のような利点を有している。DC−DCコンバータは、PU(ProcessorUnit)などの電圧源として用いられることがある。PUでは、待機状態から処理状態へ移行するとき、消費電流が急激に増加する。負荷電流の急激な増加により、出力電圧が急激に低下すると、コンパレータ方式DC−DCコンバータでは、コンパレータによって出力電圧の低下を検出して即座にオンパルスを出力するので、所定のオフパルス期間中はパルスを出力できないPWM方式と比較して、出力電圧が早く安定化する。このように、コンパレータ方式は、PWM方式と比較して、負荷電流の急激な増加に対する応答特性がよいという特徴を有する。
このコンパレータ方式DC−DCコンバータでは、固定のオンパルス幅を定めるためのオンタイムや、オフパルスの最小幅を定めるためのミニマムオフタイムが設けられている。このミニマムオフタイムは、以下のような理由により設けられている。コンパレータ方式DC−DCコンバータでは、スイッチング素子のオン/オフが切り替わる際に、スイッチング素子を駆動するための駆動回路の動作状態が切り替わることに起因して、高電位側の電源電圧が変動することがある。特に、ハイサイド側のスイッチング素子がオンからオフに切り換わり、ローサイド側のスイッチング素子がオフからオンに切り換わる際には、すなわち、出力電圧が基準電圧より低下する際には、コンパレータが動作する。このとき、高電位側の電源電圧の変動に起因してコンパレータのための電源電圧や基準電圧が変動すると、コンパレータが誤動作する可能性がある。そのために、高電位側の電源電圧及び基準電圧の変動が収まるまでの所定期間、コンパレータが誤動作しても、オンパルスの生成に切り換わらないための、すなわち、オフパルスの生成を継続するためのミニマムオフタイムが設けられている。
特開2007−185050号公報
しかしながら、同期整流方式を用いたコンパレータ方式DC−DCコンバータでは、値の異なるデッドタイム、オンタイム及びミニマムオフタイムを設けるために、抵抗素子と容量素子とからなるアナログ型遅延回路を複数備える必要があり、小型化及び低価格化が困難であった。
また、アナログ型遅延回路を半導体内部で構成する場合、抵抗素子及び容量素子の製造ばらつきや温度変動に起因して、アナログ型遅延回路の遅延時間、すなわち、デッドタイム、オンタイム及びミニマムオフタイムの精度が悪かった。アナログ型遅延回路の遅延時間の精度を上げるためには、アナログ型遅延回路にトリミング回路素子を用いて調整することが考えられるが、小型化及び低価格化を更に妨げてしまう。
そこで、本発明は、小型化及び低価格化を妨げることなく、オンタイム、ミニマムオフタイム及びデッドタイムの精度を向上することが可能な同期整流方式を用いたコンパレータ方式DC−DCコンバータを提供することを目的としている。
本発明の同期整流方式を用いたコンパレータ方式DC−DCコンバータは、スイッチング素子を有し、該スイッチング素子を制御信号に応じて制御することによって入力電圧を電圧変換した出力電圧を生成する電圧変換部と、電圧変換部の出力電圧を安定化するための制御信号を生成する制御部とを備え、制御部は、電圧変換部の出力電圧が基準電圧より小さくなったことを検出するコンパレータと、ミニマムオフタイム信号を受けた後であってコンパレータからの出力信号を受けたときにトリガ信号を生成するトリガ信号生成部と、基準クロックを基準遅延量だけ遅延した基準遅延クロックを生成すると共に、当該基準遅延量に応じた値を有する基準遅延信号を生成するDLL部と、DLL部からの基準遅延信号に基づいて、トリガ信号生成部からのトリガ信号から所定の遅延量だけ遅延したトリガ遅延信号、トリガ遅延信号から所望の第1デッドタイムに対応した遅延量だけ遅延した第1デッドタイム遅延信号、第1デッドタイム遅延信号から所望のオンタイムに対応した遅延量だけ遅延したオンタイム遅延信号、オンタイム遅延信号から所望の第2デッドタイムに対応した遅延量だけ遅延した第2デッドタイム遅延信号、及び、第2デッドタイム遅延信号から所望のミニマムオフタイムに対応した遅延量だけ遅延したミニマムオフタイム遅延信号を生成する遅延部と、遅延部からのトリガ遅延信号に応じて制御信号におけるオフパルスの終了時点を決定し、遅延部からの第1デッドタイム遅延信号に応じて制御信号におけるオンパルスの開始時点を決定し、遅延部からのオンタイム遅延信号に応じてオンパルスの終了時点を決定し、遅延部からの第2デッドタイム遅延信号に応じてオフパルスの開始時点を決定し、遅延部からのミニマムオフタイム遅延信号に応じてミニマムオフタイム信号を生成するタイミング制御部とを有する。
この同期整流方式を用いたコンパレータ方式DC−DCコンバータによれば、デッドタイム、オンタイム及びミニマムオフタイムを定めるDLL部及び遅延部を、例えば一つのDSP(Digital Signal Processor)で構成することができるので、従来の抵抗素子と容量素子とからなるアナログ型遅延回路を複数用いる場合と比較して、制御部の小型化及び低価格化が可能である。
また、この同期整流方式を用いたコンパレータ方式DC−DCコンバータによれば、遅延部が、DLL部からの基準遅延信号に基づいて、デッドタイム、オンタイム及びミニマムオフタイムを定めるので、この基準遅延信号における基準遅延量の精度を高めるだけで、すなわち、DLL部の精度を高めるだけで、遅延部が定めるデッドタイム、オンタイム及びミニマムオフタイムの精度を高めることができる。したがって、従来の複数のアナログ型遅延回路のそれぞれにトリミング回路素子を用いる場合と比較して、小型化及び低価格化を妨げることなく、デッドタイム、オンタイム及びミニマムオフタイムの精度を高めることが可能である。
上記したDLL部は、基準クロックを基準遅延量だけ遅延した基準遅延クロックを生成するDLL基準部と、基準クロックを基準遅延信号に基づいて遅延したDLL遅延クロックを生成するDLL遅延部と、基準遅延クロックの位相とDLL遅延クロックの位相との差に応じた値を有する基準遅延信号を生成するDLL比較部とを有し、DLL遅延クロックの位相が基準遅延クロックの位相に一致するように基準遅延信号を生成することによって、基準遅延量に応じた値を有する基準遅延信号を生成することが好ましい。
この構成によれば、DLL基準部の精度を高めるだけで、高精度な基準遅延量を有する基準遅延信号を生成することができる。したがって、小型化及び低価格化をより妨げることなく、デッドタイム、オンタイム及びミニマムオフタイムの精度を高めることが可能である。
上記した遅延部は、DLL部からの基準遅延信号に基づいて、トリガ信号生成部からのトリガ信号から異なる遅延量を有する複数の遅延用遅延クロックを生成する遅延用遅延部と、遅延用遅延部からの複数の遅延用遅延クロックを分周した分周クロックを生成するカウンタ部とを有し、複数の遅延用遅延クロック及び分周クロックから、トリガ遅延信号、第1デッドタイム遅延信号、オンタイム遅延信号、第2デッドタイム遅延信号及びミニマムオフタイム遅延信号を決定することが好ましい。
この構成によれば、カウンタ部が、遅延用遅延部によって生成された遅延クロックの分周クロックを生成するので、遅延用遅延部が生成する遅延クロックの数を減らすことができる。すなわち、遅延用遅延部の回路規模を小さくすることができる。したがって、制御部の更なる小型化及び低価格化が可能である。
上記したタイミング制御部は、遅延部からのトリガ遅延信号に応じて制御信号におけるオフパルスの終了時点を示すオフパルス終了信号を生成するオフパルス終了用比較部と、遅延部からの第1デッドタイム遅延信号に応じて制御信号におけるオンパルスの開始時点を示すオンパルス開始信号を生成するオンパルス開始用比較部と、遅延部からのオンタイム遅延信号に応じてオンパルスの終了時点を示すオンパルス終了信号を生成するオンパルス終了用比較部と、遅延部からの第2デッドタイム遅延信号に応じてオフパルスの開始時点を示すオフパルス開始信号を生成するオフパルス開始用比較部と、遅延部からのミニマムオフタイム遅延信号に応じてミニマムオフタイム信号を生成するミニマムオフタイム用比較部と、オンパルス開始信号とオンパルス終了信号との論理演算を行うことによって制御信号におけるオンパルスを生成するオンパルス用論理演算部と、オフパルス終了信号とオフパルス開始信号との論理演算を行うことによって制御信号におけるオフパルスを生成するオフパルス用論理演算部とを有することが好ましい。
この構成によれば、例えば、タイミング制御部を、DLL部及び遅延部を構成するDSPと同一なDSPで構成することができるので、制御部の更なる小型化及び低価格化が可能である。
本発明によれば、同期整流方式を用いたコンパレータ方式DC−DCコンバータの小型化及び低価格化を妨げることなく、オンタイム、ミニマムオフタイム及びデッドタイムの精度を向上することができる。
本発明の第1の実施形態に係るコンパレータ方式DC−DCコンバータを示す回路図である。 図1に示すDLL部を示す回路図である。 図1に示す遅延部を示す回路図である。 図1に示すタイミング制御部を示す回路図である。 第1の実施形態のコンパレータ方式DC−DCコンバータの各信号波形を示すタイミングチャートである。 第1の実施形態のコンパレータ方式DC−DCコンバータにおける制御部の各信号波形を示すタイミングチャートである。 本発明の第2の実施形態に係るコンパレータ方式DC−DCコンバータを示す回路図である。 図7に示す調整部を示す回路図である。 図7に示す遅延部を示す回路図である。 図8に示す調整部の各信号波形を示すタイミングチャートである。
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る同期整流方式を用いたコンパレータ方式DC−DCコンバータを示す回路図である。図1に示すDC−DCコンバータ1は、電圧変換部100と制御部200とから構成される。
電圧変換部100は、同期整流回路を構成しており、制御部200からのスイッチング制御信号SSWHG,SSWLGに応じて、入力端子2に印加される入力電圧Vinを電圧変換した出力電圧Voutを出力端子3に発生する。電圧変換部100は、2つのスイッチング素子11,12と、駆動回路13と、コイル14と、容量素子15とを備えている。
スイッチング素子11,12はN型MOSFETである。ハイ側のスイッチング素子11のドレインは入力端子2に接続されており、ソースはロー側のスイッチング素子12のドレインに接続されている。スイッチング素子12のソースはGND5に接地されている。スイッチング素子11,12のゲートは、それぞれ駆動回路13に接続されている。
駆動回路13は、制御部200からスイッチング制御信号SSWHG,SSWLGを受けて、それぞれスイッチング素子11,12のゲートに供給する。本実施形態では、駆動回路13は、アンプや、スイッチング素子11に供給する駆動信号のための昇圧回路などを備えている。
スイッチング素子11のソース及びスイッチング素子12のドレインには、コイル14の一端が接続されている。コイル14の他端は出力端子3に接続されている。出力端子3とGND5との間には、出力電圧平滑化のための容量素子15が接続されている。
制御部200は、コンパレータ方式を用いており、電圧変換部100の出力電圧Voutを安定化するためのスイッチング制御信号SSWHG,SSWLGを生成する。制御部200は、コンパレータ20と、トリガ信号生成部30と、DLL部40と、遅延部50と、タイミング制御部60とを備えている。
コンパレータ20のプラス入力端子は電圧変換部100の出力端子3に接続されており、マイナス入力端子には基準電圧Vrefが入力される。コンパレータ20は、電圧変換部100からの出力電圧Voutと基準電圧Vrefとを比較し、出力電圧Voutが基準電圧Vrefより小さくなったときに、スイッチング制御信号SSWHG,SSWLGにおけるオフパルスを終了するためのパルス電圧Voff1を生成する。コンパレータ20の出力端子は、トリガ信号生成部30の一方の入力端子に接続されている。
トリガ信号生成部30の他方の入力端子には、タイミング制御部60からのミニマムオフタイム信号が入力される。トリガ信号生成部30は、AND回路を構成しており、ミニマムオフタイム信号を受けた後であってパルス電圧Voff1を受けたときに、スイッチング制御信号SSWHG,SSWLGにおけるオフパルスを終了するためのパルス状のトリガ電圧(トリガ信号)Voff2を生成する。トリガ信号生成部30の出力端子は、遅延部50の入力端子に接続されている。
このように、コンパレータ20及びトリガ信号生成部30は、出力電圧Voutが基準電圧Vrefより小さくなったときに、出力電圧Voutを上げるために、すなわち、オンパルスを作成するために、トリガ電圧Voff2を遅延部50へ出力する。すると、このトリガ電圧Voff2をトリガとし、後述するように、スイッチング制御信号SSWLGがローレベルとなり、スイッチング素子11,12の貫通防止のためのデッドタイム後に、スイッチング制御信号SSWHGがハイレベルとなることとなる。
本実施形態では、コンパレータ20及びトリガ信号生成部30を用いる一例を示したが、コンパレータ20及びトリガ信号生成部30は、上記したように、次のパルス作成シーケンスに移行するための信号を作成できればよく、コンパレータ20及びトリガ信号生成部30に代えて様々な回路方式が適用可能である。
DLL部40は、基準クロックCrefを受け、この基準クロックCrefを基準遅延量だけ遅延した基準遅延クロックCref2を生成する。また、DLL部40は、基準遅延量に応じた値を有する基準遅延電圧(基準遅延信号)Vdを生成する。
図2に、DLL部40の回路図を示す。図2に示すように、DLL部40は、高精度遅延部(DLL基準部)41と、DLL遅延部42と、アンプ43と、容量素子44とを有している。なお、アンプ43と容量素子44とは、特許請求の範囲に記載したDLL比較部45を構成する。
高精度遅延部41は、高精度な基準遅延量を有する。高精度遅延部41は、この高精度な基準遅延量で基準クロックCrefを遅延した基準遅延クロックCref2を生成する。高精度遅延部41は、この基準遅延クロックCref2をアンプ43の一方の入力端子へ出力する。
DLL遅延部42は、m個のDLL部分遅延部42〜42を有している。DLL部分遅延部42〜42各々は、トランジスタTr1〜Tr6とインバータINVとからなる。トランジスタTr1,Tr4はP型MOSFETであり、トランジスタTr2,Tr3,Tr5,Tr6はN型MOSFETである。
トランジスタTr1とトランジスタTr2とはインバータ接続されており、それぞれのゲートには基準クロックCref(入力側から2番目以降のDLL部分遅延部では、前段のDLL部分遅延部からのクロック)が入力される。トランジスタTr1のソースは高電位側の電源Vccに接続されている。一方、トランジスタTr2のソースとGND5との間にはトランジスタTr3がカスコード接続されており、トランジスタTr3のゲートには基準遅延電圧Vdが入力される。
同様に、トランジスタTr4とトランジスタTr5とはインバータ接続されており、それぞれのゲートはトランジスタTr1,Tr2のドレインが接続されている。トランジスタTr4のソースは高電位側の電源Vccに接続されている。一方、トランジスタTr5のソースとGND5との間にはトランジスタTr6がカスコード接続されており、トランジスタTr6のゲートには基準遅延電圧Vdが入力される。トランジスタTr4とトランジスタTr5とのドレインは、インバータINVを介して後段のDLL部分遅延部に接続される。
このような構成により、基準遅延電圧Vdに応じて、トランジスタTr3,Tr6の抵抗値が定まり、DLL部分遅延部42〜42各々の遅延量、すらわち、DLL遅延部42の遅延量が決まることとなる。DLL遅延部42は、このようにして定まった遅延量を有するDLL遅延クロックCref3をアンプ43の他方の入力端子へ出力する。
アンプ43は、プッシュプル型の電流源として機能し、高精度遅延部41からの基準遅延クロックCref2の位相と、DLL遅延部42からのDLL遅延クロックCref3の位相との差に応じて、容量素子44を充放電し、容量素子44の端子間に基準遅延電圧Vdを生成する。
このようにして、DLL部40は、DLL遅延クロックCref3の位相が基準遅延クロックCref2の位相と一致するように基準遅延電圧Vdを生成することによって、高精度な基準遅延量を有する基準遅延電圧Vdを生成することとなる。DLL部40は、基準遅延電圧Vdを遅延部50へ供給する。
図1に戻り、遅延部50は、DLL部40からの基準遅延電圧Vdに基づいて、トリガ信号生成部30からのトリガ電圧Voff2から異なる遅延量を有するn個の遅延クロック(遅延信号)Cd〜Cdを生成する。
図3に、遅延部50の回路図を示す。図3に示すように、遅延部50は、遅延用遅延部51と、カウンタ部54と、デコーダ55とを有している。
遅延用遅延部51は、DLL部40からの基準遅延電圧Vdに基づいて、トリガ信号生成部30からのトリガ電圧Voff2から異なる遅延量を有するm個(m<n)の遅延用遅延信号Sd〜Sdを生成する。遅延用遅延部51は、AND回路52と、m個の遅延用部分遅延部53〜53とを有している。AND回路52の一方の入力端子にはトリガ電圧Voff2が入力され、他方の入力端子には遅延用遅延部53からの遅延用遅延信号Sdが入力される。AND回路52の出力端子は遅延用部分遅延部53の入力端子に接続されている。遅延用部分遅延部53〜53各々は、DLL部分遅延部42〜42各々と同様に、トランジスタTr1〜Tr6とインバータINVとからなる。
このような構成により、基準遅延電圧Vdに応じて、トランジスタTr3,Tr6の抵抗値が決まり、遅延用部分遅延部53〜53各々の遅延量が決まることとなる。遅延用部分遅延部53〜53は、このようにして定まって遅延量を有する遅延用遅延信号Sd〜Sdをデコーダ55へ供給すると共に、遅延用遅延信号Sdをカウンタ部54の入力端子へ供給する。
カウンタ部54は、遅延用遅延部51からの遅延用遅延信号Sdを分周したp個(p=n−m)の分周信号Sdm+1〜Sdを生成する。カウンタ部54は、p個のD−FF部54〜54を有している。D−FF部54のクロック端子には遅延用遅延部51からの遅延信号Sd(入力側から2番目以降のD−FF部では、前段のD−FF部からの正転信号)が入力され、データ入力端子には反転出力信号Sdm+1が入力される。D−FF部54の正転出力信号はD−FF部54のクロック端子(入力側から2番目以降のD−FF部では後段のD−FF部)に供給され、リセット端子にはトリガ信号生成部30からのトリガ電圧Voff2がリセット信号として入力される。
このような構成により、D−FF部54〜54は、遅延用遅延信号Sdを2倍、4倍・・・とした分周信号Sdm+1〜Sdをデコーダ55へ供給する。また、D−FF部54〜54は、トリガ電圧Voff2に応じてリセットすることによって、次に遅延用遅延部51から遅延用遅延信号Sdが入力されるまで、分周信号Sdm+1〜Sdの生成を停止する。
デコーダ55は、遅延用遅延部51からの遅延用遅延信号Sd〜Sdと、カウンタ部54からの分周信号Sdm+1〜Sdとをデコードすることによって、例えば、1ns刻みで異なる遅延量を有するn個の遅延クロックCd〜Cdを生成する。これらの遅延クロックCd〜Cdは、所望の第1デッドタイム、所望の第2デッドタイム、所望のオンタイム及び所望のミニマムオフタイムの各々に相当する遅延量を有する遅延クロックが含まれている。
ここで、所望のオンタイム、すなわちオンパルス幅Tonは、入力電圧値Vin、出力電圧値Vout、所望のスイッチング周波数fに基づいて、下記式により設定することができる。
Ton=(1/f)×(Vout/Vin)
例えば、Vin=5V、Vout=1Vであり、スイッチング周波数をf=500kHzとしたい場合には、Ton=400nsに設定すればよい。このとき、所望の第1デッドタイム及び所望の第2デッドタイムは40ns程度であることが好ましく、所望のミニマムオフタイムは200ns程度であることが好ましい。
これより、例えば、遅延部50は、トリガ電圧Voff2から最小遅延量1nsだけ遅延したトリガ遅延クロック(トリガ遅延信号)Cdと、このトリガ遅延クロックCdから所望の第1デッドタイム40nsの遅延量だけ遅延した第1デッドタイム遅延クロック(第1デッドタイム遅延信号)Cd41と、この第1デッドタイム遅延クロックCd41から所望のオンタイム400nsの遅延量だけ遅延したオンタイム遅延クロック(オンタイム遅延信号)Cd441と、このオンタイム遅延クロックCd441から所望の第2デッドタイム40nsの遅延量だけ遅延した第2デッドタイム遅延クロック(第2デッドタイム遅延信号)Cd481と、この第2デッドタイム遅延クロックCd481から所望のミニマムオフタイム200nsの遅延量だけ遅延したミニマムオフタイム遅延クロック(ミニマムオフタイム信号)Cd681と、を含むn個の遅延クロックCd〜Cdを生成し、タイミング制御部60へ供給する。
図1に戻り、タイミング制御部60は、遅延部50からの遅延クロックCd〜Cdのうちの、トリガ遅延クロックCd、第1デッドタイム遅延クロックCd41、オンタイム遅延クロックCd441、第2デッドタイム遅延クロックCd481、ミニマムオフタイム遅延クロックCd681、及び、最大の遅延量を有する遅延クロックCdに基づいて、スイッチング制御信号SSWHG,SSWLGを生成する。
図4に、タイミング制御部60の回路図を示す。図4に示すように、タイミング制御部60は、デコーダを構成しており、オフパルス終了用比較部61と、オンパルス開始用比較部62と、オンパルス終了用比較部63と、オフパルス開始用比較部64と、ミニマムオフタイム用比較部65と、インバータ66,69と、オンパルス用AND回路(オンパルス用論理演算部)67と、オフパルス用OR回路(オフパルス用論理演算部)68とを有している。
オフパルス終了用比較部61の一方の入力端子には遅延クロックCdが入力され、他方の入力端子にはトリガ遅延クロックCdが入力される。オフパルス終了用比較部61は、このトリガ遅延クロックCdに応じて、スイッチング制御信号SSWLGにおけるオフパルスの終了時点を示すオフパルス終了信号Soffeを生成する。
オンパルス開始用比較部62の一方の入力端子には遅延クロックCdが入力され、他方の入力端子には第1デッドタイム遅延クロックCd41が入力される。オンパルス開始用比較部62は、第1デッドタイム遅延クロックCd41に応じて、スイッチング制御信号SSWHGにおけるオンパルスの開始時点を示すオンパルス開始信号Sonsを生成する。
オンパルス終了用比較部63の一方の入力端子には遅延クロックCdが入力され、他方の入力端子にはオンタイム遅延クロックCd441が入力される。オンパルス終了用比較部63は、このオンタイム遅延クロックCd441に応じて、スイッチング制御信号SSWHGにおけるオンパルスの終了時点を示すオンパルス終了信号Soneを生成する。
オフパルス開始用比較部64の一方の入力端子には遅延クロックCdが入力され、他方の入力端子には第2デッドタイム遅延クロックCd481が入力される。オフパルス開始用比較部64は、この第2デッドタイム遅延クロックCd481に応じて、スイッチング制御信号SSWHGにおけるオフパルスの開始時点を示すオフパルス開始信号Poffsを生成する。
ミニマムオフタイム用比較部65の一方の入力端子には遅延クロックCdが入力され、他方の入力端子にはミニマムオフタイムクロックCd681が入力される。ミニマムオフタイム用比較部65は、このミニマムオフタイムクロックCd681に応じて、ミニマムオフタイム信号Soffminを生成する。
オンパルス用AND回路67は、オンパルス開始用比較部62からのオンパルス開始信号Sonsと、オンパルス終了用比較部63からのオンパルス終了信号Soneをインバータ66によって反転した信号との論理積を求め、スイッチング制御信号SSWHGにおけるオンパルスを生成する。このようにして、スイッチング制御信号SSWHGにおけるオンパルスの開始時点及び終了時点が決定される。
オフパルス用OR回路68は、オフパルス終了用比較部61からのオフパルス終了信号Soffeをインバータ69によって反転した信号と、オフパルス開始用比較部64からのオフパルス開始信号Soffsとの論理和を求め、スイッチング制御信号SSWLGにおけるオフパルスを生成する。このようにして、スイッチング制御信号SSWLGにおけるオフパルスの開始時点及び終了時点が決定される。
このようにして、タイミング制御部60は、デッドタイム40ns、オンタイム400ns、ミニマムオフタイム200nsを有するスイッチング制御信号SSWHG,SSWLGを生成する。
次に、DC−DCコンバータ1の動作を説明する。図5は、DC−DCコンバータ1における各信号波形を示すタイミングチャートであり、図6は、DC−DCコンバータ1の制御部200における各信号波形を示すタイミングチャートである。
出力電圧Voutが低下し基準電圧Vrefに達すると(図5(a))、制御部200のコンパレータ20によってハイレベルのパルス電圧Voff1が生成される(図5(c)、図6(a))。このとき、タイミング制御部60によってミニマムオフタイム信号Soffminが生成されているとすると、トリガ信号生成部30によってハイレベルのトリガ電圧Voff2が生成され、遅延部50によって、DLL部40からの基準遅延電圧Vdに基づいて、1ns間隔で遅延されたn個の遅延クロックCd〜Cdが生成される(図6(b)から(d))。
まず、遅延部50によって1ns遅延したトリガ遅延クロックCdが生成されると、タイミング制御部60のオフパルス終了用比較部61によってオフパルス終了信号Soffeが生成され(図6(e))、オフパルス用AND回路68によって、スイッチング制御信号SSWLGにおけるオフパルスPoffの発生が、オフパルスPoffの終了時点Toffeで終了する(図6(k)、図5(e))。すると、スイッチング素子12がオフ状態となる。
その後、遅延部50によって第1デッドタイム40ns遅延した第1デッドタイム遅延クロックCd41が生成されると、タイミング制御部60のオンパルス開始用比較部62によってオンパルス開始信号Sonsが生成され(図6(f))、オンパルス用AND回路67によって、スイッチング制御信号SSWHGにおけるオンパルスPonの発生が、オンパルスPonの開始時点Tonsで開始する(図6(j)、図5(d))。すると、スイッチング素子11がオン状態となり、コイル電流ILが増加し(図5(b))、出力電圧Voutが上昇する(図5(a))。
その後、遅延部50によってオンタイム400ns遅延したオンタイム遅延クロックCd441が生成されると、タイミング制御部60のオンパルス終了用比較部63によってオンパルス終了信号Soneが生成され(図6(g))、オンパルス用AND回路67によって、スイッチング制御信号SSWHGにおけるオンパルスPonの発生が、オンパルスPonの終了時点Toneで終了する(図6(j)、図5(d))。すると、スイッチング素子11がオフ状態となる。
その後、遅延部50によって第2デッドタイム40ns遅延した第2デッドタイム遅延クロックCd481が生成されると、タイミング制御部60のオフパルス開始用比較部64によってオフパルス開始信号Soffsが生成され(図6(h))、オフパルス用OR回路68によって、スイッチング制御信号SSWLGにおけるオフパルスPoffの発生が、オフパルスPoffの開始時点Toffsで開始する(図6(k)、図5(e))。すると、スイッチング素子12がオン状態となり、コイル電流ILが減少し(図5(b))、出力電圧Voutが低下する(図5(a))。
その後、遅延部50によってミニマムオフタイム200ns遅延したミニマムオフタイム遅延クロックCd681が生成されると、ミニマムオフタイム信号Soffminが生成される(図6(i))。これにより、次に出力電圧Voutが低下し基準電圧Vrefに達してコンパレータ20によってハイレベルのパルス電圧Voff1が生成されたときに、上記の動作を繰り返すことが可能となる。なお、ミニマムオフタイム200nsを設けることによって、上記したように、及び、後述するように、スイッチング素子11,12をスイッチングする際に生じる変動及びノイズによるコンパレータ20の誤動作を防止することができる。
このようにして、オンパルスPonのパルス幅が400nsの固定のオンタイムに設定される。
また、オンパルスPonとオフパルスPoffとの間に40nsのデッドタイムが設けられると共に、オフパルスPoffとオンパルスPonとの間に40nsのデッドタイムが設けられ、スイッチング素子11,12の同時オンを防止することができる。すなわち、スイッチング素子11,12に貫通電流が流れることを防止することができる。その結果、電力変換効率を向上することができる。
また、200nsのミニマムオフタイムが設定され、オフパルスPoffのパルス幅が200ns以下に狭まることを防止することができる。ここで、コンパレータ方式DC−DCコンバータでは、スイッチング素子のオン/オフが切り替わる際に、スイッチング素子を駆動するための駆動回路の動作状態が切り替わることに起因して、高電位側の電源電圧が変動することがある。特に、ハイサイド側のスイッチング素子がオンからオフに切り換わり、ローサイド側のスイッチング素子がオフからオンに切り換わる際には、すなわち、出力電圧が基準電圧より低下する際には、コンパレータが動作する。このとき、高電位側の電源電圧の変動に起因してコンパレータのための電源電圧や基準電圧が変動すると、コンパレータが誤動作する可能性がある。しかしながら、DC−DCコンバータでは、200nsのミニマムオフタイムが設定されているので、高電位側の電源電圧及び基準電圧の変動が収まるまで、オンパルスの生成を開始することがない。すなわち、200nsのミニマムオフタイムの間は、例えコンパレータ20が誤動作しても、オフパルスの生成を継続する。
この第1の実施形態のDC−DCコンバータ1によれば、デッドタイム、オンタイム及びミニマムオフタイムを定めるDLL部40及び遅延部50を、例えばDSP(Digital Signal Processor)で構成することができるので、従来の抵抗素子と容量素子とからなるアナログ型遅延回路を複数用いる場合と比較して、制御部200の小型化及び低価格化が可能である。また、制御部200全体をDSPで構成してもよい。この場合、制御部200の出力電圧VoutをAD変換するAD変換部とDSPとで構成できる。
また、第1の実施形態のDC−DCコンバータ1によれば、遅延部50が、DLL部40からの基準遅延電圧Vdに基づいて、デッドタイム、オンタイム及びミニマムオフタイムを定めるので、この基準遅延電圧Vdにおける基準遅延量の精度を高めるだけで、すなわち、DLL部40の精度を高めるだけで、遅延部50が定めるデッドタイム、オンタイム及びミニマムオフタイムの精度を高めることができる。したがって、従来の複数のアナログ型遅延回路のそれぞれにトリミング回路素子を用いる場合と比較して、小型化及び低価格化を妨げることなく、デッドタイム、オンタイム及びミニマムオフタイムの精度を高めることが可能である。
また、第1の実施形態のDC−DCコンバータ1によれば、DLL部40における高精度遅延部41の精度を高めるだけで、高精度な基準遅延量を有する基準遅延電圧Vdを生成することができる。したがって、小型化及び低価格化をより妨げることなく、デッドタイム、オンタイム及びミニマムオフタイムの精度を高めることが可能である。
また、第1の実施形態のDC−DCコンバータ1によれば、遅延部50におけるカウンタ部54が、遅延用遅延部51によって生成された遅延用遅延信号Sd〜Sdの分周信号Sdm+1〜Sdを生成するので、必要な遅延クロックCd〜Cdを生成するための信号おいて、遅延用遅延部51が生成する遅延信号の数を減らすことができる。すなわち、遅延用遅延部51の回路規模を小さくすることができる。したがって、制御部200の更なる小型化及び低価格化が可能である。
また、第1の実施形態のDC−DCコンバータ1によれば、例えば、タイミング制御部60を、DLL部40及び遅延部50を構成するDSPと同一なDSPで構成することができるので、制御部200の更なる小型化及び低価格化が可能である。
[第2の実施形態]
図7は、本発明の第2の実施形態に係る同期整流方式を用いたコンパレータ方式DC−DCコンバータを示す回路図である。図7に示すDC−DCコンバータ1Aは、DC−DCコンバータ1において制御部200に代えて制御部200Aを備えている構成で第1の実施形態と異なっている。
制御部200Aは、制御部200においてDLL部40に代えてDLL部40Aを備えており、更に調整部70Aを備えている点で制御部200と異なっている。制御部200Aの他の構成は制御部200と同一である。
調整部70Aは、スイッチング制御信号SSWHG(又はSSWLG)を受けると共に基準クロックCref5を受ける。調整部70Aは、スイッチング制御信号SSWHG(又はSSWLG)と基準クロックCref5とを比較し、この比較結果に応じてスイッチング制御信号SSWHG,SSWLGの周波数が一定になるように、オンパルスの所定のオン幅を調整する。具体的には、調整部70Aは、スイッチング制御信号SSWHGにおけるオンパルス(又はスイッチング制御信号SSWLGにおけるオフパルス)をカウントすると共に基準クロックCref5をカウントし、スイッチング制御信号SSWHG(又はSSWLG)のカウント値と基準クロックCref5のカウント値とが等しくなるように、オンパルスの所定のオン幅を調整するための周波数制御信号Sfを生成する。本実施形態に係るコンパレータ方式DC−DCコンバータでは、周波数制御信号Sfを4ビットのディジタル信号としている。
図8は、図7に示す調整部70Aを示す回路図である。図8に示す調整部70Aは、2つのカウンタ71,72と、アップダウンカウンタ73を有している。
第1のカウンタ71の入力端子にはスイッチング制御信号SSWHGが入力され、リセット端子には第2のカウンタ72の出力電圧が入力される。例えば、第1のカウンタ71は、4ビットカウンタである。第1のカウンタ71は、スイッチング制御信号SSWHGのオンパルスをカウントし、カウント値が最大値「1111」となった場合に、ハイレベルのパルス電圧を出力すると共に、「1111」の次のカウント時に出力電圧をリセットする。また、第1のカウンタ71は、第2のカウンタ72の出力電圧がハイレベルとなったときにも出力電圧をリセットする。第1のカウンタ71の出力端子は、アップダウンカウンタ73の一方の入力端子に接続されている。
第2のカウンタ72の入力端子には基準クロックCref5が入力され、リセット端子には第1のカウンタ71の出力電圧が入力される。例えば、第2のカウンタ72は、4ビットカウンタである。第2のカウンタ72は、基準クロックCref5の周期をカウントし、カウント値が最大値「1111」となった場合に、ハイレベルのパルス電圧を出力すると共に、「1111」の次のカウント時に出力電圧をリセットする。また、第2のカウンタ72は、第1のカウンタ71の出力電圧がハイレベルとなったときにも出力電圧をリセットする。第2のカウンタ72の出力端子は、アップダウンカウンタ73の他方の入力端子に接続されている。
アップダウンカウンタ73は、第1のカウンタ71からのパルス電圧と第2のカウンタ72からのパルス電圧Vdown,Vupとを受け、カウント値を増減する。本実施形態では、アップダウンカウンタ73は、第1のカウンタ71からハイレベルのパルス電圧Vdownが入力されたときにカウント値を減少し、第2のカウンタ72からハイレベルのパルス電圧Vupが入力されたときにカウント値を増加する。アップダウンカウンタ73は、4ビットのディジタル周波数制御信号SfをDLL部40Aへ出力する。
図9は、DLL部40Aを示す回路図である。図9に示すDLL部40Aは、DLL部40においてディジタル/アナログ変換部(以下、DACという。)46とアンプ47とを更に備えている構成でDLL部40と異なっている。
DAC46は、調整部70Aからの周波数制御信号Sfをディジタル/アナログ変換し、アンプ47の一方の入力端子へ出力する。アンプ47の他方の入力端子には基準電圧Vref2が入力される。アンプ47は、プッシュプル型の電流源として機能し、例えば、周波数制御信号Sfが基準電圧Vref2以上であるときには容量素子44へ電流を供給し、周波数制御信号Sfが基準電圧Vref2より小さいときには容量素子44から電流を引き抜く。すなわち、アンプ47は、周波数制御信号Sfが基準電圧Vref2以上であるときには基準遅延電圧Vdの値を増加し、周波数制御信号Sfが基準電圧Vref2より小さいときには基準遅延電圧Vdの値を減少する。
この第2の実施形態のDC−DCコンバータ1Aでも、第1の実施形態のDC−DCコンバータ1と同様の構成を備えているので、第1の実施形態のDC−DCコンバータ1と同様の利点を得ることができる。
ここで、例えば、環境温度が上昇すると、回路素子の内部抵抗が増加し、内部損失が増加する。このとき、コンパレータ方式DC−DCコンバータでは、内部損失の増加による出力電圧の低下を補うために、オフパルス幅が短くなってオンデューティが増加する。このように、コンパレータ方式DC−DCコンバータでは、環境温度の変動に起因して、スイッチング周波数が徐々に変動してしまう。その他入力電圧、出力電圧、及び出力電流の変動によってもオフパルス幅が変動しスイッチング周波数が変動してしまう。スイッチング周波数の変動によって、出力電圧のリップルが変動してしまい、PUなどの後段回路が誤動作してしまう可能性がある。また、広帯域に渡るEMI対策が必要となる可能性がある。
しかしながら、第2の実施形態のDC−DCコンバータ1Aによれば、例えば環境温度が低下すると、例えばスイッチング素子11,12やコイル14などの内部抵抗値が低下し、内部損失が低下する。このとき、出力電圧Voutの上昇を補うために、オフパルスPoffのオフ幅が広くなり、オンデューティを減少させる。一方、オンパルスPonの所定のオン幅は調整部70Aによって調整される。
具体的には、スイッチング制御信号SSWHG,SSWLGのスイッチング周波数が基準クロックCref5の周波数より低いので(図10(a),(c))、第2のカウンタ72が第1のカウンタ71より先にカウントを終了し、ハイレベルのパルス電圧Vupを出力する(図10(b))。一方、第1のカウンタ71の出力電圧Vdownはローレベルのままである(図10(d))。その結果、アップダウンカウンタ73は、周波数制御信号Sfの値を上昇する(図10(e))。
すると、周波数制御信号Sfと基準電圧Vref2との差分電圧に比例した電流をアンプ47が容量素子44に供給し、基準遅延電圧Vdが上昇する。これによって、遅延部50における遅延量が減少し、オンタイム、第1及び第2のデッドタイム及びミニマムオフタイムが小さくなる。その結果、オンパルスPonのオン幅が狭くなり、VinとVoutによりオンデューティが定まるため、オフパルスPoffのオフ幅も狭くなってスイッチング周波数は上昇する。このように、調整部70Aは、スイッチング周波数を基準クロックCref5の周波数に近づけるように制御するため、スイッチング周波数の変動が低減される。
一方、例えば環境温度が上昇すると、例えばスイッチング素子11,12やコイル14などの内部抵抗値が増加し、内部損失が増加する。このとき、出力電圧Voutの低下を補うため、オフパルスPoffのオフ幅が狭くなり、オンデューティを増加させる。一方、オンパルスPonの所定のオン幅は調整部70Aによって調整される。
具体的には、スイッチング制御信号SSWHG,SSWLGのスイッチング周波数が基準クロックCref5の周波数より高いので、第1のカウンタ71が第2のカウンタ72より先にカウントを終了し、ハイレベルのパルス電圧Vdownを出力する。一方、第2のカウンタ72の出力電圧Vupはローレベルのままである。その結果、アップダウンカウンタ73は、周波数制御信号Sfの値を低下する。
すると、周波数制御信号Sfと基準電圧Vref2との差分電圧に比例した電流をアンプ47が容量素子44から引き抜き、基準遅延電圧Vdが減少する。これによって、遅延部50における遅延量が増加し、オンタイム、第1及び第2のデッドタイム及びミニマムオフタイムが大きくなる。その結果、オンパルスPonのオン幅が広くなり、VinとVoutによりオンデューティが定まるため、オフパルスPoffのオフ幅も広くなって、スイッチング周波数は減少する。このように、調整部70Aは、スイッチング周波数を基準クロックCref5の周波数に近づけるように制御するため、スイッチング周波数の変動が低減される。
このように、第2の実施形態のコンパレータ方式DC−DCコンバータ1によれば、負荷電流の急激な増加に対する応答特性を損なうことなく、環境温度の変動等に起因する変換ロスの変動、入出力電圧の変動、出力電流の変動によって生じるスイッチング周波数の変動を低減することができる。その結果、出力電圧のリップルの変動を低減することができ、PUなどの後段回路の誤動作を防止することができる。また、広帯域に渡るEMI対策が不要となり、EMI対策を容易に、且つ安価に行うことができる。
なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。
第2の実施形態では、調整部70Aにおける基準クロックCref5の周波数はスイッチング制御信号SSWHGの周波数と同様としたが、基準クロックCref5の周波数とスイッチング制御信号SSWHGの周波数との比はN:M(M及びNは自然数)であってもよい。このとき、調整部70Aは、スイッチング制御信号SSWHGのカウント値と基準クロックCref5のカウント値との比がM:Nとなるように、スイッチング制御信号SSWHGにおけるオンパルスPonの所定のオン幅を調整する。特に、基準クロックCref5の周波数がスイッチング制御信号SSWHGの周波数より低いことが好ましい。これによれば、消費電流を低減することが可能である。
また、第2の実施形態では、第1のカウンタ71は、スイッチング制御信号SSWHGにおけるオンパルスをカウントしたが、スイッチング制御信号SSWLGをカウントしてもよい。
また、第2の実施形態では、周波数を一定にするために、調整部70AによってDLL部40Aの基準遅延電圧Vdを調整したが、調整部70Aによって遅延部50のオンタイム遅延クロックCd441のみを調整してもよい。これによれば、デットタイム及びミニマムオフセットタイムを一定に保持しつつ、オンタイムのみを変動させることによって、周波数を一定にすることができる。
また、本実施形態では、電圧変換部100におけるスイッチング素子11としてn型MOSFETが用いられたが、p型MOSFETが用いられてもよい。更に、本実施形態におけるスイッチング素子やトランジスタには、FETやバイポーラトランジスタといった様々なトランジスタが適用可能である。
11,12…スイッチング素子,13…駆動回路、14…コイル、15…容量素子、20…コンパレータ、30…トリガ信号生成部、40,40A…DLL部、41…高精度遅延部(DLL基準部)、42…DLL遅延部、42〜42…DLL部分遅延部、43…アンプ、44…容量素子、45…DLL比較部、46…DAC、47…アンプ、50…遅延部、51…遅延用遅延部、52…AND回路、53〜53…遅延用部分遅延部、54…カウンタ部、54〜54…D−FF部、60…タイミング制御部、61…オフパルス終了用比較部、62…オンパルス開始用比較部、63…オンパルス終了用比較部、64…オフパルス開始用比較部、65…ミニマムオフタイム用比較部、66…インバータ、67…オンパルス用AND回路(オンパルス用論理演算部)、68…オフパルス用AND回路(オフパルス用論理演算部)、70A…調整部、71,72…カウンタ、73…アップダウンカウンタ、100…電圧変換部、200,200A…制御部。

Claims (4)

  1. スイッチング素子を有し、該スイッチング素子を制御信号に応じて制御することによって入力電圧を電圧変換した出力電圧を生成する電圧変換部と、
    前記電圧変換部の前記出力電圧を安定化するための前記制御信号を生成する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    前記電圧変換部の前記出力電圧が基準電圧より小さくなったことを検出するコンパレータと、
    ミニマムオフタイム信号を受けた後であって前記コンパレータからの出力信号を受けたときにトリガ信号を生成するトリガ信号生成部と、
    基準クロックを基準遅延量だけ遅延した基準遅延クロックを生成すると共に、当該基準遅延量に応じた値を有する基準遅延信号を生成するDLL部と、
    前記DLL部からの前記基準遅延信号に基づいて、前記トリガ信号生成部からの前記トリガ信号から所定の遅延量だけ遅延したトリガ遅延信号、当該トリガ遅延信号から所望の第1デッドタイムに対応した遅延量だけ遅延した第1デッドタイム遅延信号、当該第1デッドタイム遅延信号から所望のオンタイムに対応した遅延量だけ遅延したオンタイム遅延信号、当該オンタイム遅延信号から所望の第2デッドタイムに対応した遅延量だけ遅延した第2デッドタイム遅延信号、及び、当該第2デッドタイム遅延信号から所望のミニマムオフタイムに対応した遅延量だけ遅延したミニマムオフタイム遅延信号を生成する遅延部と、
    前記遅延部からの前記トリガ遅延信号に応じて前記制御信号におけるオフパルスの終了時点を決定し、前記遅延部からの前記第1デッドタイム遅延信号に応じて前記制御信号におけるオンパルスの開始時点を決定し、前記遅延部からの前記オンタイム遅延信号に応じて前記オンパルスの終了時点を決定し、前記遅延部からの前記第2デッドタイム遅延信号に応じて前記オフパルスの開始時点を決定し、前記遅延部からの前記ミニマムオフタイム遅延信号に応じて前記ミニマムオフタイム信号を生成するタイミング制御部と、
    を有する、
    同期整流方式を用いたコンパレータ方式DC−DCコンバータ。
  2. 前記DLL部は、
    前記基準クロックを前記基準遅延量だけ遅延した前記基準遅延クロックを生成するDLL基準部と、
    前記基準クロックを前記基準遅延信号に基づいて遅延したDLL遅延クロックを生成するDLL遅延部と、
    前記基準遅延クロックの位相と前記DLL遅延クロックの位相との差に応じた値を有する前記基準遅延信号を生成するDLL比較部と、
    を有し、
    前記DLL遅延クロックの位相が前記基準遅延クロックの位相に一致するように前記基準遅延信号を生成することによって、前記基準遅延量に応じた値を有する前記基準遅延信号を生成する、
    請求項1に記載の同期整流方式を用いたコンパレータ方式DC−DCコンバータ。
  3. 前記遅延部は、
    前記DLL部からの前記基準遅延信号に基づいて、前記トリガ信号生成部からの前記トリガ信号から異なる遅延量を有する複数の遅延用遅延クロックを生成する遅延用遅延部と、
    前記遅延用遅延部からの前記複数の遅延用遅延クロックを分周した分周クロックを生成するカウンタ部と、
    を有し、
    前記複数の遅延用遅延クロック及び前記分周クロックから、前記トリガ遅延信号、前記第1デッドタイム遅延信号、前記オンタイム遅延信号、前記第2デッドタイム遅延信号及び前記ミニマムオフタイム遅延信号を決定する、
    請求項1に記載の同期整流方式を用いたコンパレータ方式DC−DCコンバータ。
  4. 前記タイミング制御部は、
    前記遅延部からの前記トリガ遅延信号に応じて前記制御信号における前記オフパルスの終了時点を示すオフパルス終了信号を生成するオフパルス終了用比較部と、
    前記遅延部からの前記第1デッドタイム遅延信号に応じて前記制御信号における前記オンパルスの開始時点を示すオンパルス開始信号を生成するオンパルス開始用比較部と、
    前記遅延部からの前記オンタイム遅延信号に応じて前記オンパルスの終了時点を示すオンパルス終了信号を生成するオンパルス終了用比較部と、
    前記遅延部からの前記第2デッドタイム遅延信号に応じて前記オフパルスの開始時点を示すオフパルス開始信号を生成するオフパルス開始用比較部と、
    前記遅延部からの前記ミニマムオフタイム遅延信号に応じて前記ミニマムオフタイム信号を生成するミニマムオフタイム用比較部と、
    前記オンパルス開始信号と前記オンパルス終了信号との論理演算を行うことによって前記制御信号における前記オンパルスを生成するオンパルス用論理演算部と、
    前記オフパルス終了信号と前記オフパルス開始信号との論理演算を行うことによって前記制御信号における前記オフパルスを生成するオフパルス用論理演算部と、
    を有する、
    請求項1に記載の同期整流方式を用いたコンパレータ方式DC−DCコンバータ。
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