CN102209930B - 有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、液晶面板、液晶面板的制造方法、液晶显示装置、液晶显示单元、电视接收机 - Google Patents
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Abstract
本发明的用于液晶面板的有源矩阵基板具备:扫描信号线(16x)、数据信号线(15x)以及连接到扫描信号线(16x)和数据信号线(15x)的晶体管(12a),在1个像素(101)中设有2个像素电极(17a、17b),一方像素电极(17a)经过晶体管(12a)连接到数据信号线(15x),并且上述有源矩阵基板具备电连接到该像素电极(17a)的电容电极(37a、38a),在这些电容电极(37a、38a)与另一方像素电极(17b)之间分别形成电容。由此,能在电容耦合型的像素分割方式的有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的液晶面板中提高其制造成品率。
Description
技术领域
本发明涉及在1像素区域设有多个像素电极的有源矩阵基板和使用该有源矩阵基板的液晶显示装置(像素分割方式)。
背景技术
为了提高液晶显示装置的γ特性的视场角依赖性(例如抑制画面泛白等),提出了如下液晶显示装置(像素分割方式,例如参照专利文献1):将设于1像素的多个子像素控制为不同的亮度,利用这些子像素的面积灰度级来显示中间灰度级。
在专利文献1记载的有源矩阵基板中,如图47所示,3个像素电极121a~121c在1个像素区域中沿着数据信号线115排列,晶体管116的源极电极116s连结到接触电极117a,接触电极117a和控制电极118经过引出配线119连接,控制电极118和接触电极117b经过引出配线126连接,接触电极117a和像素电极121a经过接触孔120a连接,接触电极117b和像素电极121c经过接触孔120b连接,电漂浮的像素电极121b隔着绝缘层与控制电极118重叠,像素电极121b与像素电极121a、121c分别电容耦合(电容耦合型的像素分割方式)。另外,在控制电极118与电容配线113的重叠部分形成保持电容。在采用该有源矩阵基板的液晶显示装置中,能使与像素电极121a、121c对应的子像素分别为亮子像素,使与像素电极121b对应的子像素为暗子像素,能利用这些亮子像素(2个)、暗子像素(1个)的面积灰度级来显示中间灰度级。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本国公开专利公报“特开2006-39290号公报(公开日:2006年2月9日)”
发明内容
发明要解决的问题
然而,在图47的有源矩阵基板中,例如,在控制电极118与像素电极121b发生短路的情况下,虽然能通过切断引出配线119来避免从数据信号线对像素电极121b写入信号电位,然而像素电极121b就失去了与像素电极121a的电容耦合。
这样,在以往的有源矩阵基板中,与像素电极121b对应的子像素(暗子像素)容易成为缺陷,有可能降低成品率。
鉴于上述课题,在本发明中,提出了在电容耦合型的像素分割方式的有源矩阵基板中提高其成品率的结构。
用于解决问题的方案
本有源矩阵基板具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极,上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,上述有源矩阵基板具备电连接到上述第1像素电极和第2像素电极中的一方像素电极的第1电容电极和第2电容电极,在上述第1像素电极和第2像素电极中的另一方像素电极与上述第1电容电极之间形成电容,在该另一方像素电极与上述第2电容电极之间形成电容,上述第1电容电极的至少一部分隔着覆盖上述晶体管的沟道的层间绝缘膜与上述另一方像素电极重叠,上述第2电容电极的至少一部分隔着上述层间绝缘膜与上述另一方像素电极重叠,上述层间绝缘膜包括无机绝缘膜和比该无机绝缘膜厚的有机绝缘膜,在与上述第1电容电极重叠的部分的至少一部分和与上述第2电容电极重叠的部分的至少一部分除去了有机绝缘膜,上述层间绝缘膜具有除去了上述有机绝缘膜而成的薄膜部,所述薄膜部包括与上述第1电容电极的一部分和上述第2电容电极的一部分重叠的区域,上述第1电容电极和第2电容电极在扫描信号线的延伸方向上排列配置,并且上述第1电容电极跨越上述薄膜部的1边,上述第2电容电极跨越与该1边相对的边。
上述结构是在电容耦合型的像素分割方式的有源矩阵基板中,将设于1像素区域的第1像素电极和第2像素电极经过2个电容(耦合电容)连接的结构。由此,在制造工序等中,即使在一方电容产生问题,也能利用另一方电容维持第1像素电极和第2像素电极的电容耦合。例如,在将第1电容电极和第2电容电极电连接到第1像素电极、并且在第1电容电极和第2像素电极之间形成电容、在第2电容电极和第2像素电极之间形成电容的结构中,即使在第1电容电极与第2像素电极发生短路的情况下,将第1电容电极在与第1像素电极的连接位置和短路位置之间切断,由此能利用形成于第2电容电极与第2像素电极之间的电容(耦合电容)维持第1像素电极和第2像 素电极的电容耦合。由此,能提高本有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的液晶面板的制造成品率。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述晶体管的一个导通电极、上述第1电容电极和上述第2电容电极形成于同层。由此,能使有源矩阵基板的层(layer)构造和制造工序简化。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述第1电容电极的至少一部分隔着覆盖上述晶体管的沟道的层间绝缘膜与上述另一方像素电极重叠,上述第2电容电极的至少一部分隔着上述层间绝缘膜与上述另一方像素电极重叠。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述第1像素电极和第2像素电极的外周包括多个边,并且上述第1像素电极的一边与上述第2像素电极的一边相邻,上述第1电容电极和第2电容电极分别配置为与该相邻的2个边的间隙、上述第1像素电极和上述第2像素电极重叠。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述晶体管的一个导通电极经过接触孔连接到上述第1像素电极,并且该导通电极经过从该导通电极引出的引出配线连接到上述第1电容电极,上述第1像素电极和上述第2电容电极经过接触孔连接。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述晶体管的一个导通电极和上述第1像素电极经过接触孔连接,并且上述第1像素电极和上述第1电容电极经过接触孔连接,上述第1像素电极和上述第2电容电极经过接触孔连接。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述晶体管的一个导通电极经过接触孔连接到上述第1像素电极,上述第2像素电极和上述第1电容电极经过接触孔连接,并且上述第2像素电极和上述第2电容电极经过接触孔连接。
在本有源矩阵基板中,也能构成为以扫描信号线的延伸方向为行方向,上述第1像素电极和第2像素电极在列方向上排列。
在本有源矩阵基板中,也能构成为在行方向上相邻的2个像素区域中,其一方像素区域中的上述第1像素电极与另一方像素区域中的上述第2像素电极在行方向上相邻。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述第1像素电极包围上述第2像素电极。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述第2像素电极包围上述第1像素电极。
在本有源矩阵基板中,也能构成为还具备保持电容配线,所述保持电容配线与上述第1像素电极或电连接到该第1像素电极的导电体形成电容,并且与上述第2像素电极或电连接到该第2像素电极的导电体形成电容。在这种情况下,也能构成为上述保持电容配线以横穿上述像素区域的中央的方式与上述扫描信号线在相同的方向上延伸。另外,也能构成为上述第1电容电极和上述第2电容电极分别与上述保持电容配线形成电容。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述保持电容配线以横穿上述像素区域的中央的方式与上述扫描信号线在相同的方向上延伸。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述第1电容电极和上述第2电容电极分别与上述保持电容配线形成电容。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述层间绝缘膜包括无机绝缘膜和比该无机绝缘膜厚的有机绝缘膜,在与上述第1电容电极重叠的部分的至少一部分和与上述第2电容电极重叠的部分的至少一部分除去了有机绝缘膜。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述层间绝缘膜具有除去了上述有机绝缘膜而成的薄膜部,所述薄膜部包括与上述第1电容电极的一部分和上述第2电容电极的一部分重叠的区域,上述第1电容电极和第2电容电极在扫描信号线的延伸方向上排列配置,并且上述第1电容电极跨越上述薄膜部的1边,上述第2电容电极跨越与该1边相对的边。
由此,例如在第1电容电极和第2电容电极与第2像素电极之间形成耦合电容的结构中,在第1电容电极和第2电容电极在行方向上错开的情况下,第1电容电极和第2像素电极的重叠面积与第2电容电极和第2像素电极的重叠面积相补偿,能得到2个电容(耦合电容) 的总量不易变化的效果。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述薄膜部与上述第1像素电极和第2像素电极中的任一方重叠。
由此,例如在第1电容电极和第2电容电极与第2像素电极之间形成耦合电容的结构的情况下,除了能得到上述效果以外,还能得到能减少第1电容电极和第2电容电极与第2像素电极的短路的可能性的效果。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述第1像素电极和第2像素电极的间隙发挥取向限制构造物的功能。
在本有源矩阵基板中,也能构成为上述第1像素电极包围上述第2像素电极,上述第2像素电极的外周包括相互平行的2个边,并且上述第1像素电极的外周包括隔着第1间隙与上述2个边中的一方相对的边和隔着第2间隙与另一方相对的边,上述第1电容电极与上述第1像素电极、上述第1间隙和上述第2像素电极重叠配置,并且上述第2电容电极与上述第2像素电极、上述第2间隙和上述第1像素电极重叠配置。
由此,在第1像素电极和第2像素电极的对准相对于第1电容电极和第2电容电极在与上述间隙正交的方向上错开的情况下,第1电容电极和第2像素电极的重叠面积与第2电容电极和第2像素电极的重叠面积也会相补偿,具有2个电容(耦合电容)的总量不易变化的优点。在这种情况下,第1电容电极和第2电容电极也能构成为平行于第1间隙和第2间隙并且以通过两个间隙之间的中心的线为轴成线对称。
本有源矩阵基板的特征在于:具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极、第2像素电极和第3像素电极,上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,上述第3像素电极电连接到上述第1像素电极,上述有源矩阵基板具备电连接到上述第1像素电极的第1电容电极和电连接到上述第3像素电极的第2电容电极,在上述第1电容电极和上述第2像素电极之间形成电容,在上述第2 电容电极和上述第2像素电极之间形成电容。
本有源矩阵基板的特征在于:具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极、第2像素电极和第3像素电极,上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,上述第3像素电极电连接到上述第1像素电极,上述有源矩阵基板具备电连接到上述第2像素电极的第1电容电极和第2电容电极,在上述第1电容电极和上述第1像素电极之间形成电容,在上述第2电容电极和上述第3像素电极之间形成电容。
本有源矩阵基板的特征在于:具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极、第2像素电极和第3像素电极,上述第2像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,上述有源矩阵基板具备电连接到上述第2像素电极的第1电容电极和第2电容电极,在上述第1电容电极和上述第1像素电极之间形成电容,在上述第2电容电极和上述第3像素电极之间形成电容。
本有源矩阵基板的特征在于:具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极、第2像素电极和第3像素电极,上述第2像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,上述有源矩阵基板具备电连接到上述第1像素电极的第1电容电极和电连接到上述第3像素电极的第2电容电极,在上述第1电容电极和上述第2像素电极之间形成电容,在上述第2电容电极和上述第2像素电极之间形成电容。
本有源矩阵基板也能构成为:在上述像素区域还具备第1保持电容配线和第2保持电容配线,上述第1电容电极与上述第1保持电容配线形成电容,上述第2电容电极与上述第2保持电容配线形成电容。
本有源矩阵基板的制造方法的特征在于:所述有源矩阵基板具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极,上 述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,所述有源矩阵基板的制造方法包括如下工序:形成第1电容电极和第2电容电极,该第1电容电极电连接到上述第1像素电极和第2像素电极中的一方像素电极,并且与另一方像素电极形成电容,该第2电容电极电连接到上述一方像素电极,并且与上述另一方像素电极形成电容;检测上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路和上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路中的至少一方;以及在检测出上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路的情况下,将上述第1电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断,在检测出上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路的情况下,将上述第2电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断。
本有源矩阵基板的制造方法的特征在于:所述有源矩阵基板具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极,上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,所述有源矩阵基板的制造方法包括如下工序:形成第1电容电极和第2电容电极,该第1电容电极电连接到上述第1像素电极和第2像素电极中的一方像素电极,并且与另一方像素电极和保持电容配线形成电容,该第2电容电极电连接到上述一方像素电极,并且与上述另一方像素电极和上述保持电容配线形成电容;检测上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路、上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路、上述第1电容电极与上述保持电容配线的短路、上述第2电容电极与上述保持电容配线的短路中的至少一方;以及在检测出上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路或者上述第1电容电极与上述保持电容配线的短路的情况下,将上述第1电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断,在检测出上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路或者上述第2电容电极与上述保持电容配线的短路的情况下,将上述第2电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断。
本液晶面板的制造方法的特征在于:所述液晶面板具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素中设有第1像素电极和第2像素电极,上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,所述液晶面板的制造方法包括如下工序:形成第1电容电极和第2电容电极,该第1电容电极电连接到上述第1像素电极和第2像素电极中的一方像素电极,并且与另一方像素电极形成电容,该第2电容电极电连接到上述一方像素电极,并且与上述另一方像素电极形成电容;检测上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路以及上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路中的至少一方;以及在检测出上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路的情况下,将上述第1电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断,在检测出上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路的情况下,将上述第2电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断。
本液晶面板的制造方法的特征在于:所述液晶面板具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素中设有第1像素电极和第2像素电极,上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,所述液晶面板的制造方法包括如下工序:形成第1电容电极和第2电容电极,该第1电容电极电连接到上述第1像素电极和第2像素电极中的一方像素电极,并且与另一方像素电极和保持电容配线形成电容,该第2电容电极电连接到上述一方像素电极,并且与上述另一方像素电极和上述保持电容配线形成电容;检测上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路、上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路、上述第1电容电极与上述保持电容配线的短路、上述第2电容电极与上述保持电容配线的短路中的至少一方;以及在检测出上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路或者上述第1电容电极与上述保持电容配线的短路的情况下,将上述第1电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断,在检测出上述第2电容电极与 上述另一方像素电极的短路或者上述第2电容电极与上述保持电容配线的短路的情况下,将上述第2电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断。
本液晶面板的特征在于:具备上述有源矩阵基板。另外,本液晶显示单元的特征在于:具备上述液晶面板和驱动器。另外,本液晶显示装置的特征在于:具备上述液晶显示单元和光源装置。另外,本电视接收机的特征在于:具备上述液晶显示装置和接收电视广播的调谐器部。
发明效果
如上所述,本发明是在电容耦合型的像素分割方式的有源矩阵基板中,将设于1个像素区域的第1像素电极和第2像素电极经过并联的2个电容(耦合电容)连接的方案。这样,在制造工序等中,一方电容产生问题也能利用另一方电容维持第1像素电极和第2像素电极的电容耦合,因此能提高本有源矩阵基板的制造成品率。
附图说明
图1是表示本实施方式1的液晶面板的结构的电路图。
图2是表示图1的液晶面板的一个具体例的平面图。
图3是图2的A-B向视截面图。
图4是图2的变形结构中的A-B向视截面图。
图5是表示具备图1的液晶面板的液晶显示装置的驱动方法的时序图。
图6是表示采用图5的驱动方法的情况下的每帧的显示状态的示意图。
图7是表示图1示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图8是表示图2的液晶面板的修正方法的平面图。
图9是表示图1示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图10是表示图9的液晶面板的修正方法的平面图。
图11是表示图1示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图12是表示本实施方式1的液晶面板的其它结构的电路图。
图13是表示图12示出的液晶面板的具体例的平面图。
图14是表示本实施方式1的液晶面板的其它结构的电路图。
图15是表示对具备图14的液晶面板的液晶显示装置采用图5的驱动方法的情况下的每帧的显示状态的示意图。
图16是表示图14示出的液晶面板的具体例的平面图。
图17是表示本实施方式1的液晶面板的其它结构的电路图。
图18是表示图17示出的液晶面板的具体例的平面图。
图19是表示本实施方式2的液晶面板的结构的电路图。
图20是表示图19示出的液晶面板的具体例的平面图。
图21是表示图19示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图22是表示图19示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图23是表示图19示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图24是表示图19示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图25是表示图19示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图26是表示本实施方式2的液晶面板的其它结构的电路图。
图27是表示图26示出的液晶面板的具体例的平面图。
图28是表示本实施方式2的液晶面板的其它结构的电路图。
图29是表示图28示出的液晶面板的具体例的平面图。
图30是表示图28示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图31是表示本实施方式3的液晶面板的结构的电路图。
图32是表示图31示出的液晶面板的具体例的平面图。
图33是表示图31示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图34是表示图31示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图35是表示图31示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图36是表示本实施方式4的液晶面板的其它结构的电路图。
图37是表示图36示出的液晶面板的具体例的平面图。
图38是表示图36示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图39是表示图36示出的液晶面板的变形例的平面图。
图40是表示本液晶显示单元和本液晶显示装置的结构的示意图,(a)表示本液晶显示单元的结构,(b)表示本液晶显示装置的 结构。
图41是说明本液晶显示装置的整体结构的框图。
图42是说明本液晶显示装置的功能的框图。
图43是说明本电视接收机的功能的框图。
图44是表示本电视接收机的结构的分解立体图。
图45是表示图1示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图46是表示图28示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图47是表示以往的液晶面板的结构的平面图。
具体实施方式
如下利用附图说明本发明的实施方式的例子。此外,为了便于说明,以下以扫描信号线的延伸方向为行方向。其中,在具备本液晶面板(或者用于该液晶面板的有源矩阵基板)的液晶显示装置的利用(视听)状态下,该扫描信号线当然可以横向延伸也可以纵向延伸。另外,适当地省略记载形成于液晶面板的取向限制用构造物。
〔实施方式1〕
图1是表示实施方式1的液晶面板的一部分的等效电路图。如图1所示,本液晶面板具备:在列方向(图中上下方向)上延伸的数据信号线(15x、15y)、在行方向(图中左右方向)上延伸的扫描信号线(16x、16y)、在行和列方向上排列的像素(101~104)、保持电容配线(18p、18q)以及共用电极(相对电极)com,各像素的构造是相同的。此外,包括像素101、102的像素列与包括像素103、104的像素列相邻,包括像素101、103的像素行与包括像素102、104的像素行相邻。
在本液晶面板中,与1个像素对应设有1个数据信号线和1个扫描信号线。对1个像素在列方向上排列设有2个像素电极,设于像素101的2个像素电极17a、17b和设于像素102的2个像素电极17c、17d配置为一列,并且设于像素103的2个像素电极17A、17B和设于像素104的2个像素电极17C、17D配置为一列,像素电极17a和17A、像素电极17b和17B、像素电极17c和17C、像素电极17d和17D分别 在行方向上相邻。另外,保持电容配线18p分别横穿过像素101、103,保持电容配线18q分别横穿过像素102、104。
在像素101中,像素电极17a、17b经过并联配置的耦合电容Cab1、Cab2连接,像素电极17a经过连接到扫描信号线16x的晶体管12a连接到数据信号线15x,在像素电极17a与保持电容配线18p之间形成保持电容Cha(Cha1、Cha2),在像素电极17b与保持电容配线18p之间形成保持电容Chb,在像素电极17a与共用电极com间形成液晶电容Cla,在像素电极17b与共用电极com间形成液晶电容Clb。
另外,在列方向上与像素101相邻的像素102中,像素电极17c、17d经过并联配置的耦合电容Ccd1、Ccd2连接,像素电极17c经过连接到扫描信号线16y的晶体管12c连接到数据信号线15x,在像素电极17c与保持电容配线18q之间形成保持电容Chc(Chc1、Chc2),在像素电极17d与保持电容配线18q之间形成保持电容Chd,在像素电极17c与共用电极com间形成液晶电容Clc,在像素电极17d与共用电极com间形成液晶电容Cld。
另外,在行方向上与像素101相邻的像素103中,像素电极17A、17B经过并联配置的耦合电容CAB1、CAB2连接,像素电极17A经过连接到扫描信号线16x的晶体管12A连接到数据信号线15y,在像素电极17A与保持电容配线18p之间形成保持电容ChA(ChA1、ChA2),在像素电极17B与保持电容配线18p之间形成保持电容ChB,在像素电极17A与共用电极com间形成液晶电容ClA,在像素电极17B与共用电极com间形成液晶电容ClB。
在具备本液晶面板的液晶显示装置中,依次进行扫描,依次选择扫描信号线16x、16y。例如,在选择了扫描信号线16x的情况下,像素电极17a(经过晶体管12a)连接到数据信号线15x,像素电极17a和像素电极17b经过耦合电容Cab1、Cab2进行电容耦合,因此设Cla的电容值=Clb的电容值=Cl,Cha的电容值=Chb的电容值=Ch,Cab1的电容值=C1,Cab2的电容值=C2,设晶体管12a截止后的像素电极17a的电位为Va,晶体管12b截止后的像素电极17b的电位为Vb,则为Vb=Va×〔(C1+C2)/(Cl+Ch+C1+C2)〕〕。即,|Va|≥|Vb|(此 外,例如|Va|意味着Va与com电位=Vcom的电位差),因此在中间灰度级显示时,使包括像素电极17a的子像素为亮子像素,使包括像素电极17b的子像素为暗子像素,能利用这些亮、暗子像素的面积灰度级来进行显示。由此,能提高上述液晶显示装置的视场角特性。
图2示出图1的像素101的具体例。如该图所示,在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近配置有晶体管12a,在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中,长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在列方向排列,成为第1像素电极的外周的4边中的1边与成为第2像素电极的外周的4边中的1边相邻。在行方向上延伸的保持电容配线18p与像素电极17b重叠配置。并且,电容电极37a、38a分别与保持电容配线18p和像素电极17b重叠配置。
更详细地说,电容电极37a在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18p和像素电极17b重叠。电容电极38a与电容电极37a在行方向(上述延伸方向)上排列配置,在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18p和像素电极17b重叠。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a,源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a,漏极引出配线27a与形成于同层的电容电极37a连结,并且经过接触孔11a连接到像素电极17a,电容电极37a隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图1)。另外,电容电极38a经过接触孔68a连接到像素电极17a,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图1)。而且,电容电极37a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha1(参照图1),电容电极38a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha2(参照图1)。并且,像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电 容Chb(参照图1)。
图3是图2的A-B向视截面图。如该图所示,本液晶面板具备:有源矩阵基板3、与该有源矩阵基板3相对的彩色滤光片基板30以及配置在两基板(3、30)间的液晶层40。
在有源矩阵基板3中,在玻璃基板31上形成有扫描信号线16x和保持电容配线18p,覆盖它们形成有无机栅极绝缘膜22。在无机栅极绝缘膜22的上层,形成有半导体层24(i层和n+层)、与n+层相接的源极电极8a和漏极电极9a、漏极引出配线27a以及电容电极37a、38a,覆盖它们形成有无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上形成有像素电极17a、17b,而且覆盖它们(像素电极17a、17b)形成有取向膜(未图示)。在此,用接触孔11a贯通无机层间绝缘膜25,由此连接像素电极17a和漏极引出配线27a。同样,用接触孔(未图示)贯通无机层间绝缘膜25,由此连接像素电极17a和电容电极38a。另外,在同一层与漏极引出配线27a连结的电容电极37a隔着无机层间绝缘膜25与像素电极17b重叠,由此形成耦合电容Cab1(参照图1),电容电极38a隔着无机层间绝缘膜25与像素电极17b重叠,由此形成耦合电容Cab2(参照图1)。另外,电容电极37a隔着无机栅极绝缘膜22与保持电容配线18p重叠,由此形成保持电容Cha1(参照图1),电容电极38a隔着无机栅极绝缘膜22与保持电容配线18p重叠,由此形成保持电容Cha2(参照图1)。另外,像素电极17b与保持电容配线18p隔着无机层间绝缘膜25和无机栅极绝缘膜22重叠,由此形成保持电容Chb(参照图1)。
另一方面,在彩色滤光片基板30中,在玻璃基板32上形成有着色层14,在其上层形成有共用电极(com)28,再覆盖它形成有取向膜(未图示)。
图5是表示具备图1和图2示出的液晶面板的本液晶显示装置(常黑模式的液晶显示装置)的驱动方法的时序图。此外,Sv和SV表示分别提供给相邻的2个数据信号线(例如,15x、15y)的信号电位,Gx、Gy表示提供给扫描信号线16x、16y的栅极导通脉冲信号,Va、Vb、VA、VB、Vc、Vd分别表示像素电极17a、17b、17A、 17B、17c、17d的电位。
如图5所示,在该驱动方法中,依次选择扫描信号线,使提供给数据信号线的信号电位的极性按1个水平扫描期间(1H)反转,并且使在各帧中的相同序位的水平扫描期间供给的信号电位的极性以1帧为单位反转,并且在相同水平扫描期间对相邻的2个数据信号线供给相反极性的信号电位。
具体地说,在连续的帧F1、F2中,在F1中依次选择扫描信号线(例如,按顺序选择扫描信号线16x、16y),对相邻的2个数据信号线中的一方(例如数据信号线15x),在第1个水平扫描期间(例如包括像素电极17a的写入期间)供给正极性的信号电位,在第2个水平扫描期间(例如包括像素电极17c的写入期间)供给负极性的信号电位,对上述2个数据信号线中的另一方(例如数据信号线15y),在第1个水平扫描期间(例如包括像素电极17A的写入期间)供给负极性的信号电位,在第2个水平扫描期间(例如包括像素电极17C的写入期间)供给正极性的信号电位。由此,如图5所示,为|Va|≥|Vb|,|Vc|≥|Vd|,|VA|≥|VB|,包括像素电极17a(正极性)的子像素为亮子像素(以下为“亮”),包括像素电极17b(正极性)的子像素为暗子像素(以下为“暗”),包括像素电极17c(负极性)的子像素为“亮”,包括像素电极17d(负极性)的子像素为“暗”,包括像素电极17A(负极性)的子像素为“亮”,包括像素电极17B(负极性)的子像素为“暗”,作为整体如图6(a)那样。
另外,在F2中,依次选择扫描信号线(例如按顺序选择扫描信号线16x、16y),对相邻的2个数据信号线中的一方(例如数据信号线15x),在第1个水平扫描期间(例如包括像素电极17a的写入期间)供给负极性的信号电位,在第2个水平扫描期间(例如包括像素电极17c的写入期间)供给正极性的信号电位,对上述2个数据信号线中的另一方(例如数据信号线15y),在第1个水平扫描期间(例如包括像素电极17A的写入期间)供给正极性的信号电位,在第2个水平扫描期间(例如包括像素电极17C的写入期间)供给负极性的信号电位。由此,如图5所示,为|Va|≥|Vb|,|Vc|≥|Vd|,|VA|≥ |VB|,包括像素电极17a(负)的子像素为“亮”,包括像素电极17b(负)的子像素为“暗”,包括像素电极17c(正极性)的子像素为“亮”,包括像素电极17d(正极性)的子像素为“暗”,包括像素电极17A(正极性)的子像素为“亮”,包括像素电极17B(正极性)的子像素为“暗”,作为整体如图6(b)那样。
此外,在图2中省略了取向限制用构造物的记载,例如在MVA(multidomain vertical alignment:多区域垂直排列)方式的液晶面板中,例如如图7所示,在像素电极17a中设有取向限制用的狭缝S1~S4,在彩色滤光片基板的像素电极17a所对应的部分设有取向限制用的肋L1、L2,在像素电极17b中设有取向限制用的狭缝S5~S8,在彩色滤光片基板的像素电极17b所对应的部分设有取向限制用的肋L3、L4。此外,也可以在彩色滤光片基板的共用电极中设置取向限制用的狭缝来代替设置上述取向限制用的肋。
在图2的液晶面板中,使像素电极17a和像素电极17b利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合),因此例如在图2的P处漏极引出配线27a(在制造工序等中)发生断线,也能利用电容电极38a维持像素电极17a、17b的电容耦合。另外,在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下,也能进行将漏极引出配线27a在接触孔11a以后的部分切断,或者将电容电极37a在与像素电极17a的连接位置和短路位置之间用激光切断的修正工序,由此维持像素电极17a、17b的电容耦合。另外,在电容电极38a与保持电容配线18p或者像素电极17b发生短路的情况下,将电容电极38a在接触孔68a和短路位置之间用激光切断即可。
在有源矩阵基板的阶段进行上述修正工序的情况下,从有源矩阵基板的里面(玻璃基板侧)对漏极引出配线27a(接触孔11a以后的部分)照射激光将其切断(参照图8),或者从有源矩阵基板的表面(与玻璃基板相反的一侧)经过像素电极17a、17b的间隙对漏极引出配线27a照射激光将其切断。另外,在液晶面板阶段进行上述修正工序的情况下,从液晶面板里面(有源矩阵基板的玻璃基板侧) 对漏极引出配线27a(接触孔11a以后的部分)照射激光将其切断。
由上所述,根据本实施方式,能提高液晶面板、该液晶面板所用的有源矩阵基板的制造成品率。此外,在图47示出的以往的有源矩阵基板(参照)中,当引出配线119发生断线时,无法进行像素电极121b的电位控制。另外,在控制电极118与电容配线113发生短路的情况下,虽然能通过切断引出配线119来对像素电极121a写入信号电位,但是像素电极121b会失去与像素电极121a、121c的电容耦合。
另外,在图2的液晶面板中,电容电极37a、38a分别与像素电极17b和保持电容配线18p重叠。这样,能使为形成耦合电容而设置的电容电极37a、38a也发挥用于形成保持电容的电极的功能,从而提高开口率。
下面说明本液晶面板的制造方法。液晶面板的制造方法包括:有源矩阵基板制造工序、彩色滤光片基板制造工序以及使两个基板粘合而填充液晶的组装工序。另外,在有源矩阵基板制造工序和组装工序中的至少一方的中途或者之后进行检查工序,在检查工序中检测出像素(子像素)缺陷的情况下,增加用于对其进行修正的修正工序。
下面说明有源矩阵基板制造工序。
首先,在玻璃、塑料等的基板上利用溅射法形成钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等的金属膜、它们的合金膜或者它们的层叠膜(厚度 ),然后利用光刻技术(Photo Engraving Process,以下称为“PEP技术”)进行图案化,形成扫描信号线、晶体管的栅极电极(有时扫描信号线也兼作栅极电极)和保持电容配线。
然后,对形成有扫描信号线等的基板整体利用CVD(Chemical Vapor Deposition:化学气相沉积)法形成氮化硅、氧化硅等的无机绝缘膜(厚度 的程度),形成栅极绝缘膜。
接着,在栅极绝缘膜上(基板整体),利用CVD法连续形成本征非晶硅膜(厚度 )和掺杂有磷的n+非晶硅膜(厚度 ),然后,利用PEP技术进行图案化,在栅极电极上 岛状地形成包括本征非晶硅层和n+非晶硅层的硅层叠体。
接着,对形成有硅层叠体的基板整体,利用溅射法形成钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等的金属膜、它们的合金膜或者它们的层叠膜(厚度 ),然后利用PEP技术进行图案化,形成数据信号线、晶体管的源极电极、漏极电极、漏极引出配线和电容电极。
进而,以源极电极和漏极电极作为掩模,蚀刻除去构成硅层叠体的n+非晶硅层,形成晶体管的沟道。在此,半导体层可以如上述那样利用非晶硅膜形成,也可以形成多晶硅膜,另外,也可以对非晶硅膜和多晶硅膜进行激光退火处理来提高结晶性。由此,半导体层内的电子的移动速度变快,能提高晶体管(TFT)的特性。
然后,对形成有数据信号线等的基板整体,利用CVD法形成氮化硅、氧化硅等的无机绝缘膜(厚度 ),形成无机层间绝缘膜。
然后,利用PEP技术蚀刻除去层间绝缘膜,形成接触孔。接着,对形成有接触孔的层间绝缘膜上的基板整体,利用溅射法形成包括ITO(Indium Tin Oxide:铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide:铟锌氧化物)、氧化锌、氧化锡等的透明导电膜(厚度 ),然后利用PEP技术进行图案化,形成各像素电极。
最后,对像素电极上的基板整体,以厚度 印刷聚酰亚胺树脂,然后进行焙烧,用旋转布在1个方向上进行摩擦处理,形成取向膜。由以上工序制造有源矩阵基板。
下面说明彩色滤光片基板制造工序。
首先,对玻璃、塑料等的基板上(基板整体)形成铬薄膜或者含有黑色颜料的树脂膜后,利用PEP技术进行图案化,形成黑矩阵。然后,对黑矩阵的间隙用颜料分散法等形成红色、绿色和蓝色的彩色滤光片层(厚度2μm的程度)的图案。
接着,对彩色滤光片层上的基板整体形成包括ITO、IZO、氧化锌、氧化锡等的透明导电膜(厚度 的程度),形成共用电极(com)。
最后,对共用电极上的基板整体以厚度 印刷聚 酰亚胺树脂,然后进行焙烧,用旋转布在1个方向上进行摩擦处理,形成取向膜。能如上述那样制造彩色滤光片基板。
下面说明组装工序。
首先,对有源矩阵基板和彩色滤光片基板中的一方,利用网版印刷将包括热固化性环氧树脂等的密封材料涂敷成留出液晶注入口的部分的框状图案,在另一方基板上撒布球状的隔离物,所述球状的隔离物具有与液晶层的厚度相当的直径,包括塑料或者二氧化硅。
然后,使有源矩阵基板和彩色滤光片基板贴合,使密封材料固化。
最后,对由有源矩阵基板和彩色滤光片基板以及密封材料围起的空间,利用减压法注入液晶材料之后,对液晶注入口涂敷UV固化树脂,利用UV照射密封液晶材料来形成液晶层。如上这样制造液晶面板。
下面说明在有源矩阵基板制造工序的中途(例如在像素电极形成后、取向膜形成之前)或者在有源矩阵基板制造工序后进行的第1检查工序。在第1检查工序中,对有源矩阵基板进行外观检查、电气光学检查等,由此检测短路产生位置(短路部)。短路中有例如电容电极与保持电容配线的短路、电容电极与像素电极的短路。此外,所谓外观检查,是指利用CCD照相机等对配线图案进行光学检查,所谓电气光学检查,是与有源矩阵基板相对地设置调制器(modulator)(电气光学元件)之后,在有源矩阵基板和调制器之间施加电压并且使光射入,用CCD照相机捕捉该光的亮度变化来对配线图案进行电气光学检查。
在检测出短路位置的情况下,进行对短路的电容电极或者与它连接的导电体部分(例如漏极引出配线)用激光切断的修正工序。该激光切断例如采用YAG(Yttrium Aluminium Garnet:钇铝石榴石)激光的四次谐波(波长266nm)。这样能提高切断精度。另外,在检测出短路位置的情况下,在经过接触孔连接到短路的电容电极的像素电极中,有时要进行利用激光等进行除去(trimming:修整) 该接触孔内的部分的修正工序。此外,在第1检查工序后进行的修正工序中,通常能从有源矩阵基板的表面(像素电极侧)或者里面(基板侧)照射激光。
此外,第1检查工序和修正工序除了在像素电极的形成后,也可以在电容电极的形成后或者晶体管的沟道形成后进行。这样,能在制造工序的早期阶段修正缺陷,能提高有源矩阵基板的制造成品率。
下面说明在组装工序之后进行的第2检查工序。在该第2检查工序中,对液晶面板进行点亮检查,由此检测短路位置。短路中有例如电容电极与保持电容配线的短路、电容电极与像素电极的短路。具体地说,例如对各扫描信号线输入偏置电压为-10V、周期为16.7msec、脉冲宽度为50μsec的+15V的脉冲电压的栅极检查信号,使全部的TFT成为导通状态。再对各数据信号线输入每16.7msec极性发生反转的±2V的电位的源极检查信号,经过各TFT的源极电极和漏极电极对像素电极写入与±2V对应的信号电位。同时,对共用电极(com)和保持电容配线以直流输入-1V的电位的共用电极检查信号。此时,对在像素电极与共用电极之间构成的液晶电容和在保持电容配线与电容电极之间构成的保持电容施加电压,由该像素电极构成的子像素成为点亮状态。然后在短路位置该像素电极与保持电容配线导通,成为黑点(常黑)。由此,检测出短路位置。
在检测出短路位置的情况下,进行将短路的电容电极或者与它连接的导电体部分(例如漏极引出配线)用激光切断的修正工序。此外,在第2检查工序后进行的修正工序中,通常从有源矩阵基板的里面(有源矩阵基板的基板侧)进行激光照射。
另外,也能使图2的A-B截面构成为图4那样。即,在玻璃基板31上形成厚的有机栅极绝缘膜21和薄的无机栅极绝缘膜22,在像素电极的下层形成薄的无机层间绝缘膜25和厚的有机层间绝缘膜26。这样,能得到减少各种寄生电容、防止配线彼此短路以及减少平坦化造成像素电极开裂等的效果。此外,在这种情况下,如图4所示,优选将有机栅极绝缘膜21位于电容电极37a、38a下的部分贯通,将 有机层间绝缘膜26位于电容电极37a、38a上的部分贯通。这样,能充分确保耦合电容(Cab1、Cab2)的电容值和保持电容(Cha1、Cha2、Chb)的电容值,并且能得到上述效果。
另外,进一步优选有机层间绝缘膜26的贯通部分(薄膜部51a)为用图45的虚线部分所示的区域。具体地说,如图45所示,薄膜部51a由第1边(J1)~第4边(J4)形成为矩形状,电容电极37a跨越第1边(J1),与电容电极37a在行方向上排列配置的电容电极38a跨越与第1边(J1)相对的第3边(J3)。由此,在电容电极37a、38a在行方向上错开的情况下,电容电极37a和像素电极17b的重叠面积与电容电极38a和像素电极17b的重叠面积也会相补偿,能得到2个电容(耦合电容)的总量不易变化的效果。此外,该结构当然也能应用于本实施方式中后述的各液晶面板。
图4的无机层间绝缘膜25、有机层间绝缘膜26和接触孔11a、11b能例如如下那样形成。即,在形成晶体管(TFT)、数据信号线之后,使用SiH4气体、NH3气体以及N2气体的混合气体,以CVD覆盖基板整个面地形成包括厚度约 的SiNx的无机层间绝缘膜25(钝化膜)。然后,用旋涂法、模具涂敷法形成厚度约为3μm的包括正型感光性丙烯酸树脂的有机层间绝缘膜26。接着,进行光刻来形成有机层间绝缘膜26的贯通部分和各种接触用图案,再以图案化的有机层间绝缘膜26为掩模,用CF4气体和O2气体的混合气体对无机层间绝缘膜25进行干式蚀刻。具体地说,例如用光刻工序对有机层间绝缘膜的贯通部分进行半曝光,从而在显影结束时残留薄的有机层间绝缘膜,另一方面在上述光刻工序中对接触孔部分进行全曝光,从而在显影结束时不残留有机层间绝缘膜。在此,如果用CF4气体和O2气体的混合气体进行干式蚀刻,会对有机层间绝缘膜的贯通部分除去(有机层间绝缘膜的)残膜,对接触孔部分除去有机层间绝缘膜下的无机层间绝缘膜。此外,有机栅极绝缘膜21、有机层间绝缘膜26也可以是例如包括SOG(旋涂玻璃)材料的绝缘膜,另外,有机栅极绝缘膜21、有机层间绝缘膜26也可以包含丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂和硅氧烷树脂中 的至少1个。
也可以将图2的像素101变形为图9那样。在图9的结构中,将晶体管12a的漏极电极9a经过接触孔11a连接到像素电极17a,将像素电极17a和电容电极37a经过接触孔67a连接。这样能缩短连接漏极电极9a和电容电极37a的漏极引出配线,能提高开口率。另外,在图9的液晶面板中,利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b,因此在制造工序等中接触孔67a形成得不合格的情况下,也能维持像素电极17a、17b的电容耦合。另外,在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下,如图10所示,也能利用激光等除去(修整)像素电极17a中的接触孔67a内的部分,将像素电极17a和电容电极37a电分离,由此能维持像素电极17a、17b的电容耦合。
在此,从可靠性的观点出发,保持电容Chb的电容值越大越好。因此,保持电容Chb也可以利用图11示出的结构形成。即,如图11所示,与电容电极37a、38a形成于同层的保持电容电极39b经过接触孔69b连接到像素电极17b,由此在保持电容电极39b和保持电容配线18p之间形成保持电容Chb。在该结构的情况下,与图2那样在像素电极17b和保持电容配线18p之间形成保持电容Chb的情况相比,能使它们之间夹着的绝缘膜变少(薄),因此能获得保持电容值。另外,能使形成保持电容Chb的绝缘膜变薄,因此不改变保持电容值的大小就能使保持电容配线18p的宽度变窄,也能得到不降低可靠性而实现提高开口率的效果。
在此,在图1的液晶面板中,设于1个像素的2个像素电极中接近晶体管的像素电极连接到该晶体管,但是不限于此。也可以如图12那样,使设于1个像素的2个像素电极中远离晶体管的像素电极连接到该晶体管。图13示出图12的像素101的具体例。在图13的液晶面板中,晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近,在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中,长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在列方向上排列,成为第1像素电极的外周的4边中的1边与成为第2像素电极的外周 的4边中的1边相邻。在行方向上延伸的保持电容配线18p与像素电极17a重叠配置。并且,电容电极37b、38b分别与保持电容配线18p和像素电极17a重叠配置。
更详细地说,电容电极37b在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18p和像素电极17a重叠。电容电极38b与电容电极37b在行方向(上述延伸方向)上排列配置,在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18p和像素电极17a重叠。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a,源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a,漏极引出配线27a与形成于同层的电容电极37b连结,并且经过接触孔11b连接到像素电极17b,电容电极37b隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图12)。另外,电容电极38b经过接触孔68b连接到像素电极17b,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图12)。而且,电容电极37b隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb1(参照图12),电容电极38b隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb2(参照图12)。另外,像素电极17a和保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图12)。
在图13的液晶面板中,包括像素电极17a的子像素为“暗”,包括像素电极17b的子像素为“亮”。
在图13的液晶面板中,利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b,因此例如在图13的P处电容电极37b与像素电极17a(在制造工序等中)发生短路的情况下,进行将电容电极37b在接触孔11b和短路位置之间用激光切断的修正工序,由此能维持像素电极17a、17b的电容耦合。另外,在电容电极38b与像素电极17a短路的情况下,只要将电容电极38b 在接触孔68b和短路位置之间用激光切断即可。
也可以使图1的液晶面板成为图14示出的结构。在图14中,在行方向上相邻的2个像素中的一方,将接近晶体管的一方像素电极连接到该晶体管,在另一方将远离晶体管的一方像素电极连接到该晶体管。
在具备图14的液晶面板的液晶显示装置中,当如图5那样驱动数据信号线15x、15y时,在帧F1中,包括像素电极17a(正极性)的子像素为“亮”,包括像素电极17b(正极性)的子像素为“暗”,包括像素电极17c(负极性)的子像素为“亮”,包括像素电极17d(负极性)的子像素为“暗”,包括像素电极17A(负极性)的子像素为“暗”,包括像素电极17B(负极性)的子像素为“亮”,作为整体如图15(a)那样。另外,在帧F2中,包括像素电极17a(负极性)的子像素为“亮”,包括像素电极17b(负极性)的子像素为“暗”,包括像素电极17c(正极性)的子像素为“亮”,包括像素电极17d(正极性)的子像素为“暗”,包括像素电极17A(正极性)的子像素为“暗”,包括像素电极17B(正极性)的子像素为“亮”,作为整体成为图15(b)那样。
根据图14的液晶面板,没有亮子像素彼此在行方向上排列或暗子像素彼此在行方向上排列的情况,因此能减少行方向的条状不均。
图16示出图14的像素101、103的具体例。如该图所示,在像素101中,晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近,在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域,长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在列方向上排列,成为第1像素电极的外周的4边中的1边与成为第2像素电极的外周的4边中的1边相邻。另外,在行方向上延伸的保持电容配线18p与该相邻的2个边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)整体重叠配置。并且,电容电极37a、38a分别与保持电容配线18p和像素电极17b重叠配置。
更详细地说,电容电极37a在与保持电容配线18p的延伸方向相 同的方向上延伸,与保持电容配线18p和像素电极17b重叠。电容电极38a与电容电极37a在行方向(上述延伸方向)上排列配置,在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18p和像素电极17b重叠。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a,源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a,漏极引出配线27a与形成于同层的电容电极37a连结,并且经过接触孔11a连接到像素电极17a,电容电极37a隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图14)。另外,电容电极38a经过接触孔68a连接到像素电极17a,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图14)。而且,电容电极37a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha1(参照图14)的大部分,电容电极38a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha2(参照图14)的大部分。另外,像素电极17b和保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图14)。
另一方面,在像素103中,晶体管12A配置在数据信号线15y和扫描信号线16x的交叉部附近,在由两个信号线(15y、16x)划分的像素区域中,长方形形状的像素电极17A和长方形形状的像素电极17B在列方向上排列,成为第1像素电极的外周的4边中的1边与成为第2像素电极的外周的4边中的1边相邻。另外,在行方向上延伸的保持电容配线18p与该相邻的2个边的间隙(像素电极17A、17B的间隙)整体重叠配置。并且,电容电极37B、38B分别与保持电容配线18p和像素电极17A重叠配置。
更详细地说,电容电极37B在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18p和像素电极17A重叠。电容电极38B与电容电极37B在行方向(上述延伸方向)上排列配置,在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容 配线18p和像素电极17A重叠。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12A的源极电极8A和漏极电极9A,源极电极8A连接到数据信号线15y。漏极电极9A连接到漏极引出配线27A,漏极引出配线27A与形成于同层的电容电极37B连结,并且经过接触孔11B连接到像素电极17B,电容电极37B隔着层间绝缘膜与像素电极17A重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17A、17B间的耦合电容CAB1(参照图14)。另外,电容电极38B经过接触孔68B连接到像素电极17B,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17A重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17A、17B间的耦合电容CAB2(参照图14)。而且,电容电极37B隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容ChB1(参照图14)的大部分,电容电极38B隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容ChB2(参照图14)的大部分。并且,像素电极17A与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容ChA(参照图14)。
在此,在上述各液晶面板中,构成为电容电极电连接到与成为亮子像素的子像素对应的像素电极,但是不限于此。本液晶面板也可以如图17那样,构成为电容电极电连接到与成为暗子像素的子像素对应的像素电极。图18示出了图17的像素的具体例101。
在图18的液晶面板中,晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近,在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中,长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在列方向上排列,成为第1像素电极的外周的4边中的1边与成为第2像素电极的外周的4边中的1边相邻。在行方向上延伸的保持电容配线18p与像素电极17a重叠配置。并且,电容电极37b、38b分别与保持电容配线18p和像素电极17a重叠配置。
更详细地说,电容电极37b在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18p和像素电极17a重叠。电容电极38b与电容电极37b在行方向(上述延伸方向)上排列配置,在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线 18p和像素电极17a重叠。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a,源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a,漏极引出配线27a经过接触孔11a连接到像素电极17a。另外,电容电极37b经过接触孔67b连接到像素电极17b,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图17)。另外,电容电极38b经过接触孔68b连接到像素电极17b,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图17)。另外,电容电极37b隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb1(参照图17),电容电极38b隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb2(参照图17)。另外,像素电极17a与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图17)。
在图18的液晶面板中,包括像素电极17a的子像素为“亮”,包括像素电极17b的子像素为“暗”。
在图18的液晶面板中,利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b,因此例如在图18的P处,电容电极37b与像素电极17a(在制造工序等中)发生短路的情况下,进行将电容电极37b在接触孔67b和短路位置之间用激光切断的修正工序,由此能维持像素电极17a、17b的电容耦合。另外,在电容电极38b与像素电极17a发生短路的情况下,只要将电容电极38b在接触孔68b和短路位置之间用激光切断即可。
此外,图17所示的将电容电极电连接到与成为暗子像素的子像素对应的像素电极的结构当然也能应用于上述各液晶面板。
〔实施方式2〕
图19是表示实施方式2的液晶面板的一部分的等效电路图。如图19所示,在本液晶面板中具备:在列方向(图中上下方向)上延伸的数据信号线(15x、15y)、在行方向(图中左右方向)上延伸 的扫描信号线(16x、16y)、在行和列方向上排列的像素(101~104)、保持电容配线(18p、18q)和共用电极(相对电极)com,各像素的构造是相同的。此外,包括像素101、102的像素列与包括像素103、104的像素列相邻,包括像素101、103的像素行与包括像素102、104的像素行相邻。
在本液晶面板中,与1个像素对应设有1个数据信号线和1个扫描信号线。另外,在1个像素中,2个像素电极设置为其一方包围另一方,在像素101中,设有像素电极17b和包围该像素电极17b的像素电极17a,在像素102中,设有像素电极17d和包围该像素电极17d的像素电极17c,在像素103中,设有像素电极17B和包围该像素电极17B的像素电极17A,在像素104中,设有像素电极17D和包围该像素电极17D的像素电极17C。
图20示出图19的像素101的具体例。如该图所示,晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近,在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中,配置有在行方向上看去为V字形状的像素电极17b和包围该像素电极17b的像素电极17a,保持电容配线18p横穿像素中央在行方向上延伸。具体地说,像素电极17b具备:位于保持电容配线18p上相对于行方向大致成90°的第1边、从第1边的一端相对于行方向成大致45°延伸的第2边、从第1边的另一端相对于行方向成大致315°延伸的第3边、在保持电容配线18p上具有一端且平行于第2边并且比第2边短的第4边、连接到第4边的一端且平行于第3边并且比第3边短的5边、与第2和第4边连结的第6边以及与第3和第5边连结的第7边,像素电极17a的内周包括与上述第1~第7边相对的7个边。
此外,像素电极17b的第1边和与第1边相对的像素电极17a的内周的一边的间隙为第1间隙K 1,像素电极17b的第2边和与第2边相对的像素电极17a的内周的一边的间隙为第2间隙K2,像素电极17b的第3边和与第3边相对的像素电极17a的内周的一边的间隙为第3间隙K3,像素电极17b的第4边和与第4边相对的像素电极17a的内周的一边的间隙为第4间隙K4,像素电极17b的第5边和与第5边相对的像 素电极17a的内周的一边的间隙为第5间隙K5。并且,电容电极37a、38a分别与第1间隙K1、像素电极17a以及像素电极17b重叠配置。更详细地说,电容电极37a、38a都是与第1间隙K1交叉地在行方向上延伸的形状,分别与保持电容配线18p重叠地在列方向上排列。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a,源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a,漏极引出配线27a经过接触孔11a连接到像素电极17a。另外,电容电极37a经过接触孔67a连接到像素电极17a,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图19)。另外,电容电极38a经过接触孔68a连接到像素电极17a,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图19)。而且,电容电极37a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha1(参照图19)的大部分,电容电极38a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha2(参照图19)的大部分。并且,像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图19)。
在图20的液晶面板中,利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b,因此例如在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下,进行将电容电极37a在接触孔67a和短路位置之间用激光切断的修正工序,由此能维持像素电极17a、17b的电容耦合。而且,在制造工序等中接触孔67a形成得不合格的情况下,也能维持像素电极17a、17b的电容耦合。此外,在电容电极38a与保持电容配线18p或者像素电极17b发生短路的情况下,只要将电容电极38a在接触孔68a和短路位置之间用激光切断即可。
在进行上述修正工序的情况下,从有源矩阵基板的表面(玻璃基板的相反的一侧)经过像素电极17a、17b的间隙对电容电极37a照射激光来将其切断。只是在这种情况下,有可能在电容电极37a 和保持电容配线18p间产生新的短路。为了消除该可能性,保持电容配线18p形成有与第1间隙K1重叠的开口部。
此外,在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b发生短路的情况下,利用激光等除去(修整)像素电极17a中的接触孔67a内的部分来使像素电极17a与电容电极37a电分离,由此也能维持像素电极17a、17b的电容耦合。
如上所述,根据本实施方式,能提高液晶面板、该液晶面板所用的有源矩阵基板的制造成品率。
另外,在图20的液晶面板中,电容电极37a与像素电极17b和保持电容配线18p重叠,电容电极38a与像素电极17b和保持电容配线18p重叠。这样,使为了形成耦合电容而设置的电容电极37a、38a也发挥用于形成保持电容的电极的功能,由此能提高开口率。
另外,在图20的液晶面板中,像素电极17a包围处于电漂浮的像素电极17b,因此该像素电极17a发挥保护电极的功能,能抑制电荷飞入像素电极17b等。由此,能抑制包括像素电极17b的子像素(暗子像素)的残影。
此外,在图20中省略了取向限制用构造物的记载,例如在MVA(multidomain vertical alignment:多区域垂直排列)方式的液晶面板中,例如如图21所示,像素电极17a、17b的间隙K2~K5发挥取向限制用构造物的功能,在彩色滤光片基板的与像素电极17b对应的部分设有与间隙K2、K4平行的肋L3和与间隙K3、K5平行的肋L4,在彩色滤光片基板的与像素电极17a对应的部分设有与间隙K2、K4平行的肋L1、L5和与间隙K3、K5平行的肋L2、L6。此外,也可以在彩色滤光片基板的共用电极中设置取向限制用的狭缝来代替上述取向限制用的肋。
也可以将图20的像素101变形为图22那样。在图22的结构中,电容电极37a、38a是与第3间隙K3交叉地相对于行方向成315°延伸的形状,都不与保持电容配线18p重叠。
此外,晶体管12a的漏极电极9a连接到漏极引出配线27a,漏极引出配线27a经过接触孔11a连接到像素电极17a。另外,电容电极 37a经过接触孔67a连接到像素电极17a,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图19)。另外,电容电极38a经过接触孔68a连接到像素电极17a,并且电容电极38a隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图19)。另外,像素电极17a的一部分隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha(相当于图19的Cha1、Cha2)。另外,像素电极17b的一部分隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图19)。
在图22的液晶面板中,在电容电极37a与像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下,能从有源矩阵基板的表面(与玻璃基板相反的一侧)经过第3间隙K3对(不与保持电容配线18p重叠的)电容电极37a照射激光,将其切断。此外,也可以利用激光等除去(修整)像素电极17a中的接触孔67a内的部分,使像素电极17a和电容电极37a电分离。
也可以将图22的像素101变形为图23那样。在图23的结构中设有:保持电容配线延伸部18x,其从保持电容配线18p与像素电极17b的第1边、第2边、第6边和第4边重叠地延伸,再次与保持电容配线18p汇合;以及保持电容配线延伸部18y,其从保持电容配线18p与像素电极17b的第1边、第3边、第7边和第5边重叠地延伸,再次与保持电容配线18p汇合。
在图23的液晶面板中,包围电漂浮的像素电极17b的保持电容配线延伸部18x、18y发挥像素电极17b的保护电极的功能,因此能更有效地抑制电荷飞入像素电极17b等。由此,能抑制包括像素电极17b的子像素(暗子像素)的残影。
图24示出图19的像素101的其它具体例。如该图所示,晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近,在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中,配置有在行方向看去为梯形形状的像素电极17b和包围该像素电极17b的像素电极17a,保 持电容配线18p横穿像素中央在行方向上延伸。具体地说,像素电极17b具备:与保持电容配线18p交叉且相对于行方向成大致90°的第1边、平行于第1边地与保持电容配线18p交叉的第2边、从第1边的一端相对于行方向成大致45°延伸的第3边以及从第1边的另一端相对于行方向成大致315°延伸的第4边,像素电极17a的内周包括与上述第1~第4边相对的4个边,像素电极17a的外周是长方形形状。
此外,像素电极17b的第1边和与其相对的像素电极17a的内周的一边的间隙为第1间隙K1,像素电极17b的第2边和与其相对的像素电极17a的内周的一边的间隙为第2间隙K2,电容电极37a与像素电极17a、第1间隙K1和像素电极17b重叠配置,电容电极38a与像素电极17a、第2间隙K2和像素电极17b重叠配置。
更详细地说,电容电极37a是与第1间隙K1交叉地在行方向上延伸的形状,并且电容电极38a是与第2间隙K2交叉地在行方向上延伸的形状,分别与保持电容配线18p重叠地在行方向上排列。另外,电容电极37a、38a配置为将电容电极37a以像素101中的保持电容配线18p上的点为中心旋转180°时与电容电极37b大致一致。即,电容电极37a、38a以与第1间隙K1和第2间隙K2平行并且通过两个间隙之间的中心的线为轴成线对称。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a,源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a,漏极引出配线27a经过接触孔11a连接到像素电极17a。另外,电容电极37a经过接触孔67a连接到像素电极17a,并且经过层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图19)。另外,电容电极38a经过接触孔68a连接到像素电极17a,并且电容电极38a隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图19)。而且,电容电极37a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha1(参照图19)的大部分,电容电极38a隔着栅极绝缘膜与保持电容 配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha2(参照图19)的大部分。并且,像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图19)。
在图24的液晶面板中,利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b,因此例如在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下,能进行将电容电极37a在接触孔67a和短路位置之间用激光切断的修正工序,由此维持像素电极17a、17b的电容耦合。另外,在电容电极38a与保持电容配线18p或者像素电极17b发生短路的情况下,只要将电容电极38a在接触孔68a和短路位置之间用激光切断即可。
在进行上述修正工序的情况下,从有源矩阵基板的表面(与玻璃基板相反的一侧)经过第1间隙K1对电容电极37a照射激光来将其切断。但是在这种情况下,有可能在电容电极37a和保持电容配线18p间产生新的短路。为了消除该可能性,只要在保持电容配线18p中形成与第1间隙K1重叠的开口部即可。
此外,在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b发生短路的情况下,用激光等除去(修整)像素电极17a中的接触孔67a内的部分,使像素电极17a和电容电极37a电分离,由此也能维持像素电极17a、17b的电容耦合。
如上所述,根据本实施方式,能提高液晶面板、该液晶面板所用的有源矩阵基板的制造成品率。
另外,在图24的液晶面板中,电容电极37a、38a与保持电容配线18p重叠地在保持电容配线18p的延伸方向(行方向)上排列配置。另外,电容电极37a、38a以与第1间隙K1和第2间隙K2平行并且通过两个间隙之间的中心的线为轴成线对称。因此,在像素电极17a、17b的对准相对于电容电极37a、38a在行方向上错开的情况下,电容电极37a和像素电极17b的重叠面积与电容电极38a和像素电极17b的重叠面积会相补偿,具有2个耦合电容(Cab1、Cab2)的总量 不易变化的优点。
另外,在图24的液晶面板中,电容电极37a、38a分别与像素电极17b和保持电容配线18p重叠。这样,使为了形成耦合电容而设置的电容电极37a、38a也发挥用于形成保持电容的电极的功能,由此能提高开口率。
而且,使电容电极37a、38a为在行方向上延伸的形状,并且使它们与保持电容配线18p重叠地在行方向上排列,因此能使保持电容配线18p的线宽度变小。由此,能进一步提高开口率。
此外,从可靠性的观点出发,保持电容Chb的电容值越大越好。因此,保持电容Chb也可以利用图25示出的结构形成。即,如图25所示,与电容电极37a、38a形成于同层的保持电容电极39b经过接触孔69b连接到像素电极17b,由此在保持电容电极39b与保持电容配线18p之间形成保持电容Chb。在该结构的情况下,与如图24那样在像素电极17b与保持电容配线18p之间形成保持电容Chb的情况相比,能使它们之间夹着的绝缘膜变少(薄),因此能获得保持电容值。另外,能使形成保持电容Chb的绝缘膜变薄,因此不改变保持电容值的大小也能使保持电容配线18p的宽度变窄,也能得到不降低可靠性而实现提高开口率的效果。
在此,在图19中,设于1个像素中的2个像素电极中的一方包围另一方,使该包围的一方像素电极连接到晶体管,但是不限于此。如图26所示,也可以是设于1个像素中的2个像素电极中的一方包围另一方,使该被包围的一方像素电极连接到晶体管。
图27示出图26的像素101的具体例。如该图所示,像素电极17a、17b和保持电容配线18p的形状和配置与图20相同。电容电极37b、38b均与第2间隙K2、像素电极17a以及像素电极17b重叠配置。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a,源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a经过漏极引出配线27a和接触孔11b连接到像素电极17b。电容电极37b经过接触孔67b连接到像素电极17b,电容电极37b的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠,在两者的重叠部分形成耦合电容Cab1(参照 图26)。另外,电容电极38b经过接触孔68b连接到像素电极17b,电容电极38b的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠,在两者的重叠部分形成耦合电容Cab2(参照图26)。另外,像素电极17a的一部分隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图26)。另外,像素电极17b的一部分隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图26)。
在图27的液晶面板中,包括像素电极17a的子像素为“暗”,包括像素电极17b的子像素为“亮”。
在图27的液晶面板中,利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b,因此例如在电容电极37b与像素电极17a(在制造工序等中)发生短路的情况下,进行将电容电极37b在接触孔67b和短路位置之间用激光切断的修正工序,由此能维持像素电极17a、17b的电容耦合。而且,在制造工序等中接触孔67b形成得不合格的情况下,也能维持像素电极17a、17b的电容耦合。此外,在电容电极38b与像素电极17a发生短路的情况下,只要将电容电极38b在接触孔68b和短路位置之间用激光切断即可。
在进行上述修正工序的情况下,从有源矩阵基板的表面(与玻璃基板相反的一侧)经过第2间隙K2对电容电极37b照射激光来将其切断。如上所述,根据本实施方式,能提高液晶面板、该液晶面板所用的有源矩阵基板的制造成品率。
另外,在图27的液晶面板中,构成为与暗子像素对应的像素电极17a包围与亮子像素对应的像素电极17b,因此具有能鲜明地显示空间频率高的视频的效果。
在此,在上述各液晶面板中,构成为电容电极电连接到与成为亮子像素的子像素对应的像素电极,但是不限于此。本液晶面板也可以如图28那样,构成为电容电极电连接到与成为暗子像素的子像素对应的像素电极。图29示出图28的像素的具体例101。
在图29的液晶面板中,与图24的液晶面板同样,晶体管12a配 置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近,在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中,配置有在行方向上看去为梯形形状的像素电极17b和包围该像素电极17b的像素电极17a,保持电容配线18p横穿像素中央在行方向上延伸。
更详细地说,电容电极37b是与第1间隙K1交叉地在行方向上延伸的形状,并且电容电极38b是与第2间隙K2交叉地在行方向上延伸的形状,分别与保持电容配线18p重叠地行方向上排列。另外,电容电极37b、38b配置为使电容电极37b以像素101中的保持电容配线18p上的点为中心旋转180°时与电容电极38b大致一致。即,电容电极37b、38b以与第1间隙K1和第2间隙K2平行并且通过两个间隙之间的中心的线为轴成线对称。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a,源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a,漏极引出配线27a经过接触孔11a连接到像素电极17a。另外,电容电极37b经过接触孔67b连接到像素电极17b,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图28)。另外,电容电极38b经过接触孔68b连接到像素电极17b,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图28)。而且,电容电极37b隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb1(参照图28)的大部分,电容电极38b隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb2(参照图28)的大部分。另外,像素电极17a与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图28)。
由此,包括像素电极17a的子像素为“亮”,包括像素电极17b的子像素为“暗”。
在图29的液晶面板中,利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b,因此例如在图29的P处电容电极37b与像素电极17a(在制造工序等中)发生短路的 情况下,进行将电容电极37b在接触孔67b和短路位置之间用激光切断的修正工序,由此能维持像素电极17a、17b的电容耦合。另外,在电容电极38b和像素电极17a发生短路的情况下,只要将电容电极38b在接触孔68b和短路位置之间用激光切断即可。
在图29的液晶面板中,与图24的液晶面板同样,电容电极37b、38b与保持电容配线18p重叠地在保持电容配线18p的延伸方向(行方向)上排列配置,电容电极37b、38b以与第1间隙K1和第2间隙K2平行并且通过两个间隙之间的中心的线为轴成线对称。因此,在像素电极17a、17b的对准相对于电容电极37b、38b在行方向上错开的情况下,电容电极37b和像素电极17a的重叠面积与电容电极38b和像素电极17a的重叠面积也会相补偿,具有2个耦合电容(Cab1、Cab2)的总量不易变化的优点。
此外,如图29所示的将电容电极电连接到与成为暗子像素的子像素对应的像素电极的结构当然也能应用于上述各液晶面板。
另外,在本实施方式2的液晶面板中,也与实施方式1的液晶面板(参照图4)同样,也可以在玻璃基板31上形成厚的有机栅极绝缘膜21和薄的无机栅极绝缘膜22,在像素电极的下层形成薄的无机层间绝缘膜25和厚的有机层间绝缘膜26。这样,能得到减少各种寄生电容、防止配线彼此短路以及减少平坦化造成像素电极开裂等的效果。此外,在这种情况下,例如在图30的用虚线部分表示的区域中,如图4所示,优选对有机栅极绝缘膜21贯通位于电容电极37a、38a下的部分,对有机层间绝缘膜26贯通位于电容电极37a、38a上的部分。这样,能充分确保耦合电容(Cab1、Cab2)的电容值和保持电容(Cha1、Cha2、Chb)的电容值,并且能得到上述效果。
另外,如图45所示,图30中的有机层间绝缘膜26的贯通部(薄膜部51a)利用第1边(J1)~第4边(J4)形成为矩形状,电容电极37a跨越第1边(J1),与电容电极37a在行方向上排列配置的电容电极38a跨越与第1边(J1)相对的第3边(J3),因此在电容电极37a、38a在行方向上错开的情况下,电容电极37a和像素电极17b的重叠面积与电容电极38a和像素电极17b的重叠面积也会相补偿,能得到 2个电容(耦合电容)的总量不易变化的效果。
另外,如图46所示,图30的薄膜部51a也可以仅与像素电极17b重叠地形成于像素电极17b的区域内。即,构成为使形成矩形状的薄膜部51a的第1边(J1)~第4边(J4)位于像素电极17b的区域内。由此,除了得到利用上述图30的结构能得到的效果(2个电容的总量不易变化)以外,电容电极37a、38a与像素电极17b的重叠面积变少,因此能得到减少电容电极37a、38a与像素电极17b的短路的可能性的效果。
〔实施方式3〕
图31是表示实施方式3的液晶面板的一部分的等效电路图。如图31所示,在本液晶面板中,具备:在列方向(图中上下方向)上延伸的数据信号线(15x、15y)、在行方向(图中左右方向)上延伸的扫描信号线(16x、16y)、在行和列方向上排列的像素(101~104)、保持电容配线(18p~18s)以及共用电极(相对电极)com,各像素的构造相同。此外,包括像素101、102的像素列与包括像素103、104的像素列相邻,包括像素101、103的像素行与包括像素102、104的像素行相邻。
在本液晶面板中,与1个像素对应设有1个数据信号线、1个扫描信号线以及2个保持电容配线。另外,在1个像素中设有3个像素电极,在像素101中设有像素电极17a、17b、17a′,在像素102中设有像素电极17c、17d、17c′,在像素103中设有像素电极17A、17B、17A′,在像素104中设有像素电极17C、17D、17C′。
图32示出图31的像素101的具体例。如该图所示,晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近,在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中,具有:成梯形形状的像素电极17a;成梯形形状的像素电极17a′,其位于相对于保持电容配线18p的行方向大致315°的位置,与将像素电极17a旋转180°的状态的形状大致一致;以及像素电极17b,其配置在除了这些像素电极17a、17a′以外的区域中,与像素电极17a、17a′的形状对应(吻合)。另外,保持电容配线18p、18r相互平行配置,保持电容配线 18p横穿像素电极17a、17b在行方向上延伸,保持电容配线18r横穿像素电极17b、17a′在行方向上延伸。
根据这种结构,像素电极17a、17b、17a′分别如下配置:像素电极17a的一部分接近扫描信号线16x,像素电极17a′的一部分接近扫描信号线16y,像素电极17b的一方端部接近扫描信号线16x,并且另一方端部接近扫描信号线16y。换言之,像素电极17a、17a′各自的至少一部分分别接近扫描信号线16x、16y配置,并且像素电极17b在列方向上延伸配置,使扫描信号线16x、16y彼此连结。电容电极37a与保持电容配线18p和像素电极17a、17b重叠配置,电容电极38a与保持电容配线18r和像素电极17b、17a′重叠配置。
更详细地说,电容电极37a在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18p和像素电极17a、17b重叠。电容电极38a成与将电容电极37a旋转180°的状态的形状大致一致的形状,与电容电极37a平行配置,在与保持电容配线18r的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18r和像素电极17b、17a′重叠。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a,源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a,漏极引出配线27a经过接触孔11a连接到像素电极17a。像素电极17a经过接触孔111a连接着中继配线110a,中继配线110a经过接触孔112a连接到像素电极17a′。另外,电容电极37a经过接触孔67a连接到像素电极17a,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图31)。另外,电容电极38a经过接触孔68a连接到像素电极17a′,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a′、17b间的耦合电容Cab2(参照图31)。另外,电容电极37a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha1(参照图31)的大部分,电容电极38a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18r重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha2(参照图31)的大部分。另外,像素电极17b与保 持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb1(参照图31)的大部分,像素电极17b与保持电容配线18r隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb2(参照图31)。
在图32的液晶面板中,包括像素电极17a、17a′的子像素为“亮”,包括像素电极17b的子像素为“暗”。
在图32的液晶面板中,利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)像素电极17a、17a′和像素电极17b,因此例如在图32的P处电容电极37a与像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下,进行将电容电极37a在接触孔67a和短路位置之间用激光切断的修正工序,由此能维持像素电极17a、17b、17a′的电容耦合。而且,在制造工序等中接触孔67a形成得不合格的情况下,也能维持像素电极17a、17b、17a′的电容耦合。此外,在电容电极38a与像素电极17b发生短路的情况下,只要将电容电极38a在接触孔68a和短路位置之间用激光切断即可。
此外,在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b发生短路的情况下,利用激光等除去(修整)像素电极17a中的接触孔67a内的部分来使像素电极17a与电容电极37a电分离,由此也能维持像素电极17a、17b、17a′的电容耦合。
如上所述,根据本实施方式,能提高液晶面板、该液晶面板所用的有源矩阵基板的制造成品率。
另外,在图32的液晶面板中,电容电极37a在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18p和像素电极17a、17b重叠,电容电极38a成与将电容电极37a旋转180°的状态的形状大致一致的形状,在与保持电容配线18r的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18r和像素电极17b、17a′重叠。因此,在像素电极17a、17b、17a′的对准相对于电容电极37a、38a在行方向上错开的情况下,电容电极37a和像素电极17b的重叠面积与电容电极38a和像素电极17b的重叠面积也会相补偿,具有2个耦合电容(Cab1、Cab2)的总量不易变化的优点。
另外,在图32的液晶面板中,电容电极37a与像素电极17b和保持电容配线18p重叠,电容电极38a与像素电极17b′和保持电容配线18r重叠。这样,能使为了形成耦合电容而设置的电容电极37a、38a也发挥用于形成保持电容的电极的功能,从而能提高开口率。
而且,使电容电极37a、38a为在行方向上延伸的形状,并且使它们与保持电容配线18p、18r重叠配置,因此能使保持电容配线18p、18r的线宽度变小。由此,能进一步提高开口率。
也可以将图32的像素101变形为图33那样。在图33的结构中,在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a,源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a,漏极引出配线27a经过接触孔11a连接到像素电极17a。电容电极37a的一端经过接触孔67a连接到像素电极17a,并且另一端经过接触孔112a连接到像素电极17a′。另外,电容电极37a隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17a′和像素电极17b间的耦合电容Cab1、Cab2(参照图31)。电容电极38a的一端经过接触孔111a连接到像素电极17a,并且另一端经过接触孔68a连接到像素电极17a′。另外,电容电极38a隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17a′和17b间的耦合电容Cab1、Cab2(参照图31)。而且,电容电极37a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha1(参照图31)的大部分,电容电极38a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18r重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha2(参照图31)的大部分。另外,像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb1(参照图31)的大部分,像素电极17b与保持电容配线18r隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb2(参照图31)。
也可以将图32的像素101变形为图34那样。在图34的结构中,图32的像素电极17a、17a′彼此在像素电极17b的外周区域经过包括ITO等的连接部17aa相互连接。即,设为由像素电极17a、17a′ 一体地形成的像素电极包围像素电极17b。由此,不需要图32示出的用于将像素电极17a、17a′彼此连接的接触孔111a、112a和中继配线110a,因此能提高开口率。
另外,像素电极17a、17a′包围处于电漂浮的像素电极17b,因此像素电极17a、17a′发挥保护电极的功能,能抑制电荷飞入像素电极17b等。由此,能抑制包括像素电极17b的子像素(暗子像素)的残影。
在此,在上述液晶面板中,构成为电容电极电连接到与成为亮子像素的子像素对应的像素电极,但是不限于此。本液晶面板也可以构成为电容电极电连接到与成为暗子像素的子像素对应的像素电极。图35示出该结构的像素的具体例101。
在图35的液晶面板中,晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近,在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中具有:成梯形形状的像素电极17a;成梯形形状的像素电极17a′,其在相对于保持电容配线18p的行方向大致315°的位置,与将像素电极17a旋转180°的状态的形状大致一致;以及像素电极17b,其配置在除这些像素电极17a、17a′以外的区域中,与像素电极17a、17a′的形状对应(吻合)。另外,保持电容配线18p、18r相互平行配置,保持电容配线18p横穿像素电极17a、17b在行方向上延伸,保持电容配线18r横穿像素电极17b、17a′在行方向上延伸。
根据这种结构,像素电极17a、17b、17a′分别如下配置:像素电极17a的一部分接近扫描信号线16x,像素电极17a′的一部分接近扫描信号线16y,像素电极17b的一方端部接近扫描信号线16x,并且另一方端部接近扫描信号线16y。换言之,像素电极17a、17a′各自的至少一部分分别接近各扫描信号线16x、16y配置,并且像素电极17b在列方向上延伸配置,使得扫描信号线16x、16y彼此连结。电容电极37b与保持电容配线18p和像素电极17a、17b重叠配置,电容电极38b与保持电容配线18r和像素电极17b、17a′重叠配置。更详细地说,电容电极37b在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方 向上延伸,与保持电容配线18p和像素电极17a、17b重叠。电容电极38b成与将电容电极37b旋转180°的状态的形状大致一致的形状,与电容电极37b平行配置,在与保持电容配线18r的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18r和像素电极17b、17a′重叠。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a,源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a,漏极引出配线27a经过接触孔11a连接到像素电极17a。像素电极17a经过接触孔111a与中继配线110a连接,中继配线110a经过接触孔112a连接到像素电极17a′连接。另外,电容电极37b经过接触孔67b连接到像素电极17b,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图31)。另外,电容电极38b经过接触孔68b连接到像素电极17b,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a′重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a′、17b间的耦合电容Cab2(参照图31)。另外,电容电极37b隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb1(参照图31)的大部分,电容电极38b隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18r重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb2(参照图31)的大部分。另外,像素电极17a与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha1(图31照),像素电极17a′与保持电容配线18r隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha2(参照图31)。
在图35的液晶面板中,包括像素电极17a、17a′的子像素为“亮”,包括像素电极17b的子像素为“暗”。
在图35的液晶面板中,利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b,因此例如在图35的P处电容电极37b与像素电极17a(在制造工序等中)发生短路的情况下,进行将电容电极37b在接触孔67b和短路位置之间用激光切断的修正工序,由此能维持像素电极17a、17b、17a′电容耦合。另外,在电容电极38b与像素电极17a′发生短路的情况下,只要将 电容电极38b在接触孔68b和短路位置之间用激光切断即可。
此外,也可以将如图35所述的将电容电极电连接到与成为暗子像素的子像素对应的像素电极的结构应用于上述各液晶面板。
〔实施方式4〕
图36是表示实施方式4的液晶面板的一部分的等效电路图。如图36所示,在本液晶面板中,具备:在列方向(图中上下方向)上延伸的数据信号线(15x、15y)、在行方向(图中左右方向)上延伸的扫描信号线(16x、16y)、在行和列方向上排列的像素(101~104)、保持电容配线(18p~18s)以及共用电极(相对电极)com,各像素的构造相同。此外,包括像素101、102的像素列与包括像素103、104的像素列相邻,包括像素101、103的像素行与包括像素102、104的像素行相邻。
在本液晶面板中,与1个像素对应设有1个数据信号线、1个扫描信号线以及2个保持电容配线。另外,在1个像素中设有3个像素电极,在像素101中设有像素电极17b、17a、17b′,在像素102中设有像素电极17d、17c、17d′,在像素103中设有像素电极17B、17A、17B′,在像素104中设有像素电极17D、17C、17D′。
图37示出图36的像素101的具体例。如该图所示,晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近,在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中具有:成梯形形状的像素电极17b;成梯形形状的像素电极17b′,其在相对于保持电容配线18p的行方向大致315°的位置,与将像素电极17b旋转180°的状态的形状大致一致;以及像素电极17a,其配置在除这些像素电极17b、17b′以外的区域中,与像素电极17b、17b′的形状对应(吻合)。另外,保持电容配线18p、18r相互平行配置,保持电容配线18p横穿像素电极17a、17b在行方向上延伸,保持电容配线18r横穿像素电极17a、17b′在行方向上延伸。
根据这种结构,像素电极17b、17a、17b′分别如下配置:像素电极17b的一部分接近扫描信号线16x,像素电极17b′的一部分接近扫描信号线16y,像素电极17a的一方端部接近扫描信号线16x, 并且另一方端部接近扫描信号线16y。换言之,像素电极17b、17b′各自的至少一部分分别接近各扫描信号线16x、16y配置,并且像素电极17a在列方向上延伸配置,使得扫描信号线16x、16y彼此连结。电容电极37a与保持电容配线18p和像素电极17a、17b重叠配置,电容电极38a与保持电容配线18r和像素电极17a、17b′重叠配置。更详细地说,电容电极37a在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18p和像素电极17a、17b重叠。电容电极38a成与将电容电极37a旋转180°的状态的形状大致一致的形状,与电容电极37a平行配置,在与保持电容配线18r的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18r和像素电极17a、17b′重叠。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a,源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a,漏极引出配线27a经过接触孔11a连接到像素电极17a。另外,电容电极37a经过接触孔67a连接到像素电极17a,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图36)。另外,电容电极38a经过接触孔68a连接到像素电极17a,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b′重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b′间的耦合电容Cab2(参照图36)。另外,电容电极37a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha1(参照图36)的大部分,电容电极38a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18r重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha2(参照图36)的大部分。另外,像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb1(参照图36),像素电极17b′与保持电容配线18r隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb2(参照图36)。
在图37的液晶面板中,包括像素电极17a的子像素为“亮”,包括像素电极17b、17b′的子像素为“暗”。
在图37的液晶面板中,利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b、17b′,因此例如 在图37的P处电容电极37a与像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下,进行将电容电极37a在接触孔67a和短路位置之间用激光切断的修正工序,由此能维持像素电极17b、17a、17b′的电容耦合。而且,在制造工序等中接触孔67a形成得不合格的情况下,也能维持像素电极17b、17a、17b′的电容耦合。此外,在电容电极38a与像素电极17b′发生短路的情况下,只要将电容电极38a在接触孔68a和短路位置之间用激光切断即可。
此外,在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b发生短路的情况下,利用激光等除去(修整)像素电极17a中的接触孔67a内的部分来使像素电极17a和电容电极37a电分离,由此能维持像素电极17b、17a、17b′的电容耦合。
如上所述,根据本实施方式,能提高液晶面板、液晶面板所用的有源矩阵基板的制造成品率。
另外,在图37的液晶面板中,电容电极37a在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18p和像素电极17a、17b重叠,电容电极38a成与将电容电极37a旋转180°的状态的形状大致一致的形状,在与保持电容配线18r的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18r和像素电极17a、17b′重叠。
另外,在图37的液晶面板中,电容电极37a与像素电极17b和保持电容配线18p重叠,电容电极38a与像素电极17b′和保持电容配线18r重叠。这样,使为了形成耦合电容而设置的电容电极37a、38a也发挥用于形成保持电容的电极的功能,由此能提高开口率。
而且,使电容电极37a、38a为在行方向上延伸的形状,并且使它们与保持电容配线18p、18r重叠配置,因此能使保持电容配线18p、18r的线宽度变小。由此,能进一步提高开口率。
此外,从可靠性的观点出发,保持电容Chb1、Chb2的电容值越大越好。因此,也可以利用图38示出的结构形成保持电容Chb1、Chb2。即,如图38所示,与电容电极37a形成于同层的保持电容电极39b经过接触孔69b连接到像素电极17b,由此在保持电容电极39b与保持电容配线18p之间形成保持电容Chb1,与电容电极38a形成于 同层的保持电容电极39b′经过接触孔69b′连接到像素电极17b′,由此在保持电容电极39b′与保持电容配线18r之间形成保持电容Chb2。在该结构的情况下,与如图37那样在像素电极17b、17′与保持电容配线18p、18r之间形成保持电容Chb1、Chb2的情况相比,能使在它们之间夹着的绝缘膜变少(薄),因此能获得保持电容值。另外,能使形成保持电容Chb1、Chb2的绝缘膜变薄,因此不改变保持电容值的大小也能使保持电容配线18p、18r的宽度变窄,能得到不降低可靠性也能实现提高开口率的效果。
在此,在上述液晶面板中,构成为电容电极电连接到与成为亮子像素的子像素对应的像素电极的结构,但是不限于此。本液晶面板也可以构成为电容电极电连接到与成为暗子像素的子像素对应的像素电极。图39示出该结构的像素的具体例101。
在图39的液晶面板中,晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近,在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中具有:成梯形形状的像素电极17b;成梯形形状的像素电极17b′,其在相对于保持电容配线18p的行方向大致315°的位置,与将像素电极17b旋转180°的状态的形状大致一致;以及像素电极17a,其配置在除这些像素电极17b、17b′以外的区域中,与像素电极17b、17b′的形状对应(吻合)。另外,保持电容配线18p、18r相互平行配置,保持电容配线18p横穿像素电极17a、17b在行方向上延伸,保持电容配线18r横穿像素电极17a、17b′在行方向上延伸。
根据这种结构,像素电极17b、17a、17b′分别如下配置:像素电极17b的一部分接近扫描信号线16x,像素电极17b′的一部分接近扫描信号线16y,像素电极17a的一方端部接近扫描信号线16x,并且另一方端部接近扫描信号线16y。换言之,像素电极17b、17b′各自的至少一部分分别接近各扫描信号线16x、16y配置,并且像素电极17a在列方向上延伸配置,使得扫描信号线16x、16y彼此连结。电容电极37b与保持电容配线18p和像素电极17a、17b重叠配置,电容电极38b与保持电容配线18r和像素电极17a、17b′重叠配置。更 详细地说,电容电极37b在与保持电容配线18p的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18p和像素电极17a、17b重叠。电容电极38b成与将电容电极37b旋转180°的状态的形状大致一致的形状,与电容电极37b平行配置,在与保持电容配线18r的延伸方向相同的方向上延伸,与保持电容配线18r和像素电极17a、17b′重叠。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a,源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a,漏极引出配线27a经过接触孔11a连接到像素电极17a。另外,电容电极37b经过接触孔67b连接到像素电极17b,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图36)。另外,电容电极38b经过接触孔68b连接到像素电极17b′,并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠,在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b′间的耦合电容Cab2(参照图36)。另外,电容电极37b经过栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb1(参照图36)的大部分,电容电极38b隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18r重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Chb2(参照图36)的大部分。另外,像素电极17a与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha1(图36照),像素电极17a与保持电容配线18r隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠,在两者的重叠部分形成保持电容Cha2(参照图36)。
在图39的液晶面板中,由此,包括像素电极17a的子像素为“亮”,包括像素电极17b、17b′的子像素为“暗”。
在图39的液晶面板,利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b、17b′,因此例如在图39的P处电容电极37b与像素电极17a(在制造工序等中)发生短路的情况下,进行将电容电极37b在接触孔67b和短路位置之间用激光切断的修正工序,由此能维持像素电极17b、17a、17b′的电容耦合。另外,在电容电极38b与像素电极17a发生短路的情况下,只要将电容电极38在接触孔68b和短路位置之间用激光切断即可。
此外,当然也可以将如图39所示的将电容电极电连接到与成为暗子像素的子像素对应的像素电极的结构应用于上述各液晶面板。
最后,说明本发明的液晶显示单元和液晶显示装置的结构例。在上述各实施方式中,如下构成本液晶显示单元和液晶显示装置。即,在本液晶面板的两面贴附2个偏光板A、B,使得偏光板A的偏光轴与偏光板B的偏光轴相互正交。此外,也可以根据需要对偏光板层叠光学补偿片等。然后,如图40(a)所示,连接驱动器(栅极驱动器202、源极驱动器201)。在此,作为一个例子说明利用TCP(Tape Carrier Package:卷带式封装)方式连接驱动器。首先,将ACF(Anisotropic Conductive Film:各向异性导电膜)临时压接到液晶面板的端子部。然后,从卷带冲切出载有驱动器的TCP,将其与面板端子电极对准位置,进行加热、主压接。然后,用ACF连接用于将驱动器TCP彼此连结的电路基板203(PWB:Printed Wiring Board:印刷线路板)和TCP的输入端子。由此,完成液晶显示单元200。然后,如图40(b)所示,经过电路基板203将显示控制电路209连接到液晶显示单元的各驱动器(201、202),与照明装置(背光源单元)204成为一体,由此成为液晶显示装置210。
此外,本申请所说的“电位的极性”,是指在成为基准的电位以上(正)或者在成为基准的电位以下(负)。在此,成为基准的电位可以是作为共用电极(相对电极)的电位的Vcom(公共电位)也可以是其它任意电位。
图41是表示本液晶显示装置的结构的框图。如该图所示,本液晶显示装置具备:显示部(液晶面板)、源极驱动器(SD)、栅极驱动器(GD)以及显示控制电路。源极驱动器驱动数据信号线,栅极驱动器驱动扫描信号线,显示控制电路控制源极驱动器和栅极驱动器。
显示控制电路从外部的信号源(例如调谐器)接受表示要显示的图像的数字视频信号Dv、与该数字视频信号Dv对应的水平同步信号HSY和垂直同步信号VSY以及用于控制显示动作的控制信号Dc。另外,显示控制电路根据接受的这些信号Dv、HSY、VSY、 Dc,作为用于使该数字视频信号Dv所表示的图像显示于显示部的信号而生成:数据开始脉冲信号SSP、数据时钟信号SCK、电荷共享(charge share)信号sh、表示要显示的图像的数字图像信号DA(与视频信号Dv对应的信号)、栅极开始脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号(扫描信号输出控制信号)GOE,输出它们。
更详细地说,根据需要对视频信号Dv用内部存储器进行定时调整等之后,作为数字图像信号DA从显示控制电路输出,作为包括与该数字图像信号DA所表示的图像的各像素对应的脉冲的信号生成数据时钟信号SCK,根据水平同步信号HSY作为按1水平扫描期间在规定期间成为高电平(H电平)的信号生成数据开始脉冲信号SSP,根据垂直同步信号VSY作为按1帧期间(1垂直扫描期间)在规定期间成为H电平的信号生成栅极开始脉冲信号GSP,根据水平同步信号HSY生成栅极时钟信号GCK,根据水平同步信号HSY和控制信号Dc生成电荷共享信号sh以及栅极驱动器输出控制信号GOE。
如上述那样在显示控制电路中生成的信号中,数字图像信号DA、电荷共享信号sh、控制信号电位(数据信号电位)的极性的信号POL、数据开始脉冲信号SSP以及数据时钟信号SCK被输入源极驱动器,栅极开始脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号GOE被输入栅极驱动器。
源极驱动器根据数字图像信号DA、数据时钟信号SCK、电荷共享信号sh、数据开始脉冲信号SSP以及极性反转信号POL按1水平扫描期间依次生成与数字图像信号DA所表示的图像的各扫描信号线中的像素值相当的模拟电位(信号电位),将这些数据信号输出到数据信号线(例如15x、15X)。
栅极驱动器根据栅极开始脉冲信号GSP和栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号GOE生成栅极导通脉冲信号,将它们输出到扫描信号线,由此选择地驱动扫描信号线。
如上述那样利用源极驱动器和栅极驱动器驱动显示部(液晶面 板)的数据信号线和扫描信号线,由此经过连接到所选择的扫描信号线的晶体管(TFT)从数据信号线对像素电极写入信号电位。由此对各子像素的液晶层施加电压,由此控制来自背光源的光的透过量,使各子像素显示数字视频信号Dv所表示的图像。
下面说明将本液晶显示装置应用于电视接收机时的一个结构例。图42是表示电视接收机用的液晶显示装置800的结构的框图。液晶显示装置800具备:液晶显示单元84、Y/C分离电路80、视频色度电路81、A/D转换器82、液晶控制器83、背光源驱动电路85、背光源86、微机(微型计算机)87以及灰度级电路88。此外,液晶显示单元84包括液晶面板和用于驱动液晶面板的源极驱动器和栅极驱动器。
在上述结构的液晶显示装置800中,首先,从外部对Y/C分离电路80输入作为电视信号的复合彩***信号Scv,从而分离为亮度信号和色度信号。这些亮度信号和色度信号由视频色度电路81变换为与光的3原色对应的模拟RGB信号,而且该模拟RGB信号利用A/D转换器82变换为数字RGB信号。该数字RGB信号被输入液晶控制器83。另外,在Y/C分离电路80中,还从由外部输入的复合彩***信号Scv取出水平和垂直同步信号,这些同步信号也经过微机87输入液晶控制器83。
在规定的定时将来自液晶控制器83的数字RGB信号和基于上述同步信号的定时信号一起输入液晶显示单元84。另外,在灰度级电路88中生成彩色显示的3原色R、G、B各自的灰度级电位,这些灰度级电位也被提供给液晶显示单元84。在液晶显示单元84中,根据这些RGB信号、定时信号和灰度级电位利用内部的源极驱动器、栅极驱动器等生成驱动用信号(数据信号=信号电位、扫描信号等),根据这些驱动用信号在内部的液晶面板显示彩色图像。此外,在利用该液晶显示单元84显示图像时,需要从液晶显示单元内的液晶面板的后方照射光,在该液晶显示装置800中,在微机87的控制下背光源驱动电路85驱动背光源86,由此对液晶面板的里面照射光。包括上述处理,微机87进行***整体的控制。此外,作为从外部输入 的视频信号(复合彩***信号),不仅能使用基于电视广播的视频信号,也能使用利用照相机拍摄的视频信号、经过互联网线路供给的视频信号等,在该液晶显示装置800中,能进行基于各种视频信号的图像显示。
在用液晶显示装置800进行基于电视广播的图像显示的情况下,如图43所示,液晶显示装置800连接着调谐器部90来构成本电视接收机601。该调谐器部90从由天线(不图示)接收的接收波(高频信号)中抽出要接收的频道的信号,变换为中频信号,对该中频进行检波来取出作为电视信号的复合彩***信号Scv。该复合彩***信号Scv如上所述输入液晶显示装置800,利用该液晶显示装置800显示基于该复合彩***信号Scv的图像。
图44是表示本电视接收机的一个结构例的分解立体图。如该图所示,本电视接收机601作为其结构要素除了液晶显示装置800以外还具有第1箱体801和第2箱体806,构成为用第1箱体801和第2箱体806包入并夹持液晶显示装置800。在第1箱体801中形成有使由液晶显示装置800显示的图像透过的开口部801a。另外,第2箱体806覆盖液晶显示装置800的背面侧,设有用于操作该显示装置800的操作用电路805,并且在下方安装有支撑用部件808。
本发明不限于上述实施方式,根据技术常识将上述实施方式适当地变更、组合得到的方案仍包含于本发明的实施方式。
工业实用性
本发明的有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的液晶面板例如适用于液晶电视。
附图标记说明:
101~104像素
12a、12c、12A、12C晶体管
15x、15y、15z数据信号线
16x、16y扫描信号线
17a、17b、17c、17d像素电极
17A、17B、17C、17D像素电极
17a′、17b′、17c′、17d′像素电极
17A′、17B′、17C′、17D′像素电极
18p、18q、18r、18s保持电容配线
21有机栅极绝缘膜
22无机栅极绝缘膜
24半导体层
25无机层间绝缘膜
26有机层间绝缘膜
27a漏极引出配线
37a、37b、38a、38b电容电极
39b、39b′保持电容电极
51a薄膜部
84液晶显示单元
601电视接收机
800液晶显示装置
Claims (28)
1.一种有源矩阵基板,其特征在于:
具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极,
上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,
上述有源矩阵基板具备电连接到上述第1像素电极和第2像素电极中的一方像素电极的第1电容电极和第2电容电极,
在上述第1像素电极和第2像素电极中的另一方像素电极与上述第1电容电极之间形成电容,在该另一方像素电极与上述第2电容电极之间形成电容,
上述第1电容电极的至少一部分隔着覆盖上述晶体管的沟道的层间绝缘膜与上述另一方像素电极重叠,上述第2电容电极的至少一部分隔着上述层间绝缘膜与上述另一方像素电极重叠,
上述层间绝缘膜包括无机绝缘膜和比该无机绝缘膜厚的有机绝缘膜,在与上述第1电容电极重叠的部分的至少一部分和与上述第2电容电极重叠的部分的至少一部分除去了有机绝缘膜,
上述层间绝缘膜具有除去了上述有机绝缘膜而成的薄膜部,所述薄膜部包括与上述第1电容电极的一部分和上述第2电容电极的一部分重叠的区域,
上述第1电容电极和第2电容电极在扫描信号线的延伸方向上排列配置,并且
上述第1电容电极跨越上述薄膜部的1边,上述第2电容电极跨越与该1边相对的边。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述晶体管的一个导通电极、上述第1电容电极和上述第2电容电极形成于同层。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述第1像素电极和第2像素电极的外周包括多个边,并且上述第1像素电极的一边与上述第2像素电极的一边相邻,上述第1电容电极和第2电容电极分别配置为与该相邻的2个边的间隙、上述第1像素电极和上述第2像素电极重叠。
4.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述晶体管的一个导通电极经过接触孔连接到上述第1像素电极,并且该导通电极经过从该导通电极引出的引出配线连接到上述第1电容电极,
上述第1像素电极和上述第2电容电极经过接触孔连接。
5.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述晶体管的一个导通电极和上述第1像素电极经过接触孔连接,并且上述第1像素电极和上述第1电容电极经过接触孔连接,
上述第1像素电极和上述第2电容电极经过接触孔连接。
6.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述晶体管的一个导通电极经过接触孔连接到上述第1像素电极,
上述第2像素电极和上述第1电容电极经过接触孔连接,并且上述第2像素电极和上述第2电容电极经过接触孔连接。
7.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于:
以扫描信号线的延伸方向为行方向,上述第1像素电极和第2像素电极在列方向上排列。
8.根据权利要求7所述的有源矩阵基板,其特征在于:
在行方向上相邻的2个像素区域中,其一方像素区域中的上述第1像素电极与另一方像素区域中的上述第2像素电极在行方向上相邻。
9.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述第1像素电极包围上述第2像素电极。
10.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述第2像素电极包围上述第1像素电极。
11.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于:
还具备保持电容配线,所述保持电容配线与上述第1像素电极或电连接到该第1像素电极的导电体形成电容,并且与上述第2像素电极或电连接到该第2像素电极的导电体形成电容。
12.根据权利要求11所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述保持电容配线以横穿上述像素区域的中央的方式与上述扫描信号线在相同的方向上延伸。
13.根据权利要求11所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述第1电容电极和上述第2电容电极分别与上述保持电容配线形成电容。
14.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述薄膜部与上述第1像素电极和第2像素电极中的任一方重叠。
15.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板,其特征在于:
上述第1像素电极包围上述第2像素电极,
上述第2像素电极的外周包括相互平行的2个边,并且上述第1像素电极的外周包括隔着第1间隙与上述2个边中的一方相对的边和隔着第2间隙与另一方相对的边,
上述第1电容电极与上述第1像素电极、上述第1间隙和上述第2像素电极重叠配置,并且上述第2电容电极与上述第2像素电极、上述第2间隙和上述第1像素电极重叠配置。
16.一种有源矩阵基板,其特征在于:
具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极、第2像素电极和第3像素电极,
上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,
上述第3像素电极电连接到上述第1像素电极,
上述有源矩阵基板具备电连接到上述第1像素电极的第1电容电极和电连接到上述第3像素电极的第2电容电极,
在上述第1电容电极和上述第2像素电极之间形成电容,在上述第2电容电极和上述第2像素电极之间形成电容。
17.一种有源矩阵基板,其特征在于:
具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极、第2像素电极和第3像素电极,
上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,
上述第3像素电极电连接到上述第1像素电极,
上述有源矩阵基板具备电连接到上述第2像素电极的第1电容电极和第2电容电极,
在上述第1电容电极和上述第1像素电极之间形成电容,在上述第2电容电极和上述第3像素电极之间形成电容。
18.一种有源矩阵基板,其特征在于:
具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极、第2像素电极和第3像素电极,
上述第2像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,
上述有源矩阵基板具备电连接到上述第2像素电极的第1电容电极和第2电容电极,
在上述第1电容电极和上述第1像素电极之间形成电容,在上述第2电容电极和上述第3像素电极之间形成电容。
19.一种有源矩阵基板,其特征在于:
具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极、第2像素电极和第3像素电极,
上述第2像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,
上述有源矩阵基板具备电连接到上述第1像素电极的第1电容电极和电连接到上述第3像素电极的第2电容电极,
在上述第1电容电极和上述第2像素电极之间形成电容,在上述第2电容电极和上述第2像素电极之间形成电容。
20.根据权利要求16~19中的任一项所述的有源矩阵基板,其特征在于:
在上述像素区域还具备第1保持电容配线和第2保持电容配线,
上述第1电容电极与上述第1保持电容配线形成电容,上述第2电容电极与上述第2保持电容配线形成电容。
21.一种有源矩阵基板的制造方法,其特征在于:
所述有源矩阵基板具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极,上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,
所述有源矩阵基板的制造方法包括如下工序:
形成第1电容电极和第2电容电极,该第1电容电极电连接到上述第1像素电极和第2像素电极中的一方像素电极,并且与另一方像素电极形成电容,该第2电容电极电连接到上述一方像素电极,并且与上述另一方像素电极形成电容;
检测上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路和上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路中的至少一方;以及
在检测出上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路的情况下,将上述第1电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断,在检测出上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路的情况下,将上述第2电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断。
22.一种有源矩阵基板的制造方法,其特征在于:
所述有源矩阵基板具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极,上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,
所述有源矩阵基板的制造方法包括如下工序:
形成第1电容电极和第2电容电极,该第1电容电极电连接到上述第1像素电极和第2像素电极中的一方像素电极,并且与另一方像素电极和保持电容配线形成电容,该第2电容电极电连接到上述一方像素电极,并且与上述另一方像素电极和上述保持电容配线形成电容;
检测上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路、上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路、上述第1电容电极与上述保持电容配线的短路、上述第2电容电极与上述保持电容配线的短路中的至少一方;以及
在检测出上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路或者上述第1电容电极与上述保持电容配线的短路的情况下,将上述第1电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断,在检测出上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路或者上述第2电容电极与上述保持电容配线的短路的情况下,将上述第2电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断。
23.一种液晶面板的制造方法,其特征在于:
所述液晶面板具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极,上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,
所述液晶面板的制造方法包括如下工序:
形成第1电容电极和第2电容电极,该第1电容电极电连接到上述第1像素电极和第2像素电极中的一方像素电极,并且与另一方像素电极形成电容,该第2电容电极电连接到上述一方像素电极,并且与上述另一方像素电极形成电容;
检测上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路以及上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路中的至少一方;以及
在检测出上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路的情况下,将上述第1电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断,在检测出上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路的情况下,将上述第2电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断。
24.一种液晶面板的制造方法,其特征在于:
所述液晶面板具备:扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管,在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极,上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线,
所述液晶面板的制造方法包括如下工序:
形成第1电容电极和第2电容电极,该第1电容电极电连接到上述第1像素电极和第2像素电极中的一方像素电极,并且与另一方像素电极和保持电容配线形成电容,该第2电容电极电连接到上述一方像素电极,并且与上述另一方像素电极和上述保持电容配线形成电容;
检测上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路、上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路、上述第1电容电极与上述保持电容配线的短路、上述第2电容电极与上述保持电容配线的短路中的至少一方;以及
在检测出上述第1电容电极与上述另一方像素电极的短路或者上述第1电容电极与上述保持电容配线的短路的情况下,将上述第1电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断,在检测出上述第2电容电极与上述另一方像素电极的短路或者上述第2电容电极与上述保持电容配线的短路的情况下,将上述第2电容电极在与上述一方像素电极的连接位置和短路位置之间切断。
25.一种液晶面板,具备权利要求1~20中的任一项所述的有源矩阵基板。
26.一种液晶显示单元,其特征在于:
具备权利要求25所述的液晶面板和驱动器。
27.一种液晶显示装置,其特征在于:
具备权利要求26所述的液晶显示单元和光源装置。
28.一种电视接收机,其特征在于:
具备权利要求27所述的液晶显示装置和接收电视广播的调谐器部。
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