JP5291266B1 - ランプ - Google Patents

Abstract

基台２０と、基台２０の搭載面２２に複数の半導体発光素子１２が環状に配置されて成る発光部１０と、光透過性を有し発光部１０を覆う状態で配されるグローブ３０と、複数の半導体発光素子１２の環の内側において搭載面２２上に配されたヒートシンク部７０と、を備えるランプ。

Description

本発明は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の半導体発光素子を光源とするランプに関し、特に、放熱性を向上させるための技術に関する。

近年、省エネルギーの観点から、白熱電球に代替する電球形ランプとして、半導体発光素子の１つであるＬＥＤを光源として利用するランプ（以下、ＬＥＤランプと記載する。）が提案されている。

ＬＥＤは、温度が上昇すると発光効率が低下してしまうため、供給電力が同じ出る場合、輝度が低下する。そのため、ＬＥＤを用いたランプでは、ＬＥＤの温度上昇を抑制するためにランプの放熱特製の向上が求められている。

そこで、従来から、ＬＥＤを搭載した発光モジュールで発生した熱が、主としてケース（筐体）や口金へと伝導し、ケースの外表面から外部へと放熱されたり、口金からソケットを介して照明器具側へと放熱されたりするランプが提案されている（特許文献１）。

さらには、ＬＥＤモジュールと口金との間に配設されたヒートシンク部に放熱フィンを設け、放熱フィンから熱を外部へと放熱させる構成が提案されている（特許文献２）。

特開２００６−３１３７１７号公報 特開２０１０−０５６０５９号公報

近年、ＬＥＤランプのより一層の高輝度化の要請があるが、ＬＥＤランプの高輝度化にはＬＥＤの発熱量増大が伴うため、より効率的にＬＥＤ発光時の熱を放熱させることが必要となる。しかしながら、上述した構成のＬＥＤランプにおいて、さらなる放熱性の向上を図ろうとする場合、ケースや放熱フィンを大型化して包絡体積（総表面積）の増大を図る必要がある。ケースや放熱フィンを大型化するとＬＥＤランプ全体が大型化してしまうことになる。

そこで、発光モジュールで発生した熱を、熱伝導部材を介してグローブ側へと伝導し放熱する構成が考えられる。ところが、発光モジュールから発せられた光はグローブを介して外部へと出射されるため、グローブは発光モジュールに対してＬＥＤからの光の主出射方向に配置されている。従って、発光モジュールとグローブとの間に単純に熱伝導部材を設けると、ＬＥＤからの光がグローブ外部へと出射されるのを遮ってしまい、ランプの明るさや配光特性が低下してしまう。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、配光特性の低下およびランプの大型化を抑制しつつ、ランプの高輝度化に伴う発熱量増大に対応し得る、優れた放熱構造を有する新規構成のランプを提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係るランプは、基台と、前記基台の搭載面に複数の半導体発光素子が環状に配置されて成る発光部と、光透過性を有し前記発光部を覆う状態で配されるグローブと、前記複数の半導体発光素子の環の内側において前記搭載面上に配されたヒートシンク部と、を備えることを特徴とする。

本発明に係るランプの構成によれば、次のような効果が期待できる。基台の搭載面に配置された発光部を覆うようにグローブが配されており、半導体発光素子の環の内側において基台の搭載面上にヒートシンク部が設けられている。従って、グローブは、ヒートシンク部も覆うような状態となっている。これにより、基台へと伝わった半導体発光素子からの熱を基台からヒートシンク部へと伝え、ヒートシンク部からグローブへとより積極的に伝熱することができるため、優れた放熱効果が得られる。

また、複数の半導体発光素子の環の内側にヒートシンク部が設けられているため、半導体発光素子から発せられた光が輪の外側へと出射されるのを遮ることがなく、配光特性の低下を抑制することができる。

以上説明したように、本発明によれば、配光特性の低下およびランプの大型化を抑制しつつ、ランプの高輝度化に伴う発熱量増大に対応し得る、優れた放熱構造を有する新規構成のランプを提供することができる。

実施形態１に係るランプの概略構成を示す一部切欠き外観斜視図である。 実施形態１に係るランプの分解斜視図である。 実施形態１に係るランプの図１に示すＡ−Ａ’線に沿った矢視断面図である。 ヒートシンク部の有無によるＬＥＤおよびその周辺部位における温度の違いを示す表である。 実施形態２に係るランプの概略構成を示す一部切欠き外観斜視図である。 実施形態２に係るランプの概略構成を示す断面図である。 実施形態３に係るランプの概略構成を示す一部切欠き外観斜視図である。 実施形態３に係るランプの概略構成を示す断面図である。 実施形態４に係るランプの概略構成を示す外観斜視図である。 実施形態４に係るランプの概略構成を示す断面図である。 実施形態５に係るランプの概略構成を示す外観斜視図である。 実施形態５に係るランプの概略構成を示す断面図である。 変形例１に係るランプの概略構成を示す断面図である。 変形例２に係るランプの概略構成を示す断面図である。 変形例３に係るランプの概略構成を示す断面図である。 変形例４に係るランプの概略構成を示す断面図である。 変形例８に係るランプの概略構成を示す断面図である。 変形例１７に係るランプの概略構成を示す一部破断正面図である。 （ａ）は、変形例９に係るランプの概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は、変形例１０に係るランプの概略構成を示す断面図である。 （ａ）は、変形例１８に係るランプの概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は、変形例１８に係るランプのグローブヒートシンクユニットの分解斜視図である。 変形例１９に係るランプの概略構成を示す断面図である。 （ａ）は、変形例２０に係るランプの概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は、変形例２１に係るランプの概略構成を示す断面図である。 （ａ）は、変形例２２に係るランプの概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は、変形例２３に係るランプの概略構成を示す断面図である。 変形例２４に係るランプの概略構成を示す一部切欠き外観斜視図である。 変形例２４に係るランプの分解斜視図である。 変形例２４に係るランプの図２４に示すＢ−Ｂ’線に沿った矢視断面図である。 （ａ）は、変形例２４に係るランプの出射光の拡散の態様を説明するための要部拡大断面図であり、（ｂ）は、変形例２７に係るランプの出射光の拡散の態様を説明するための要部拡大断面図である。 変形例２５に係るランプの概略構成を示す一部切欠き外観斜視図である。 変形例２５に係るランプの分解斜視図である。 変形例２５に係るランプの図２８に示すＣ−Ｃ’線に沿った矢視断面図である。 変形例２５に係るランプの出射光の拡散の態様を説明するための要部拡大断面図である。 変形例２６に係るランプの概略構成を示す断面図である。 （ａ）は、変形例２８に係るランプの概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は、変形例２９に係るランプの概略構成を示す断面図である。 （ａ）は、変形例３０に係るランプの概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は、変形例３１に係るランプの概略構成を示す断面図である。 （ａ）は、変形例３２に係るランプの概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は、変形例３３に係るランプの概略構成を示す断面図である。 （ａ）は、変形例３４に係るランプの概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は、変形例３５に係るランプの概略構成を示す断面図である。 （ａ）は、変形例３６に係るランプの概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は、変形例３７に係るランプの概略構成を示す断面図である。 （ａ）は、変形例３８に係るランプの概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は、変形例３９に係るランプの概略構成を示す断面図である。 （ａ）は、変形例４０に係るランプの概略構成を示す断面図であり、（ｂ）は、変形例４１に係るランプの概略構成を示す断面図である。 変形例４２に係るランプの概略構成を示す断面図である。 変形例４７に係るランプの概略構成を示す断面図である。

本発明を実施するための形態を、以下に図面を参照して詳細に説明する。なお、各図は、模式図であり、図面に示された部品等の核構成要素の形状や寸法および比等については、必ずしも厳密に図示したものではない。

＜実施形態１＞
まず、本発明の実施形態１に係るランプの全体構成について、図１〜図３を参照しながら説明する。

［全体構成］
図１は、実施形態１に係るランプ１の概略構成を示す一部切欠き斜視図である。図２は、ランプ１の分解斜視図である。図３は、図１のＡ−Ａ’線に沿ったランプ１の矢視断面図である。

図１から図３に示すように、実施形態１に係るランプ１は、白熱電球の代替品となるＬＥＤランプである。ランプ１は、発光部１０、基台２０、グローブ３０、回路ユニット４０、ケース５０、口金６０、およびヒートシンク部７０を備える。

［各部構成］
（１）発光部
図３に示すように、発光部１０は、実装基板１１と、実装基板１１に実装された光源としての複数の半導体発光素子であるＬＥＤ１２と、それらＬＥＤ１２を被覆するように実装基板１１上に設けられた封止体１３とを備える。本実施形態では、半導体発光素子としてＬＥＤを用いた場合を例に説明する。しかし、半導体発光素子はＬＥＤに限定されるものではない。半導体発光素子として、例えば、ＬＤ（レーザダイオード）や、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いてもよい。

実装基板１１は、中央に略円形の開口である孔部１４を有する略円環形状をしている。複数のＬＥＤ１２が実装基板１１の周方向に沿って互いに間隔を空けて円環状に並べられて配置されている。

ＬＥＤ１２は、実装基板１１における２つの主面のうちの一方に配されている。ここで、ＬＥＤ１２からの出射光における出射方向のうち、実装基板１１側へ向かう出射方向を後方、実装基板１１と反対側へ向かう出射方向を前方と定義する。すなわち、実装基板１１におけるＬＥＤ１２が配されている側の主面である一方の主面は、前方側の主面ということができる。以下の説明において、「実装基板における前方側の主面」を単に「実装基板の前面」と記載する。

また、本願図面において紙面上下方向に沿って描かれた一点鎖線はランプのランプ軸Ｊを示しており、紙面上方がランプの前方であり、紙面下方がランプの後方である。

実装基板１１の前面には、回路ユニット４０の配線４１が接続されるランド１５が設けられており、配線４１をランド１５に接続することによって発光部１０と回路ユニット４０とが電気的に接続される。

ＬＥＤ１２は、例えば４４個が実装基板１１の前面に周方向に沿って環状に実装されている。具体的には、実装基板１１の径方向に沿って並べられたＬＥＤ１２を２個で１組として、２２組が実装基板１１の周方向に沿って略等間隔を空けて並べられ円環状に配置されている。

なお、本願において環状とは、円環状だけでなく、三角形、四角形、五角形など多角形の環状も含まれる。したがって、ＬＥＤ１２は、例えば楕円や多角形の環状に実装されていても良い。

ＬＥＤ１２は、１組ごと個別に略直方体形状の封止体１３によって封止されている。したがって、封止体１３は全部で２２個である。各封止体１３の長手方向は、実装基板１１の径方向と一致しており、前方側からランプ軸Ｊに沿って後方側を見た場合において、ランプ軸Ｊを中心として放射状に配置されている。

封止体１３は、主として透光性材料からなるが、ＬＥＤ１２から発せられた光の波長を所定の波長へと変換する必要がある場合には、前記透光性材料に光の波長を変換する波長変換材料が混入される。透光性材料としては、例えばシリコーン樹脂を利用することができ、波長変換材料としては、例えば蛍光体粒子を利用することができる。

本実施の形態では、青色光を出射するＬＥＤ１２と、青色光を黄色光に波長変換する蛍光体粒子が混入された透光性材料で形成された封止体１３とが採用されている。ＬＥＤ１２から出射された青色光の一部が封止体１３によって黄色光に波長変換され、未変換の青色光と変換後の黄色光との混色により生成される白色光が発光部１０から出射される。

さらに、発光部１０は、例えば、紫外線発光の半導体発光素子と三原色（赤色、緑色、青色）に発光する各色蛍光体粒子とを組み合わせたものでも良い。さらに、波長変換材料として半導体、金属錯体、有機染料、顔料など、ある波長の光を吸収し、吸収した光とは異なる波長の光を発する物質を含んでいる材料を利用しても良い。

ＬＥＤ１２は、その主出射方向を前方に向けて配置されている。

（２）基台
基台２０は、略円柱形状であり、その円柱の軸がランプ軸Ｊと一致する姿勢で配置されている。基台２０の前面２２および後面２３はいずれもランプ軸Ｊと略直交する略円形の平面である。そして、基台２０の前面２２に発光部１０が搭載されている。即ち、基台２０の前面２２上に、ＬＥＤ１２が実装された実装基板１１が載置されている。従って、前面２２は、ＬＥＤ１２が搭載される搭載面ということができる。そして、これにより各ＬＥＤ１２がそれぞれの主出射方向を前方に向けた状態で平面配置された状態となっている。基台２０への発光部１０の搭載は、例えば、ネジ止め、接着、係合などによって行なうことが考えられる。

基台２０には、厚さ方向（前後方向）に貫通する貫通孔である配線用孔２４が穿設されている。回路ユニット４０の配線４１が配線用孔２４に通され、ランド１５に接続されている。

なお、前面２２は略円環形状に限定されず、どのような形状であっても良い。また、前面２２は、半導体発光素子を平面配置できるのであれば、必ずしも全体が平面である必要はなく、後面２３も、必ずしも平面でなくてもよい。

基台２０は、例えば金属材料からなり、金属材料としては、例えばＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｄ、またはそれらの内の２以上からなる合金、またはＣｕとＡｇの合金などが考えられる。このような金属材料は、熱伝導性が良好であるため、発光部１０で発生した熱をケース５０に効率良く伝導させることができる。

（３）グローブ
グローブ３０は、ガラスや樹脂等の透光性の部材から成り、後方側に開口を有する球状の部材である。グローブ３０は、発光部１０の前方側を覆う状態で、開口側端部３１が基台２０およびケース５０に固定されている。本実施形態のランプ１においては、図２，３に示すように、溝部８１にグローブ３０の開口側端部３１が挿入され、その状態で溝部８１に樹脂等から成る接着剤８２を充填し固化させることにより、グローブ３０が基台２０およびケース５０に固定されている。溝部８１は、基台２０とケース５０とが組み合わされた時に、基台２０の周面に形成された段差部２５とケース５０の前方側内周面に形成された段差部５１との間にできる空間である。

なお、グローブ３０の固定は、接着剤に限定されず、ネジ留めや係合構造により固定されてもよい。さらには、ランプはグローブを備えない構成でも良い。

グローブ３０の内面３２には、発光部１０から発せられた光を拡散させる拡散処理、例えば、シリカや白色顔料等による拡散処理が施されている。グローブ３０の内面３２に入射した光はグローブ３０を透過しグローブ３０の外部へと取り出される。

（４）回路ユニット
回路ユニット４０は、ＬＥＤ１２を点灯させるためのものであって、回路基板４２と、当該回路基板４２に実装された各種の電子部品４３とを有している。回路ユニット４０は、ケース５０の内周面上に前後方向に長尺に設けられた溝部５２に、回路基板４２の側縁部が嵌め込まれることにより、ケース５０内に固定され、収容されている。なお、回路ユニット４０の固定については、溝部による固定に限られず、例えば、ネジ止め、接着、係合などにより固定されてもよい。

回路基板４２は、長尺状であり、その主面がランプ軸Ｊに略平行な姿勢で配置されている。このようにすることで、ケース５０内に回路ユニット４０をよりコンパクトに格納することができるため、ケース５０を小型化してランプ１の小型化を図ることができる。

また、回路ユニット４０は、基台２０と離間して配されており、基台２０に伝わった発光部１０からの熱が回路ユニット４０に伝わりにくいため、回路ユニット４０の温度上昇を抑制して、電子部品４３の熱負荷を抑制することができる。

また、さらに、熱に弱い電子部品４３を発光部１０から遠い後方側に位置し、熱に強い電子部品４３を発光部１０に近い前方側に位置するように配置してもよい。このようにすれば、熱に弱い電子部品４３が発光部１０で発生する熱から受ける熱負荷を軽減して熱破壊され難くなる。

回路ユニット４０と口金６０とは、電気配線４５，４６によって電気的に接続されている。電気配線４５は、ケース５０の後方側開口５３に設けられたスリット５４を通って、口金６０のシェル部６１と接続されている。また、電気配線４６は、後方側開口５３を通って、口金６０のアイレット部６２と接続されている。

なお、図３においては、回路ユニットについては、断面としていない。以下、図６，８，１０，１２〜１８においても同様である。

（５）ケース
ケース５０は、例えば、両端が開口し前方から後方へ向けて縮径した円筒形状、もしくは、底面（後方側端面）に開口を有する椀形状をした部材である。図３に示すように、ケース５０の前方側端部５５内には基台２０とグローブ３０の開口側端部３１とが収容され、溝部８１に接着剤８２を流し込むなどして一体に固着されている。

ケース５０は、例えば、樹脂等の絶縁性を有する部材から成る。ケース５０に用いられる部材としては、金属紛体等を分散させて熱伝導性を向上させた熱伝導性樹脂を用いてもよい。その場合、基台２０を介して発光部１０からケース５０に伝搬した熱を効率良く口金６０側に伝搬させることができる。

ケース５０にアルミ等の金属材料を用いる場合には、ケース５０内面に樹脂コーティング等により絶縁被膜等を形成して絶縁処理を施したり、回路ユニット４０を樹脂等の絶縁性の素材から成る回路ケース内に収容した状態でケース５０内に収容したりするとよい。

（６）口金
口金６０は、ランプ１が照明器具に取り付けられ点灯された際に、照明器具のソケットから電力を受けるための部材である。口金６０の種類は、特に限定されるものではないが、本実施の形態ではエジソンタイプであるＥ２６口金が使用されている。口金６０は、略円筒形状であって外周面が雄ネジとなっているシェル部６１と、シェル部６１に絶縁部６３を介して装着されたアイレット部６２とを備える。

（７）ヒートシンク部
図１〜３に示すように、ヒートシンク部７０は、平面視形状が矩形状の板状部材であるベース部分７１の一方の主面（基台２０の前面２２上に載置された状態における前方側主面）である前面７１ａ上に平板状の放熱フィン７２が複数立設されて構成されている。ベース部分７１の放熱フィン７２が立設されている方とは反対側の主面（基台２０の前面２２上に載置された状態における後方側主面）である底面７１ｂは、発光部１０の実装基板１１の円環の内側において基台２０の前面２２上に載置され固定されている。即ち、ヒートシンク部７０は、放熱フィン７２が前方側に位置し、ベース部分７１が後方側に位置する姿勢で前面２２上に固定されている。ヒートシンク部７０の基台２０の前面２２への固定は、例えば、熱伝導性を有する接着剤等を用いて行われる。

また、ヒートシンク部７０は、その全体が基台２０の前面２２よりも前方側、即ちグローブ３０に近づく側に配置されている。

本実施形態においては、ベース部分７１は、平面視で略正方形であり、その前方側の主面上に５つの放熱フィン７２が互いに間隔を開けて平行に立設されてヒートシンク部７０が構成されている。なお、放熱フィン７２の数は、５つに限定されない。１〜４つでもよいし、６つ以上でもよい。さらには、放熱フィン７２を全く設けない構成としてもよい。その場合、ベース部分７１の前面に波状やギザギザの凹凸を設ける等により、放熱面積を増加させるとよい。

ヒートシンク部７０の表面７３には、光反射性を向上させるための処理が施されている。本実施形態においては、具体的には、白色の塗料が塗布されている。表面７３に施される光反射処理は、これに限られない。例えば、表面７３に鏡面処理を施して光反射性を向上させてもよい。

また、表面７３に塗布する塗料にシリカ等の微粒子を分散混入させて、塗布された塗料表面に微小な凹凸を形成し、表面７３に光拡散性を向上させる処理を施してもよい。

このような処理を施すことにより、次のような効果が得られる。ＬＥＤ１２から発せられた光の一部はヒートシンク部７０に到達する。そして、ヒートシンク部７０に到達した光はヒートシンク部７０の表面７３で反射または拡散されてグローブ３０へと到達し、グローブ３０を透過してグローブ３０の外部へと出射される。これにより、ＬＥＤ１２から発せられた光の損失を抑制してランプ１の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

さらには、ヒートシンク部７０が環状に配置されたＬＥＤ１２の環の内側（本実施例では、円環状の実装基板１１の内側）において基台２０の前面２２上に配置されており、平面視でヒートシンク部７０がＬＥＤ１２の環の内側に位置している（ＬＥＤ１２の環にかぶさっていない）ため、ＬＥＤ１２から発せられた光の主出射方向である前方への出射を遮ることがない。これにより、ヒートシンク部７０を設けたことによるランプ１の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

［ヒートシンク部による放熱効果］
ＬＥＤ１２で発生した熱は、その一部が実装基板１１を介して基台２０へと伝わったのち、その一部は基台２０からケース５０へと伝わる。ケース５０へと伝わった熱の一部はケース５０の外表面から放熱され、残りはケース５０からさらに口金６０へと伝わり、口金６０から照明器具側へと放熱される。

ここで、本実施形態に係るランプ１においては、図１および３に示すように、ヒートシンク部７０が基台２０の前面２２に配置されている。これにより、ＬＥＤ１２で発生した熱の一部は基台２０からヒートシンク部７０へと伝わる。そして、ヒートシンク部７０へと伝わった熱は、放熱フィン７２の表面（およびベース部分７１の前面のうち放熱フィン７２が立設されていない部分）からグローブ３０内部の空気へと伝わり、グローブ３０内部の空気を暖める。そして、暖められた空気が対流によりグローブ３０の内面３２と接触してグローブ３０へと熱が伝わり、グローブ３０の外周面から外部へと放熱される。

また、ヒートシンク部７０へと伝わった熱の一部は、輻射により直接グローブ３０へと伝わり、グローブ３０の外周面から外部へと放熱される。

図４は、ヒートシンク部７０を設けた場合と設けない場合について、ＬＥＤ１２からの熱の影響を調べた温度試験の結果を示す表である。

温度試験は、ヒートシンク部７０を設けたランプと設けないランプについて、点灯後２時間経過した時点において、以下の４つの部位について温度を測定して行った。温度測定を行った部位は、グローブ３０の天面３３（図３参照）、ケース５０、ＬＥＤ１２、基台２０の後面２３（図１参照）の４つである。なお、ケース５０と天面３３については、外周面側を測定し、ＬＥＤ１２については、基台２０の前面２２上における封止体１３近傍のはんだ部位にて測定した結果をＬＥＤ１２の温度とし、基台２０の後面２３については、ＬＥＤ１２の測定位置（はんだ部位）に対応する後面２３側の箇所の温度を測定した。

また、測定により得られた結果は、周囲温度が３０℃となるように、測定装置内温度調整をおこない測定した値である。また、温度測定に用いた温度センサは、国華電機製、ＴＣ−Ｔ０．１ ＤＳＣである。

図４の表に示すように、ヒートシンク部７０を設けない場合と比較して、ヒートシンク部７０を設けた場合には、天面３３の温度がより高くなり、ケース５０の外表面および基台２０の後面２３の温度がより低くなっている。このことは、ＬＥＤ１２で発生した熱の一部が実装基板１１を介して基台２０へと伝わった後、ヒートシンク部７０へと伝わり、そこからさらにグローブ３０へと伝導していることを示している。そして、基台２０へと伝わった熱の一部がヒートシンク部７０へと伝導したことにより基台２０の温度が低下し、実装基板１１の裏面の温度も低下していることを示している。その結果、ヒートシンク部７０を設けない場合と比較して設けた場合には、ＬＥＤ１２の温度が３．５℃低下している。即ち、ヒートシンク部７０を設けてより多くの熱をグローブ側へと伝導させることにより、良好な放熱特性を実現し、ケース５０を大型化することなくＬＥＤ１２の温度上昇を効率よく抑制することができる。

さらには、ＬＥＤで発生した熱のうちより多くの熱をグローブ側へと伝えることにより、ケース５０側へと伝わる熱を低減して、ケース５０内部に収容される回路ユニット４０が受ける熱負荷を低減することができる。これにより、回路ユニット４０が備える各種電子部品が熱破壊される危険性を低減することができる。

なお、ヒートシンク部７０の表面７３に対する光反射処理および光拡散処理は、ヒートシンク部７０のベース部分７１の底面７１ｂ以外の表面に施すのがよい。底面７１ｂに光反射処理や光拡散処理を施した場合、基台２０とヒートシンク部７０との間に光反射処理や光拡散処理に用いられた塗料等の部材が介在することになり、基台２０からヒートシンク部７０への熱電導性が低下する虞があるためである。なお、熱伝導性の高い部材を用いて光反射処理や光拡散処理を行う場合には、底面７１ｂに対しても光反射処理や光拡散処理を施してもよい。また、鏡面処理等、基台２０とヒートシンク部７０との間に塗料等の別部材が介在しない場合には、底面７１ｂに対して鏡面処理等を施してもよい。

また、ヒートシンク部７０の基台２０の前面２２への固定は、熱伝導性の接着剤に限られない。例えば、ネジ留めや係合構造により固定されてもよい。

［まとめ］
このように、ヒートシンク部７０により、ＬＥＤ１２で発生した熱をより積極的にグローブ３０側へと伝え、グローブ３０から外部へと放熱させることにより、ケース５０側へと伝わる熱を抑制することができる。その結果、ケース５０を大型化することなく、ランプの高輝度化に伴うＬＥＤ１２の発熱量増大に対応し得る、優れた放熱構造を実現することができる。

また、ＬＥＤ１２を環状に配置し、ヒートシンク部７０を環の内側に配置することにより、ＬＥＤ１２から環の外側方向に出射される光がヒートシンク部７０により遮られない。さらには、ヒートシンク部７０の表面には光反射処理が施されているため、次のような効果が得られる。即ち、ＬＥＤ１２から環の内側方向に出射されヒートシンク部７０に到達した光は、そこでグローブ３０側へと反射されるため、ＬＥＤ１２からの光の損失を抑制し、良好な配光特性を実現することができる。さらには、ヒートシンク部７０の影がグローブ３０に投影されることが無いため、良好な意匠性も実現することができる。

＜実施形態２＞
上記実施形態１においては、ヒートシンク部７０が複数の放熱フィン７２を有する構成について説明した。しかし、ヒートシンク部７０の形状および構成はこれに限定されるものではない。実施形態２においては、別の構成を有するヒートシンク部７０を備えたランプについて、説明する。

なお、説明の重複を避けるため、実施形態１と同じ構成要素については、同符号を付して、その説明を省略する。以下、各実施形態および各変形例についても同様である。

図５は、実施形態２に係るランプ１００の概略構成を示す一部切欠き斜視図である。図６は、ランプ１００のランプ軸Ｊに沿った平面による断面図である。

実施形態２に係るランプ１００は、ヒートシンク部１７０の形状が実施形態１に係るランプ１におけるヒートシンク部７０と異なっている以外は、基本的な構成はランプ１と同じである。

ヒートシンク部１７０は、略円形の底面１７１を有し、底面１７１に垂直な方向における一方向に突出する形状をしている。ヒートシンク部１７０は、また、底面１７１から遠ざかるにつれて縮径している。底面１７１は、基台２０の前面２２上に載置されている。従って、ヒートシンク部１７０は、底面１７１からグローブ３０に近づく方向に突出している。ヒートシンク部１７０の突出端部１７２は、グローブ３０とは離間している。ヒートシンク部１７０は、金属等の熱伝導性の部材から成る中実の部材である。

ヒートシンク部１７０は、環状に配置されたＬＥＤ１２の環の内側（本実施形態では、円環状の実装基板１１の内側において、基台２０の前面２２上に配置され固定されている。ヒートシンク部７０の基台２０の前面２２上の固定は、熱伝導性の接着剤等を用いて行われる。また、ヒートシンク部１７０は、平面視でＬＥＤ１２の環の内側に収まっており、ＬＥＤ１２の環にかぶさっていない。これにより、ＬＥＤ１２から発せられた光の主出射方向である前方への出射を遮ることがないため、ヒートシンク部１７０を設けたことによるランプ１００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

また、ヒートシンク部１７０の表面１７３には、光反射性を向上させるための処理が施されている。本実施形態においては、具体的には、白色の塗料が塗布されている。表面１７３に施される光反射処理は、これに限られない。例えば、表面１７３に鏡面処理を施して光反射性を向上させてもよい。

また、表面１７３に塗布する塗料にシリカ等の微粒子を分散混入させて、塗布された塗料表面に微小な凹凸を形成し、表面１７３に光拡散性を向上させる処理を施してもよい。

このような処理を施すことにより、次のような効果が得られる。ＬＥＤ１２から発せられた光の一部はヒートシンク部１７０に到達する。ヒートシンク部１７０に到達した光はヒートシンク部１７０の表面１７３で反射または拡散されてグローブ３０へと到達し、グローブ３０を透過して外部へと出射される。これにより、ＬＥＤ１２から発せられた光の損失を抑制してランプ１００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

また、ＬＥＤ１２で発生した熱が、実装基板１１、基台２０を介してヒートシンク部１７０の底面１７１へと伝導し、そこからヒートシンク部１７０内部に蓄熱される。そして、ヒートシンク部１７０の表面１７３からグローブ３０内部の空気を介して、あるいは、表面１７３から輻射により直接グローブ３０へと熱が伝わり、グローブ３０の外周面から外部へと放熱される。

このように、実施形態２に係るランプ１００の構成においても、ＬＥＤ１２で発生した熱を、ヒートシンク部１７０を介してより積極的にグローブ３０側へと伝導させてグローブ３０から外部へと放熱させることができる。それと同時に、ケース５０側へと伝わる熱を抑制することができる。これにより、ケース５０を大型化することなく、ランプの高輝度化に伴うＬＥＤ１２の発熱量増大に対応し得る、優れた放熱構造を実現することができる。

なお、本実施形態においては、ヒートシンク部１７０の表面１７３は、ヒートシンク部１７０の基台２０の前方側においてグローブ３０内部に露出している部分の表面のみを指す。表面１７３には、底面１７１は含まれていない。従って、上記光反射処理および光拡散処理は、底面１７１には施されていない。

ただし、熱伝導性の高い部材を用いて光反射処理や光拡散処理を行う場合には、底面１７１にもこれらの処理を施してもよい。また、鏡面処理等、基台２０とヒートシンク部７０との間に塗料等の別部材が介在しない場合には、底面１７１に対して鏡面処理等を施してもよい。

また、ヒートシンク部１７０の基台２０の前面２２への固定は、熱伝導性の接着剤に限られない。例えば、ネジ留めや係合構造により固定されてもよい。

＜実施形態３＞
図７は、実施形態３に係るランプ２００の概略構成を示す一部切欠き斜視図である。図８は、ランプ２００のランプ軸Ｊに沿った平面による断面図である。

上記実施形態２においては、ヒートシンク部１７０は、グローブ３０から離間して配置されていた。実施形態３に係るランプ２００においては、ヒートシンク部２７０の突出端部２７２がグローブ３０の内面３２と接触している点において実施形態２のランプ１００と異なっている。ランプ２００は、それ以外は、基本的な構成はランプ１００と同じである。

ヒートシンク部２７０は、ヒートシンク部７０，１７０と同様の部材から成り、ヒートシンク部１７０と類似の形状を有する。また、ヒートシンク部２７０の表面２７３にもヒートシンク部７０，１７０と同様に、光反射処理または光拡散処理が施されている。

ヒートシンク部２７０は、底面２７１を後方側にして基台２０の前面２２上に載置され固定されている。ヒートシンク部２７０の突出端部２７２は、グローブ３０の内面３２と接している。本実施形態においては、ヒートシンク部２７０は、底面２７１の中心がランプ２００のランプ軸Ｊと一致するように載置され、ヒートシンク部２７０は底面２７１からランプ軸Ｊに沿って突出する形状を有している。従って、突出端部２７２はランプ軸Ｊ上に位置しており、天面３３において内面３２と接している。

このように、本実施形態に係るランプ２００においては、ヒートシンク部２７０の突出端部２７２がグローブ３０の内面３２に接触している。これにより、実装基板１１および基台２０を介してヒートシンク部２７０に伝わったＬＥＤ１２からの熱を、より多く、より直接的にグローブ３０へと伝えることができる。そして、ＬＥＤ１２で発生した熱をより積極的にグローブ３０側へと伝えてグローブ３０から外部へと放熱させることにより、ケース５０側へと伝わる熱を抑制することができる。その結果、ケース５０を大型化することなく、ランプの高輝度化に伴うＬＥＤ１２の発熱量増大に対応し得る、優れた放熱構造を実現することができる。

また、ヒートシンク部２７０は、ヒートシンク部７０，１７０と同様に、平面視でＬＥＤ１２の環の内側に収まっており、ＬＥＤ１２の環にかぶさっていない。これにより、ＬＥＤ１２から発せられた光の主出射方向である前方への出射を遮ることがないため、ヒートシンク部２７０を設けたことによるランプ２００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

さらに、ヒートシンク部２７０の表面２７３には、ヒートシンク部７０，１７０と同様に、光反射処理または光拡散処理が施されている。これにより、ヒートシンク部２７０は、ヒートシンク部７０，１７０と同様に、ＬＥＤ１２から発せられた光の損失を抑制してランプ２００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

＜実施形態４＞
図９は、実施形態４に係るランプ３００の概略構成を示す外観斜視図である。図１０は、ランプ３００のランプ軸Ｊに沿った平面による断面図である。

上記実施形態１〜３においては、ヒートシンク部がグローブ内部に収容されている構成について説明した。実施形態４に係るランプ３００においては、グローブ３３０の天面に相当する部分に開口部３３４が設けられており、ヒートシンク部３７０の突出端部３７２が開口部３３４を通ってグローブ３３０外部に露出している。ここで、開口部３３４の径は、突出端部３７２の露出している部分の最も後方側の径と略同じに設定されているため、開口部３３４の縁と突出端部３７２とは接している。また、ランプ３００におけるヒートシンク部３７０は、ベース開口部３７３を有し、ベース開口部３７３と連通するベース空間３７４を内部に有する椀状の部材であり、椀の開口側端面である底面３７１を後方側にして基台２０の前面２２上に載置され固定されている。ヒートシンク部３７０が前面２２上に載置固定された状態において、ベース開口部３７３は基台２０によって閉塞されている。

上記の点において、ランプ３００は、ランプ１，１００，２００と異なっている。それ以外は、基本的な構成はランプ１，１００，２００と同じである。ヒートシンク部３７０は、ヒートシンク部７０，１７０，２７０と同様の部材から成る。また、グローブ３３０は、天面に相当する部分に開口部３３４が形成されている点以外は、実施形態１〜３のグローブ３０と基本的構成は同じである。グローブ３３０の開口側端部３３１は、グローブ３０の開口側端部３３１と同様の構成であり、同様に溝部８１に挿入された状態で接着剤により固定されている。グローブ３３０の内面３３２には、グローブ３０の内面３２と同様に、発光部１０から発せられた光を拡散させる拡散処理が施されており、グローブ３０の内面３２に入射した光はグローブ３０を透過しグローブ３０の外部へと取り出される。

ヒートシンク部３７０は、その突出端部３７２がグローブ３３０の開口部３３４からグローブ３３０の外部に露出していることにより、以下の効果が得られる。ＬＥＤ１２からの熱がヒートシンク部３７０からグローブ３３０に伝えられてグローブ３３０から外部に放熱されることに加え、熱の一部を外部に露出している突出端部３７２から直接外部に放熱させることができる。これにより、ＬＥＤ１２で発生した熱をさらに積極的にグローブ３３０側から外部へと放熱させることにより、ケース５０側へと伝わる熱をさらに抑制することができる。その結果、ケース５０を大型化することなく、ランプの高輝度化に伴うＬＥＤ１２の発熱量増大に対応し得る、優れた放熱構造を実現することができる。

また、ヒートシンク部３７０の外周面３７５のうち、少なくともグローブ３３０の内部に位置している部分には、ヒートシンク部７０，１７０，２７０の表面と同様に、光反射処理または光拡散処理が施されている。これにより、ヒートシンク部３７０は、ヒートシンク部７０，１７０，２７０と同様に、ＬＥＤ１２から発せられた光の損失を抑制してランプ３００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

さらに、ヒートシンク部３７０は、ヒートシンク部７０，１７０，２７０と同様に、平面視でＬＥＤ１２の環の内側に収まっており、ＬＥＤ１２の環にかぶさっていない。これにより、ＬＥＤ１２から発せられた光の主出射方向である前方への出射を遮ることがないため、ＬＥＤ１２の環にかぶさっている場合と比較してランプ３００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

さらに、ヒートシンク部３７０は中空構造であるため、ランプ３００の軽量化を図ることができる。

またさらに、グローブ３３０の開口部３３４の縁部分の内周面の傾斜を当該内周面と接触する突出端部３７２の外周面の傾斜と一致するように形成すると、グローブ３３０とヒートシンク部３７０との接触面積を大きくすることができる。これにより、接触によりヒートシンク部３７０からグローブ３３０へと熱がより伝わりやすくなる。

＜実施形態５＞
図１１は、実施形態５に係るランプ４００の概略構成を示す外観斜視図である。図１２は、ランプ４００のランプ軸Ｊに沿った平面による断面図である。

本実施形態に係るランプ４００においては、ヒートシンク部４７０のグローブ３３０の開口部３３４から外部に露出している突出端部４７２に突出端開口部４７５が設けられている。そして、突出端開口部４７５によりヒートシンク部４７０の内部に設けられた突出端空間４７３と外部とが連通している。また、ヒートシンク部４７０は、突出端空間４７３以外は中実の部材であり、底面４７１を後方側にして基台２０の前面２２上に載置され固定されている。

上記の点において、ランプ４００は、ランプ３００と異なっている以外は、基本的な構成はランプ３００と同じである。ヒートシンク部４７０は、ヒートシンク部７０，１７０，２７０，３７０と同様の部材から成る。

ヒートシンク部４７０は、その突出端部４７２がグローブ３３０の開口部３３４からグローブ３３０の外部に露出していることにより、以下の効果が得られる。ＬＥＤ１２からの熱がヒートシンク部４７０からグローブ３３０に伝えられてグローブ３３０から外部に放熱されることに加え、熱の一部を外部に露出している突出端部４７２から直接外部に放熱させることができる。これに加えて、突出端部４７２に設けられた突出端開口部４７５を介して突出端空間４７３が外部と連通しているため、ヒートシンク部４７０が外部の空気と接触する面積が増大し、即ち包絡体積が増大する。これにより、ＬＥＤ１２から伝わった熱のうちより多くの熱を突出端部４７２および突出端空間４７３の内周面４７４から外部へと放熱することができるため、ケース５０側へと伝わる熱をより一層抑制することができる。その結果、ケース５０を大型化することなく、ランプの高輝度化に伴うＬＥＤ１２の発熱量増大に対応し得る、優れた放熱構造を実現することができる。

また、ヒートシンク部４７０の外周面４７６のうち、少なくともグローブ３３０の内部に位置している部分には、ヒートシンク部７０，１７０，２７０，３７０の表面と同様に、光反射処理または光拡散処理が施されている。これにより、ヒートシンク部４７０は、ヒートシンク部７０，１７０，２７０，３７０と同様に、ＬＥＤ１２から発せられた光の損失を抑制してランプ４００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

さらに、ヒートシンク部４７０は、ヒートシンク部７０，１７０，２７０，３７０と同様に、平面視でＬＥＤ１２の環の内側に収まっており、ＬＥＤ１２の環にかぶさっていない。これにより、ＬＥＤ１２から発せられた光の主出射方向である前方への出射を遮ることがないため、ＬＥＤ１２の環にかぶさっている場合と比較してランプ４００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

またランプ３００の場合と同様に、グローブ３３０の開口部３３４の縁部分の内周面の傾斜を当該内周面と接触する突出端部４７２の外周面の傾斜と一致するように形成すると、グローブ３３０とヒートシンク部４７０との接触面積を大きくすることができる。これにより、接触によりヒートシンク部４７０からグローブ３３０へと熱がより伝わりやすくなる。

＜実施形態１〜５の変形例＞
以上、本発明の構成を実施形態１〜５に基づいて説明したが、本発明は上記実施形態に限られず、以下のような変形例を実施することができる。なお、説明の重複を避けるため、上記各実施形態と同じ内容のものについてはその説明を省略し、同じ構成要素については、同符号を付すものとする。

（変形例１）
実施形態２に係るランプ１００においては、ヒートシンク部１７０は中実の部材であったが、これに限られない。図１３に示す変形例１に係るランプ５００のように、中空の（椀状の）ヒートシンク部５７０を備える構成としてもよい。なお、図１３は、ランプ５００のランプ軸Ｊに沿った平面による断面図である。

ランプ５００においては、ヒートシンク部５７０は、ベース開口部５７３を有し、ベース開口部５７３と連通するベース空間５７４を内部に有する椀状の部材であり、椀の開口側端面である底面５７１を後方側にして基台２０の前面２２上に載置され固定されている。ヒートシンク部５７０が前面２２上に載置固定された状態において、ベース開口部５７３は基台２０によって閉塞されている。

また、突出端部５７２がグローブ３０の内面３２から離間した状態でグローブ３０内部に収容されている。

この場合においても、ＬＥＤ１２で発生した熱をグローブ３０側からより積極的に放熱させることによりケース５０を大型化することなく、ランプの高輝度化に伴うＬＥＤ１２の発熱量増大に対応し得る、優れた放熱構造を実現することができる。

また、上記各実施形態と同様に、ヒートシンク部５７０においても、外周面５７５に光反射処理または光拡散処理が施されており、ヒートシンク部５７０はＬＥＤ１２の環の内側に配置されている。これにより、ＬＥＤ１２から発せられた光の損失を抑制してランプ５００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

（変形例２）
実施形態３に係るランプ２００においては、ヒートシンク部２７０は中実の部材であったが、これに限られない。図１４に示す変形例２に係るランプ６００のように、中空の（椀状の）ヒートシンク部６７０を備える構成としてもよい。なお、図１４は、ランプ６００のランプ軸Ｊに沿った平面による断面図である。

ランプ６００においては、ヒートシンク部６７０は、ベース開口部６７３を有し、ベース開口部６７３と連通するベース空間６７４を内部に有する椀状の部材であり、椀の開口側端面である底面６７１を後方側にして基台２０の前面２２上に載置され固定されている。ヒートシンク部６７０が前面２２上に載置固定された状態において、ベース開口部６７３は基台２０によって閉塞されている。

また、突出端部６７２がグローブ３０の天面３３に接した状態でグローブ３０内部に収容されている。

この場合においても、ＬＥＤ１２で発生した熱をグローブ３０側からより積極的に放熱させることによりケース５０を大型化することなく、ランプの高輝度化に伴うＬＥＤ１２の発熱量増大に対応し得る、優れた放熱構造を実現することができる。

また、上記各実施形態と同様に、ヒートシンク部６７０においても、外周面６７５に光反射処理または光拡散処理が施されており、ヒートシンク部６７０はＬＥＤ１２の環の内側に配置されている。これにより、ＬＥＤ１２から発せられた光の損失を抑制してランプ６００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

（変形例３）
実施形態４に係るランプ３００においては、ヒートシンク部３７０は中空（椀状）の部材であったが、これに限られない。図１５に示す変形例３に係るランプ７００のように、中実のヒートシンク部７７０を備える構成としてもよい。なお、図１４は、ランプ７００のランプ軸Ｊに沿った平面による断面図である。

ランプ７００においては、ヒートシンク部７７０は、底面７７１が基台２０の前面２２上に載置され、突出端部７７２がグローブ３３０の開口部３３４からグローブ３３０の外部に露出している。

この場合においても、突出端部７７２がグローブ３３０の開口部３３４の縁に接触し、且つ開口部３３４から外部に露出しているため、ＬＥＤ１２で発生した熱をグローブ３３０側から更に積極的に放熱させることができる。これにより、ケース５０を大型化することなく、ランプの高輝度化に伴うＬＥＤ１２の発熱量増大に対応し得る、優れた放熱構造を実現することができる。

また、上記各実施形態と同様に、ヒートシンク部７７０においても、表面７７５に光反射処理または光拡散処理が施されており、ヒートシンク部７７０はＬＥＤ１２の環の内側に配置されている。これにより、ＬＥＤ１２から発せられた光の損失を抑制してランプ７００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

さらには、ヒートシンク部７７０が中実の部材より成るため、ヒートシンク部７７０の熱容量を増大させることができ、ＬＥＤ１２で発生した熱をより積極的にグローブ側へと伝熱させることができる。

（変形例４）
実施形態４に係るランプ３００および変形例２に係るランプ６００においては、ヒートシンク部３７０および６７０の中空部分、すなわち椀の内側部分は単なる空間であって、何も部材は配置されていない。しかし、これに限られない。例えば、ヒートシンク部の椀の内側部分の空間内に、他の部材の全部または一部が配置されてもよい。

本変形例においては、実施形態４に係るランプ３００に適用した場合を例に説明する。

図１６は、変形例４に係るランプ８００のランプ軸Ｊに沿った平面による断面図である。ランプ８００においては、基台８２０の中央部分に厚さ方向に貫通する貫通孔８２６が設けられている。そして、貫通孔８２６を介してケース５０内部とヒートシンク部３７０の椀の内側部分に相当するベース空間３７４とが連通している。そして、回路ユニット８４０の前方側の一部が貫通孔８２６内に配置され、さらにはベース空間３７４内にも配置されている。

本変形例の構成によると、従来はケース５０内部に全体が収容されていた回路ユニットの一部を貫通孔８２６およびベース空間３７４内に配置することができる。このようにすることで、基台８２０よりも後方側における回路ユニット８４０を収容するためのスペースを小さくすることができる。したがって、基台８２０と口金６０との距離を縮めたり、ケース５０の径を小さくしたりすることが可能であり、ランプの小型化に有利である。

なお、本変形例においても、実施形態４に係るランプ３００と同様に、ＬＥＤ１２で発生した熱をグローブ３３０側からより積極的に放熱させることによりケース５０を大型化することなく、ランプの高輝度化に伴うＬＥＤ１２の発熱量増大に対応し得る、優れた放熱構造を実現することができる。

また、実施形態４と同様のヒートシンク部３７０を備えており、外周面３７５に光反射処理または光拡散処理が施され、ヒートシンク部３７０はＬＥＤ１２の環の内側に配置されている。これにより、ＬＥＤ１２から発せられた光の損失を抑制してランプ８００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

（変形例５）
なお、回路ユニット８４０の一部が、貫通孔８２６内にのみ配置され、ベース空間３７４の内部にまではみ出さない構成としてもよい。この場合においても、基台８２０よりも後方側における回路ユニット８４０を収容するためのスペースをある程度小さくすることができる。これにより、ケース５０を小型化することができ、ランプの小型化を図ることができる。

（変形例６）
また、変形例４の構成を図１３に示す変形例１の構成に適用することも可能である。即ち、図１３に示すようなヒートシンク部５７０の突出端部５７２がグローブ３０の内面３２から離間している構成において、図１６に示すような回路ユニット８４０の一部が基台８２０の貫通孔８２６およびヒートシンク部５７０の椀の内側部分に相当するベース空間５７４（図１３参照）内に配置されてもよい。この場合においても、変形例４と同様の効果が期待できる。

（変形例７）
さらに、変形例４の構成を図１４に示す変形例２の構成に適用することも可能である。即ち、図１４に示すようなヒートシンク部６７０の突出端部６７２がグローブ３０の天面３３の内面に接している構成において、図１６に示すような回路ユニット８４０の一部が基台８２０の貫通孔８２６およびヒートシンク部６７０の椀の内側部分に相当するベース空間６７４（図１４参照）内に配置されてもよい。この場合においても、変形例４と同様の効果が期待できる。

（変形例８）
さらには、変形例４の構成を実施形態５の構成に適用することも可能である。図１７に、変形例８に係るランプ９００のランプ軸Ｊに沿った平面による断面図を示す。図１７に示すように、ランプ９００のヒートシンク部９７０は、底面９７１の略中央にベース開口部９７７を有し、ベース開口部９７７と連通するベース空間９７８を内部に有する点が、実施形態５に係るランプ４００におけるヒートシンク部４７０と異なっている。この点以外においては、ヒートシンク部４７０と基本的な構成は同じである。ヒートシンク部９７０は、ヒートシンク部４７０と同様に、突出端部９７２に突出端開口部９７５を有し、突出端開口部９７５を介して外部と連通する突出端空間４７３を内部に有する。

ヒートシンク部９７０は、ベース開口部９７７が貫通孔８２６と連通するように配置されており、これにより、貫通孔８２６を介してケース５０内部とベース空間９７８とが連通している。そして、回路ユニット８４０の前方側の一部が貫通孔８２６内に配置され、さらにはベース空間９７８内にも配置されている。

本変形例の構成によると、変形例４と同様の効果に加えて、実施形態５と同様の効果も期待できる。

なお、突出端空間９７３は突出端開口部９７５と連通している部分以外は閉塞されている。そして、ベース空間９７８はベース開口部９７７と連通している部分以外は閉塞されている。従って、突出端空間９７３とベース空間９７８とは互いに連通していない。

ここで、突出端空間９７３とベース空間９７８とが連通しているとすると、ベース空間９７８内部に回路ユニット８４０の一部が配置されているため、ベース空間９７８が突出端空間９７３を介して外部と連通することとなる。すると、外部から水分やゴミ等がベース空間９７８に流入して、回路ユニット８４０にダメージを与える虞が生じることとなる。突出端空間９７３とベース空間９７８とが連通していないことにより、上記の問題を防止することができる。

（変形例９）
上記各実施形態および各変形例においては、基台とヒートシンク部とは、別個の部材であったが、これに限られない。基台とヒートシンク部とが一体的に形成されていてもよい。例えば、図１９（ａ）にその断面図を示す変形例９に係るランプ１１００のように、基台１１２０とヒートシンク部１１７０とが一体的に形成されて基台ヒートシンクユニット１１９０を形成してもよい。同図に示すように、基台ヒートシンクユニット１１９０は、金属から成る円盤の中央部分が前方側に突出した形状をしている。そして、中央の突出部分がヒートシンク部１１７０となり、その周囲の平板部分が基台１１２０となっている。このようにすると、基台とヒートシンク部とを１枚の金属板を用いてプレス加工により形成することが出来るため、製造加工が容易で、部品点数を減じることもできる。また、ヒートシンク部１１７０は、後方側から見ると前方側に凹入した形状と捉えることが出来る。基台１１２０とヒートシンク部１１７０との接続部分により規定される空間領域であって、前記凹入により形成された開口でもある開口１１７６からヒートシンク部１１７０の内側空間１１７４内に回路ユニット８４０の一部を収納して、ランプの小型化に資することが出来る。

なお、ランプ１１００においては、ヒートシンク部１１７０の突出端部１１７２がグローブ３０の内面３２に接しているが、これに限られず、突出端部１１７２が内面３２から離間していてもよいし、図１６のランプ８００と同じようにヒートシンク部がグローブを突き抜けてもよい。

また、ヒートシンク部１１７０の外周面１１７５に光反射処理または光拡散処理が施されていてもよい。これにより、ＬＥＤ１２から発せられた光の損失を抑制してランプ３００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

なお、発光部１０と回路ユニット８４０とを電気的に接続する配線４１を通すための配線用孔１１２４が基台１１２０に設けられているが、これに限られない。配線用孔がヒートシンク部１１７０に設けられていてもよい。この場合、ＬＥＤ１２から発せられた光の外周面１１７５における反射をできるだけ妨げないような位置に配線用孔を設けるとよい。

（変形例１０）
さらには、図１９（ｂ）にその断面図を示す変形例１０に係るランプ１２００のように、基台本体部１２２１に連設されたフラップ部１２２２がヒートシンク部１２７０の開口１２７６を閉塞するように折り返され、密閉された内部空間１２７４を有する態様であってもよい。この場合、基台本体部１２２１とフラップ部１２２２とで基台１２２０を形成し、基台１２２０とヒートシンク部１２７０とで基台ヒートシンクユニット１２９０を形成している。

なお、ランプ１２００においては、ヒートシンク部１２７０の突出端部１２７２がグローブ３０の内面３２から離間しているが、これに限られず、突出端部１２７２が内面３２に接していてもよい。

また、内部空間１２７４は、完全に密閉された空間でなくてもよい。例えば、配線用孔１２２４の一部が内部空間１２７４と連通していてもよい。

また、ランプ１２００のケース１２５０は、段差部１２５１がより後方側に形成されている点を除いては、基本的な構成は、実施形態１に係るランプ１のケース５０と同じである。

さらには、ヒートシンク部１２７０の外周面１２７５に光反射処理または光拡散処理が施されていてもよい。これにより、ＬＥＤ１２から発せられた光の損失を抑制してランプ３００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

なお、ここでも、発光部１０と回路ユニット４０とを電気的に接続する配線４１を通すための配線用孔１２２４が基台１２２０に設けられているが、これに限られない。配線用孔がヒートシンク部１２７０に設けられていてもよい。この場合、ＬＥＤ１２から発せられた光の外周面１２７５における反射をできるだけ妨げないような位置に配線用孔を設けるとよい。

（変形例１１）
また、ヒートシンク部１１７０および１２７０が内側の空間を有せず、当該内側の空間にもヒートシンク部を構成する材料が充填された構成であってもよい。即ち、基台と中実のヒートシンク部とが一体的に形成された構成であってもよい。

基台と中実のヒートシンク部とが一体的に形成された構成としては、実施形態２および３に係るランプ１００（図６参照）およびランプ２００（図８参照）において、基台２０とヒートシンク部１７０とが一体的に形成された構成および、基台２０とヒートシンク部２７０とが一体的に形成された構成であってもよい。

（変形例１２）
上記各実施形態および各変形例において、グローブに厚さ方向に貫通する直径１〜２〔ｍｍ〕程度の微小な換気孔が１個または複数個設けられていてもよい。これにより、当該換気孔を通じてグローブ内部の空気と外部の空気とが対流することができるため、より放熱効果を高めることができる。

（変形例１３）
上記実施形態２〜５、および各変形例においては、ヒートシンク部は、言わば半分に切断した卵形のような外観形状であったが、これに限られない。例えば、円柱（円筒）や多角柱（多角筒）、円錐、多角錐であってもよい。

また、後方側から前方側に向かうにつれて縮径する形状に限られない。例えば、後方側から前方側に向かうにつれて一度拡径した後縮径する形状であってもよいし、一度縮径した後拡径して再び縮径する形状であってもよい。即ち、ランプの明るさや配光特性を損なわない限り、およそどのような形状をしていてもよい。

（変形例１４）
上記各実施形態および各変形例においては、ヒートシンク部は、アルミ等の金属材料により構成されているとしたが、これに限定されるものではない。例えば、熱伝導性樹脂や熱伝導性のセラミック等を用いてもよい。

（変形例１５）
上記各実施形態および各変形例においては、基台は金属材料から成るとしたが、これに限られない。例えば、熱伝導性樹脂や熱伝導性のセラミック等を用いてもよい。

（変形例１６）
上記各実施形態および各変形例においては、ＬＥＤ１２は、実装基板１１上に実装され、ＬＥＤ１２が実装された実装基板１１が基台の前面に搭載されていたが、これに限られない。例えば、ＳＭＤタイプのＬＥＤを用いて、ＬＥＤを直接基台の前面に搭載してもよい。金属から成る基台に直接ＬＥＤを搭載する場合、基台上の配線表面に樹脂等により絶縁被膜を施してもよい。

（変形例１７）
実施形態１においては、グローブ３０の内部であって基台２０の前面２２上に複数の放熱フィン７２を備えたヒートシンク部７０が設けられた構成について説明した。しかし、これに限られず、放熱フィンがケースに設けられてもよい。ここでは、上記の構成を実施形態２に係るランプ１００に適用した場合を例に以下に説明する。

図１８は、変形例１７に係るランプ１０００の概略構成を示す一部破断正面図である。変形例１７に係るランプ１０００においては、ケース１０５０は、円筒状のケース本体部１０５１と、ケース本体部１０５１の外周面上に互いに間隔を開けて立設された複数の放熱フィン１０５２とから構成されている。

上記の点においてランプ１０００はランプ１００と異なる以外は、基本的な構成はランプ１００と同じである。ケース１０５０の前方側端部１０５５は、ランプ１００におけるケース５０の前方側端部５５と同様の構成を備え、同様の機能を果たす。

ランプ１０００の構成によると、以下のような効果が期待できる。先ず、ランプ１００と同様に、ランプ１０００は、ヒートシンク部１７０によりグローブ３０側に熱をより積極的に伝えて放熱させることができる。これに加えて、ランプ１０００は、ケース１０５０が放熱フィン１０５２を複数備えているため、ケース１０５０側に伝わった熱を、放熱フィン１０５２から更に効率的に放熱させることができる。これにより、ケース１０５０の温度上昇を更に抑制することができるため、ケース１０５０内に収容された回路ユニット４０の熱負荷を低減することができる。そして、熱に弱い電子部品４３が熱破壊される虞を低減することができる。

さらには、放熱フィン１０５２を設けたことによりケース１０５０の温度が低下すると、基台２０との間の温度勾配が増大する。すると、基台２０からケース１０５０へと熱が伝導しやすくなる。その結果、基台２０の温度が低下し、実装基板１１の温度が低下するため、ＬＥＤ１２の温度上昇をより効率的に抑制することができる。

なお、本変形例の構成を、実施形態１，３〜５、および変形例１〜３の構成に適用することも可能である。

（変形例１８）
グローブが透光性の樹脂から成り、上記変形例１４のように、ヒートシンク部も樹脂から成る場合、グローブとヒートシンク部とが一体的に形成されていてもよい。図２０（ａ）は、変形例１８に係るランプ１３００の断面図である。図２０（ｂ）は、ランプ１３００のグローブヒートシンクユニット１３９０の分解斜視図である。図２０（ａ），（ｂ）に示すように、グローブ１３３０の天面１３３３からグローブ１３３０内方に向かって円筒状のヒートシンク部１３７０が一体的に延設されている。ヒートシンク部１３７０の底面１３７１は、基台２０の前面２２に接している。これにより、発光部１０からの熱が基台２０からヒートシンク部１３７０を介してグローブ１３３０へと伝わり、グローブ１３３０から放熱されることにより、優れた放熱効果を得ることが出来る。

ここで、ヒートシンク部１３７０は、熱伝導性の高い樹脂から形成されていることが好ましい。これにより、基台２０からグローブ１３３０へと熱が効率的に伝導される。さらに、ヒートシンク部１３７０は、透光性の樹脂から構成されていることが好ましい。これにより、発光部１０から発せられた光がヒートシンク部１３７０により遮光されないため、天面１３３３およびその周辺部分からも十分な光が外部へと照射される。

なお、ヒートシンク部１３７０の外周面１３７２および／または内周面１３７３に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。光反射性向上処理が外周面１３７２に施されている場合には、ヒートシンク部１３７０は、必ずしも透光性の樹脂から構成されていなくてもよい。

また、ヒートシンク部１３７０が樹脂から成り、内部空間１３７４を有する円筒状の部材であるため、軽量化および材料削減に資することができる。

そして、グローブヒートシンクユニット１３９０は、図２０（ｂ）に示すように、４つのパーツ１３３０ａ，１３３０ｂ，１３３０ｃ，１３３０ｄが組み合わされて形成されている。複雑な形状を有するグローブヒートシンクユニット１３９０を分割してパーツごとに形成することができ、それぞれのパーツを射出成型等により容易に形成することができる。

なお、４つのパーツ１３３０ａ，１３３０ｂ，１３３０ｃ，１３３０ｄは、例えば、接着剤や超音波溶接等により一体に組み合わされてもよいし、爪状部材等の係合構造を利用して一体に組み合わされるようにしてもよい。接着剤を用いる場合には、透光性の接着剤を用いるとよい。

ここで、グローブヒートシンクユニット１３９０は、複数パーツが組み合わされて構成される場合に限られず、単一の部材として形成されていてもよい。

また、ヒートシンク部１３７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台２０から天面１３３３へと向かうにつれて縮径または拡径するような形状であってもよい。さらには、縮径した後拡径するなど、縮径と拡径とが組み合わされた形状であってもよい。

さらに、グローブ１３３０の内面１３３２には、発光部１０から発せられた光を拡散させる拡散処理が施されていてもよい。

（変形例１９）
また、図２１にその断面図を示す変形例１９に係るランプ１４００のように、グローブヒートシンクユニット１４９０のヒートシンク部１４７０が中実の部材であってもよい。本変形例においては、ヒートシンク部１４７０は、中実の円柱であり、ヒートシンク部１４７０の底面１４７１は、基台２０の前面２２に接している。

また、ヒートシンク部１４７０は、熱伝導性の高い樹脂から形成されていることが好ましい。これにより、基台２０からグローブ１４３０へと熱が効率的に伝導される。さらに、ヒートシンク部１４７０は、透光性の樹脂から構成されていることが好ましい。これにより、発光部１０から発せられた光がヒートシンク部１４７０により遮光されないため、天面１４３３部分からも十分な光が外部へと照射される。

なお、ヒートシンク部１４７０の外周面１４７２に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。この場合、ヒートシンク部１４７０は、必ずしも透光性の樹脂から構成されていなくてもよい。

また、ヒートシンク部１４７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台２０から天面１４３３へと向かうにつれて縮径または拡径するような形状であってもよい。さらには、縮径した後拡径するなど、縮径と拡径とが組み合わされた形状であってもよい。

また、グローブ１４３０の内面１４３２には、発光部１０から発せられた光を拡散させる拡散処理が施されていてもよい。

さらに、グローブヒートシンクユニット１４９０は単一の部品から成る場合に限られず、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されてもよい。

（変形例２０）
図２２（ａ）に断面図を示す変形例２０に係るランプ１５００のように、実装基板１５１１のヒートシンク部１５７０の内部空間１５７４に位置する部分に、封止体１３ｘに覆われたＬＥＤ１２ｘを配設してもよい（以下、ＬＥＤ１２ｘおよび封止体１３ｘをまとめて「付加ＬＥＤ」と呼び、符号１６を付す。）。付加ＬＥＤ１６を設けることにより、天面１３３３およびその周辺部分から出射される光量を増大させて、より良好な配光特性を実現することが出来る。

なお、実装基板１５１１は、実装基板１１と形状が異なっている以外は、基本的な構成は同じである。実装基板１５１１には、実装基板１１における孔部１４に相当する貫通孔が設けられていない。ヒートシンク部１５７０は、実装基板１５１１に孔部が設けられていないことから、その分ランプ軸Ｊ方向の長さ（以下、単に「長さ」という。）が短くなっており、底面１５７１は、実装基板１５１１に接している。グローブヒートシンクユニット１５９０は、ヒートシンク部１５７０の長さが異なる以外は、変形例１８に係るランプ１３００（図２０（ａ）参照）のグローブヒートシンクユニット１３９０と基本的な構成は同じである。

ＬＥＤ１２ｘおよび封止体１３ｘは、配設されている実装基板上の箇所が異なる以外は、基本的な構成は、それぞれＬＥＤ１２および封止体１３と同じである。また、実装基板１５１１上に形成された配線パターンにより、ＬＥＤ１２ｘは、回路ユニット４０と電気的に接続されている。なお、ＬＥＤ１２ｘおよび封止体１３ｘに、ＳＭＤタイプのＬＥＤチップを用いてもよい。

また、ヒートシンク部１５７０の外周面１５７２および／または内周面１５７３に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。ただし、少なくとも、内周面１５７３の天面１３３３に対応する部分である天面部内周面１５７３ａには光反射性を向上させる処理は施されない。好ましくは、天面部内周面１５７３ａを含む内周面１５７３の前方側の部分には光反射性向上処理が施されていないのがよい。

また、ヒートシンク部１５７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台２０から天面１３３３へと向かうにつれて縮径または拡径するような形状であってもよい。さらには、縮径した後拡径するなど、縮径と拡径とが組み合わされた形状であってもよい。

さらには、グローブヒートシンクユニット１５９０は単一の部品から成ってもよいし、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されていてもよい。

なお、図２２（ａ）においては、付加ＬＥＤ１６がＬＥＤ１２ｘを１個のみ有する場合を示しているが、これに限られず、付加ＬＥＤ１６が複数のＬＥＤ１２ｘを有してもよい。

（変形例２１）
また、変形例１９に係るランプ１４００（図２１参照）のようにヒートシンク部が中実の円柱である場合にも、付加ＬＥＤ１６を設けてもよい。図２２（ｂ）に、変形例２１に係るランプ１６００の断面図を示す。同図に示すように、ヒートシンク部１６７０の底面１６７１の中央部が前方側に凹入して凹部１６７３が形成されており、付加ＬＥＤ１６が凹部１６７３内に配設されている。本変形例の構成によっても、天面部分からの光の出射量をより効率的に増大させることができる。

ヒートシンク部１６７０は、実装基板１５１１に孔部が設けられていないことから、その分長さが短くなっており、底面１６７１は、実装基板１５１１に接している。グローブヒートシンクユニット１６９０は、ヒートシンク部１６７０が凹部１６７３を有し、ヒートシンク部１６７０の長さが異なる以外は、変形例１９に係るランプ１４００（図２１参照）のグローブヒートシンクユニット１４９０と基本的な構成は同じである。

なお、ヒートシンク部１６７０の外周面１６７２に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。

ただし、凹部１６７３の凹入面１６７４には、光反射性向上処理は施されない。

また、ヒートシンク部１６７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台２０から天面１４３３へと向かうにつれて縮径または拡径するような形状であってもよい。さらには、縮径した後拡径するなど、縮径と拡径とが組み合わされた形状であってもよい。

さらには、グローブヒートシンクユニット１６９０は単一の部品から成る場合に限られず、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されてもよい。

なお、図２２（ｂ）においては、付加ＬＥＤ１６がＬＥＤ１２ｘを１個のみ有する場合を示しているが、これに限られず、付加ＬＥＤ１６が複数のＬＥＤ１２ｘを有してもよい。

（変形例２２）
ヒートシンク部がグローブと基台の両方に設けられていてもよい。変形例２２に係るランプ１７００の断面図を図２３（ａ）に示す。同図に示すように、ランプ１７００は、金属から成る円柱状の基台ヒートシンク部１７７０が基台１７２０の中央部からランプ軸Ｊに沿って前方へと一体的に延設されている。基台ヒートシンク部１７７０の径は、グローブヒートシンクユニット１３９０のヒートシンク部１３７０の内部空間１３７４の内径に対応している。基台ヒートシンク部１７７０の長さは内部空間１３７４の長さに対応している。そして、基台ヒートシンク部１７７０は、内部空間１３７４に挿嵌されている。

これにより、基台ヒートシンクユニット１７９０とグローブヒートシンクユニット１３９０との接触面積を増大させることができる。その結果、発光部１０から発せられた熱を基台１７２０から基台ヒートシンク部１７７０およびヒートシンク部１３７０を介してグローブ１３３０へとより効率的に伝達させることができる。

ここで、基台ヒートシンク部１７７０の径および長さが内部空間１３７４の内径および長さにそれぞれ対応しているとは、基台ヒートシンク部１７７０の径および長さが内部空間１３７４の内径および長さとそれぞれ一致しているか、双方間に隙間が実質的に生じない程度に基台ヒートシンク部１７７０の径および長さが内部空間１３７４の内径および長さよりも若干小さいことを意味する。（以下、本明細書中においては、「対応している」とは、長さおよび幅（太さ）が略一致しているか、若干小さいことを意味する語として用いる。）これにより、基台ヒートシンク部１７７０の内部空間１３７４への挿嵌が容易になるのと同時に、基台ヒートシンク部１７７０とヒートシンク部１３７０との接触を確保して良好な熱伝導を得ることができる。

なお、基台ヒートシンク部１７７０の長さは、必ずしも内部空間１３７４の長さに対応していなくてもよい。基台ヒートシンク部１７７０の長さが内部空間１３７４の長さよりも短く、基台ヒートシンク部１７７０の前方側端部と天面部内周面１３７３ａとの間に隙間が存在してもよい。

また、基台ヒートシンク部１７７０が形成される金属材料は、基台１７２０が形成される金属材料と同一でもよいし、異なっていてもよい。双方の金属材料が同一であれば、形成が容易である。

また、ヒートシンク部１３７０および基台ヒートシンク部１７７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台１７２０から天面１３３３へと向かうにつれて縮径するような形状であってもよい。その場合においても、基台ヒートシンク部の形状がヒートシンク部の内部空間の形状に対応しているとよい。そのようにすることにより、基台ヒートシンク部とヒートシンク部との接触がより密になり、基台ヒートシンク部からヒートシンク部への熱伝導がより効率よく行われるという利点がある。

（変形例２３）
基台ヒートシンク部は、中空の円筒状であってもよい。さらには、基台ヒートシンク部と基台とが一体的に形成されていなくてもよい。図２３（ｂ）は、変形例２３に係るランプ１８００の断面図である。同図に示すように、基台ヒートシンク部１８７０は、金属から成る中空の円筒状である。基台ヒートシンク部１８７０の後方側端部１８７１の外周面には、ネジ溝が形成されている。基台１８２０の中央部には、内周面にネジ溝が形成された貫通孔である固定用孔１８２１が形成されている。そして、固定用孔１８２１に基台ヒートシンク部１８７０の後方側端部１８７１が螺合されることにより、基台１８２０に基台ヒートシンク部１８７０が固定される。基台１８２０と基台ヒートシンク部１８７０とで基台ヒートシンクユニット１８９０が構成される。基台ヒートシンク部１８７０が形成される金属材料は、基台１８２０が形成される金属材料と同一でもよいし、異なっていてもよい。

本変形例に係るランプ１８００の構成によっても、変形例２２に係るランプ１７００と同様に、発光部１０から発せられた熱を基台１８２０から基台ヒートシンク部１８７０およびヒートシンク部１３７０を介してグローブ１３３０へとより効率的に伝達させることができる。

また、基台ヒートシンク部１８７０が中空の円筒状であるため、変形例２２における基台ヒートシンク部１７７０（図２３（ａ）参照）と比較して、軽量化および省資源化を図ることが出来る。

なお、固定用孔１８２１は、貫通孔に限られず、基台１８２０の中央部において前面１８２２側に設けられた凹部であってもよい。

また、基台ヒートシンク部１８７０の基台１８２０への固定は螺合に限られない。例えば、後方側端部１８７１および固定用孔１８２１にネジ溝が形成されておらず、後方側端部１８７１を固定用孔１８２１に嵌入または圧入することにより、基台１８２０に基台ヒートシンク部１８７０が固定されてもよい。

また、基台ヒートシンク部１８７０が形成される金属材料は、基台１８２０が形成される金属材料と同一でもよいし、異なっていてもよい。

さらには、ヒートシンク部１３７０および基台ヒートシンク部１８７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台１８２０から天面１３３３へと向かうにつれて縮径するような形状であってもよい。その場合においても、基台ヒートシンク部の形状がヒートシンク部の内部空間の形状に対応しているとよい。そのようにすることにより、基台ヒートシンク部とヒートシンク部との接触がより密になり、基台ヒートシンク部からヒートシンク部への熱伝導がより効率よく行われるという利点がある。

上記実施形態１〜５および変形例１〜２１においては、グローブ内にヒートシンク部を設け、発光部において発せられた熱を基台からヒートシンク部を介してグローブへと伝えてグローブ側からより積極的に放熱させることにより、良好な放熱性を実現することができる構成について説明した。

上記の構成に加えて、天面部分からの光の出射量を増大させてより良好な配光特性を得ることが出来る構成について、以下の変形例２４〜２５において説明する。

（変形例２４）
図２４は、変形例２４に係るランプ１９００の概略構成を示す一部切欠き斜視図である。図２５（ａ）は、ランプ１９００の分解斜視図であり、図２５（ｂ）は、ランプ１９００のグローブ１９３０を後方側から見た斜視図である。図２６は、図２４のＢ−Ｂ’線に沿ったランプ１９００の矢視断面図である。

図２４から図２６に示すように、変形例２４に係るランプ１９００は、白熱電球の代替品となるＬＥＤランプである。ランプ１９００は、発光部１９１０、基台１９２０、グローブ１９３０、回路ユニット８４０、ケース５０、口金６０、およびヒートシンク部（放熱部材）１９７０を備える。

［各部構成］
＜発光部＞
発光部１９１０は、ＬＥＤ１２が３個で一組として封止体１３によって封止されている点以外は、基本的な構成は、実施形態１に係る発光部１０（図１〜３参照）と同じである。

＜基台＞
基台１９２０は、貫通孔である配線用孔８２４（図１６参照）が設けられていない点以外は、変形例４に係る基台８２０（図１６参照）と基本的な構成は同じであって、前面（搭載面）１９２２、後面１９２３、段差部１９２５、貫通孔１９２６等を同様に備える。

＜グローブ＞
グローブ１９３０は、ガラスや樹脂等の透光性の部材から成る球状の部材である。グローブ１９３０の後方側端部におけるランプ軸Ｊを中心とした中央部分は、前方側に凹入して凹部１９３２が形成されている。グローブ１９３０は、発光部１９１０の前方側を覆う状態で、配置されている。グローブ１９３０の凹入により形成された開口１９３３側の端部には、フランジ状（環状）の光入射面１９３４と、光入射面１９３４の外側において後方側に延出した開口側端部１９３５とが形成されている。開口側端部１９３５は、基台１９２０およびケース５０に固定されている。本変形例のランプ１９００においては、図２５，３に示すように、溝部１９８１にグローブ１９３０の開口側端部１９３５が挿入され、その状態で溝部１９８１に樹脂等から成る接着剤８２を充填し固化させることにより、グローブ１９３０が基台１９２０およびケース５０に固定されている。溝部１９８１は、基台１９２０とケース５０とが組み合わされた時に、基台１９２０の周面に形成された段差部１９２５とケース５０の前方側内周面に形成された段差部５１との間にできる空間である。

なお、グローブ１９３０の固定は、接着剤に限定されず、ネジ留めや係合構造により固定されてもよい。

グローブ１９３０における凹部１９３２の凹入面である内面１９３６は、開口１９３３側の開口側内面部１９３６ａと、開口側内面部１９３６ａの前方側（主出射方向側）に隣接する主出射方向側内面部１９３６ｂとから成る。主出射方向側内面部１９３６ｂは、内面１９３６の天面部分である主出射方向側端部１９３６ｂ１を含む。

開口側内面部１９３６ａ上には、光反射部である光反射層（光反射部）３７が形成されている。光反射層１９３７は、光反射性を有する材料により形成された薄膜であり、例えば、アルミ等の金属薄膜から成り、蒸着等により形成される。

光入射面１９３４は、環状に配置されたＬＥＤ１２に対向配置されている。これにより、ＬＥＤ１２から出射された光は、光入射面１９３４よりグローブ１９３０内部へと入射し、一部はそのままグローブ１９３０を透過して、一部はグローブ１９３０の透過と光反射層１９３７での反射を経てグローブ１９３０の外部へと取り出される。

＜ヒートシンク部＞
図２４〜２６に示すように、ヒートシンク部１９７０は、一端に開口を有する椀状の部材であり、開口を後方側にして逆さ椀状に凹部１９３２内に配置されている。ヒートシンク部１９７０の突出端部１９７２は、凹部１９３２の主出射方向側端部１９３６ｂ１と離間している。ヒートシンク部７０は、金属等の熱伝導性の部材により構成されている。

ヒートシンク部１９７０は、環状に配置されたＬＥＤ１２の環の内側（本変形例では、円環状の実装基板１１の内側であって貫通孔１９２６の外側において、基台１９２０の前面１９２２上に略円環状の底面１９７１が載置され固定されている。ヒートシンク部１９７０の前面１９２２上の固定は、熱伝導性の接着剤等を用いて行われる。

ヒートシンク部１９７０の外周面１９７５には、光反射性を向上させるための処理が施されている。本変形例においては、具体的には、外周面１９７５に白色の塗料が塗布されている。ヒートシンク部１９７０が金属から成る場合には、外周面１９７５に鏡面加工が施されてもよい。

ヒートシンク部１９７０の後方側端部には配線用孔１９７６が設けられており、回路ユニット８４０の配線４１が貫通孔１９２６に通され、発光部１９１０のランド１５に接続されている。

また、ヒートシンク部１９７０の椀の内側部分であるヒートシンク部内部空間１９７４の内部に回路ユニット８４０の一部が配置されている。

本変形例においては、ヒートシンク部１９７０が遮光部材に相当する。以下、各変形例においても、ヒートシンク部が遮光性の材料から成る場合や表面が遮光性を有する場合には、同様に遮光部材に相当する。

［配光特性］
図２７（ａ）は、図２６に示すランプ１９００の断面図における発光部１９１０の周辺部分を拡大した一部拡大断面図である。図２７（ａ）に示すように、発光部１９１０において、１個の封止体１３により封止されている３つのＬＥＤ１２ａ，１２ｂ，１２ｃのうち、外側に配置されているＬＥＤ１２ａ，１２ｂの前方側には、光入射面１９３４が対向配置されている。しかし、最も内側に配置されているＬＥＤ１２ｃは、光入射面１９３４と対向しておらず、環状に配置されたＬＥＤ１２の環の中心軸方向、即ち、環状の発光部の環の中心軸方向（本変形例においては、主出射方向であり、ランプ軸Ｊと一致している）から見た平面視において光反射層１９３７の内側に配置されている。

ＬＥＤ１２ａからの出斜光Ｌ１ａ１，Ｌ１ａ２，ＬＡａ３、ＬＥＤ１２ｂからの出斜光Ｌ１ｂ１，Ｌ１ｂ２，ＬＡｂ３、ＬＥＤ１２ｃからの出射光Ｌ１ｃ１は、光入射面１９３４からグローブ１９３０内部に入射する。入射した光の一部は、グローブ１９３０の内部を透過してそのままグローブ１９３０の外周面１９３９から外部に出射する（Ｌ１ｃ１１，Ｌ１ｂ２）。光入射面１９３４から入射した光の別の一部は、光反射層１９３７で反射された後、グローブ１９３０を透過して外周面１９３９から外部に出射する（Ｌ１ａ３，Ｌ１ｂ３）。光入射面１９３４から入射した光の別の一部は、外周面１９３９と内面１９３６とで反射され、一部は外周面１９３９から外部へと出射する（Ｌ１ａ１１，Ｌ１ａ２，Ｌ１ｂ１）。光入射面１９３４から入射した光の別の一部は、内面１９３６から凹部１９３２内に出射し、ヒートシンク部１９７０の外周面１９７５で反射されて内面１９３６から再びグローブ１９３０内に入射し、グローブ１９３０を透過して外周面１９３９から外部に出射する（Ｌ１ｃ１２）。残りは内面１９３６と外周面１９３９との間で反射を繰り返し、一部は外周面から外部に出射する（Ｌ１ａ１２）。

ＬＥＤ１２ｂからの出斜光Ｌ１ｂ４およびＬＥＤ１２ｃからの出斜光Ｌ１ｃ２，Ｌ１ｃ３，Ｌ１ｃ４は、直接凹部１９３２内へと入射する。

出斜光Ｌ１ｂ４は、ヒートシンク部１９７０の外周面１９７５で反射され、一部は内面１９３６からグローブ１９３０内に入射した後、外周面１９３９から外部に出射する（Ｌ１ｂ４１）。出斜光Ｌ１ｂ４の残りの一部は、内面１９３６と外周面１９７５との間で反射を繰り返した後、内面１９３６からグローブ１９３０内部に入射し、外周面１９３９から外部に出射する（Ｌ１ｂ４２）。

出斜光Ｌ１ｃ２は、一部は内面１９３６からグローブ１９３０内に入射して外周面１９３９から外部に出射する（Ｌ１ｃ２１）。

出斜光Ｌ１ｃ３は、一部は内面１９３６からグローブ１９３０内に入射して外周面１９３９から外部に出射し（Ｌ１ｃ３１）、残りは内面１９３６と外周面１９７５で反射された後、内面１９３６からグローブ１９３０内部に入射して外周面１９３９から外部に出射する（Ｌ１ｃ３２）。

出斜光Ｌ１ｃ４は、外周面１９７５で反射された後、一部は内面１９３６からグローブ１９３０内に入射し外周面１９３９から外部に出射する（Ｌ１ｃ４１）。残りは、内面１９３６と外周面１９７５で反射された後、一部は内面１９３６からグローブ１９３０内に入射し外周面１９３９から外部に出射する（Ｌ１ｃ４２１）。残りは内面１９３６で反射されて外周面１９７５で反射された後、内面１９３６からグローブ１９３０内に入射して外周面１９３９から外部に出射する（Ｌ１ｃ４２２）。

以上説明したように、変形例２４に係るランプ１９００の構成によると、ＬＥＤ１２から発せられた光は、屈折や反射を経てグローブ１９３０の外周面２０３９から様々な方向に出射されるため、良好な配光特性を得ることができる。また、グローブ１９３０の天面１９３８およびその周辺部位から外部に出射される光に、ＬＥＤ１２ｃから発せられた光が多く含まれている。このことから窺えるように、光反射層１９３７の内側にＬＥＤ１２ｃが配置されていることにより、ランプ１９００の天面１９３８からも十分な光が出射され、良好な配光特性を実現することができる。

［小型化の効果］
変形例２４に係るランプ１９００においては、回路ユニット８４０の一部が貫通孔１９２６およびヒートシンク部内部空間１９７４の内部に配置されている。これにより、回路ユニット８４０のうちケース５０内部に収容される部分の割合を縮小して、ケース５０を小型化することができる。

なお、回路ユニット８４０の一部がヒートシンク部内部空間１９７４の内部に配置されず、貫通孔１９２６の内部にのみ配置されてもよい。この場合においても、回路ユニット８４０の全体がケース５０内部に収容されている場合と比較してケース５０を小型化する効果が期待できる。

［ヒートシンク部による放熱効果］
ＬＥＤ１２で発生した熱は、実装基板１１、基台１９２０を介してヒートシンク部１９７０の底面１９７１へと伝導し、そこからヒートシンク部１９７０内部を突出端部１９７２へと伝導される。そして、ヒートシンク部１９７０の外周面１９７５から凹部１９３２内部の空気を介して、あるいは、外周面１９７５から輻射により直接グローブ１９３０へと熱が伝わり、グローブ１９３０の外周面から外部へと放熱される。

このように、変形例２４に係るランプ１９００の構成によると、ＬＥＤ１２で発生した熱を、ヒートシンク部１９７０を介してより積極的にグローブ１９３０側へと伝導させてグローブ１９３０から外部へと放熱させることができる。それと同時に、ケース５０側へと伝わる熱を抑制することができる。これにより、ケース５０を大型化することなく、ランプの高輝度化に伴うＬＥＤ１２の発熱量増大に対応し得る、優れた放熱構造を実現することができる。

なお、本変形例においては、ヒートシンク部１９７０の外周面１９７５は、ヒートシンク部１９７０の基台１９２０の前方側において凹部１９３２内部に露出している部分の表面のみを指し、外周面１９７５には、底面１９７１は含まれない。従って、上記光反射処理および光拡散処理は、底面１９７１には施されていない。

ただし、熱伝導性の高い部材を用いて光反射処理や光拡散処理を行う場合には、底面１９７１にもこれらの処理を施してもよい。また、鏡面処理等、基台１９２０とヒートシンク部１９７０との間に塗料等の別部材が介在しない場合には、底面１９７１に対して鏡面処理等を施してもよい。

また、ヒートシンク部１９７０の基台１９２０の前面１９２２への固定は、熱伝導性の接着剤に限られない。例えば、ネジ留めや係合構造により固定されてもよい。

［まとめ］
以上説明したように、本変形例に係るランプ１９００の構成によると、グローブ１９３０の天面１９３８からも十分な光が出射され、良好な配光特性を実現することができる。加えて、ヒートシンク部１９７０の外周面１９７５に光反射処理または光拡散処理が施されていることにより、ヒートシンク部１９７０の影がグローブ１９３０に投影されることが無いため、良好な意匠性も実現することができる。

また、回路ユニット８４０の一部を貫通孔１９２６およびヒートシンク部内部空間１９７４の内部に配置することにより、ケース５０の小型化を図ることができる。

さらにまた、ヒートシンク部１９７０により、ＬＥＤ１２で発生した熱をより積極的にグローブ１９３０側へと伝え、グローブ１９３０から外部へと放熱させることにより、ケース５０側へと伝わる熱を抑制することができる。その結果、ケース５０を大型化することなく、ランプの高輝度化に伴うＬＥＤ１２の発熱量増大に対応し得る、優れた放熱構造を実現することができる。

（変形例２５）
図２８〜３０に、変形例２５に係るランプ２０００の概略構成を示す。図２８は、ランプ２０００の一部切欠き斜視図である。図２９（ａ）は、ランプ２０００の分解斜視図であり、図２９（ｂ）は、ランプ２０００のグローブ２０３０を後方側から見た斜視図である。図３０は、図２８のＣ−Ｃ’線に沿ったランプ２０００の矢視断面図である。

図２８から図３０に示すように、ランプ２０００は、以下の点において変形例２４に係るランプ１９００と異なっている以外は、ランプ２０００の基本的な構成はランプ１９００と同様である。

以下、ランプ２０００がランプ１９００と異なっている点を中心に各部構成についてより詳しく説明する。

［各部構成］
＜発光部＞
発光部２０１０は、２個で１組として封止体１３により封止されたＬＥＤ２０１２が、複数組環状に配置された外側発光部分２０１０ａと、１個ずつ封止体で封止されたＬＥＤ２０１２ｃが外側発光部分２０１０ａの内側に複数個（変形例２５においては、４個）配置された内側発光部分２０１０ｂとから構成されている。

＜基台＞
基台２０２０は、中央部に貫通孔が形成されていない。

＜グローブ＞
グローブ２０３０は、開口側内面部２０３６ａの内側に内嵌された筒状の光反射部材（光反射部）１３７を備える。光反射部材２０３７は、ガラスや樹脂等の透光性の部材から成る筒状の光反射本体部２０３７ａと、光反射本体部２０３７ａの外周面に形成された光反射層（光反射部）１３７ｂとから構成されている。光反射層２０３７ｂは、光反射性を有する材料により形成された薄膜であり、例えば、アルミ等の金属薄膜が蒸着等により形成されて成る。

＜ヒートシンク部＞
ヒートシンク部７０は、実施形態１におけるヒートシンク部７０と同じであり、本変形例においては、ヒートシンク部７０が遮光部材に相当する。

［配光特性］
図３１は、図３０に示すランプ２０００の断面図における発光部２０１０の周辺部分を拡大した一部拡大断面図である。図３１に示すように、発光部２０１０において、外側発光部分２０１０ａの２つのＬＥＤ２０１２ａ，１１２ｂの前方側には、光入射面２０３４が対向配置されている。内側発光部分２０１０ｂのＬＥＤ２０１２ｃは、光入射面１９３４と対向しておらず、主出射方向から見た平面視において光反射層２０３７ｂの内側に配置されている。なお、ＬＥＤ２０１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃは、実装基板上の配置や封止体１３による封止の態様が異なる以外は、基本的な構成は変形例２４におけるＬＥＤ１２と同じである。

ＬＥＤ２０１２ａからの出射光Ｌ２ａ１，Ｌ２ａ２，Ｌ２ａ３および、ＬＥＤ２０１２ｂからの出射光Ｌ２ｂ１，Ｌ２ｂ２，Ｌ２ｂ３は、光入射面２０３４からグローブ２０３０内に入射する。

出射光Ｌ２ａ１は、外周面２０３９と内面２０３６とで反射を繰り返した後、外周面２０３９から外部へと出射する。出射光Ｌ２ａ２およびＬ２ｂ２は、グローブ２０３０を透過して外周面２０３９から外部へと出射する。出射光Ｌ２ａ３は、内面２０３６で反射された後、外周面２０３９から外部へと出射する。

出射光Ｌ２ｂ１は、外周面２０３９で反射された後、内面２０３６で反射され、外周面２０３９から外部へと出射する。出射光Ｌ２ｂ３は、光反射層２０３７ｂで反射された後、外周面２０３９から外部へと出射する。

ＬＥＤ２０１２ｃからの出射光Ｌ２ｃ１は、光反射本体部２０３７ａの後方側端面から光反射本体部２０３７ａ内部に入射し、光反射層２０３７ｂと光反射本体部２０３７ａの内周面２０３７ａ１とで反射を繰り返した後、光反射本体部２０３７ａの前方側端面から凹部２０３２内に出射する。そして内面２０３６に到達する。そこで、一部はグローブ２０３０内に入射した後、グローブ２０３０を透過して外周面２０３９から外部へと出射する（Ｌ２ｃ１１）。残りは、内面２０３６で反射された後、再び内面２０３６に到達する。そこで、一部は内面２０３６で反射され（Ｌ２ｃ１２２）、残りは内面２０３６からグローブ２０３０内に入射し、外周面２０３９から外部へと出射する（Ｌ２ｃ１２１）。

出射光Ｌ２ｃ２は、凹部１９３２内を前方へと進んだのち内面２０３６に到達し、そこで反射されて再び内面２０３６に到達する。そこで、一部は内面２０３６からグローブ２０３０内に入射し、外周面２０３９から外部に出射する（Ｌ２ｃ２１）。なお、図３１においては、出射光Ｌ２ａ１とＬ２ｃ２１とは重なって表示されている。

出射光Ｌ２ｃ３は、凹部１９３２内を斜め前方へと進んだのち内面２０３６に到達する。そこで、一部は内面２０３６で反射され（Ｌ２ｃ３２）、残りはグローブ２０３０内に入射して外周面２０３９から外部へと出射する（Ｌ２ｃ３１）。

出射光Ｌ２ｃ４は、ヒートシンク部７０の表面７３で反射されて内周面２０３７ａ１に到達する。そこで、一部は反射され（Ｌ２ｃ４１）、残りは、光反射本体部２０３７ａ内に入射したのち光反射層２０３７ｂで反射されて内周面２０３７ａ１から凹部２０３２内に出射する（Ｌ２ｃ４２）。

以上説明したように、変形例２５に係るランプ２０００の構成によっても、グローブ２０３０の天面２０３８およびその周辺部位から外部に出射される光に、ＬＥＤ１２ｃから発せられた光が多く含まれている。このことから窺えるように、主出射方向から見た平面視において光反射層２０３７ｂの内側にＬＥＤ２０１２ｃが配置されていることにより、ランプ２０００の天面２０３８からも十分な光が出射され、良好な配光特性を実現することができる。

なお、ヒートシンク部７０の表面７３に塗布する塗料にシリカ等の微粒子を分散混入させて、塗布された塗料表面に微小な凹凸を形成し、表面７３に光拡散性を向上させる処理を施してもよい。これによっても、変形例２４で述べたのと同様の理由により、に配光特性の低下を抑制することができる。

さらには、ヒートシンク部７０が内側発光部分２０１０ｂにおけるＬＥＤ２０１２ｃの環の内側（本実施例では、円環状の実装基板２０１１の内側）において基台２０２０の前面１２２上に配置されており、平面視でヒートシンク部７０がＬＥＤ１２の環の内側に位置している（ＬＥＤ２０１２ｃの環にかぶさっていない）。そのため、ＬＥＤ２０１２ｃから発せられた光の主出射方向である前方への出射を遮ることがない。これにより、ヒートシンク部７０を設けたことによるランプ２０００の明るさおよび配光特性の低下を抑制することができる。

なお、本変形例においては、内側発光部分２０１０ｂに配置されたＬＥＤ２０１２ｃは４個であったが、これに限定されない。１〜３個でもよいし、５個以上であってもよい。

［ヒートシンク部による放熱効果］
ＬＥＤ２０１２で発生した熱は、その一部が実装基板２０１１を介して基台２０２０へと伝わったのち、その一部は基台２０２０からケース５０へと伝わる。ケース５０へと伝わった熱の一部はケース５０の外表面から放熱され、残りはケース５０からさらに口金６０へと伝わり、口金６０から照明器具側へと放熱される。

ここで、本変形例に係るランプ２０００においては、図２８および図３０に示すように、ヒートシンク部７０が基台２０２０の前面１２２に配置されている。これにより、ＬＥＤ１２で発生した熱の一部は基台２０２０からヒートシンク部７０へと伝わる。そして、ヒートシンク部７０へと伝わった熱は、放熱フィン７２の表面７３（およびベース部分７１の前面のうち放熱フィン７２が立設されていない部分）から凹部２０３２内部の空気へと伝わり、当該空気を暖める。そして、暖められた空気が対流によりグローブ２０３０の内面２０３６と接触してグローブ２０３０へと熱が伝わり、グローブ２０３０の外周面から外部へと放熱される。

また、ヒートシンク部７０へと伝わった熱の一部は、輻射により直接グローブ２０３０へと伝わり、グローブ２０３０の外周面から外部へと放熱される。

以上説明したように、ヒートシンク部７０を設けてより多くの熱をグローブ側へと伝導させることにより、良好な放熱特性を実現し、ケース５０を大型化することなくＬＥＤ１２の温度上昇を効率よく抑制することができる。

さらには、ＬＥＤで発生した熱のうちより多くの熱をグローブ側へと伝えることにより、ケース５０側へと伝わる熱を低減して、ケース５０内部に収容される回路ユニット４０が受ける熱負荷を低減することができる。これにより、回路ユニット４０が備える各種電子部品が熱破壊される危険性を低減することができる。

なお、ヒートシンク部７０の表面７３に対する光反射処理および光拡散処理は、ヒートシンク部７０のベース部分７１の底面７１ｂ以外の表面に施すのがよい。底面７１ｂに光反射処理や光拡散処理を施した場合、基台２０２０とヒートシンク部７０との間に光反射処理や光拡散処理に用いられた塗料等の部材が介在することになり、基台２０２０からヒートシンク部７０への熱電導性が低下する虞があるためである。なお、熱伝導性の高い部材を用いて光反射処理や光拡散処理を行う場合には、底面７１ｂに対しても光反射処理や光拡散処理を施してもよい。また、鏡面処理等、基台２０２０とヒートシンク部７０との間に塗料等の別部材が介在しない場合には、底面７１ｂに対して鏡面処理等を施してもよい。

また、ヒートシンク部７０の基台２０２０の前面１２２への固定は、熱伝導性の接着剤に限られない。例えば、ネジ留めや係合構造により固定されてもよい。

［まとめ］
このように、変形例２５に係るランプ２０００の構成においては、ヒートシンク部７０により、ＬＥＤ２０１２で発生した熱をより積極的にグローブ２０３０側へと伝え、グローブ２０３０から外部へと放熱させることができる。これにより、ケース５０側へと伝わる熱を抑制することができる。そしてその結果、ケース５０を大型化することなく、ランプの高輝度化に伴うＬＥＤ２０１２の発熱量増大に対応し得る、優れた放熱構造を実現することができる。

また、ＬＥＤ２０１２を環状に配置し、ヒートシンク部７０を環の内側に配置することにより、ＬＥＤ２０１２から主出射方向およびＬＥＤ２０１２の環の外側方向に出射される光がヒートシンク部７０により遮られることがない。さらには、ヒートシンク部７０の表面７３には光反射処理が施されているため、次のような効果が得られる。即ち、ＬＥＤ２０１２から環の内側方向に出射されヒートシンク部７０に到達した光は、光反射層２０３７ｂ側へと反射される。そして、光反射層２０３７ｂで再び反射されて、グローブ２０３０の天面２０３８へと入射し、グローブ２０３０を透過して天面２０３８から外部へと出射される。これにより、天面２０３８から十分な光が出射されるため、良好な配光特性を実現することができる。さらには、ヒートシンク部１９７０の影がグローブ１９３０に投影されることが無いため、良好な意匠性も実現することができる。

（変形例２６）
変形例２４においては、ヒートシンク部１９７０は、一端に開口を有する椀状の部材であり、椀の内側は空洞であったが、これに限られない。例えば、図３２に示す変形例２６に係るランプ２１００のように、中実のヒートシンク部１７０を備えていてもよい。

（変形例２７）
変形例２４においては、１個の封止体１３により封止されている３つのＬＥＤ１２ａ，１２ｂ，１２ｃのうち、外側に配置されているＬＥＤ１２ａ，１２ｂは光入射面１９３４に対向配置されており、ＬＥＤ１２ｃは主出射方向から見た平面視において光反射層１９３７の内側に配置されているとしたが、これに限られない。

図２７（ｂ）は、変形例２７に係るランプ２２００の発光部１９１０の周辺部分を拡大した一部拡大断面図である。ランプ２２００においては、ＬＥＤ１２ａ，１２ｂ，１２ｃは全てグローブ２２３０の光入射面２２３４に対向配置されている。そして、封止体１３のＬＥＤ１２ｃの内側の部分が主出射方向から見た平面視において光反射層１９３７の内側に配置されている。

なお、変形例２７に係るランプ２２００のグローブ２２３０は、光入射面２２３４が、ＬＥＤ１２ａ，１２ｂ，１２ｃに対向している点を除いては、基本的な構成は、変形例２４に係るランプ１９００のグローブ１９３０と同様である。グローブ２２３０は、グローブ１９３０と同様に、主出射方向側内面部２２３６ｂおよび外周面２２３９等を有する。

本変形例の構成によっても、ＬＥＤ１２ｃから発せられた光の一部が封止体１３内に混入された蛍光体粒子により拡散され、封止体１３の主出射方向から見た平面視において光反射層１９３７の内側に配置されている部分から凹部１９３２内に出射される（Ｌ３ｃ３）。これにより、実施の形態１と同様に、グローブ２２３０の天面２２３８から出射される光の量を増加させて、良好な配光特性を実現することができる。

（変形例２８）
また、上記変形例２４および変形例２５の構成においても、基台とヒートシンク部とが一体的に形成されていてもよい。例えば、図３３（ａ）にその断面図を示す変形例２８に係るランプ２３００のように、基台２３２０とヒートシンク部２３７０とが一体的に形成されて基台ヒートシンクユニット２３９０を形成してもよい。同図に示すように、基台ヒートシンクユニット２３９０は、金属から成る円盤の中央部分が前方側に突出した形状をしている。そして、中央の突出部分がヒートシンク部２３７０となり、その周囲の平板部分が基台２３２０となっている。即ち、配線用孔２３７７が基台２３２０ではなくヒートシンク部２３７０に設けられている点および、突出端部２３７２がグローブ１９３０の内面１９３６から離間している点を除いては、変形例９に係るランプ１１００の基台ヒートシンクユニット１１９０と基本的な構成は同じである。

変形例２８に係るランプ２３００の構成によっても、変形例９に係るランプ１１００（図１９参照）と同様に、基台とヒートシンク部とを１枚の金属板を用いてプレス加工により形成することが出来るため、製造加工が容易で、部品点数を減じることもできる。また、開口２３７６からヒートシンク部２３７０の内側空間２３７４内に回路ユニット８４０の一部を収納して、ランプの小型化に資することが出来る。

なお、ランプ２３００においては、ヒートシンク部２３７０の突出端部２３７２がグローブ１９３０の内面１９３６から離間しているが、これに限られず、突出端部２３７２が内面１９３６に接していてもよい。

また、配線用孔は、ヒートシンク部２３７０に設けられる代わりに、変形例９に係る基台ヒートシンクユニット１１９０と同様に、基台２３２０に設けられていてもよい。

（変形例２９）
さらには、変形例２８に係るランプ２３００において、基台ヒートシンクユニット２３９０に代えて、変形例１０に係る基台ヒートシンクユニット１２９０（図１９参照）を備えた構成とすることも可能である。図３３（ｂ）に変形例２９に係るランプ２４００の断面図を示す。ランプ２４００は、基台ヒートシンクユニット１２９０および回路ユニット４０を備える点以外は、基本的な構成は変形例２８に係るランプ２３００と同様である。

なお、ランプ２４００においては、ヒートシンク部１２７０の突出端部１２７２がグローブ１９３０の内面１９３６から離間しているが、これに限られず、突出端部１２７２が内面１９３６に接していてもよい。

また、配線用孔が基台１２２０ではなくヒートシンク部１２７０に設けられていてもよい。

（変形例３０）
変形例２４に係るランプ１９００の構成において、グローブとヒートシンク部とが一体的に形成されていてもよい。図３４（ａ）は、変形例３０に係るランプ２５００の断面図である。図３４（ａ）に示すように、ランプ２５００は、グローブ２５３０とヒートシンク部２５７０とが一体的に形成されて成るグローブヒートシンクユニット１５９０を備える。また、ランプ２５００は、基台２０および回路ユニット４０を備える点においても、変形例２４に係るランプ１９００と異なっている。

グローブ２５３０は、ヒートシンク部２５７０が一体的に延設されている点を除いては、基本的な構成は変形例２４に係るグローブ１９３０と同じである。グローブ２５３０は、開口側内面部２５３６ａおよび主出射方向側内面部２５３６ｂから成る内面２５３６、天面２５３８等を備える。

ヒートシンク部２５７０は、単一の部材として形成され複数パーツに分割されていない点を除いては、変形例１８に係るヒートシンク部１３７０（図２０（ａ）参照）と基本的な構成は同じであり、内部空間２５７４を有する円筒状の部材である。また、ヒートシンク部２５７０の底面２５７１は、基台２０の前面２２に接しており、発光部１９１０から基台２０へと伝わった熱を、基台２０からグローブ２５３０へと伝える。

ここで、ヒートシンク部２５７０は、熱伝導性の高い樹脂から形成されていることが好ましい。これにより、基台２０からグローブ２５３０へと熱が効率的に伝導される。さらに、ヒートシンク部２５７０は、透光性の樹脂から構成されていることが好ましい。これにより、発光部１９１０から発せられた光がヒートシンク部２５７０により遮光されずに、天面２５３８およびその周辺部分からも十分な光が外部へと照射される。

なお、ヒートシンク部２５７０の外周面２５７２および／または内周面２５７３に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。光反射性向上処理が外周面２５７２に施されている場合には、ヒートシンク部２５７０は、必ずしも透光性の樹脂から構成されていなくてもよい。

また、グローブヒートシンクユニット２５９０は単一の部品から成る場合に限られず、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されてもよい。

さらには、ヒートシンク部２５７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台２０から天面２５３８へと向かうにつれて縮径または拡径するような形状であってもよい。さらには、縮径した後拡径するなど、縮径と拡径とが組み合わされた形状であってもよい。

（変形例３１）
上記変形例３０に係るランプ２５００の構成において、グローブヒートシンクユニットのヒートシンク部は、中実の部材であってもよい。図３４（ｂ）に、変形例３１に係るランプ２６００の断面図を示す。ランプ２６００は、グローブ２６３０および中実の円柱状のヒートシンク部２６７０から成るグローブヒートシンクユニット２６９０を備える点において異なっている以外は、変形例３０に係るランプ２５００と基本的な構成は同じである。

グローブ２６３０は、ヒートシンク部２６７０が一体的に延設されている点を除いては、基本的な構成は変形例２４に係るグローブ１９３０と同じである。グローブ２６３０は、開口側内面部２６３６ａおよび主出射方向側内面部２６３６ｂから成る内面２６３６、天面２６３８等を備える。

ヒートシンク部２６７０は、グローブの厚みが異なる分だけ長さが異なる点を除いては、変形例１９に係るランプ１４００のヒートシンク部１４７０（図２１参照）と基本的な構成は同じである。ヒートシンク部２６７０の底面２６７１は、基台２０の前面２２に接しており、発光部１９１０から基台２０へと伝わった熱を、基台２０からグローブ２６３０へと伝える。

また、ヒートシンク部２６７０は、熱伝導性の高い樹脂から形成されていることが好ましい。これにより、基台２０からグローブ２６３０へと熱が効率的に伝導される。さらに、ヒートシンク部２６７０は、透光性の樹脂から構成されていることが好ましい。これにより、発光部１９１０から発せられた光がヒートシンク部２６７０により遮光されないため、天面２６３８部分からも十分な光が外部へと照射される。

なお、ヒートシンク部２６７０の外周面２６７２に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。この場合、ヒートシンク部２６７０は、必ずしも透光性の樹脂から構成されていなくてもよい。

また、ヒートシンク部２６７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台２０から天面２６３８へと向かうにつれて縮径または拡径するような形状であってもよい。さらには、縮径した後拡径するなど、縮径と拡径とが組み合わされた形状であってもよい。

さらには、グローブヒートシンクユニット２６９０は単一の部品から成る場合に限られず、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されてもよい。

（変形例３２）
図３５（ａ）に、変形例３２に係るランプ２７００の断面図を示す。図３５（ａ）に示すように、実装基板２７１１上のヒートシンク部２７７０の内部空間２７７４に位置する部分に、付加ＬＥＤ１６を配設してもよい。付加ＬＥＤ１６を設けることにより、天面２５３８およびその周辺部分から出射される光量を増大させて、より良好な配光特性を実現することが出来る。

なお、ヒートシンク部２７７０は、実装基板２７１１に孔部が設けられていないことから、その分長さが短くなっており、底面２７７１は、実装基板２７１１に接している。グローブヒートシンクユニット２７９０は、ヒートシンク部２７７０の長さが異なる以外は、変形例３０に係るランプ２５００（図３４（ａ）参照）のグローブヒートシンクユニット２５９０と基本的な構成は同じである。ヒートシンク部２７７０は、内部空間２７７４、外周面２７７２、内周面２７７３等を有する。

また、ヒートシンク部２７７０の外周面２７７２および／または内周面２７７３に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。ただし、少なくとも、内周面２７７３の天面２５３８に対応する部分である天面部内周面２７７３ａには光反射性を向上させる処理は施されない。好ましくは、天面部内周面２７７３ａを含む内周面２７７３の前方側の部分には光反射性向上処理が施されていないのがよい。

また、ヒートシンク部２７７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台２０から天面２５３８へと向かうにつれて縮径または拡径するような形状であってもよい。さらには、縮径した後拡径するなど、縮径と拡径とが組み合わされた形状であってもよい。

さらには、グローブヒートシンクユニット２７９０は単一の部品から成ってもよいし、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されていてもよい。

また、図３５（ａ）においては、付加ＬＥＤ１６がＬＥＤ１２ｘを１個のみ有する場合を示しているが、これに限られず、付加ＬＥＤ１６が複数のＬＥＤ１２ｘを有してもよい。

（変形例３３）
また、変形例３１に係るランプ２６００（図３４（ｂ）参照）のようにヒートシンク部が中実の円柱である場合において、付加ＬＥＤ１６を設けてもよい。図３５（ｂ）に、変形例３３に係るランプ２８００の断面図を示す。同図に示すように、ヒートシンク部２８７０の底面２８７１の中央部が前方側に凹入して凹部２８７３が形成されており、付加ＬＥＤ１６が凹部２８７３内における実装基板２７１１上に配設されている。これにより、天面部分からの光の出射量をより効率的に増大させることができる。

ヒートシンク部２８７０は、実装基板１５１１に孔部が設けられていないことから、その分長さが短くなっており、底面２８７１は、実装基板１５１１に接している。グローブヒートシンクユニット２８９０は、ヒートシンク部２８７０が凹部２８７３を有し、ヒートシンク部２８７０の長さが異なる以外は、変形例３１に係るランプ２６００のグローブヒートシンクユニット２６９０と基本的な構成は同じである。

なお、ヒートシンク部２８７０の外周面２８７２に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。ただし、凹部２８７３の凹入面２８７４には、光反射性向上処理は施されない。

また、ヒートシンク部２８７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台２０から天面２６３８へと向かうにつれて縮径または拡径するような形状であってもよい。さらには、縮径した後拡径するなど、縮径と拡径とが組み合わされた形状であってもよい。

さらには、グローブヒートシンクユニット２８９０は単一の部品から成ってもよいし、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されていてもよい。

また、図３５（ｂ）においては、付加ＬＥＤ１６がＬＥＤ１２ｘを１個のみ有する場合を示しているが、これに限られず、付加ＬＥＤ１６が複数のＬＥＤ１２ｘを有してもよい。

（変形例３４）
ヒートシンク部がグローブと基台の両方に設けられていてもよい。変形例３４に係るランプ２９００の断面図を図３６（ａ）に示す。同図に示すように、ランプ２９００は、金属から成る円筒状の基台ヒートシンク部２９７０が基台２９２０の中央部からランプ軸Ｊに沿って前方へと一体的に延設されている。基台ヒートシンク部２９７０の径は、グローブヒートシンクユニット２５９０のヒートシンク部２５７０の内部空間２５７４の内径に対応している。基台ヒートシンク部２９７０の長さは内部空間２５７４の長さに対応している。そして、基台ヒートシンク部２９７０は、内部空間２５７４に挿嵌されている。

これにより、基台ヒートシンクユニット１７９０とグローブヒートシンクユニット１３９０との接触面積を増大させることができる。その結果、発光部１０から発せられた熱を基台１７２０から基台ヒートシンク部１７７０およびヒートシンク部１３７０を介してグローブ１３３０へとより効率的に伝達させることができる。

なお、上述のように、基台ヒートシンク部２９７０の径および長さが、グローブヒートシンクユニット２５９０のヒートシンク部２５７０の内部空間２５７４の内径および長さにそれぞれ対応している。これにより、基台ヒートシンク部１７７０とヒートシンク部１３７０との接触面積を最大化させることができる。その結果、発光部１０からグローブ１３３０への伝熱効率を最大化させることができる。

なお、基台ヒートシンク部２９７０の長さは、必ずしも内部空間２５７４の長さに対応していなくてもよい。基台ヒートシンク部２９７０の長さが内部空間２５７４の長さよりも短く、基台ヒートシンク部２９７０の前方側端部と天面部内周面２５７３ａとの間に隙間が存在してもよい。

また、基台ヒートシンク部２９７０が形成される金属材料は、基台２９２０が形成される金属材料と同一でもよいし、異なっていてもよい。双方の金属材料が同一であれば、形成が容易である。

基台ヒートシンクユニット２９９０は、基台ヒートシンク部２９７０の前方側端部２９７２から基台２９２０の後面２９２３まで貫通する貫通孔２９７４を有するが、これに限られない。例えば、貫通孔２９７４の前方側端部および／または後面側端部が閉塞されていてもよい。この場合においても、基台ヒートシンク部２９７０が中空の円筒状であるため、中実の円柱状である場合と比較して軽量化および省資源化を図ることが出来る。

基台ヒートシンクユニット２９９０は、基台２９２０と基台ヒートシンク部２９７０とが一体的に形成されていたが、これに限られない。例えば、変形例２３に係るランプ１８００の基台ヒートシンクユニット１８９０（図２３（ｂ）参照）のように、基台と基台ヒートシンク部とが別部材として形成されていてもよい。この場合、基台ヒートシンク部の基台上における固定は、基台ヒートシンクユニット１８９０のように、螺号によって行われてもよい。即ち、外周面にネジ溝が形成された基台ヒートシンク部の後方側端部を、基台の中央部に形成され、内周面にネジ溝が形成された貫通孔である固定用孔に螺合させることにより基台ヒートシンク部が基台に固定されてもよい。

また、基台ヒートシンク部と基台にネジ溝が形成されずに、基台ヒートシンク部の後方側端部を基台中央部の固定用孔に嵌入または圧入することにより基台ヒートシンク部が基台に固定されてもよい。

なお、固定用孔は、貫通孔に限られず、基台の中央部において前面側に設けられた凹部であってもよい。

さらには、ヒートシンク部２５７０の外周面２５７２に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。

また、ヒートシンク部２５７０および基台ヒートシンク部２９７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台２９２０から天面２５３８へと向かうにつれて縮径するような形状であってもよい。その場合においても、基台ヒートシンク部の形状がヒートシンク部の内部空間の形状に対応しているとよい。そのようにすることにより、基台ヒートシンク部とヒートシンク部との接触がより密になり、基台ヒートシンク部からヒートシンク部への熱伝導がより効率よく行われるという利点がある。

さらには、グローブヒートシンクユニット２５９０は単一の部品から成る場合に限られず、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されてもよい。

（変形例３５）
変形例３４に係るランプ２９００おいては、基台ヒートシンク部２９７０は円筒状であり、基台２９２０と一体的に形成されていた。しかし、これに限られない。基台ヒートシンク部は、中実の円柱状であってもよい。また、基台ヒートシンク部と基台とが一体的に形成されていなくてもよい。図３６（ｂ）は、変形例３５に係るランプ３０００の断面図である。同図に示すように、基台ヒートシンク部３０７０は、金属から成り中実の円柱形状をしている。基台ヒートシンク部３０７０の後方側端部３０７１の外周面には、ネジ溝が形成されている。基台３０２０の中央部には、内周面にネジ溝が形成された貫通孔である固定用孔３０２１が形成されている。そして、固定用孔３０２１に基台ヒートシンク部３０７０の後方側端部３０７１が螺合されることにより、基台３０２０に基台ヒートシンク部３０７０が固定される。基台３０２０と基台ヒートシンク部３０７０とで基台ヒートシンクユニット３０９０が構成される。基台ヒートシンク部３０７０が形成される金属材料は、基台３０２０が形成される金属材料と同一でもよいし、異なっていてもよい。

上記変形例３４の場合と同様に、変形例３５においても、ヒートシンク部２５７０の外周面２５７２に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。

さらに、ヒートシンク部２５７０および基台ヒートシンク部３０７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台３０２０から天面２５３８へと向かうにつれて縮径するような形状であってもよい。その場合においても、基台ヒートシンク部の形状がヒートシンク部の内部空間の形状に対応しているとよい。そのようにすることにより、基台ヒートシンク部とヒートシンク部との接触がより密になり、基台ヒートシンク部からヒートシンク部への熱伝導がより効率よく行われるという利点がある。

そしてさらに、変形例３５においても、グローブヒートシンクユニット２５９０は単一の部品から成る場合に限られず、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されていてもよい。

（変形例３６）
変形例２５に係るランプ２０００のように内側発光部分２０１０ｂを備えた構成においても、グローブとヒートシンクとが一体的に形成されていてもよい。図３７（ａ）は、変形例３６に係るランプ３１００の断面図である。同図に示すように、ランプ３１００は、グローブ３１３０とヒートシンク部３１７０とが一体的に形成されて成るグローブヒートシンクユニット３１９０を備える。

グローブ３１３０は、ヒートシンク部３１７０が一体的に延設されている点を除いては、基本的な構成は変形例２５に係るグローブ２０３０（図３０参照）と同じである。グローブ３１３０は、開口側内面部３１３６ａおよび主出射方向側内面部３１３６ｂから成る内面３１３６、天面３１３８等を備える。

ヒートシンク部３１７０は、単一の部材として形成され複数パーツに分割されていない点を除いては、変形例１８に係るヒートシンク部１３７０（図２０（ａ）参照）と基本的な構成は同じであり、内部空間３１７４を有する円筒状の部材である。また、ヒートシンク部３１７０の底面３１７１は、基台２０２０の前面２０２２に接しており、発光部２０１０から基台２０２０へと伝わった熱を、基台２０２０からグローブ３１３０へと伝える。

ここで、ヒートシンク部３１７０は、熱伝導性の高い樹脂から形成されていることが好ましい。これにより、基台２０２０からグローブ３１３０へと熱が効率的に伝導される。さらに、ヒートシンク部３１７０は、透光性の樹脂から構成されていることが好ましい。これにより、発光部２０１０から発せられた光がヒートシンク部３１７０により遮光されずに、天面３１３８およびその周辺部分からも十分な光が外部へと照射される。

なお、ヒートシンク部３１７０の外周面３１７２および／または内周面３１７３に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。光反射性向上処理が外周面３１７２に施されている場合には、ヒートシンク部３１７０は、必ずしも透光性の樹脂から構成されていなくてもよい。

また、グローブヒートシンクユニット３１９０は単一の部品から成る場合に限られず、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されてもよい。

さらには、ヒートシンク部３１７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台２０２０から天面３１３８へと向かうにつれて縮径または拡径するような形状であってもよい。さらには、縮径した後拡径するなど、縮径と拡径とが組み合わされた形状であってもよい。

（変形例３７）
上記変形例３６に係るランプ３１００の構成において、グローブヒートシンクユニットのヒートシンク部は、中実の部材であってもよい。図３７（ｂ）に、変形例３７に係るランプ３２００の断面図を示す。ランプ３２００は、グローブ３２３０および中実の円柱状のヒートシンク部３２７０から成るグローブヒートシンクユニット３２９０を備える点において異なっている以外は、変形例３６に係るランプ３１００と基本的な構成は同じである。

グローブ３２３０は、ヒートシンク部３２７０が一体的に延設されている点を除いては、基本的な構成は変形例２５に係るグローブ２０３０（図３０参照）と同じである。グローブ３２３０は、開口側内面部３２３６ａおよび主出射方向側内面部３２３６ｂから成る内面３２３６、天面３２３８等を備える。

ヒートシンク部３２７０は、グローブの厚みが若干異なる分だけ長さが異なる点を除いては、変形例３１に係るランプ２６００のヒートシンク部２６７０（図３４（ｂ）参照）と基本的な構成は同じである。ヒートシンク部３２７０の底面３２７１は、基台２０２０の前面２０２２に接しており、発光部２０１０から基台２０２０へと伝わった熱を、基台２０２０からグローブ３２３０へと伝える。

また、ヒートシンク部３２７０は、熱伝導性の高い樹脂から形成されていることが好ましい。これにより、基台２０２０からグローブ３２３０へと熱が効率的に伝導される。さらに、ヒートシンク部３２７０は、透光性の樹脂から構成されていることが好ましい。これにより、発光部２０１０から発せられた光がヒートシンク部３２７０により遮光されないため、天面３２３８部分からも十分な光が外部へと照射される。

なお、ヒートシンク部３２７０の外周面３２７２に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。この場合、ヒートシンク部３２７０は、必ずしも透光性の樹脂から構成されていなくてもよい。

さらには、ヒートシンク部３２７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台２０２０から天面３２３８へと向かうにつれて縮径または拡径するような形状であってもよい。さらには、縮径した後拡径するなど、縮径と拡径とが組み合わされた形状であってもよい。

さらには、グローブヒートシンクユニット３２９０は単一の部品から成る場合に限られず、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されてもよい。

（変形例３８）
変形例３６に係るランプ３１００のように円筒状のヒートシンク部がグローブと一体的に形成された構成において、ヒートシンク部の内部空間に付加ＬＥＤを設けてもよい。

図３８（ａ）に、変形例３８に係るランプ３３００の断面図を示す。同図に示すように、実装基板３３１１のヒートシンク部３３７０の内部空間３３７４に位置する部分に、付加ＬＥＤ１６が配設されている。これにより、天面３１３８およびその周辺部分から出射される光量を増大させて、より良好な配光特性を実現することが出来る。

なお、ヒートシンク部３３７０は、実装基板３３１１に孔部が設けられていないことから、その分長さが短くなっており、底面３３７１は、実装基板３３１１に接している。グローブヒートシンクユニット３３９０は、ヒートシンク部３３７０の長さが異なる以外は、変形例３６に係るランプ３１００（図３７（ａ）参照）のグローブヒートシンクユニット３１９０と基本的な構成は同じである。ヒートシンク部３３７０は、内部空間３３７４、外周面３３７２、内周面３３７３等を有する。

また、ヒートシンク部３３７０の外周面３３７２および／または内周面３３７３に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。ただし、少なくとも、内周面３３７３の天面３１３８に対応する部分である天面部内周面３３７３ａには光反射性を向上させる処理は施されない。好ましくは、天面部内周面３３７３ａを含む内周面３３７３の前方側の部分には光反射性向上処理が施されていないのがよい。

また、ヒートシンク部３３７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台２０２０から天面３１３８へと向かうにつれて縮径または拡径するような形状であってもよい。さらには、縮径した後拡径するなど、縮径と拡径とが組み合わされた形状であってもよい。

さらには、グローブヒートシンクユニット３３９０は単一の部品から成ってもよいし、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されていてもよい。

また、図３８（ａ）においては、付加ＬＥＤ１６がＬＥＤ１２ｘを１個のみ有する場合を示しているが、これに限られず、付加ＬＥＤ１６が複数のＬＥＤ１２ｘを有してもよい。

（変形例３９）
また、変形例３７に係るランプ３２００（図３７（ｂ）参照）のようにヒートシンク部が中実の円柱である場合において、付加ＬＥＤ１６を設けてもよい。図３８（ｂ）に、変形例３９に係るランプ３４００の断面図を示す。同図に示すように、ヒートシンク部３４７０の底面３４７１の中央部が前方側に凹入して凹部３４７３が形成されており、付加ＬＥＤ１６が凹部３４７３内に配設されている。これにより、天面部分からの光の出射量をより効率的に増大させることができる。

ヒートシンク部３４７０は、実装基板３３１１に孔部が設けられていないことから、その分長さが短くなっており、底面３４７１は、実装基板３３１１に接している。グローブヒートシンクユニット３４９０は、ヒートシンク部３４７０が凹部３４７３を有し、ヒートシンク部３４７０の長さが異なる以外は、変形例３７に係るランプ３２００のグローブヒートシンクユニット３２９０と基本的な構成は同じである。

なお、ヒートシンク部３４７０の外周面３４７２に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。ただし、凹部３４７３の凹入面３４７４には、光反射性向上処理は施されない。

また、ヒートシンク部３４７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台２０２０から天面３２３８へと向かうにつれて縮径または拡径するような形状であってもよい。さらには、縮径した後拡径するなど、縮径と拡径とが組み合わされた形状であってもよい。

さらには、グローブヒートシンクユニット３４９０は単一の部品から成ってもよいし、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されていてもよい。

また、図３８（ｂ）においては、付加ＬＥＤ１６がＬＥＤ１２ｘを１個のみ有する場合を示しているが、これに限られず、付加ＬＥＤ１６が複数のＬＥＤ１２ｘを有してもよい。

（変形例４０）
変形例２５に係るランプ２０００のように内側発光部分２０１０ｂを備えた構成においても、ヒートシンク部がグローブと基台の両方に設けられていてもよい。変形例４０に係るランプ３５００の断面図を図３９（ａ）に示す。同図に示すように、ランプ３５００は、金属から成る円筒状の基台ヒートシンク部３５７０が基台３５２０の中央部にランプ軸Ｊに沿って前方へと立設されている。基台ヒートシンク部３５７０の後方側端部３５７１の外周面には、ネジ溝が形成されている。基台３５２０の中央部には、内周面にネジ溝が形成された貫通孔である固定用孔３５２１が形成されている。そして、固定用孔３５２１に基台ヒートシンク部３５７０の後方側端部３５７１が螺合されることにより、基台３５２０に基台ヒートシンク部３５７０が立設され、固定されている。

基台ヒートシンク部３５７０の径は、グローブヒートシンクユニット３１９０のヒートシンク部３１７０の内部空間３１７４の内径に対応している。基台ヒートシンク部３５７０の長さは内部空間３１７４の長さに対応している。そして、基台ヒートシンク部３５７０は、内部空間３１７４に挿嵌されている。

これにより、基台ヒートシンクユニット３５９０とグローブヒートシンクユニット３１９０との接触面積を増大させることができる。その結果、発光部２０１０から発せられた熱を基台３５２０から基台ヒートシンク部３５７０およびヒートシンク部３１７０を介してグローブ３１３０へとより効率的に伝達させることができる。

なお、上述のように、基台ヒートシンク部３５７０の径および長さが、グローブヒートシンクユニット３１９０のヒートシンク部３１７０の内部空間３１７４の内径および長さにそれぞれ対応している。これにより、基台ヒートシンク部３５７０とヒートシンク部３１７０との接触面積を最大化させることができる。その結果、発光部２０１０からグローブ３１３０への伝熱効率を最大化させることができる。

なお、基台ヒートシンク部３５７０の長さは、必ずしも内部空間３１７４の長さに対応していなくてもよい。基台ヒートシンク部３５７０の長さが内部空間３１７４の長さよりも短く、基台ヒートシンク部３５７０の前方側端部３５７２と天面部内周面３１７３ａとの間に隙間が存在してもよい。

また、基台ヒートシンク部３５７０が形成される金属材料は、基台３５２０が形成される金属材料と同一でもよいし、異なっていてもよい。

基台ヒートシンク部３５７０は、前方側端部３５７２から後方側端部３５７１まで貫通する貫通孔３５７４を有するが、これに限られない。例えば、貫通孔３５７４の前方側端部および／または後面側端部が閉塞されていてもよい。この場合においても、基台ヒートシンク部３５７０が中空の円筒状であるため、中実の円柱状である場合と比較して軽量化および省資源化を図ることが出来る。

なお、本変形例に係るランプ３５００の基台ヒートシンクユニット３５９０においては、基台３５２０と基台ヒートシンク部３５７０とが別部材として構成されていたが、これに限られない。基台と基台ヒートシンク部とが一体的に形成されていてもよい。

さらには、ヒートシンク部３１７０の外周面３１７２に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。

また、ヒートシンク部３１７０および基台ヒートシンク部３５７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台３５２０から天面３１３８へと向かうにつれて縮径するような形状であってもよい。その場合においても、基台ヒートシンク部の形状がヒートシンク部の内部空間の形状に対応しているとよい。そのようにすることにより、基台ヒートシンク部とヒートシンク部との接触がより密になり、基台ヒートシンク部からヒートシンク部への熱伝導がより効率よく行われるという利点がある。

さらには、グローブヒートシンクユニット３１９０は単一の部品から成る場合に限られず、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されてもよい。

（変形例４１）
変形例４０に係るランプ３５００においては、基台ヒートシンク部３５７０は円筒状であり、固定用孔３５２１は貫通孔であった。しかし、これに限定されるものではない。基台ヒートシンク部は、中実の円柱であってもよい。また、固定用孔は、基台の前面側に設けられた凹部であってもよい。図３９（ｂ）は、変形例４１に係るランプ３６００の断面図である。同図に示すように、基台ヒートシンク部は、金属から成り中実の円柱形状を有する部材である。基台ヒートシンク部３６７０の後方側端部３６７１の外周面には、ネジ溝が形成されている。基台３６２０の中央部には、内周面にネジ溝が形成された凹部である固定用穴３６２１が形成されている。そして、固定用穴３６２１に基台ヒートシンク部３６７０の後方側端部３６７１が螺合されることにより、基台３６２０に基台ヒートシンク部３６７０が立設され固定される。基台３６２０と基台ヒートシンク部３６７０とで基台ヒートシンクユニット３６９０が構成される。基台ヒートシンク部３６７０が形成される金属材料は、基台３６２０が形成される金属材料と同一でもよいし、異なっていてもよい。

基台ヒートシンク部３６７０の径は、グローブヒートシンクユニット３１９０のヒートシンク部３１７０の内部空間３１７４の内径に対応している。基台ヒートシンク部３６７０の長さは内部空間３１７４の長さに対応している。そして、基台ヒートシンク部３６７０は、内部空間３１７４に挿嵌されている。

これにより、基台ヒートシンクユニット３６９０とグローブヒートシンクユニット３１９０との接触面積を増大させることができる。その結果、発光部２０１０から発せられた熱を基台３６２０から基台ヒートシンク部３６７０およびヒートシンク部３１７０を介してグローブ３１３０へとより効率的に伝達させることができる。

なお、上述のように、基台ヒートシンク部３６７０の径および長さが、ヒートシンク部３１７０の内部空間３１７４の内径および長さにそれぞれ対応している。これにより、基台ヒートシンク部３６７０とヒートシンク部３１７０との接触面積を最大化させることができる。その結果、発光部２０１０からグローブ３１３０への伝熱効率を最大化させることができる。

なお、基台ヒートシンク部３６７０の長さは、必ずしも内部空間３１７４の長さに対応していなくてもよい。基台ヒートシンク部３６７０の長さが内部空間３１７４の長さよりも短く、基台ヒートシンク部３６７０の前方側端部３６７２と天面部内周面３１７３ａとの間に隙間が存在してもよい。

なお、本変形例においては、基台ヒートシンク部３６７０を固定するための固定用穴３６２１は、基台３６２０の中央部前面側に設けられた凹部であったが、これに限られず、貫通孔であってもよい。

また、本変形例に係るランプ３６００の基台ヒートシンクユニット３６９０においては、基台３６２０と基台ヒートシンク部３６７０とが別部材として構成されていたが、これに限られない。基台と基台ヒートシンク部とが一体的に形成されていてもよい。

さらには、ヒートシンク部３１７０の外周面３１７２に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。

また、ヒートシンク部３１７０および基台ヒートシンク部３６７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台３６２０から天面３１３８へと向かうにつれて縮径するような形状であってもよい。その場合においても、基台ヒートシンク部の形状がヒートシンク部の内部空間の形状に対応しているとよい。そのようにすることにより、基台ヒートシンク部とヒートシンク部との接触がより密になり、基台ヒートシンク部からヒートシンク部への熱伝導がより効率よく行われるという利点がある。

さらには、グローブヒートシンクユニット３１９０は単一の部品から成る場合に限られず、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されてもよい。

（変形例４２）
ヒートシンク部がグローブと基台の両方に設けられている構成において、円筒状のヒートシンク部がグローブと一体的に形成されており、その円筒の内部に円柱状または円筒状の基台ヒートシンク部が挿嵌される構成に限られない。

図４０は、変形例４２に係るランプ３７００の断面図である。同図に示すように、ランプ３７００は、円筒状の基台ヒートシンク部３７７０が基台３７２０上に一体的に立設されて成る基台ヒートシンクユニット３７９０を備える。そして、基台ヒートシンク部３７７０の円筒内部に円柱状のヒートシンク部２６７０が挿嵌されている。

ヒートシンク部２６７０の径は、基台ヒートシンク部３７７０の内径に対応している。また、ヒートシンク部２６７０の長さは、基台ヒートシンク部３７７０の内部空間３７７４の長さに対応している。これにより、ヒートシンク部２６７０の外周面２６７２と基台ヒートシンク部３７７０の内面３７７３と接触が密になり、接触面積を最大化させることができる。その結果、発光部１９１０から発せられた熱を基台３７２０から基台ヒートシンク部３７７０およびヒートシンク部２６７０を介してグローブ２６３０へとより効率的に伝達させることができる。

なお、ヒートシンク部２６７０の長さは、必ずしも基台ヒートシンク部３７７０の内部空間３７７４の長さに対応していなくてもよい。ヒートシンク部２６７０の長さが基台ヒートシンク部３７７０の内部空間３１７４の長さよりも短く、ヒートシンク部２６７０の底面２６７１と内部空間３１７４の内底面３７７５との間に隙間が存在していてもよい。

また、基台ヒートシンク部３７７０の長さは、必ずしもヒートシンク部２６７０の長さに対応していなくてもよい。基台ヒートシンク部３７７０の長さがヒートシンク部２６７０の長さよりも短く、基台ヒートシンク部３７７０の前方側端部３７７６とグローブ２６３０の内面２６３６との間に隙間が存在していてもよい。

本変形例に係るランプ３７００においては、基台３７２０と基台ヒートシンク部３７７０とが単一の部材として一体的に形成されていたが、これに限ら得ず、それぞれ別部材として形成されていてもよい。

また、本変形例においては、基台ヒートシンク部３７７０は、有底筒状であったが、これに限られず、内部空間が基台の後面まで貫通する貫通孔であってもよい。

さらには、基台ヒートシンク部３７７０が形成される金属材料は、基台３７２０が形成される金属材料と同一でもよいし、異なっていてもよい。基台と基台ヒートシンク部とを単一の部材として形成するば場合には、双方が同一の材料から形成されていると製造が容易である。

またさらに、基台ヒートシンク部３７７０の外周面３７７２に光反射性を向上させるための処理が施されていてもよい。光反射性を向上させる処理としては、例えば、白色の塗料が塗布されていてもよいし、金属薄膜等により反射膜が形成されていてもよい。

また、ヒートシンク部２６７０および基台ヒートシンク部３７７０の径は、筒軸方向に一定でなくてもよく、例えば、基台３７２０から天面２６３８へと向かうにつれて縮径するような形状であってもよい。その場合においても、ヒートシンク部の形状が基台ヒートシンク部の内部空間の形状に対応しているとよい。そのようにすることにより、基台ヒートシンク部とヒートシンク部との接触が密になり、基台ヒートシンク部からヒートシンク部への熱伝導がより効率よく行われるという利点がある。

さらには、グローブヒートシンクユニット２６９０は単一の部品から成る場合に限られず、変形例１８に係るグローブヒートシンクユニット１３９０（図２０（ｂ）参照）のように、複数のパーツが組み合わされて構成されてもよい。

（変形例４３）
上記各実施形態および各変形例に係るランプにおいては、基台は金属材料から形成されていたが、これに限られない。例えば、基台を形成する材料として良好な熱伝導性を有する樹脂やセラミック等の材料を用いてもよい。

（変形例４４）
さらには、変形例２２，２３，３４，３５，４０，４１に係るランプにおいて、基台ヒートシンク部が形成される材料は金属に限られない。例えば、良好な熱伝導性を有する樹脂やセラミック等の材料を用いて基台ヒートシンク部が形成されていてもよい。

なお、基台と基台ヒートシンク部とが一体的に形成されている場合には、双方が同一の材料から形成されていると、製造が容易である。

（変形例４５）
グローブとヒートシンク部とが一体的に形成されている変形例（変形例１８，１９，２０，２１，２２，２３，３０〜４１）において、グローブとヒートシンク部とが必ずしも最初から単一の部材として一体的に形成されていなくてもよい。例えば、グローブとヒートシンク部とが別部材として形成された後に組み合わされてもよい。この場合、グローブとヒートシンク部とを接着剤により固定してもよいし、ネジや爪等の係合構造を利用してもよい。接着剤を用いる場合には、透光性の接着剤を用いると点灯時にグローブ表面に影が生じにくくなり、配光特性および美観の観点から利点がある。

（変形例４６）
ランプがグローブ側に設けられたヒートシンク部を備えず、基台上に設けられたヒートシンク部のみを備える場合のヒートシンク部の形状は、外観形状が卵を横に半分に分割したような形状か、間放熱フィンを有する形状に限定されるものではない。実施形態２〜５，変形例１〜４，８，１７，２４，２６〜２９においては、基台上に設けられたヒートシンク部は、外観形状が卵を横に半分に分割したような形状であった。実施形態１および変形例２５においては、基台上に設けられたヒートシンク部は、放熱フィンを有する形状であった。しかし、これに限られず、基台上に設けられたヒートシンク部は、円柱状、円筒状、多角柱状、多角筒状等でもよいし、配光特性を著しく損なうことが無ければ、ハート形、星形、動物を模した形状等の不定型であってもよい。

（変形例４７）
また、基台の前面にヒートシンクを備えない構成としてもよい。図４１は、変形例４７に係るランプ３８００の断面図である。ランプ３８００は、ヒートシンクを備えない点以外は、基本的な構成は、変形例２４に係るランプ１９００（図２６参照）と同じである。

変形例４７に係るランプ３８００の構成によっても、開口側内面部１９３６ａに形成された光反射層１９３７の内側に、一部のＬＥＤ１２（本変形例においては、最も内側に配置されたＬＥＤ１２）が配置されている。これにより、主出射方向から見た平面視において光反射層１９３７の内側に配置されたＬＥＤ１２から出射された光により天面１９３８から十分な光が出射されるため、良好な配光特性を得ることができる。

また、回路ユニット８４０の一部が基台１９２０の貫通孔１９２６内およびグローブ１９３０の凹部１９３２内に位置しており、ケース５０内部に収容される回路ユニット８４０の部分の割合を低減させることができる。これにより、ケース５０の小型化に資することができる。

なお、回路ユニット８４０の表面に白色の塗料等を塗布して光反射処理を施してもよい。これにより、主出射方向から見た平面視において光反射層１９３７の内側に配置されたＬＥＤ１２から出射された光が回路ユニット８４０により遮られて損失する割合を低減することができる。

（変形例４８）
変形例２４〜４２に係るランプ１９００〜３８００のようなグローブの厚さが比較的厚い場合においても、グローブに厚さ方向に貫通する直径１〜２〔ｍｍ〕程度の微小な換気孔が１個または複数個設けられていてもよい。これにより、当該換気孔を通じてグローブ内部の空気と外部の空気とが対流することができるため、より放熱効果を高めることができる。

なお、上記各実施形態に係るランプの部分的な構成、および上記各変形例に係る構成を、適宜組み合わせてなるランプであっても良い。また、上記各実施の形態および各変形例における説明に記載した材料、数値等は好ましいものを例示しているだけであり、それに限定されることはない。また、各図面における各部材の寸法および比は、一例として挙げたものであり、必ずしも実在のランプの寸法および比と一致するとは限らない。さらに、本発明の技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、ランプの構成に適宜変更を加えることは可能である。

１，１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００，９００，１０００，１１００，１２００，１３００，１４００，１５００，１６００，１７００，１８００，１９００，２０００，２１００，２２００，２３００，２４００，２５００，２６００，２７００，２８００，２９００，３０００，３１００，３２００，３３００，３４００，３５００，３６００，３７００ ランプ
１０，１９１０，２０１０ 発光部
１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｘ，２０１２，２０１２ａ，２０１２ｂ，２０１２ｃ ＬＥＤ（半導体発光素子）
２０，８２０，１１２０，１２２０，１７２０，１８２０，１９２０，２０２０，２３２０，２９２０，３０２０，３５２０，３６２０，３７２０， 基台
２２，１２２，１８２２，１９２２，２０２２ 前面（搭載面）
３０，３３０，１３３０，１４３０，１９３０，２０３０，２２３０，２５３０，２６３０，３１３０，３２３０ グローブ
３２，３３２，１３３２，１４３２，１９３６，２０３６，２５３６，２６３６，３１３６，３２３６，３７７３ 内面
３３，１３３３，１４３３，１９３８，２０３８，２２３８，２５３８，２６３８，３１３８，３２３８ 天面
４０，８４０ 回路ユニット
７０，１７０，２７０，３７０，４７０，５７０，６７０，７７０，９７０，１１７０，１２７０，１３７０，１４７０，１５７０，１６７０，１７７０，１８７０，１９７０，２３７０，２５７０，２６７０，２７７０，２８７０，３１７０，３２７０，３３７０，３４７０ ヒートシンク部
７１ ベース部分
７２，１０５２ 放熱フィン
７３，１７３，２７３，７７５ 表面
１７２，２７２，３７２，４７２，５７２，６７２，７７２，９７２，１１７２，１２７２，１９７２ 突出端部
３７３，５７３，６７３，９７７ ベース開口部
３７４，５７４，６７４，９７８ ベース空間
３７５，４７６，５７５，６７５ 外周面
４７３，９７３ 突出端空間
４７５，９７５ 突出端開口部
８２６，１９２６，２９７４，３５７４ 貫通孔
１７７０，１８７０，１９７０，３０７０，３５７０，３６７０，３７７０ 基台ヒートシンク部

Claims (35)

1. 基台と、
   前記基台の搭載面に複数の半導体発光素子が環状に配置されて成る
   発光部と、
   光透過性を有し前記発光部を覆う状態で配されるグローブと、
   前記複数の半導体発光素子の環の内側において前記搭載面上に配されたヒートシンク部と、を備え、
   前記ヒートシンク部は、前記搭載面に直交する方向であって前記グローブに近づく方向に突出した形状を有し、
   前記ヒートシンク部の突出端部は、前記グローブ内面と接触している
   ことを特徴とするランプ。
2. 前記ヒートシンク部の表面は、光反射性または光拡散性を有する
   ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
3. 前記ヒートシンク部は、前記搭載面に平行な平面による断面が前記グローブに近づくにつれて縮小する形状を有する
   ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
4. 前記ヒートシンク部の突出端部は、前記グローブを貫通し、前記グローブ外部に露出している
   ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
5. 前記ヒートシンク部は、内部に突出端空間を有し、
   前記突出端部は突出端開口部を有し、
   前記突出端空間は、前記突出端開口部を介して外部と連通し、前記突出端開口部と連通している部分以外は閉塞されている
   ことを特徴とする請求項４に記載のランプ。
6. 前記ヒートシンク部は、前記グローブ内周面と離間した状態で前記グローブ内に収容されている
   ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
7. 前記ヒートシンク部は、前面と後面を有するベース部分と、前記ベース部分の前記前面に複数立設され前記ベース部分の後面に直交する平板状の放熱フィンとから成り、
   前記放熱フィンは、前記搭載面に直交する方向であって前記グローブに近づく方向に突出するように前記ベース部分上に複数立設されている
   ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
8. 前記ヒートシンク部は、中実の部材である
   ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
9. 外部から供給される電力を変換して前記複数の半導体発光素子を発光させるための電子部品が回路基板上に実装されて成る回路ユニットをさらに備え、
   前記回路ユニットは、前記基台とは離間して配されている
   ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
10. 前記基台には、前記複数の半導体発光素子の環の内側において、厚さ方向に貫通する貫通孔が形成されており、
    前記回路ユニットの一部は、前記貫通孔内に位置している
    ことを特徴とする請求項９に記載のランプ。
11. 前記ヒートシンク部は、前記搭載面上に配置される側の端部である底面に設けられたベース開口部と、前記ベース開口部を介して前記貫通孔と連通し当該ヒートシンク部の内部に設けられたベース空間と、を有し、
    前記ベース空間は、前記ベース開口部と連通している部分以外は閉塞されており、
    前記回路ユニットの一部は、前記貫通孔内および前記ベース空間内に位置している
    ことを特徴とする請求項１０に記載のランプ。
12. 前記グローブは、前記発光部の主出射方向側に配され、前記発光部と対向する位置に前記発光部から発せられた光が入射する環状の光入射面を有し、前記光入射面の環の内側において前記主出射方向側に凹入する凹部が形成されており、
    前記発光部から発せられた光の少なくとも一部を反射する光反射部が、前記凹部の前記凹入により形成された開口側の内面領域である開口側内面部の内側には設けられているが、前記開口側内面部よりも前記主出射方向側の内面領域の内側には設けられておらず、
    前記発光部の一部は、平面視において前記光反射部の内側に位置している
    ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
13. 前記発光部は、前記半導体発光素子を覆い光拡散性を有する環状の封止体を含み、
    前記発光部の一部は、前記封止体の一部である
    ことを特徴とする請求項１２に記載のランプ。
14. 前記発光部は、前記半導体発光素子を覆い光拡散性を有する環状の封止体を含み、
    前記発光部の一部は、前記複数の半導体発光素子の一部である
    ことを特徴とする請求項１２に記載のランプ。
15. 前記光反射部は、前記開口側内面部上に光反射性の材料により形成された光反射層である
    ことを特徴とする請求項１２に記載のランプ。
16. 透光性の部材から成る筒状の光反射本体部と、その外周面または内周面の少なくとも一方に光反射性の材料により形成された光反射層とから成る光反射部材が、前記開口側内面部に内嵌されており、
    前記光反射部は、前記光反射層である
    ことを特徴とする請求項１２に記載のランプ。
17. 光反射性を有する材料から成る筒状の光反射部材が、前記開口側内面部に内嵌されており、
    前記光反射部は、前記光反射部材である
    ことを特徴とする請求項１２に記載のランプ。
18. 前記光反射部材の外周面には、光反射性を高める処理が施されている
    ことを特徴とする請求項１７に記載のランプ。
19. 前記光反射部材の内周面には、光反射性を高める処理が施されている
    ことを特徴とする請求項１８に記載のランプ。
20. 前記光反射部の内側であって、平面視において前記発光部の環の内側に前記ヒートシンク部が配されている
    ことを特徴とする請求項１２に記載のランプ。
21. 配置面上に前記発光部が配置される基台をさらに備える
    ことを特徴とする請求項２０に記載のランプ。
22. 前記基台は、熱伝導性の部材から成り、
    前記ヒートシンク部は、前記発光部の環の内側において前記配置面上に配置されることにより前記発光部と熱結合されている
    ことを特徴とする請求項２１に記載のランプ。
23. 前記基台は、前記発光部の環の内側において厚さ方向に貫通する貫通孔が形成されており、
    前記回路ユニットの一部は、前記貫通孔内に位置している
    ことを特徴とする請求項２１に記載のランプ。
24. 前記ヒートシンク部は内部にヒートシンク部内部空間を有し、前記回路ユニットの一部は、前記ヒートシンク部内部空間内に位置している
    ことを特徴とする請求項２３に記載のランプ。
25. 前記ヒートシンク部は、長尺な形状を有し、その一方の端部は前記基台に接触または固定されている
    ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
26. 前記ヒートシンク部は、円柱状である
    ことを特徴とする請求項２５に記載のランプ。
27. 前記ヒートシンク部は、円筒状である
    ことを特徴とする請求項２５に記載のランプ。
28. 前記基台と前記ヒートシンク部とは、一体的に形成されている
    ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
29. 前記グローブと前記ヒートシンク部とは、一体的に形成されている
    ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
30. 前記基台上に配されたヒートシンク部は、円柱状または円筒状であり、
    前記グローブの前記発光部側には、円筒状のヒートシンク部が連設されており、
    前記グローブ内部に設けられたヒートシンク部の円筒内部に、前記基台上に配されたヒートシンク部が挿通されている
    ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
31. 前記基台上に配されたヒートシンク部は、円筒状であり、
    前記グローブの前記発光部側には、円柱状または円筒状のヒートシンク部が連設されており、
    前記基台上に配されたヒートシンク部の円筒内部に、前記グローブに設けられたヒートシンク部が挿通されている
    ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
32. 前記グローブは、光拡散性をさらに有する
    ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
33. 前記ヒートシンク部は、平面視において前記半導体発光素子の環の内側にその全体が配置されている
    ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
34. 前記ヒートシンク部は、その全体が、前記搭載面の前記グローブに近づく側に配置されている
    ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。
35. 前記グローブは、前記発光部を覆う部分において、厚さ方向に貫通する換気孔を有する
    ことを特徴とする請求項１に記載のランプ。

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