JP5292848B2 - 部品内蔵基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
先ず、第1の実施形態について説明する。図1は、第1の実施形態に係る部品内蔵基板の構造を示す断面図である。
先ず、基板上に、シリカフィラーの含有量が60質量%で厚さが0.2mmの第1の絶縁シートとシリカフィラーの含有量が20質量%で厚さが0.1mmの第2の絶縁シートとからなる複合シートを、Bステージの状態で貼り付けた。この時、第1の絶縁シートを基板側にした。次に、複合シートを加熱により硬化させ、研削法により複合シートの表面を研磨した。そして、研削砥石を観察したところ、磨耗は生じていなかった。第1の絶縁シート及び第2の絶縁シートの硬化後の熱膨張率は、それぞれ、18ppm/℃、70ppm/℃であった。
先ず、基板上に、シリカフィラーの含有量が40質量%で厚さが0.3mmの第3の絶縁シートを130℃でBステージの状態で貼り付けた。第3の絶縁シートとしては、130℃での溶融粘度が2000poiseのものを用いた。次に、第3の絶縁シートを加熱により硬化させ、切削法により第3の絶縁シートの表面の加工を行った。そして、切削バイトを観察したところ、磨耗は生じていなかった。第3の絶縁シートの硬化後のシート平均の熱膨張率は、42ppm/℃であった。硬化後の絶縁シートの断面を観察したところ、底部にフィラーが密集しており、上部にはフィラーがほとんど存在していなかった。
先ず、基板上に、シリカフィラーの含有量が40質量%で厚さが0.3mmの第4の絶縁シートを130℃でBステージの状態で貼り付けた。第4の絶縁シートとしては、130℃での溶融粘度が8000poiseのものを用いた。次に、第4の絶縁シートを加熱により硬化させ、実験例No.2と同じ条件下で切削法により第4の絶縁シートの表面の加工を行った。そして、切削バイトを観察したところ、著しい磨耗が生じていた。第4の絶縁シートの硬化後の熱膨張率は、40ppm/℃であった。硬化後の絶縁シートの断面を観察したところ、フィラーが膜厚方向に均一に分散していた。
次に、第2の実施形態について説明する。図4は、第2の実施形態に係る部品内蔵基板の構造を示す断面図である。
先ず、シリコン基板の表面にトランジスタ等の半導体素子が形成されて構成された回路部を備えたCSPを、最表面のビアが上側を向くようにして接着剤を用いて基板の片面上のみに固定した。CSPの厚さは0.3mmであり、平面形状は一辺が5mmの正方形である。また、基板の厚さは0.1mmであり、平面形状は一辺が10cmの正方形である。基板はガラス繊維強化樹脂を硬化させた積層体からなる。次いで、基板上に、ゴム系樹脂フィラーの含有量が30質量%で厚さが0.2mmの第5の絶縁シートとシリカフィラーの含有量が30質量%で厚さが0.1mmの第6の絶縁シートとからなる複合シートを、Bステージの状態で貼り付けた。この時、第5の絶縁シートを基板側にした。その後、複合シートを加熱(180℃、1時間)により硬化させ、研削法により最表面のビアが露出するまで複合シートの表面を研磨した。そして、研削砥石を観察したところ、目詰まり及び磨耗は生じていなかった。第5の絶縁シート及び第6の絶縁シートの硬化後の弾性率は、それぞれ、1.2GPa、2.7GPaであった。
先ず、実験例No.2−1と同様にして、CSPを基板の片面上のみに固定した。但し、CSPの厚さは0.35mmであり、平面形状は一辺が5mmの正方形である。また、基板の厚さは0.2mmであり、平面形状は一辺が15cmの正方形である。次いで、基板上に、ゴム系樹脂フィラーの含有量が20質量%で厚さが0.2mmの第7の絶縁シートとシリカフィラーの含有量が20質量%で厚さが0.1mmの第8の絶縁シートとからなる複合シートを、Bステージの状態で貼り付けた。この時、第7の絶縁シートを基板側にした。その後、複合シートを加熱(180℃、1時間)により硬化させ、研削法により最表面のビアが露出するまで複合シートの表面を研磨した。そして、研削砥石を観察したところ、目詰まり及び磨耗は生じていなかった。第7の絶縁シート及び第8の絶縁シートの硬化後の弾性率は、それぞれ、1.6GPa、2.4GPaであった。
先ず、実験例No.2−1と同様にして、CSPを基板の片面上のみに固定した。次いで、基板上に、ゴム系樹脂フィラーの含有量が30質量%で厚さが0.3mmの第9の絶縁シートを、Bステージの状態で貼り付けた。その後、第9の絶縁シートを加熱(180℃、1時間)により硬化させ、研削法により最表面のビアが露出するまで複合シートの表面を研磨した。そして、基板の反り量を測定したところ、100μmと実験例No.2−1よりも小さかった。しかしながら、研削砥石を観察したところ、著しい目詰まりが生じていた。なお、第9の絶縁シートの硬化後の弾性率は1.4GPaであった。
先ず、実験例No.2−1と同様にして、CSPを基板の片面上のみに固定した。次いで、基板上に、シリカフィラーの含有量が30質量%で厚さが0.3mmの第10の絶縁シートを、Bステージの状態で貼り付けた。その後、第10の絶縁シートを加熱(180℃、1時間)により硬化させ、研削法により最表面のビアが露出するまで複合シートの表面を研磨した。そして、研削砥石を観察したところ、目詰まり及び磨耗は生じていなかった。しかしながら、基板の反り量を測定したところ、200μmと、引き回し配線層の形成の前でも実験例No.2−1よりも著しく大きかった。なお、第10の絶縁シートの硬化後の弾性率は2.8GPaであった。
2、3、52:絶縁シート
4:引き回し配線層
5:スルーホール
6:めっき層
7:バンプ
10:基板
11:回路部
12:再配線部
13:接続端子
14:CSP
21、26:絶縁シート
22、27:ビアホール
23:シード層
24:レジストパターン
25:めっき膜
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に、接続端子を上向きにして固定された電子部品と、
フィラーを含有する樹脂から構成され、前記電子部品の側面を覆うと共に、前記接続端子を露出する絶縁層と
を有し、
前記絶縁層は、
前記絶縁層の表面側に位置する第1の絶縁シートと、
前記第1の絶縁シートよりも前記基板側に位置し、前記基板の熱膨張率と前記絶縁層の熱膨張率との差により前記基板に生じる応力を緩和する第2の絶縁シートと
を有し、
前記第1の絶縁シートの表面は、前記接続端子が露出するまで研磨されている
ことを特徴とする部品内蔵基板。 - 前記第2の層は、前記フィラーの含有量が前記第1の層よりも高い
ことを特徴とする請求項1に記載の部品内蔵基板。 - 前記第1の層には無機フィラーが含有され、前記第2の層にはゴム系樹脂フィラーが含有される
ことを特徴とする請求項1に記載の部品内蔵基板。 - 前記フィラーの含有量は、前記絶縁層の表面からの距離が大きい領域ほど高くなっている
ことを特徴とする請求項2に記載の部品内蔵基板。 - 基板上に、接続端子を上向きにして電子部品を固定する工程と、
フィラーを含有する樹脂から構成され、前記電子部品の側面を覆う絶縁層を前記電子部品の上方から前記基板上に貼り付ける工程と、
前記絶縁層の表面を前記接続端子が露出するまで研磨する工程と
を有し、
前記絶縁層は、
前記絶縁層の表面側に位置する第1の絶縁シートと、
前記第1の絶縁シートよりも前記基板側に位置し、前記第1の絶縁シートよりも前記フィラーの含有量が高く、前記電子部品よりも薄い第2の絶縁シートと
を有する
ことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。 - 基板上に、接続端子を上向きにして電子部品を固定する工程と、
フィラーを含有する樹脂から構成され、前記電子部品の側面を覆う絶縁層を前記電子部品の上方から前記基板上に貼り付ける工程と、
前記絶縁層の表面を前記接続端子が露出するまで研磨する工程と
を有し、
前記絶縁層は、
前記絶縁層の表面側に位置し、無機フィラーを含有する第1の絶縁シートと、
前記第1の絶縁シートよりも前記基板側に位置し、ゴム系樹脂フィラーを含有し、前記電子部品よりも薄い第2の絶縁シートと
を有する
ことを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
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