JP5285102B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 144
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 38
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
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- G11C—STATIC STORES
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- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
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- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
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Description
110:入出力バッファ 120:アドレスレジスタ
130:データレジスタ 140:コントローラ
150:ワード線選択回路 152:デコード部
154:ブロック選択部 156:ワード線駆動部
160:ページバッファ/センス回路 170:列制御回路
180:内部電圧発生回路
Claims (9)
- 少なくとも同時にアクセス可能な2つのメモリバンクを有し、各メモリバンクは行列状に配列された複数のメモリセルを含み、各行のメモリセルのゲートは対応するワード線にそれぞれ共通に接続され、各列のメモリセルは対応するビット線にそれぞれ接続された、メモリセルアレイと、
アドレス情報を受け取る第1の受取手段と、
アクセス動作に関する命令を受け取る第2の受取手段と、
前記第1の受取手段で受け取られた行アドレス情報をデコードし、当該デコード結果に基づきワード線を選択するワード線選択手段と、
前記第2の受取手段で受け取られた命令に基づき前記ワード線選択手段を制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記第2の受取手段で受け取られた第1の読出し命令または第2の読出し命令を実行可能であり、
前記制御手段は、前記第1の受取手段で受け取られた列アドレス情報が他方のメモリバンクの列アドレスの範囲に含まれるか否かを判定する判定手段を含み、
前記制御手段は、前記第1の読出し命令を受け取ったとき、前記判定手段により前記列アドレスが他方のメモリバンクの列アドレスの範囲に含まれると判定された場合には、当該第1の読み出し命令に応じて前記ワード線選択手段に前記第1の読出し動作を実行させ、前記列アドレスが他方のメモリバンクの列アドレスの範囲に含まれていないと判定された場合には、当該第1の読み出し命令に応じることなく前記ワード線選択手段に前記第2の読出し動作を実行させ、
前記第1の読出し動作は、一方のメモリバンクのn番目のワード線を選択し、かつ他方のメモリバンクのn+1またはn−1番目のワード線を選択し、
前記第2の読出し動作は、一方のメモリバンクのn番目のワード線を選択し、かつ他方のメモリバンクのn番目のワード線を選択する、
半導体記憶装置。 - n番目のワード線とn+1またはn−1番目のワード線は、前記2つのメモリバンク間の行方向において隣接する、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記少なくとも2つのメモリバンクの同時に選択されたページは、ラップアラウンド読出しされる、請求項1または2に記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置はさらに、各メモリバンクとビット線を介して接続された第1および第2のページバッファを含み、第1および第2のページバッファは、前記第1の読出し動作または第2の読出し動作で読み出されたデータを保持する、請求項1ないし3いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置はさらに、列アドレス信号をデコードし、当該デコード結果に基づき前記第1または第2のページバッファ内のデータを選択する列選択手段とを有する、請求項1ないし4いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置は、NAND型のフラッシュメモリである、請求項1ないし5いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体記憶装置と、前記半導体記憶装置に接続されたメモリコントローラとを含む、メモリシステム。
- 少なくとも同時にアクセス可能な2つのメモリバンクを有し、各メモリバンクは行列状に配列された複数のメモリセルを含み、各行のメモリセルのゲートは対応するワード線にそれぞれ共通に接続され、各列のメモリセルは対応するビット線にそれぞれ接続された、メモリセルアレイと、行アドレス情報をデコードし当該デコード結果に基づきワード線を選択するワード線選択手段とを有する半導体記憶装置において実行される読出しプログラムであって、
受け取られた列アドレス情報が他方のメモリバンクの列アドレスの範囲に含まれるか否かを判定するステップと、
列アドレス情報が他方のメモリバンクの列アドレスの範囲に含まれると判定したとき、第1のフラグ情報を設定し、当該列アドレスの範囲に含まれないと判定したとき、第2のフラグ情報を設定するステップと、
受け取られた読出し命令が第1の読み出し命令または第2の読み出し命令に該当するか否かを識別するステップと、
第1の読出し命令であると識別されたとき、前記第1のフラグ情報が設定されている場合には、当該第1の読出し命令に応じて前記ワード線選択手段に第1の読出し動作を実行させ、前記第2のフラグ情報が設定されている場合には、当該第1の読出し命令に応じることなく前記ワード線選択手段に前記第2の読出し動作を実行させるステップとを有し、
前記第1の読出し動作は、一方のメモリバンクのn番目のワード線を選択し、かつ他方のメモリバンクのn+1またはn−1番目のワード線を選択し、
前記第2の読出し動作は、一方のメモリバンクのn番目のワード線を選択し、かつ他方のメモリバンクのn番目のワード線を選択する、読出しプログラム。 - 少なくとも同時にアクセス可能な2つのメモリバンクを有し、各メモリバンクは行列状に配列された複数のメモリセルを含み、各行のメモリセルのゲートは対応するワード線にそれぞれ共通に接続され、各列のメモリセルは対応するビット線にそれぞれ接続された、メモリセルアレイと、行アドレス情報をデコードし当該デコード結果に基づきワード線を選択するワード線選択手段とを有する半導体記憶装置における読出し方法であって、
受け取られた列アドレス情報が他方のメモリバンクの列アドレスの範囲に含まれるか否かを判定するステップと、
列アドレス情報が他方のメモリバンクの列アドレスの範囲に含まれると判定したとき、第1のフラグ情報を設定し、当該列アドレスの範囲に含まれないと判定したとき、第2のフラグ情報を設定するステップと、
受け取られた読出し命令が第1の読み出し命令または第2の読み出し命令に該当するか否かを識別するステップと、
第1の読出し命令であると識別されたとき、前記第1のフラグ情報が設定されている場合には、当該第1の読出し命令に応じて前記ワード線選択手段に第1の読出し動作を実行させ、前記第2のフラグ情報が設定されている場合には、当該第1の読出し命令に応じることなく前記ワード線選択手段に前記第2の読出し動作を実行させるステップとを有し、
前記第1の読出し動作は、一方のメモリバンクのn番目のワード線を選択し、かつ他方のメモリバンクのn+1またはn−1番目のワード線を選択し、
前記第2の読出し動作は、一方のメモリバンクのn番目のワード線を選択し、かつ他方のメモリバンクのn番目のワード線を選択する、読出し方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011051167A JP5285102B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | 半導体記憶装置 |
US13/296,693 US8767464B2 (en) | 2011-03-09 | 2011-11-15 | Semiconductor memory devices, reading program and method for memory devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011051167A JP5285102B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012190501A JP2012190501A (ja) | 2012-10-04 |
JP5285102B2 true JP5285102B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=46795467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011051167A Active JP5285102B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | 半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8767464B2 (ja) |
JP (1) | JP5285102B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8102710B2 (en) * | 2007-10-17 | 2012-01-24 | Micron Technology, Inc. | System and method for setting access and modification for synchronous serial interface NAND |
US9792049B2 (en) * | 2014-02-24 | 2017-10-17 | Cypress Semiconductor Corporation | Memory subsystem with wrapped-to-continuous read |
JP5869057B2 (ja) | 2014-06-30 | 2016-02-24 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
JP5905547B1 (ja) | 2014-09-05 | 2016-04-20 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
KR101679251B1 (ko) | 2015-01-07 | 2016-11-24 | 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 | 플래시 메모리, 메모리 모듈, 프로그램 및 동작 방법 |
US9910594B2 (en) * | 2015-11-05 | 2018-03-06 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for concurrently accessing multiple memory planes of a memory during a memory access operation |
JP6232109B1 (ja) * | 2016-09-27 | 2017-11-15 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置および連続読出し方法 |
JP6808475B2 (ja) * | 2016-12-22 | 2021-01-06 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体記憶装置 |
CN108573729B (zh) * | 2017-03-08 | 2021-01-08 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种nand-flash存储器写操作方法及装置 |
US10141042B1 (en) | 2017-05-23 | 2018-11-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for precharge and refresh control |
JP2020091930A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
CN110705269B (zh) * | 2019-08-19 | 2023-07-14 | 华南农业大学 | 一种多源信息融合的生词库自动构建方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3176011B2 (ja) * | 1994-08-19 | 2001-06-11 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
KR0169419B1 (ko) * | 1995-09-28 | 1999-02-01 | 김광호 | 불휘발성 반도체 메모리의 독출방법 및 장치 |
JPH1116341A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2002056685A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリ回路 |
JP4050548B2 (ja) * | 2002-04-18 | 2008-02-20 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
JP2003141884A (ja) * | 2002-11-05 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2003331588A (ja) * | 2003-04-14 | 2003-11-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2004326974A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置及びicカード |
US7212447B2 (en) * | 2005-08-04 | 2007-05-01 | Micron Technology, Inc. | NAND flash memory cell programming |
-
2011
- 2011-03-09 JP JP2011051167A patent/JP5285102B2/ja active Active
- 2011-11-15 US US13/296,693 patent/US8767464B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012190501A (ja) | 2012-10-04 |
US8767464B2 (en) | 2014-07-01 |
US20120230106A1 (en) | 2012-09-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130220 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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