JP5295913B2 - 有機電界発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光取出し効率が高く、かつ明室コントラストの良好な有機電界発光装置及び有機電界発光装置の製造方法に関する。

有機電界発光装置は、自発光型の表示装置であり、ディスプレイや照明の用途に用いられる。有機ＥＬディスプレイは、従来のＣＲＴやＬＣＤと比較して視認性が高い、視野角依存性がないといった表示性能の利点を有する。また、ディスプレイを軽量化、薄層化できるといった利点もある。

有機電界発光素子をディスプレイとして利用する場合、外部への光取り出し効率を上げると共に、外光の反射を抑制し、コントラストを高めることが重要な課題となっている。例えば、特許文献１には、発光層の上部を部分的に黒色化することで、外光の反射を抑制できる有機電界発光装置が提案されている。しかし、この提案では、外光の反射抑制に比例して、光の取り出し効率が減少してしまうという課題があった。

また、特許文献２には、プリズムを利用して、光取り出し効率を高めると共に、円偏光板を利用することで、外光の反射も抑制できる有機電界発光装置が提案されている。しかし、この提案では、図１に示すように、円偏光板５を通過してプリズム４に入った外光のうち、偶数回反射電極層１に当たって円偏光板５へ戻る成分が外部に抜けてしまい、外光反射防止が十分でないという問題があった。なお、図１中、２＋３は、有機ＥＬ層及び封止層を表す。

また、特許文献３には、プリズムの鋭角の頂点及びその近傍領域を遮光する遮光部を有する入射角制限板を外光の入射側に備えたプラズマディスプレイパネルが提案されている。しかし、この提案には、有機電界発光装置については開示も示唆もなく、発光が再利用できないため、輝度が低下してしまうという問題がある。

したがって光取出し効率が高く、かつ明室コントラストの良好な有機電界発光装置及び有機電界発光装置の製造方法の速やかな提供が望まれているのが現状である。

特許第３６０１２８９号公報 特許第３５４５９５１号公報 特開２００８−５３０３０号公報

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、光取出し効率が高く、かつ明室コントラストの良好な有機電界発光装置及び有機電界発光装置の製造方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決するため本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、四角錐プリズムの頭部領域に反射層と、該反射層上に光吸収層を設けることにより、前記光吸収層で外光成分を吸収させ外光反射を抑制すると共に、内部の発光成分は前記反射層の反射を利用することにより外部に取り出すことができ、光取出し効率が高く、かつ明室コントラストの良好な有機電界発光装置を提供できることを知見した。

本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 陽極と、発光層と、陰極とを少なくとも含む有機電界発光部と、
前記発光層から発光される光の光路を制御する四角錐プリズムと、を少なくとも有し、
前記四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域の少なくとも一部に、反射層と、該反射層上に光吸収層とを有することを特徴とする有機電界発光装置である。
＜２＞ 四角錐プリズムが、頂点と底面の四隅とを結ぶ４本の稜線により画成された４つの三角形からなる４つの辺を有し、
前記四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域を構成する４つの辺の少なくとも１つに反射層と、該反射層上に光吸収層とを有する前記＜１＞に記載の有機電界発光装置である。
＜３＞ 頭部領域を構成する４つの辺の総てに反射層と、該反射層上に光吸収層とを有する前記＜２＞に記載の有機電界発光装置である。
＜４＞ 四角錐プリズムの底辺長さＬと、四角錐プリズムの底辺から頂点までの高さｈ１とが、次式、０＜ｈ１／Ｌ＜０．６５、を満たす前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の有機電界発光装置である。
＜５＞ 四角錐プリズムの頂角が９０度であり、かつ四角錐プリズムの頭部領域に反射層及び光吸収層を形成後の頂点から頭部領域の底辺までの高さｄ１と、四角錐プリズムの頭部領域に反射層及び光吸収層を形成後の頂点から四角錐プリズムの底辺までの高さｈ２とが、次式、０．２５＜ｄ１／ｈ２＜０．６、を満たす前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の有機電界発光装置である。
＜６＞ 四角錐プリズムの頂角が１３０度であり、かつ四角錐プリズムの頭部領域に反射層及び光吸収層を形成後の頂点から頭部領域の底辺までの高さｄ１と、四角錐プリズムの頭部領域に反射層及び光吸収層を形成後の頂点から四角錐プリズムの底辺までの高さｈ２とが、次式、０＜ｄ１／ｈ２＜０．６５、を満たす前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の有機電界発光装置である。
＜７＞ 反射層が、アルミニウム、銀、金、マグネシウム及びこれらの合金から選択される少なくとも１種を含有する前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の有機電界発光装置である。
＜８＞ 光吸収層が、黒色着色剤を含有する前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の有機電界発光装置である。
＜９＞ 有機電界発光部が、１次のマイクロキャビティ構造、２次のマイクロキャビティ構造、及び３次のマイクロキャビティ構造のいずれかを有する前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の有機電界発光装置である。
＜１０＞ 前記＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の有機電界発光装置を製造する方法であって、
有機電界発光部の陰極表面を被覆する封止層上に四角錐プリズムを形成する四角錐プリズム形成工程と、
前記四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域に反射層を形成する反射層形成工程と、
前記反射層上に光吸収層を形成する光吸収層形成工程と、を含むことを特徴とする有機電界発光装置の製造方法である。

本発明によると、従来における諸問題を解決でき、光取出し効率が高く、かつ明室コントラストの良好な有機電界発光装置及び有機電界発光装置の製造方法を提供することができる。

図１は、従来の有機電界発光装置の一例を示す概略図である。 図２Ａは、本発明の有機電界発光装置の一例を示す概略図である。 図２Ｂは、図２Ａの平面図である。 図３Ａは、本発明の有機電界発光装置の他の一例を示す概略図である。 図３Ｂは、図３Ａの平面図である。 図４は、本発明の有機電界発光装置の更に他の一例を示す概略図である。 図５は、本発明の有機電界発光装置の更に他の一例を示す平面図である。 図６は、本発明で用いる四角錐プリズムの一例を示す概略図である。 図７は、図６の四角錐プリズムを用いて測定した比（ｈ１／Ｌ）と正面輝度の増減率との関係を示す図である。 図８は、本発明で用いる反射層及び光吸収層を形成した四角錐プリズムの一例を示す図である。 図９は、実施例１における比（ｄ１／ｈ２）と正面輝度比及び黒輝度比の関係を示す図である。 図１０は、実施例２における比（ｄ１／ｈ２）と正面輝度比及び黒輝度比の関係を示す図である。 図１１は、比較例１における比（ｄ１／ｈ２）と正面輝度比及び黒輝度比の関係を示す図である。 図１２は、比較例２における比（ｄ１／ｈ２）と正面輝度比及び黒輝度比の関係を示す図である。 図１３は、本発明の有機電界発光装置の一例を示す概略断面図である。 図１４は、本発明の有機電界発光装置の他の一例を示す概略断面図である。 図１５は、ＲＧＢ３画素における各画素ごとに四角錐プリズムを配置した状態を示す図である。 図１６は、ＲＧＢ３画素を一単位として四角錐プリズムを配置した状態を示す図である。 図１７は、１つの画素に多数の小さなプリズムを配置した状態を示す図である。

（有機電界発光装置）
本発明の有機電界発光装置は、有機電界発光部と、四角錐プリズムとを有し、更に必要に応じてその他の部材を有してなる。

本発明においては、前記四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域の少なくとも一部に、反射層と、該反射層上に光吸収層とを有する。これにより、図２Ａに示すように、四角錐プリズム４の頂点を含む頭部領域に形成された光吸収層８で外光成分を吸収させ外光反射を抑制すると共に、内部の発光成分は反射層７の反射を利用することにより外部に取り出すことができ、光取出し効率が高く、かつ明室コントラストが良好となる。

ここで、前記四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域とは、四角錐プリズムの頂点を含みかつ、プリズムの外接する４面のうち少なくとも１面の一部を含む領域を意味する。

図２Ｂに示すように、四角錐プリズム４は、頂点１０と底面の四隅とを結ぶ４本の稜線１１，１１，１１，１１により画成された４つの三角形１２，１２，１２，１２からなる４つの辺を有している。
そして、外部照明環境にも大きく影響するが、前記四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域を構成する４つの辺の少なくとも１つに反射層と、該反射層上に光吸収層とを有することが好ましく、頭部領域を構成する４つの辺の総てに反射層と、該反射層上に光吸収層とを有することが、全ての方向からの外光の反射を抑制する点でより好ましい。
また、図３Ａに示すように、前記四角錐プリズム４は、該プリズムの頂点を含む頭部領域の一部に反射層７及び光吸収層８を有していてもよい。この場合も図３Ａに示すように、四角錐プリズム４の頂点を含む頭部領域に形成された光吸収層８で外光成分を吸収させ外光反射を抑制すると共に、内部の発光成分は反射層７の反射を利用することにより外部に取り出すことができ、光取出し効率が高く、かつ明室コントラストが良好となる。
図３Ｂに示すように、四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域を構成する４つの辺のうち２辺に反射層及び光吸収層を形成することが好ましい。

また、四角錐プリズムは、一つの画素（有機電界発光部）上に複数個形成することができる。例えば図４に示すように、一つの画素（有機電界発光部）上に封止層３を介して３つの反射層７及び光吸収層８を頭部領域に形成した四角錐プリズム４を隣接させて配置することができる。

前記四角錐プリズムの頂角が９０度であり、かつ四角錐プリズムの頭部領域に反射層及び光吸収層を形成後の頂点から頭部領域の底辺までの高さｄ１と、四角錐プリズムの頭部領域に反射層及び光吸収層を形成後の頂点から四角錐プリズムの底辺までの高さｈ２とが、次式、０．２５＜ｄ１／ｈ２＜０．６、を満たすことが好ましい。前記（ｄ１／ｈ２）が０．２５未満であると、外光反射が大きくなり、コントラストが悪化することがあり、０．６を超えると、発光輝度が下がり、所望の発光輝度が得られないことがある。

前記四角錐プリズムの頂角が１３０度であり、かつ四角錐プリズムの頭部領域に反射層及び光吸収層を形成後の頂点から頭部領域の底辺までの高さｄ１と、四角錐プリズムの頭部領域に反射層及び光吸収層を形成後の頂点から四角錐プリズムの底辺までの高さｈ２とが、次式、０＜ｄ１／ｈ２＜０．６５、を満たすことが好ましい。前記（ｄ１／ｈ２）が０．６５を超えると、発光輝度が下がり、所望の発光輝度が得られないことがある。

＜四角錐プリズム＞
前記四角錐プリズムは、前記発光層から発光される光の光路を制御する機能を有する。
前記四角錐プリズムは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記有機電界発光部の陰極表面を被覆する封止層上に形成されていることが好ましい。

前記四角錐プリズムとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、底面が正方形で４つの辺が二等辺三角形である正四角錐プリズムが好ましい。
前記四角錐プリズムは、１つの発光層（有機電界発光部、画素）上に１つ配することが好ましいが、１つの発光層（有機電界発光部、画素）上に複数個配することもできる。

前記四角錐プリズムとしては、その配列、大きさ、材質などについては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記プリズムの配列としては、例えば正方格子状、ハニカム状、ドットマトリックス状などが挙げられる。
前記プリズムの材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばアクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエステル、ポリウレタン等の光学的透明性を有する樹脂；ガラス、シリコン等の光学的透明性を有する材料、などが挙げられる。また、材料中に無機微粒子を添加した材料を用いてもよく、光透過率が高くかつ内部の吸収による着色がないものが特に好ましい。

前記四角錐プリズムの底辺長さＬと、四角錐プリズムの底辺から頂点までの高さｈ１とが、次式、０＜ｈ１／Ｌ＜０．６５を満たすことが好ましく、０．２＜ｈ１／Ｌ＜０．６を満たすことがより好ましい。
前記四角錐プリズムの頂角θとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、６０度〜１５０度であることが好ましく、９０度〜１５０度がより好ましい。
前記四角錐プリズムの底辺長さＬとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１μｍ〜１，０００μｍであることが好ましく、１μｍ〜２００μｍがより好ましい。
前記四角錐プリズムの屈折率は、１．４〜２．０であることが好ましく、１．５〜１．８であることがより好ましい。

前記四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域の少なくとも一部に、反射層と、該反射層上に光吸収層とを有する。
前記四角錐プリズムが、頂点と底面の四隅とを結ぶ４本の稜線により画成された４つの三角形からなる４つの辺を有し、
前記四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域を構成する４つの辺の少なくとも１つに反射層と、該反射層上に光吸収層とを有することが好ましく、４つの辺の総てに反射層と、該反射層上に光吸収層とを有することが、全ての方向からの外光の反射を抑制する点でより好ましい。

−反射層−
前記反射層としては、その形状、構造、材料等については適宜選択することができ、前記反射層の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記反射層の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
前記反射層の材料としては、例えばアルミニウム、銀、金、マグネシウム、又はこれらの合金などが挙げられる。これらの中でも、アルミニウム、銀が特に好ましい。
また、前記反射層として、酸化チタン、ジルコニア、酸化亜鉛等の無機粒子、又は、アクリル樹脂、ポリスチレン、ウレタン系樹脂等の有機粒子、気泡などを単体あるいは複合して用いた拡散反射層としてもよい。

前記反射層は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば後述する有機電界発光装置の製造方法により形成することができる。
前記反射層の厚みは、１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましい。

−光吸収層−
前記光吸収層は、その形状、構造、材料等については適宜選択することができ、前記光吸収層の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記光吸収層の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。

前記光吸収層は、黒色着色剤を含有し、更に必要に応じてその他の成分を含有してなる。
前記黒色着色剤としては、例えば黒色顔料、黒色染料などが挙げられる。前記黒色顔料としては、特に制限はなく、目的に応じ適宜選択することができ、例えばカーボンブラック、チタンブラック、アニリンブラックなどが挙げられる。
前記黒色染料としては、特に制限はなく、目的に応じ適宜選択することができ、例えばアゾ染料などが挙げられる。
前記光吸収層には、前記黒色着色剤以外にも、有機ポリマー材料や硬化剤などを含有することができる。

前記光吸収層は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば後述する有機電界発光装置の製造方法により形成することができる。
前記光吸収層の厚みは、１０ｎｍ〜１００μｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜５，０００ｎｍであることがより好ましい。

＜封止層＞
前記封止層は、前記有機電界発光部の陰極表面を被覆する層である。前記陰極表面には、陰極表面以外にも、有機電界発光部の表面（露出面）を広く含む。
前記封止層としては、大気中の酸素、水分、窒素酸化物、硫黄酸化物、オゾン等の透過を防ぐ機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記封止層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、などが挙げられる。

前記封止層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＣＶＤ法、真空蒸着法、などが挙げられる。
前記封止層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５ｎｍ〜５，０００ｎｍが好ましく、７ｎｍ〜３，０００ｎｍがより好ましい。前記封止層の厚みが、５ｎｍ未満であると、大気中の酸素及び水分の透過を防ぐバリア機能が不充分であることがあり、５，０００ｎｍを超えると、光線透過率が低下し、透明性を損なうことがある。
前記封止層の光学的性質は、光線透過率が８０％以上であることが好ましく、８５％以上がより好ましく、９０％以上が更に好ましい。
前記封止層の屈折率は、１．４〜２．５であることが好ましく、１．５〜２．０であることがより好ましい。

本発明においては、前記有機電界発光部は、色純度を高める点でマイクロキャビティ構造を有することが好ましい。
ここで、前記マクロキャビティ構造とは、光出射側の半透過層と光出射と逆側の反射電極層とが干渉する構造を意味する。

前記有機電界発光部は、光学長Ｌ（λ）が１λ（ただし、λは発光波長を表す）である１次のマイクロキャビティ構造、光学長Ｌ（λ）が２λ（ただし、λは発光波長を表す）である２次のマイクロキャビティ構造、又は光学長Ｌ（λ）が３λ（ただし、λは発光波長を表す）である３次のマイクロキャビティ構造であることが好ましい。

前記１次のマイクロキャビティ構造とは、金属反射層間をラウンドトリップする光が強めあう条件となる最小の光学長であることを意味する。
前記２次のマイクロキャビティ構造とは、金属反射層間をラウンドトリップする光が強めあう条件となる最小の光学長から２番目に短い光学長であることを意味する。
前記３次のマイクロキャビティ構造とは、金属反射層間をラウンドトリップする光が強めあう条件となる最小の光学長から３番目に短い光学長であることを意味する。

ここで、前記マイクロキャビティ構造の光学長（光学距離）Ｌは、Ｌ＝２×Σｎ_ｉｄ_ｉ（ただし、ｉは積層数で１〜ｉまでの整数を表す）及び反射による位相シフトで表され、陽極と陰極の間に形成される各層の厚さｄとその層の屈折率ｎの積の和で表される。
前記光学長Ｌは、発光波長λに対し、光学長Ｌ（λ）＝ｍλ（ｍ＝１：１次、ｍ＝２：２次、ｍ＝３：３次）に示す関係があり、光学長Ｌ（λ）は、下記数式で表される。
ただし、式中、Ｌ（λ）は光学長〔＝２Σｎ_jｄ_j＋ΣＡＢＳ（φｍｉλ／２π）〕、λは、発光波長、ｉは、金属反射層を示すサフィックス、ｊは、金属反射層以外の金属層間の層（有機層や誘電体層等）を示すサフィックスを表す。

＜有機電界発光部＞
前記有機電界発光部（有機電界発光素子）は、陽極と、発光層と、陰極とを少なくとも有し、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。

前記有機電界発光部は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のいずれかを含む画素として構成される。
このような画素の構成としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３〜３７ページに記載されているように、前記発光層を、赤色、緑色、又は青色に対応する光をそれぞれ発光する発光層とした画素を形成し、これら赤色、緑色、及び青色のいずれかの画素を配する３色発光法など、公知の構成を適用することができる。

−陽極−
前記陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、又はこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。
前記陽極の厚みは、特に制限はなく、材料により適宜選択可能であるが、１０ｎｍ〜５μｍが好ましく、５０ｎｍ〜１μｍがより好ましく、１００ｎｍ〜５００ｎｍが更に好ましい。

前記陽極としては、通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。
前記基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、０．２ｍｍ以上が好ましく、０．７ｍｍ以上がより好ましい。

前記透明樹脂基板としては、バリアフィルムを用いることもできる。該バリアフィルムとは、プラスチック支持体上にガス不透過性のバリア層を設置したフィルムである。バリアフィルムとしては、酸化ケイ素や酸化アルミニウムを蒸着したもの（特公昭５３−１２９５３号公報、特開昭５８−２１７３４４号公報）、有機無機ハイブリッドコーティング層を有するもの（特開２０００−３２３２７３号公報、特開２００４−２５７３２号公報）、無機層状化合物を有するもの（特開２００１−２０５７４３号公報）、無機材料を積層したもの（特開２００３−２０６３６１号公報、特開２００６−２６３９８９号公報）、有機層と無機層を交互に積層したもの（特開２００７−３０３８７号公報、米国特許第６４１３６４５号明細書、Affinitoら著 Thin Solid Films 1996年 290-291頁）、有機層と無機層を連続的に積層したもの（米国特許出願公開公報２００４−４６４９７号明細書）などが挙げられる。

前記陽極の作製には、材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は洗浄その他の処理により、表示装置の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理などが効果的である。

−陰極−
前記陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの陰極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。
前記陰極の材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）又はそのフッ化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）又はそのフッ化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金又はそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金又はそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらの中でも、仕事関数が４ｅＶ以下の材料が好ましく、アルミニウム、リチウム−アルミニウム合金又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金又はそれらの混合金属が特に好ましい。

前記陰極の厚みは、特に制限はなく、材料により適宜選択可能であるが、１０ｎｍ〜５μｍが好ましく、５０ｎｍ〜１μｍがより好ましく、１００ｎｍ〜１μｍが更に好ましい。
前記陰極の作製には、例えば電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。更に、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
前記陽極及び陰極のシート抵抗は、低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。

−発光層−
前記発光層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、電界印加時に陽極又は正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に、陰極又は電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものなどを用いることができる。

前記発光層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体；ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記発光層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１ｎｍ〜５μｍが好ましく、５ｎｍ〜１μｍがより好ましく、１０ｎｍ〜５００ｎｍが更に好ましい。
前記発光層の形成方法は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、ＬＢ法などの方法が挙げられる。これらの中でも、抵抗加熱蒸着、コーティング法が特に好ましい。

−正孔注入層、正孔輸送層−
前記正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、例えばカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記正孔注入層及び正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
前記正孔注入層及び正孔輸送層の形成方法としては、例えば真空蒸着法、ＬＢ法、前記正孔注入輸送剤を溶媒に溶解又は分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解乃至分散することができる。
前記樹脂成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリブチルメタクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）樹脂、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂、エチルセルロース、酢酸ビニル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記正孔注入層及び正孔輸送層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば１ｎｍ〜５μｍが好ましく、５ｎｍ〜１μｍがより好ましく、１０ｎｍ〜５００ｎｍが更に好ましい。

−電子注入層、電子輸送層−
前記電子注入層及び電子輸送層の材料としては、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記電子注入層及び電子輸送層の材料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記電子注入層及び電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
前記電子注入層及び電子輸送層の形成方法としては、例えば真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送剤を溶媒に溶解乃至分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解乃至分散することができ、前記樹脂成分としては、例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
前記電子注入層又は電子輸送層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１ｎｍ〜５μｍが好ましく、５ｎｍ〜１μｍがより好ましく、１０ｎｍ〜５００ｎｍが更に好ましい。

−基板−
前記基板としては、その形状、構造、大きさ等を適宜選択すればよく、一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。前記基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。

前記基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料；ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）樹脂等の有機材料、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記基板としてガラスを用いる場合には、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したもの（例えば、バリアフィルム基板）を使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。

前記熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。

（有機電界発光装置の製造方法）
本発明の有機電界発光装置の製造方法は、本発明の前記有機電界発光装置を製造する方法であって、
四角錐プリズム形成工程と、反射層形成工程と、光吸収層形成工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。

＜四角錐プリズム形成工程＞
前記四角錐プリズム形成工程は、有機電界発光部の陰極表面を被覆する封止層上に四角錐プリズムを形成する工程である。

前記四角錐プリズムの形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば切削加工、研磨、押し出し成形、インクジェット法、インプリント法、フォトリソグラフィ法、又はこれらの組み合わせ、などが挙げられる。これらの中でも、インプリント法が特に好ましい。

前記インプリント法では、例えば離型剤及びＵＶ硬化樹脂を含む組成物を有機電界発光部の封止層上に塗布し、四角錐プリズムを形成可能に成形した透明なモールドを有機電界発光素子上に圧着し、ＵＶ光を照射した後、離型することによって有機電界発光部上に四角錐プリズムを形成することができる。

＜反射層形成工程＞
前記反射層形成工程は、前記四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域に反射層を形成する工程である。
前記反射層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば前記四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域以外の部分をマスクしてから、ＣＶＤ法、真空蒸着法などを行うことにより、四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域に反射層を形成することができる。これらの中でも、真空蒸着法が特に好ましい。

＜光吸収層形成工程＞
前記光吸収層形成工程は、前記反射層上に光吸収層を形成する工程である。
前記光吸収層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば前記四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域以外の部分（反射層以外の部分）をマスクしてから、真空蒸着法、スパッタ法、ディップコート法、スプレー法、インクジェット法、などにより、反射層上に光吸収層を形成することができる。これらの中でも、蒸着法、スプレー法が特に好ましい。

＜その他の工程＞
本発明の有機電界発光装置は、その他の工程として有機電界発光部を構成する各層を形成する工程などが挙げられる。

ここで、図１３は、本発明の有機電界発光装置の一例であるボトムエミッション型の有機電界発光装置を示す概略断面図である。図１４は、本発明の有機電界発光装置の一例であるトップエミッション型の有機電界発光装置を示す概略断面図である。

図１３のボトムエミッション型の有機電界発光装置１００は、ガラス基板２１上に、有機電界発光部１０１（陽極２２、ホール注入層２３、ホール輸送層２４、発光層２５、電子輸送層２６、電子注入層２７、陰極２８）を有し、光取り出し面としてのガラス基板２１上に、頂点を含む頭部領域に反射層７及び光吸収層８を形成した四角錐プリズム２９が形成されている。

図１４のトップエミッション型の有機電界発光装置２００は、ガラス基板２１上に、有機電界発光部２０１（陽極２２、ホール注入層２３、ホール輸送層２４、発光層２５、電子輸送層２６、電子注入層２７、陰極２８）を有し、陰極２８上に封止層３０が形成され、光取り出し面としての封止層３０上に、頂点を含む頭部領域に反射層７及び光吸収層８を形成した四角錐プリズム２９が形成されている。
なお、「光出射方向」は、発光層からの光が、光取り出し面から有機電界発光装置の外部に出射される方向を示す。図１３に示すボトムエミッション型の有機電界発光装置１００の場合、矢印で示した通り、発光層２５からみて図面に平行に下方に向かう方向を示す。図１４に示すトップエミッション型の有機電界発光装置２００の場合、矢印で示した通り、発光層２５からみて図面に平行に上方に向かう方向を示す。

本発明の有機電界発光装置は、フルカラーで表示し得る装置として構成されてもよい。
本発明の有機電界発光装置をフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３〜３７ページに記載されているように、色の３原色（青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ））に対応する光をそれぞれ発光する層構造を基板上に配置する３色発光法、白色発光用の層構造による白色発光をカラーフィルタを通して３原色に分ける白色法、青色発光用の層構造による青色発光を蛍光色素層を通して赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）に変換する色変換法、などが知られている。

また、上記方法により得られる異なる発光色の層構造を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色及び黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、及び赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、等である。

本発明の有機電界発光装置は、例えば、コンピュータ、車載用表示器、野外表示器、家庭用機器、業務用機器、家電用機器、交通関係表示器、時計表示器、カレンダ表示器、ルミネッセントスクリーン、音響機器等をはじめとする各種分野において好適に使用することができる。

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。

（製造例１）
−有機電界発光素子の作製−
ガラス基板として、厚みが０．２ｍｍ、屈折率が１．８のＳＦＬ６（オハラ社製）を用いた。
次に、ガラス基板上に、陽極として銀（Ａｇ）の半透過層を、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
次に、アルミニウム膜上に、ホール注入層として２−ＴＮＡＴＡ〔４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン〕とＭｎＯ_３を７：３（質量比）の割合で、厚みが２０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
次に、ホール注入層上に、第１のホール輸送層として２−ＴＮＡＴＡにＦ４−ＴＣＮＱ（２，３，５，６−ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ−７，７，８，８ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）を１．０質量％ドープして１４１ｎｍの厚さとなるように、真空蒸着により形成した。
次に、第１のホール輸送層上に、第２のホール輸送層としてα−ＮＰＤ〔Ｎ，Ｎ’−（ジナフチルフェニルアミノ）ピレン〕を、厚みが１０ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
次に、第２のホール輸送層上に、第３のホール輸送層として下記構造式で表されるホール輸送材料Ａを、厚みが３ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
次に、第３のホール輸送層上に、発光層を、ホスト材料としてＣＢＰ（４，４’−ジカルバゾール−ビフェニル）と、発光材料として下記構造式で表される発光材料Ａを、８５：１５（質量比）の割合で、厚みが２０ｎｍとなるように、真空共蒸着により形成した。
次に、発光層上に、第１の電子輸送層としてＢＡｌｑ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ（ＩＩＩ）ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）−４−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ）を、厚みが３９ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
次に、第１の電子輸送層上に、第２の電子輸送層としてＢＣＰ（２，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎ）を、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
次に、第２の電子輸送層上に、第１の電子注入層としてＬｉＦを、厚みが１ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
次に、第１の電子注入層の上に、陰極としてアルミニウム（Ａｌ）を、厚みが１００ｎｍとなるように、真空蒸着により形成した。
次に、陰極上に、封止層としてＳｉＯＮを、厚みが３，０００ｎｍとなるように、ＣＶＤ法により形成した。以上により、有機電界発光素子を作製した。
作製した有機電界発光素子は、光学長Ｌ（λ）が２λ（ただし、λは発光波長を表す）である２次のマイクロキャビティ構造を有していた。

−四角錐プリズムの形成−
次に、封止層上に、ＳＦＬ６（オハラ社製）ガラス硝材の研磨により作製した四角錐プリズム（頂角９０°、比（ｈ／Ｌ）＝０．２５）を、屈折率1.８の屈折液（島津デバイス株式会社製）により張り合わせた。以上により、製造例１の有機電界発光装置を作製した。

作製した製造例１の有機電界発光装置について、図６に示すように、ＳＦＬ６（オハラ社製）ガラス硝材の研磨により作製した四角錐プリズム４の底辺から頂点までの高さｈ１と、四角錐プリズムの底辺長さＬとの比（ｈ１／Ｌ）を変化させたサンプルを作製し、以下のようにして正面輝度を測定した。結果を図７に示す。
＜正面輝度の測定＞
正面輝度は、分光放射輝度計（トプコン社製、ＳＲ−３）で測定した。

図７の結果から、四角錐プリズムの底辺から頂点までの高さｈ１と、四角錐プリズムの底辺長さＬとの比（ｈ１／Ｌ）が、０＜ｈ１／Ｌ＜０．６５の場合に、正面輝度の上昇が認められた。

（製造例２）
製造例１において、封止層上に、ＳＦＬ６（オハラ社製）ガラス硝材の研磨により作製した四角錐プリズム（頂角１３０°、比（ｈ／Ｌ）＝０．２５）を、屈折率1.８の屈折液（島津デバイス株式会社製）により張り合わせた以外は、製造例１と同様にして、製造例２の有機電界発光装置を作製した。

（実施例１）
図８に示すように、製造例１で作製した有機電界発光装置における四角錐プリズム（頂角θ＝９０°、比（ｈ／Ｌ）＝０．５）の頂点を含む頭部領域に、以下のようにして、反射層７及び光吸収層８を形成した。

−反射層の形成−
ＳＦＬ６（オハラ社製）ガラス硝材の研磨により作製した四角錐プリズム（頂角９０°、比（ｈ／Ｌ）＝０．２５）をガラス基板上に水溶性仮接着剤（アーデル社製、Ｋ４０）を介し、ＵＶ硬化を行い固定した後、厚み１００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）層を、マスク層を介して、真空蒸着により作製した。

−光吸収層の形成−
ブラックカラーレジスト（ＣＫ−８４００、富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製）を用い、前記アルミニウム（Ａｌ）蒸着プリズム層付ガラス基板をディップコートし、１２０℃で２分間乾燥させて、黒色の均一な塗膜を形成した。
次に、露光装置を使用して、塗膜に３６５ｎｍの波長でマスクを通して３００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で照射した。照射後、１０質量％のＣＤ−１（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製）現像液を使用して、２６℃で９０秒間現像した。引き続き、流水で２０秒間リンスした後、エアナイフで乾燥させ、２２０℃で６０分間熱処理を行ってブラックマトリックスのパターン像を形成した。
その後、８０℃の湯に１０分間基板を漬けることで、水溶性仮接着剤を剥離し、アルミニウム（Ａｌ）及び黒色層付プリズムを作製した。

次に、作製した実施例１の有機電界発光装置について、四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域に形成する反射層及び光吸収層の長さを調整して頭部領域の高さｄ１の値を変えることにより、反射層及び光吸収層を頭部領域に形成後の四角錐プリズムの頂点から頭部領域底辺までの高さをｄ１と、反射層及び光吸収層を頭部領域に形成後の四角錐プリズムの底面から頂点までの高さｈ２との比（ｄ１／ｈ２）を０から０．９まで変化させて、製造例１と同様にして正面輝度、及び以下のようにして黒輝度を測定した。結果を図９に示す。なお、図９中正面輝度比は、反射層及び光吸収層なしの四角錐プリズムを有する有機電界発光装置による正面輝度の値を１としたときの比を表す。また、図９中黒輝度比は、反射層及び光吸収層なしの四角錐プリズムを有する有機電界発光装置を用い、外光による正面輝度（映り込み）の値を１としたときの比を表す。

＜黒輝度（明室コントラスト）の測定＞
鉛直照度１，０００ｌｕｘの照明環境下で、測定対象の有機電界発光装置を地面に対し垂直に置き、測定対象の有機電界発光装置の垂直から５°ずらした方向の輝度を、輝度計（トプコン社製、ＳＲ−３）を用いて波長毎に測定した（輝度計自体の映り込みを防ぐため）。

図９の結果から、頂角θが９０°の場合には、０．２５＜ｄ１／ｈ２＜０．６０の範囲で、正面輝度及び黒輝度（明室コントラスト）に対して効果があることが分かった。

（実施例２）
製造例２で作製した有機電界発光装置における四角錐プリズム（頂角θ＝１３０°、比（ｈ／Ｌ）＝０．２５）の頂点を含む頭部領域に、実施例１と同様にして、反射層及び光吸収層を形成した。
次に、作製した実施例２の有機電界発光装置について、四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域に形成する反射層及び光吸収層の長さを調整して頭部領域の高さｄ１の値を変えることにより、反射層及び光吸収層を頭部領域に形成後の四角錐プリズムの頂点から頭部領域の底辺までの高さをｄ１と、反射層及び光吸収層を頭部領域に形成後の四角錐プリズムの底面から頂点までの高さｈ２との比（ｄ１／ｈ２）を０から０．９まで変化させて、実施例１と同様にして、正面輝度、及び黒輝度を測定した。結果を図１０に示す。
図１０の結果から、頂角θが１３０°の場合には、０＜ｄ１／ｈ２＜０．６５の範囲で、正面輝度及び黒輝度（明室コントラスト）に対して効果があることが分かった。

（比較例１）
実施例１において、製造例１で作製した有機電界発光装置の四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域に光吸収層のみを形成した以外は、実施例１と同様にして、比較例１の有機電界発光装置を作製した。

次に、作製した比較例１の有機電界発光装置について、四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域に形成する光吸収層の長さを調整して頭部領域の高さｄ２の値を変えることにより、光吸収層を頭部領域に形成後の四角錐プリズムの頂点から頭部領域の底辺までの高さをｄ２と、光吸収層を頭部領域に形成後の四角錐プリズムの底面から頂点までの高さｈ３との比（ｄ２／ｈ３）を０から０．９まで変化させて、同様に正面輝度を測定した。結果を図１１に示す。
図１１の結果から、比較例１は、発光の反射層による再利用がないため、実施例１に比べて、大きく輝度が低下することが分かった。

（比較例２）
実施例１において、製造例１で作製した有機電界発光装置の四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域に反射層のみを形成した以外は、実施例１と同様にして、比較例２の有機電界発光装置を作製した。
次に、作製した比較例２の有機電界発光装置について、四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域に形成する反射層の長さを調整して頭部領域の高さｄ３の値を変えることにより、反射層を頭部領域に形成後の四角錐プリズムの頂点から頭部領域底辺までの高さをｄ３と、反射層を頭部領域に形成後の四角錐プリズムの底面から頂点までの高さｈ４との比（ｄ３／ｈ４）を０から０．９まで変化させて、正面輝度を測定した。結果を図１２に示す。
図１２の結果から、比較例２は光吸収層がないため、実施例１に比べて、大きく黒輝度が上昇することが分かった。

以上説明した実施例１〜２及び比較例１〜２の結果は、緑色（約５３０ｎｍ）１画素について行ったものであるが、青色（約４７０ｎｍ）及び赤色（約６３０ｎｍ）についても同様の結果が得られた。
即ち、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）のＲＧＢの３画素を有するデバイスを作製し、ＲＧＢ３画素について四角錐プリズムを配置する場合は、図１５に示すように、ＲＧＢ３画素の一つ一つの各画素を四角錐プリズムで取り囲んで配置してもよく、図１６に示すように、ＲＧＢ３画素を一単位として四角錐プリズムで取り囲んで配置してもよい。また、四角錐プリズムは、１画素に１個には限られず、複数個配置しても構わない。図１７に示すように、１つの画素Ｇに多数の小さい四角錐プリズム２４を配置することもできる。
また、画素の形状については、特に制限はなく、目的に応じて適宜変更することができ、例えば正方形状の画素、長方形状の画素、円形状の画素、三角形状の画素、などが挙げられる。

本発明の有機電界発光装置は、光取出し効率が高く、かつ明室コントラストが良好であるので、例えば、コンピュータ、車載用表示器、野外表示器、家庭用機器、業務用機器、家電用機器、交通関係表示器、時計表示器、カレンダ表示器、ルミネッセントスクリーン、音響機器等をはじめとする各種分野において好適に使用することができる。

１ 反射電極層
２ 発光層
３ 封止層
４ 四角錐プリズム
５ 円偏光板
６ 半透過電極層
７ 反射層
８ 光吸収層
１０ 頂点
１１ 稜線
１２ 辺
２１ ガラス基板
２２ 陽極
２３ ホール注入層
２４ ホール輸送層
２５ 発光層
２６ 電子輸送層
２７ 電子注入層
２８ 陰極
２９ 四角錐プリズム
３０ 封止層
１００、２００ 有機電界発光装置
１０１、２０１ 有機電界発光部
θ 頂角

Claims (10)

1. 陽極と、発光層と、陰極とを少なくとも含む有機電界発光部と、
   前記発光層から発光される光の光路を制御する四角錐プリズムと、を少なくとも有し、
   前記四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域の少なくとも一部に、反射層と、該反射層上に光吸収層とを有することを特徴とする有機電界発光装置。
2. 四角錐プリズムが、頂点と底面の四隅とを結ぶ４本の稜線により画成された４つの三角形からなる４つの辺を有し、
   前記四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域を構成する４つの辺の少なくとも１つに反射層と、該反射層上に光吸収層とを有する請求項１に記載の有機電界発光装置。
3. 頭部領域を構成する４つの辺の総てに反射層と、該反射層上に光吸収層とを有する請求項２に記載の有機電界発光装置。
4. 四角錐プリズムの底辺長さＬと、四角錐プリズムの底辺から頂点までの高さｈ１とが、次式、０＜ｈ１／Ｌ＜０．６５、を満たす請求項１から３のいずれかに記載の有機電界発光装置。
5. 四角錐プリズムの頂角が９０度であり、かつ四角錐プリズムの頭部領域に反射層及び光吸収層を形成後の頂点から頭部領域の底辺までの高さｄ１と、四角錐プリズムの頭部領域に反射層及び光吸収層を形成後の頂点から四角錐プリズムの底辺までの高さｈ２とが、次式、０．２５＜ｄ１／ｈ２＜０．６、を満たす請求項１から４のいずれかに記載の有機電界発光装置。
6. 四角錐プリズムの頂角が１３０度であり、かつ四角錐プリズムの頭部領域に反射層及び光吸収層を形成後の頂点から頭部領域の底辺までの高さｄ１と、四角錐プリズムの頭部領域に反射層及び光吸収層を形成後の頂点から四角錐プリズムの底辺までの高さｈ２とが、次式、０＜ｄ１／ｈ２＜０．６５、を満たす請求項１から４のいずれかに記載の有機電界発光装置。
7. 反射層が、アルミニウム、銀、金、マグネシウム及びこれらの合金から選択される少なくとも１種を含有する請求項１から６のいずれかに記載の有機電界発光装置。
8. 光吸収層が、黒色着色剤を含有する請求項１から７のいずれかに記載の有機電界発光装置。
9. 有機電界発光部が、１次のマイクロキャビティ構造、２次のマイクロキャビティ構造、及び３次のマイクロキャビティ構造のいずれかを有する請求項１から８のいずれかに記載の有機電界発光装置。
10. 請求項１から９のいずれかに記載の有機電界発光装置を製造する方法であって、
    有機電界発光部の陰極表面を被覆する封止層上に四角錐プリズムを形成する四角錐プリズム形成工程と、
    前記四角錐プリズムの頂点を含む頭部領域に反射層を形成する反射層形成工程と、
    前記反射層上に光吸収層を形成する光吸収層形成工程と、を含むことを特徴とする有機電界発光装置の製造方法。