JP5304648B2 - 感放射線性組成物及び化合物 - Google Patents
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Description
本発明の化合物は、下記一般式(1)で表されるもの(以下「(a)化合物」と記す場合がある)である。この(a)化合物は、ベンゼン環に結合した複数のヒドロキシル基を有し、そのヒドロキシル基の中の少なくとも一つが酸解離性基によって保護された構造を有する酸解離性基含有(修飾)化合物である。従って、(a)化合物は、その酸解離性基が酸により解離し、上記酸解離性基が脱離した後は、アルカリ可溶性となるものである。
本発明の感放射線性組成物は、上述した(a)化合物と、(b)放射線が照射されることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤と、を含有するものである。本発明の感放射線性組成物は、(a)化合物を含有することにより、ベンゼン環骨格を有する化合物を含有することになるためエッチング耐性に優れる。また、本発明の感放射線性組成物は、含有する(a)化合物が、樹脂ではなく低分子の化合物であるため、樹脂に起因する凝集が生じることがなく、ナノエッジラフネスに優れる。更に、本発明の感放射線性組成物は、化学増幅型レジストと同様に酸解離性基を導入しているため、感度に優れる。そして、リソグラフィープロセスにおいて、電子線または極紫外線に有効に感応し、ナノエッジラフネス、エッチング耐性、感度に優れ、微細パターンを高精度に、かつ、安定して形成することができるものである。
上記(b)感放射線性酸発生剤は、リソグラフィープロセスにおいて、感放射線性組成物に電子線等を照射したときに、感放射線性組成物内で酸を発生する物質であり、この発生した酸の作用によって既に上述した(a)化合物の酸解離性基を解離させることができる。
本発明の感放射線性組成物は、(c)酸拡散制御剤を更に含有することが好ましい。(c)酸拡散制御剤は、露光により(b)感放射線性酸発生剤から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する成分である。このような(c)酸拡散制御剤を配合することにより、得られる感放射線性組成物の貯蔵安定性が向上し、また、レジストとしての解像度が更に向上するとともに、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間(PED)の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた感放射線性組成物が得られる。
本発明の感放射線性組成物は、上記(a)化合物、(b)感放射線性酸発生剤、及び(c)酸拡散制御剤を、溶剤に溶解させたものであることが好ましい。すなわち、その他の成分として溶剤を含有することが好ましい。また、本発明の感放射線性組成物には、必要に応じて、その他の成分として、界面活性剤、増感剤、脂肪族添加剤等の各種の添加剤を配合することができる。
本発明の感放射線性組成物は、特に化学増幅型レジストとして有用である。上記化学増幅型レジストにおいては、露光により(b)感放射線性酸発生剤から発生した酸の作用によって、(a)化合物の酸解離性基が脱離して、アルカリ可溶性部位を生じ、その結果、レジストの露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が高くなり、この露光部がアルカリ現像液によって溶解、除去され、ポジ型のレジストパターンが得られる。
レゾルシノール2.20gと、2,5−ジメトキシテトラヒドロフラン0.79gとを、エタノール6mLに添加し、12Nの塩酸2mlを加え、80℃で24時間加熱した後、反応液をメタノールに注いで固体を得、この固体を約200mlのメタノールで洗浄し、真空下60℃、24時間の条件で乾燥することにより、収率29%で下記構造の淡黄色固体(S)を得た。得られた固体のMnは9500、Mw/Mnは2.1であった。
得られた上記淡黄色固体(S)1g、テトラブチルアンモニウムブロマイド0.25gを加え、1−メチル−2−ピロリドン10gを加えた後、70℃で1時間攪拌した。その後、炭酸カリウム1.2gを加え、70℃で1時間撹拌した。その後、1−メチル−2−ピロリドン3gに溶かしたブロモ酢酸t−ブチル1.8gを徐々に加え、60℃で6時間攪拌した。室温まで冷却後、水/塩化メチレンで抽出を行い、続いて、3wt%シュウ酸水溶液100mlで2回洗浄した後、100mlで2回洗浄した。水層を廃棄したのち、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤をろ別した後に有機層を濃縮し、良溶媒にクロロホルム、貧溶媒にn−ヘキサンを用いて再沈精製することによって、固体を得た。収率55%であった。なお、1H−NMR分析を行ったところ下記化合物(A−2)における保護率(化合物(1)中のフェノール性水酸基の水素原子がtert−ブトキシカルボニルメチル基で置換された割合)は50%であった。
得られた上記淡黄色固体(S)1g、テトラブチルアンモニウムブロマイド0.25gを加え、1−メチル−2−ピロリドン10gを加えた後、70℃で1時間攪拌した。その後、炭酸カリウム1.2gを加え、70℃で1時間撹拌した。その後、1−メチル−2−ピロリドン3gに溶かしたブロモ酢酸2−メチル−2−アダマンチル2.6gを徐々に加え、60℃で6時間攪拌した。室温まで冷却後、水/塩化メチレンで抽出を行い、続いて、3wt%シュウ酸水溶液100mlで2回洗浄した後、100mlで2回洗浄した。水層を廃棄したのち、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。乾燥剤をろ別した後に有機層を濃縮し、良溶媒にクロロホルム、貧溶媒にn−ヘキサンを用いて再沈精製することによって、固体を得た。収率55%であった。なお、1H−NMR分析を行ったところ下記化合物(A−2)における保護率(化合物(1)中のフェノール性水酸基の水素原子が2−メチル−2−アダマンチルオキシカルボニルメチル基で置換された割合)は50%であった。
ポリヒドロキシスチレン(VP8000、日本曹達社製(Mw9000、Mw/Mn=1.1)10gの酢酸ブチル20%溶液に、ジ−t−ブチル−ジ−カーボナート5.50g、トリエチルアミン2.80gをゆっくり滴下し、この反応液を60℃で7時間攪拌した。その後、上記反応液に多量の水を加え、再沈精製を繰り返した。続いて、減圧乾燥を行い、ヒドロキシ基が30%t−ブトキシカルボニルで保護されたポリヒドロキシスチレン(A−4)12.0gを得た。
化合物(A−1)100部、(b)感放射線性酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート(表1中、「B−1」と示す)9部、(c)酸拡散制御剤としてトリ−n−オクチルアミン(表1中、「C−1」と示す)0.3部、溶剤として乳酸エチル(表1中、「D−1」と示す)600部、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(表1中、「D−3」と示す)1500部を混合し、この混合液を孔径200nmのメンブランフィルターでろ過して組成物溶液(感放射線性組成物)を得た。
シリコンウエハー上に形成したレジスト被膜に露光して、直ちにPEBを行い、その後アルカリ現像し、水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成した。このとき、線幅150nmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)を1対1の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量により感度を評価した。
ライン・アンド・スペースパターン(1L1S)について、最適露光量により解像されるラインパターンの最小線幅(nm)を解像度とした。
設計寸法150nmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)について、走査型電子顕微鏡によりラインパターンの断面寸法を測定し、最小寸法をLin、最大寸法をLoutとし、(Lout−Lin)をLdとして、Ldの値により、下記基準で評価した。
Ldが0.01μm未満:良好
Ldが0.01μm以上:不良
表1に示す各成分を表1に示した量で混合して均一溶液として、表2に示す条件で処理した以外は実施例4と同様にして組成物溶液(感放射線性組成物)を調製した。その後、調整した感放射線性組成物によってレジストパターンを形成し、形成したレジストについて上記各評価を行った。その評価結果を表2に示す。
B−1:トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
B−2:N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド
C−1:トリ−n−オクチルアミン
C−2:トリフェニルスルホニウムサリチレート
C−3:N−t−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン
D−1:乳酸エチル
D−2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Claims (5)
- 前記一般式(3−1)中のR1が、tert−ブチル、2−メチル−2−アダマンチル基、2−エチル−2−アダマンチル基、1−エチルシクロペンチル基、または1−メチルシクロペンチル基でありかつ、mが0または1である請求項1に記載の感放射線性組成物。
- 前記(b)感放射線性酸発生剤が、
オニウム塩、ジアゾメタン化合物、およびスルホンイミド化合物よりなる群から選択される少なくとも一種である請求項2に記載の感放射線性組成物。 - (c)酸拡散制御剤を更に含有する請求項1〜3のいずれか一項に記載の感放射線性組成物。
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