JP5298617B2 - 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Description
また、周辺回路領域56(水平駆動回路105)では、例えばシリコン基板50上に4層の配線1M,2M,3M,4Mが層間絶縁膜51を介して形成された多層配線層55bが構成される。実際には、有効画素領域55においては、フォトダイオードPDの周辺には、複数の画素トランジスタが形成されるが、図18においては、図示を省略する。
また、本発明の他の側面に係る固体撮像装置の製造方法は、上記固体撮像装置の製造方法において、溝部を形成する工程と同時に、有効画素領域における画素のフォトダイオード上部の多層配線層に開口部を形成する。
出力回路7は、カラム信号処理回路5の各々から水平信号線10を通して、順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。
また、以下に説明する第1〜第2の実施形態における固体撮像装置は、図1における固体撮像装置1を構成するものであり、その断面構成が異なるものである。断面構成以外の構成は、図1と同様であるから、第1及び第2の実施形態例においては、要部の断面構成のみを示し、その他の構成の説明を省略する。
このとき、周辺回路領域26の多層配線層22b上には、カラーフィルタ23は必要ない為、カラーフィルタ材料23aは、除去される。
また、オンチップレンズ24を形成する前段において、カラーフィルタ23も平坦に形成されているため、従来起こっていた、カラーフィルタ23の傾斜の影響もない。
以上より、本実施形態例の固体撮像装置においては、撮像領域3の、周辺領域26近隣の有効画素領域25においても、感度ムラや、色ムラが低減され、画質を向上させることができる。
また、図7に示す固体撮像装置61のように、例えば、撮像領域3の二辺分に近接する領域に周辺回路領域26が形成されていれば、その二辺分に近接して形成された周辺回路領域26と撮像領域3との間に、溝部33を構成すればよい。
そして、本実施形態例では、図13B,図14Aに示す工程を繰り返すことにより、図14Bに示すように、例えば、赤色(R)、青色(B)、緑色(G)のカラーフィルタ23を画素毎に、順に成膜する。このとき、周辺回路領域26には、カラーフィルタ23は必要ない為、形成されない。
また、本実施形態例では、フォトダイオードPD直上の開口部32に光導波路を構成するため、その開口部32を形成する工程において、同時に、溝部33を形成することができる。そのため、工程数を増やすことなく、感度ムラ、色ムラが低減された固体撮像装置を製造することができる。
さらに、図16の構成は、光学系81、固体撮像装置82、信号処理回路83がモジュール化した撮像機能を有するモジュール、いわゆる撮像機能モジュ−ルとして構成することができる。本発明は、このような撮像機能モジュールを備えた電子機器を構成することができる。
Claims (8)
- 基板に形成された複数の画素と前記基板上に層間絶縁膜を介して積層された複数の配線を有する多層配線層とを有する有効画素領域と、
前記有効画素領域の周辺に設けられ、前記基板上に層間絶縁膜を介して積層された複数の配線を有し、前記有効画素領域に設けられた多層配線層に連続して設けられた多層配線層であって、前記有効画素領域に設けられる多層配線層よりも積層される配線の総数が多く、かつ、前記有効画素領域に設けられる多層配線層よりも高く形成された多層配線層を有する周辺回路領域と、
前記有効画素領域の外側の領域であって、前記有効画素領域の多層配線層と前記周辺回路領域の多層配線層との間に形成された段差部よりも前記有効画素領域側の多層配線層上部に設けられた溝部と、を有し、
前記溝部を含む前記多層配線層上には、塗布系材料からなる膜が形成されている
固体撮像装置。 - 前記溝部は、幅20nm〜100μm、深さ20nm〜20μmに形成されている
請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記画素の、フォトダイオード直上の前記多層配線層には、前記層間絶縁膜よりも高屈折率の埋め込み材料が埋め込まれた埋め込み層を有する
請求項1記載の固体撮像装置。 - 複数の画素が形成された有効画素領域と前記有効画素領域の周辺に設けられた周辺回路領域との基板上部に、複数の配線が層間絶縁膜を介して積層された多層配線層であって、前記有効画素領域から前記周辺回路領域に連続して設けられ、前記周辺回路領域における配線の積層数が前記有効画素領域における配線の積層数よりも多く、かつ、前記周辺回路領域における高さが前記有効画素領域における高さよりも高い多層配線層を形成する工程と、
前記有効画素領域の外側の領域であって、前記有効画素領域と前記周辺回路領域との間に形成された多層配線層上の段差部よりも前記有効画素領域側の多層配線層上部に溝部を形成する工程と、
前記溝部を含む多層配線層上全面に、塗布系材料からなる膜を成膜する工程と
を含む固体撮像装置の製造方法。 - 前記溝部は、幅20nm〜100μm、深さ20nm〜20μmに形成する
請求項4記載の固体撮像装置の製造方法。 - 複数の画素が形成された有効画素領域と前記有効画素領域の周辺に設けられた周辺回路領域の基板上部に、複数の配線が層間絶縁膜を介して積層された多層配線層であって、前記有効画素領域から前記周辺回路領域に連続して設けられ、前記周辺回路領域における配線の積層数が前記有効画素領域における配線の積層数よりも多く、かつ、前記周辺回路領域における高さが前記有効画素領域における高さよりも高い多層配線層を形成する工程と、
前記有効画素領域の外側の領域であって、前記有効画素領域と前記周辺回路領域との間に形成された多層配線層上の段差部よりも前記有効画素領域側の多層配線層上部に溝部を形成する工程と、
前記溝部を形成する工程と同時に、前記有効画素領域における前記画素のフォトダイオード上部の多層配線層に開口部を形成する工程と、
前記溝部を含む、前記多層配線層上全面に、塗布系材料からなる膜を成膜する工程と
を含む固体撮像装置の製造方法。 - 前記溝部は、幅20nm〜100μm、深さ20nm〜20μmに形成する
請求項6記載の固体撮像装置の製造方法。 - 光学レンズ系と、
基板に形成された複数の画素と前記基板上に層間絶縁膜を介して積層された複数の配線を有する多層配線層とを有する有効画素領域と、前記有効画素領域の周辺に設けられ、前記基板上に層間絶縁膜を介して積層された複数の配線を有し、前記有効画素領域に設けられた多層配線層に連続して設けられた多層配線層であって、前記有効画素領域に設けられる多層配線層よりも積層される配線の総数が多く、かつ、前記有効画素領域に設けられる多層配線層よりも高く形成された多層配線層を有する周辺回路領域と、前記有効画素領域の外側の領域であって、前記有効画素領域の多層配線層と前記周辺回路領域の多層配線層との間に形成された段差部よりも、前記有効画素領域側の多層配線層上部に設けられた溝部と、を有し、前記溝部を含む前記多層配線層上には、塗布系材料からなる膜が形成されている固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路と
を備える電子機器。
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