JP5281550B2 - ボンディングツール、電子部品装着装置、および電子部品装着方法 - Google Patents

ボンディングツール、電子部品装着装置、および電子部品装着方法 Download PDF

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Description

本発明は、電子部品を回路基板などに装着する、ボンディングツール、電子部品装着装置、および電子部品装着方法に関するものである。
電子部品のバンプ電極をプリント基板の電極と接合するための様々な接合方法が、知られている。
たとえば、超音波接合方法はそのような接合方法の1つであって、電子部品を回路基板に短時間で接合することができる。
ここに、超音波接合方法とは、接合作用部に保持された電子部品を回路基板に押圧しながら、その電子部品を超音波振動により振動させて、接合面における局部的スリップにより発生する表面皮膜の破壊および飛散によるボンディングを利用して、原子レベルで電子部品の電極を回路基板の電極と電気的に接合する接合方法である。
そこで、図16を参照しながら、上述した超音波接合方法を利用する従来のボンディングツールの構成および動作について説明する。
なお、図16は、従来のボンディングツール1000の概略的な部分断面図である。
従来のボンディングツール1000は、電子部品1910を超音波振動子1400により振動させて、回路基板1920に対して電子部品1910のボンディングを行うための装置である(たとえば、特許文献1参照)。
なお、上記の文献の全ての開示は、そっくりそのまま引用する(参照する)ことにより、ここに一体化する。
すなわち、ホーン1200の形状はX方向を長手方向とする角柱であり、ホーン1200の(−X)側の一端に設けられた超音波振動子1400によって発生した超音波振動はホーン1200によってX方向に伝達され、その超音波振動が接合作用部1500を介して電子部品1910に印加される。
そして、回路基板1920に対する電子部品1910のボンディングにおける接合の信頼性は、超音波振動が伝達されるX方向にホーン1200を貫通するヒータ装着空洞部1610の内部に(+X)側から挿入されたヒータ1600を利用して向上される。
すなわち、ヒータ1600によって発生した熱はホーン1200によって伝達され、熱が接合作用部1500を介して電子部品1910に印加される。
なお、リード線1810および1820は、ヒータ1600および熱電対1700を外部の電源(図示省略)にそれぞれ接続するための配線であり、昇降ブロック1100に締結されたブラケット1110に結合されている。
ところで、ヒータ1600によって発生された熱は、ホーン1200を介して超音波振動子1400にも伝達される。
そのため、熱に敏感な超音波振動子1400においては、寿命の低下、電気特性の変化、および振動特性の変動などが発生する恐れがある。
そこで、超音波振動が伝達されるX方向と直交するY方向にホーン1200を貫通し、吸着パッド1310を介して供給された空気が流通する四つの通気孔である冷却部1300が、ヒータ1600と超音波振動子1400との間に設けられている。
これによって、超音波振動子1400に伝達されるはずの熱が通気孔を流通する空気によって放散され、ヒータ1600によって発生した熱による超音波振動子1400への悪影響は低減される。
特開2005−347505号公報
しかしながら、上述した従来のボンディングツールでは、より質の高い超音波接合を行うには不都合なことが判明した。
すなわち、本発明者は、ホーン1200はヒータ1600によって加熱されると膨張するが、その加熱時の膨張の仕方がホーン1200の長手方向であるX方向について非対称的になってしまうことがその不都合の原因であると分析した。
より具体的に説明すると、ヒータ1600とホーン1200の(−X)側の一端との間では、冷却部1300が設けられており、熱が通気孔を流通する空気によって放散されるので、加熱時の膨張の程度が小さい。
しかしながら、ヒータ1600とホーン1200の(+X)側の他端との間では、冷却部は設けられておらず、熱が放散されにくいので、加熱時の膨張の程度が大きい。
その結果、ホーン1200の加熱時の膨張の仕方がホーン1200の長手方向であるX方向について非対称的になると、電子部品1910が回路基板1920に対して傾いてしまい、保持された電子部品1910が振動する方向や振幅が本来の設計値からずれてしまったり、振動モードが変化してしまったりする。
本発明は、上述した従来の課題を考慮し、より質の高い超音波接合を行うことが可能な、ボンディングツール、電子部品装着装置、および電子部品装着方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、第1の本発明は、
超音波振動を伝達するホーンと、
前記ホーンの一端に設けられ、前記超音波振動を発生する超音波振動子と、
前記ホーンの前記一端と前記ホーンの他端との間に設けられ、ヒータが配置されるヒータ配置部と、
前記ホーンの前記一端と前記ホーンの前記他端との間に設けられ、電子部品を保持し、前記ヒータによって加熱される接合作用部と、
前記ヒータ配置部と前記ホーンの前記一端との間に設けられ、流体が流通する第一冷却部と、
前記ヒータ配置部と前記ホーンの前記他端との間に設けられ、流体が流通する第二冷却部と、
を備えた、ボンディングツールである。
また、第2の本発明は、
前記ヒータ配置部は、前記超音波振動が伝達される方向と直交する方向に前記ホーンを貫通するヒータ挿入孔である、第1の本発明のボンディングツールである。
また、第3の本発明は、
前記ヒータは、前記ヒータ挿入孔の壁部と所定のクリアランスを隔てて、外部に設けられている押圧ユニットに連結され、前記ホーンの外側に配置されたヒータ保持ブロックに固定される、第2の本発明のボンディングツールである。
また、第4の本発明は、
前記接合作用部が、前記ホーンの下面に設けられ、
前記ヒータ配置部は、前記接合作用部の直上に設けられる、第1の本発明のボンディングツールである。
また、第5の本発明は、
前記ヒータ配置部と前記第一冷却部との間の距離は、前記ヒータ配置部と前記第二冷却部との間の距離に等しい、第1の本発明のボンディングツールである。
また、第6の本発明は、
前記第一冷却部および前記第二冷却部は、前記超音波振動が伝達される方向と直交する方向に前記ホーンを貫通し、気体が流通する通気孔である、第1の本発明のボンディングツールである。
また、第7の本発明は、
前記通気孔の開口部の形状は、前記超音波振動が伝達される方向を長手方向とする細幅の矩形である、第6の本発明のボンディングツールである。
また、第8の本発明は、
前記ホーンの形状は、角柱であり、
前記接合作用部は、前記ホーンの下面に設けられ、
前記ホーンを保持するためのホーン保持ブロックが、前記ホーンの両側面にそれぞれ設けられている、第1の本発明のボンディングツールである。
また、第9の本発明は、
前記ホーン保持ブロックは、前記ホーンの側面に設けられたリブと、前記リブに接合された本体と、を有し、
前記リブの長手方向は、前記超音波振動が伝達される方向と直交する方向であって、前記ホーンの前記下面と直交する方向である、第8の本発明のボンディングツールである。
また、第10の本発明は、
前記本体は、前記リブに隣接して、前記リブの前記長手方向に形成された溝を有する、第9の本発明のボンディングツールである。
また、第11の本発明は、
前記ホーン保持ブロックは、前記ホーンの前記両側面にそれぞれ二個ずつ設けられており、
前記第一冷却部は、二個の前記ホーン保持ブロックの内の、前記ホーンの前記一端により近い前記ホーン保持ブロックと、前記ホーンの前記一端と、の間に設けられ、
前記第二冷却部は、二個の前記ホーン保持ブロックの内の、前記ホーンの前記他端により近い前記ホーン保持ブロックと、前記ホーンの前記他端と、の間に設けられている、第8の本発明のボンディングツールである。
また、第12の本発明は、
前記超音波振動は、二個のノーダルポイントを有し、
前記第一冷却部は、前記二個のノーダルポイントの内の、前記ホーンの前記一端により近い前記ノーダルポイントと、前記ホーンの前記一端と、の間に設けられ、
前記第二冷却部は、前記二個のノーダルポイントの内の、前記ホーンの前記他端により近い前記ノーダルポイントと、前記ホーンの前記他端と、の間に設けられている、第1の本発明のボンディングツールである。
また、第13の本発明は、
前記第一冷却部および前記第二冷却部の内の少なくとも一方に前記流体を流通させる流体流通ユニットが、外部に設けられている、第1の本発明のボンディングツールである。
また、第14の本発明は、
前記電子部品を吸引によって保持するための吸引路の吸引口が、前記接合作用部に形成され、
前記吸引路の排気口が、前記ホーンの上面の、前記ホーンの前記他端よりも前記ホーンの前記一端により近い部分に形成され、
前記吸引路の形状は、T字形であり、
前記吸引路の一部は、前記ホーンの前記一端の、前記超音波振動子が当接する部分から穿掘された穴である、第1の本発明のボンディングツールである。
また、第15の本発明は、
対象物を保持する保持部と、
電子部品を供給する供給部と、
前記保持された対象物に、前記供給された電子部品を装着する装着ユニットと、
を備え、
前記装着ユニットは、部品装着部を有し、
前記部品装着部は、押圧ユニットと、第1の本発明のボンディングツールと、を有し、
前記押圧ユニットは、前記ボンディングツールの前記接合作用部を介し、前記対象物に対して、前記電子部品を押圧する、電子部品装着装置である。
また、第16の本発明は、
第15の本発明の電子部品装着装置を使用して、前記対象物に対して前記電子部品を装着するための電子部品装着方法であって、
前記接合作用部を利用して前記電子部品を保持する電子部品保持ステップと、
前記押圧ユニットを利用して前記対象物に対して前記電子部品を押圧する押圧ステップと、
前記超音波振動子を利用して前記超音波振動を発生する超音波振動発生ステップと、
前記ヒータを利用して前記接合作用部を加熱する加熱ステップと、
前記第一冷却部と第二冷却部とを利用して前記流体を流通させる流体流通ステップと、
を備えた、電子部品装着方法である。
本発明の構成により、より質の高い超音波接合を行うことが可能な、ボンディングツール、電子部品装着装置、および電子部品装着方法を提供することができる。
本発明にかかる実施の形態における電子部品装着装置の概略的な正面図 本発明にかかる実施の形態における電子部品装着装置の概略的な平面図 本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツールの概略的な正面図 本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツールの概略的な平面図 本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツールの、ヒータ配置部の近傍の概略的な斜視図 本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツールの、吸引路等の概略的な正面図 本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツールの、吸引路等の概略的な正面図 本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツールの、吸引路等の概略的な正面図 本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツールの、ホーン保持ブロックの近傍の概略的な斜視図 本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツールの、ホーン保持ブロックの近傍の概略的な断面図 本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツールの、ホーン保持ブロックの近傍の概略的な断面図 本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツールの、ホーン保持ブロックの近傍の概略的な断面図 本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツールの、第一冷却部の概略的な断面図 (A)本発明にかかる実施の形態における電子部品装着装置の動作原理を説明するための説明図(その1)、(B)本発明にかかる実施の形態における電子部品装着装置によって超音波振動が印加された電子部品の振動軌跡を説明するための説明図(その1) (A)本発明にかかる実施の形態における電子部品装着装置の動作原理を説明するための説明図(その2)、(B)本発明にかかる実施の形態における電子部品装着装置によって超音波振動が印加された電子部品の振動軌跡を説明するための説明図(その2) 従来のボンディングツールの概略的な正面図
以下、図面を参照しながら本発明にかかる実施の形態について詳細に説明する。
はじめに、図1および2を主として参照しながら、本実施の形態における電子部品装着装置1の全体構成について説明する。
なお、図1は、本発明にかかる実施の形態における電子部品装着装置1の概略的な正面図である。また、図2は、本発明にかかる実施の形態における電子部品装着装置1の概略的な平面図である。
電子部品装着装置1は、システムLSI(Large Scale Integration)などに利用される微細な電子部品8(図3参照、以下同様)を反転し、対象物であるプリント基板などの回路基板9に対するその反転された電子部品8の装着と接合とを同時に行う、いわゆるフリップチップ実装装置である。
電子部品装着装置1は、基板保持部2と、部品装着ユニット3と、部品供給部4と、撮像部11と、を備えている。
基板保持部2の(+Z)側、すなわち上方側には、基板保持部2に保持された回路基板9に電子部品8を装着するための部品装着ユニット3が設けられている。
基板保持部2の(−X)側には、部品装着ユニット3に電子部品8を供給する部品供給部4が設けられている。
基板保持部2と部品供給部4との間には、部品供給部4により部品装着ユニット3に供給された電子部品8を撮像する撮像部11が設けられている。
これらの機構が制御部10により制御され、回路基板9に対する電子部品8の装着が行われる。
ここで、基板保持部2、部品装着ユニット3、部品供給部4、および撮像部11の構成について順により詳しく説明する。
まず、基板保持部2は、回路基板9を保持するステージ21と、ステージ21をY方向に移動するステージ移動機構22と、を備えている。
つぎに、部品装着ユニット3は、押圧ユニット33、およびボンディングツール5を有する部品装着部31と、部品装着部31をX方向に移動させる装着部移動機構32と、を備えている。
押圧ユニット33は、接合作用部53(図3参照、以下同様)を介し、対象物である回路基板9に対して、電子部品8を押圧するユニットである。この押圧ユニット33は、モータ(図示省略)を有する昇降機構を利用してZ方向に移動させられるシャフト35を有している。
ボンディングツール5は、後述するようにして、押圧ユニット33に取り付けられており、回路基板9に対して相対的に昇降される。
なお、ボンディングツール5の構成については、後に詳述する。
つぎに、部品供給部4は、所定の位置に電子部品8を配置する部品配置部41と、部品配置部41から電子部品8を取り出して保持する供給ヘッド42と、供給ヘッド42をX方向に移動する供給ヘッド移動機構43と、供給ヘッド42を回動および僅かに昇降する回動機構44と、を備えている。
部品配置部41は、多数の電子部品8が載置される部品トレイ411と、部品トレイ411を保持するステージ412と、部品トレイ411をステージ412とともにX方向およびY方向に移動するトレイ移動機構413と、を備えている。
部品トレイ411には、回路基板9に装着される予定の多数の電子部品8が、実装後の状態における下面、すなわち回路基板9に接合される電極部が形成された接合面を上側に向けて、回路基板9に装着される向きとは反対向きで載置されている。
供給ヘッド42は、先端部に形成された吸引口を利用する吸着により保持した電子部品8をボンディングツール5に供給する供給コレット421を、備えている。
なお、電子部品8は、LED(Light Emitting Diode)チップ、半導体レーザなどの半導体発光素子、パッケージされたIC(Integrated Circuit)、抵抗、コンデンサ、微細な半導体ベアチップなどの半導体、SAW(Surface Acoustic Wave)フィルタ、およびカメラモジュールなどの半導体以外の電子部品、の何れであってもよい。
また、回路基板9は、樹脂により形成された回路基板、およびガラスおよび半導体などの樹脂以外の材料により形成された回路基板、の何れであってもよい。
また、電子部品8の電極部は、電子部品8の電極パターンに金(Au)で形成された突起バンプであってもよいし、電子部品8によってはメッキバンプなどであってもよいし、電極パターン自体であってもよい。
また、電子部品8の電極パターンに形成される突起バンプの代わりの突起バンプが、回路基板9の電極に設けられていてもよい。
そして、撮像部11は、装着部移動機構32によって移動される部品装着部31、特にボンディングツール5、の移動経路の真下に設置され、ボンディングツール5に保持された電子部品8を(−Z)側から撮像するユニットである。
撮像部11は、移動される部品装着部31と干渉しない位置に設けられている。
なお、回路基板9の(+X)側には、電子部品8を保持するための、ボンディングツール5の先端部531(図3参照、以下同様)を研磨する研磨部7が設けられている。
なお、研磨部7は、ステージ21の(+X)側に取り付けられており、ステージ移動機構22によりステージ21と一体的にY方向に移動される。
また、研磨部7は、平らで水平な研磨面711を有するシート状の研磨部材71と、研磨部材71を保持する研磨部材保持部72と、を備えている。
ここで、図3および4を主として参照しながら、ボンディングツール5の構成について詳細に説明する。
なお、図3は、本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツール5の概略的な正面図である。また、図4は、本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツール5の概略的な平面図である。
ボンディングツール5は、ホーン51と、超音波振動子52と、接合作用部53と、ヒータ配置部570と、第一冷却部515と、第二冷却部516と、を備えている。
さらに、ボンディングツール5は、上面に配置された板状のホルダ54と、ホルダ54に固定されるホルダブロック541および542と、ヒータ保持ブロック571および572と、を備えている。
板状のホルダ54は、押圧ユニット33の最下端に位置するツール支持部34に連結されている。そのツール支持部34は、押圧ユニット33のシャフト35の下端に固定されている。
ホーン51は、超音波振動を伝達するユニットである。ホーン51は、超音波振動の所定の周波数で共振状態となる構造を有している。ホーン51の形状は、実質的に、X方向を長手方向として長さLをもち、YZ平面に平行な対称面(すなわち、長さLの角柱を二等分する平面、以下同様)S1、およびXY平面に平行な対称面S2をもつ角柱である。
なお、ホーン51の形状は、上述の通り、角柱である。しかしながら、ホーン51の形状は、円柱などであってもよい。
超音波振動子52は、ホーン51の(−X)側の一端に設けられ、圧電素子(図示省略)を利用して超音波振動を発生するユニットである。
超音波振動子52によって発生させられた超音波振動は、X方向を進行方向とし、媒質の振動が同進行方向に対して平行な縦振動として、角柱の底面の中央に位置する接合作用部53まで伝達される。
ポイントP1は、超音波振動の振幅が共振状態において最大である腹に対応する、X方向の位置を示すポイントである。本実施の形態における超音波振動は二個のノーダルポイントを有しており、ホーン51の(−X)側の一端により近いポイントP2、およびホーン51の(+X)側の他端により近いポイントP3は、超音波振動の振幅が共振状態においてほぼ零である節に対応する、X方向の位置を示すポイントである。ポイントP1は対称面S1の上に存在し、ポイントP2およびP3は対称面S1についてほぼ面対称に存在する。
超音波振動子52によって発生させられた超音波振動はホーン51によってX方向に伝達され、超音波振動が接合作用部53を介して電子部品8に印加される。
ここで、図3、4および図5を主として参照しながら、ヒータ配置部570の構成について詳細に説明する。
なお、図5は、本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツール5の、ヒータ配置部570の近傍の概略的な斜視図である。
ヒータ配置部570は、ホーン51の(−X)側の一端とホーン51の(+X)側の他端との間に設けられ、ヒータ57が挿入配置される部分である。
ヒータ配置部570は、対称面S1についても、対称面S2についてもほぼ面対称に設けられている。より具体的には、ヒータ配置部570は、ヒータ57によって加熱されるべき接合作用部53の直上、すなわち(+Z)側に設けられており、超音波振動が伝達されるX方向と直交するY方向にホーン51を貫通するヒータ挿入孔である。
ヒータ57によって発生された250℃程度の熱はホーン51によって伝達され、熱が接合作用部53を介して電子部品8に印加される。
そして、ヒータ57は、上記のヒータ挿入孔の壁部と所定のクリアランスδを隔てて配置されている。
ヒータ57の両端は、ヒータ保持ブロック571および572にヒータ固定ネジ58によって固定されている。このヒータ保持ブロック571および572は、外部の押圧ユニット33に連結されているホルダ54の下面に固定されている。その際、ヒータ保持ブロック571および572は、ホーン51に対して所定の間隔G1およびG2をそれぞれおいて、ホルダ54の下面に固定されている。
この構造によって、ヒータ57はホーン51に接触することはなく、従って、ヒータ57は、超音波振動の伝達方向に配置されず、代わりにその伝達方向に直交する方向に配置されていても、超音波振動の特性に悪影響を与える心配が無い。
より具体的に説明すると、上述した従来のボンディングツールにおいては、ホーン1200の形状は超音波振動が伝達されるX方向を長手方向とする角柱であり、ヒータ1600はX方向にホーン1200を貫通するヒータ装着空洞部1610の内部に(+X)側から挿入されている。
このような従来のボンディングツールの構成には、ヒータ1600がホーン1200と直接的に接触しているにもかかわらず、ヒータ1600の挿入そのものが振動特性を変動させる恐れはあまりない。その理由は、ヒータ装着空洞部1610の内径はヒータ1600の外径とほぼ等しく、超音波振動によって摺動されるヒータ1600の変位はヒータ装着空洞部1610がホーン1200を貫通するX方向にほぼ束縛されているので、X方向に伝達される超音波振動はヒータ1600の変位による影響をあまり受けないからである。もちろん、上述した従来のボンディングツールの構成には、ヒータ1600の交換が容易ではないなどの短所がある。しかしながら、ヒータ1600の挿入そのものが振動特性を変動させてしまう恐れを回避するためには、ヒータ1600は超音波振動が伝達されるX方向にホーン1200を貫通するヒータ装着空洞部1610の内部に挿入されている構成を採用することが必須であるというのが、当業者の常識であった。
なお、このような従来の構成を採用した場合には、ヒータ装着空洞部1610が存在するので、ヒータ1600とホーン1200の(+X)側の他端との間には冷却部を設けるスペースがないことはいうまでもない。
ここで、クリアランスδの大きさについて具体的に説明する。
すなわち、加熱が行われたときには、ホーン51およびヒータ57は膨張するので、クリアランスδは減少する。
そこで、クリアランスδは、ホーン51およびヒータ57が加熱時に膨張することを見越して、非加熱時に0.05mm程度となるように設定されている。
より具体的に説明すると、加熱時の膨張によるクリアランスδの減少は、ホーン51およびヒータ57の側で大きくてもそれぞれ0.01mm程度、すなわち合計で大きくても0.02mm程度にすぎない。そして、超音波振動の振幅は、大きくても0.003mm程度である。したがって、クリアランスδが非加熱時に0.05mm程度に設定されていれば、超音波振動および加熱を利用して回路基板9に対して電子部品8を装着するときにも、ヒータ57がホーン51に衝突してしまうことはない。
もちろん、加熱はクリアランスδが存在しても熱輻射や熱対流によって支障なく行われるが、クリアランスδが大きくなりすぎると、加熱が非効率的になることがある。
そこで、安価なカートリッジヒータがヒータ57として利用される場合には、クリアランスδは現状のカートリッジヒータの製作精度も考慮して0.02〜0.2mm程度となるように設定することが望ましい。
もちろん、クリアランスδには、液だれが発生したり振動モードが変化したりする恐れがないジェル状の物質などが装填されていてもよい。あるいは弾力性が大きいゴムなどの材料を装填させてもよい。
本実施の形態では、ホーン51の形状がX方向を長手方向とする角柱であり、ヒータ挿入孔がX方向と直交するY方向にホーン51を貫通する構成を採用することで、故障などにともなうヒータ57の交換がかなり容易となっている。
また、ヒータ配置部570が対称面S1についてほぼ面対称に設けられている構成を採用することで、加熱時の温度分布をX方向について、より対称的にすることができている。
なお、熱電対固定プレート55により固定された熱電対59は、高精度な温度制御を行うために接合作用部53の温度を測定するユニットである。
接合作用部53は、ホーン51の(−X)側の一端とホーン51の(+X)側の他端との間に設けられ、電子部品8を保持し、ヒータ57によって加熱されるユニットである。接合作用部53は、ホーン51の対称面S1についてほぼ面対称に設けられている。より具体的には、接合作用部53は、X方向に関してポイントP1の位置で、ホーン51の、XY平面に平行な二面の内で(−Z)側の下面に設けられている。
接合作用部53は、好適な振動特性および振動伝達特性を有するステンレス鋼により形成されており、吸引路600を利用して電子部品8を吸引によって保持するための先端部531を有している。先端部531の形状は、撓み振動を発生させない程度の大きさに設計されたZ方向の高さhをもつ、電子部品8のサイズおよび種類に最適な断面形状をもつ柱体である。
ここで、図6を主として参照しながら、吸引路600の構成について詳細に説明する。
なお、図6は、本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツール5の、ホルダ54やホルダブロック541、542、ヒータ保持ブロック571、572を除いた、概略的な正面図である。
吸引路600は、ホーン51の上面に設けられた排気口602と、先端部531に設けられた吸引口601と、吸引路600の一部である横穴600a、吸引口601を横穴600aに連結する縦穴600b、および排気口602を横穴600aに連結する縦穴600cを有している。吸引路600の形状は、短い縦穴600bを無視すれば、実質的にT字形である。
吸引路600の一部である横穴600aは、ホーン51の(−X)側の一端の、超音波振動子52が当接する部分から穿掘された穴である。なお、この実施の形態では、超音波振動子52が上記の横穴の開口部分600dに当接するので、真空性を確保するための栓などの部材は不要である。
電子部品8を吸引によって保持するための吸引路600の吸引口601は、接合作用部53の、電子部品8を吸引によって保持するための先端部531のXY平面に平行な下面のほぼ中央に形成されている。
吸引路600の排気口602は、ホーン51の、XY平面に平行な二面の内で、(+Z)側の上面の、ホーン51の(+X)側の他端よりもホーン51の(−X)側の一端により近い部分に形成されている。
排気口602は、耐熱性の高いチューブ64に連結されたシリコーン樹脂などの吸着パッド61を介し、ホルダ54およびツール支持部34を通って真空ポンプ(図示省略)に連結されている。
第一冷却部515がホーン51の(−X)側の一端により近い部分に設けられており、縦穴600cは第一冷却部515の近傍を通過しているので、吸着パッド61およびチューブ64がヒータ57によって発生された熱のために劣化してしまう恐れが低減される。
なお、吸引路600の排気口602は、上述の通り、ホーン51の、XY平面に平行な二面の内で(+Z)側の上面の、ホーン51の(+X)側の他端よりもホーン51の(−X)側の一端により近い部分に形成されている。
しかしながら、図7に示すように、吸引路600′の排気口602′は、本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツール5のホーン51′の、XY平面に平行な二面の内で(+Z)側の上面の、ホーン51′の(−X)側の一端よりもホーン51′の(+X)側の他端により近い部分に形成されていてもよい。第二冷却部516がホーン51′の(+X)側の他端により近い部分に設けられており、縦穴600c′は第二冷却部516の近傍を通過しているので、吸着パッド61およびチューブ64がヒータ57によって発生された熱のために劣化してしまう恐れが同様に低減される。ただし、横穴600a′はその長さが短いほど穿掘が容易であることはいうまでもないので、そのような構成を採用する場合には横穴600a′の長さが大きくなりすぎないように注意する必要がある。
なおまた、吸引路600′の一部である横穴600a′は、上述の通り、ホーン51′の(−X)側の一端の、超音波振動子52′が当接する部分から穿掘された穴である。しかしながら、図8に示すように、吸引路600″の一部である横穴600a″が、本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツール5のホーン51″の(+X)側の他端から穿掘された穴であってもよい。ただし、そのような構成を採用する場合には、真空性を確保するための栓603などの部材が必要である。
次に、押圧ユニット33がホーン51を保持しながら押圧するために必要な構造を説明する。
ホーン保持ブロック511、512、513および514は、押圧ユニット33がホーン51を保持し押圧するためのユニットであり、ホーン51のXZ平面に平行な左右側面にそれぞれ二個ずつ設けられている。より具体的には、ホーン保持ブロック511および512が、ホーン51の、XZ平面に平行な二面の内で(−Y)側の側面に設けられており、ホーン保持ブロック513および514が、ホーン51の、XZ平面に平行な二面の内で(+Y)側の側面に設けられている。
そして、ホーン保持ブロック511および513はX方向に関してポイントP2の位置を基準として設けられており、ホーン保持ブロック512および514はX方向に関してポイントP3の位置を基準として設けられている。
ホーン保持ブロック511および513はホルダブロック541に固定されており、ホーン保持ブロック512および514はホルダブロック542に固定されている。ホルダブロック541、542は、上述のとおりホルダ54の下面に固定されている。
なお、ホルダブロック541および542は、超音波振動が伝達されるX方向と直交するY方向にホルダブロック541および542を貫通し、空気が流通するスリット形状のホルダブロック通気孔543および544をそれぞれ有している。ホルダブロック通気孔543および544は、ヒータ57によって発生された熱を放散するとともに、押圧時の荷重および温度変化などによるノーダルポイントの位置の変動を吸収するための構造である。
ここで、ホーン保持ブロック511、512、513および514は同様な構成を有しているので、図9および図10を主として参照しながら、ホーン保持ブロック511の構成について詳細に説明する。
なお、図9は、本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツール5の、ホーン保持ブロック511の近傍の概略的な斜視図である。また、図10は、本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツール5の、ホーン保持ブロック511の近傍の概略的な横断面図である。
ホーン保持ブロック511は、ホーン51の、XZ平面に平行な二面の内で(−Y)側の側面に、ポイントP2の位置を基準として設けられたリブ5112と、リブ5112に接合された本体5113と、を有している。本体5113は、リブ5112に隣接して、リブ5112の長手方向に形成された溝5114を有する。ホーン保持ブロック511は、本体5113を縦方向に貫通する孔に挿入されたホーン固定ネジ5111によって、ホルダブロック541に固定されている。
リブ5112の長手方向は、超音波振動が伝達されるX方向と直交するZ方向であって、ホーン51の、XY平面に平行な二面の内で(−Z)側の下面に直交する方向である。リブ5112は、ホーン51に対向する、本体5113の面F1の(−X)側の端部に設けられている。
そして、リブ5112の形状は、実質的に、Z方向を上記の長手方向として高さhをもち、X方向を幅方向として幅wをもつ細角柱である。
ここで、高さhおよび幅wの大きさについて具体的にそれぞれ説明する。
はじめに、高さhは、ホーン51の物性等も考慮して十分に大きく設定することが望ましい。その理由は、押圧ユニット33が電子部品8を押圧するZ方向に関しては、押圧時の荷重に耐えながら、押圧力を伝達するに十分な剛性を確保する必要があるからである。本実施の形態においてはホーン保持ブロック511、512、513および514がホーン51のXZ平面に平行な両側面にそれぞれ二個ずつ設けられており、リブ5112と同様な構成をもつ十分な個数のリブが設けられているため、電子部品8のサイズや個数の増加に応じた押圧時の荷重に十分に耐えられる剛性を確保することができる。
つぎに、幅wは、ホーン51の物性等も考慮して十分に小さく設定することが望ましい。その理由は、超音波振動が伝達されるX方向に関しては、電子部品8が超音波振動により振動するための十分な自由度を確保する必要があるからである。もちろん、溝5114はこのような自由度をさらにより大きく確保するための構造である。
なお、リブ5112は、上述の通り、面F1の(−X)側の端部に設けられている。しかしながら、図11に示すように、リブ5112′が、本体5113の面F1の中央部に設けられていてもよい。ただし、リブ5112′もポイントP2の位置を基準として設けることが望ましいことはいうまでもないので、そのような構成を採用する場合にはホーン保持ブロック511′が第一冷却部515の通気孔の開口部分を大きく覆ってしまわないように注意しつつ同開口部分の面積を十分に確保する必要がある。
もちろん、ヒータ57によって発生された熱が遠くまで伝達されることを回避するためには第一冷却部515がポイントP2とヒータ57との間に設けられている構成も有効であるので、そのような構成を採用することが設計上において可能である場合にはリブ5112′と同様な構成をもつリブが面F1の(+X)側の端部に設けられていてもよい。
また、溝5114は、上述の通り、面F1に隣接する、本体5113の面F2の端部に設けられている。しかしながら、図12に示すように、溝5114′が、本体5113の面F1の端部に設けられていてもよい。電子部品8がX方向に関して超音波振動により振動するための十分な自由度を確保することが、同様に可能である。
次に、第一、第二冷却部515、516について説明する。図3、図4に示すように、第一冷却部515は、ヒータ配置部570とホーン51の(−X)側の一端との間に設けられ、空気が流通するユニットである。より具体的には、第一冷却部515は、超音波振動が伝達されるX方向と直交するY方向にホーン51を貫通し、空気が流通する四つのスリット形状の通気孔であって、対称面S2についてほぼ面対称に設けられている。
第二冷却部516は、ヒータ配置部570とホーン51の(+X)側の他端との間に設けられ、空気が流通するユニットである。より具体的には、第二冷却部516も、超音波振動が伝達されるX方向と直交するY方向にホーン51を貫通し、空気が流通する四つのスリット形状の通気孔であって、対称面S2についてほぼ面対称に設けられている。
そして、第一冷却部515および第二冷却部516は、対称面S1についてほぼ面対称に設けられている。より具体的には、ヒータ配置部570と第一冷却部515との間の距離D1は、ヒータ配置部570と第二冷却部516との間の距離D2に等しい。
なお、第一冷却部515は、ホーン51の(−X)側の一端により近いホーン保持ブロック511および513と、ホーン51の(−X)側の一端と、の間に設けられ、第二冷却部516は、ホーン51の(+X)側の他端により近いホーン保持ブロック512および514と、ホーン51の(+X)側の他端と、の間に設けられている。
また、第一冷却部515は、ホーン51の(−X)側の一端により近いポイントP2と、ホーン51の(−X)側の一端と、の間に設けられ、第二冷却部516は、ホーン51の(+X)側の他端により近いポイントP3と、ホーン51の(+X)側の他端と、の間に設けられている。
要するに、第一冷却部515および第二冷却部516は、ヒータ配置部570とホーン51の(−X)側の一端との間、およびヒータ配置部570とホーン51の(+X)側の他端との間にそれぞれ分かれて、独立的に、そして対称面S2についてほぼ面対称に設けられている。
このため、ホーン51の加熱時の膨張の仕方が、ホーン51の長手方向であるX方向に関して非対称的になることがかなり抑制されるので、保持された電子部品8が振動する方向や振幅が本来の設計値から変化してしまったり、振動モードが変化してしまったりする恐れが低減される。
したがって、電子部品装着装置1は、安定した電子部品の接合を行うことができる。
ここで、第一冷却部515および第二冷却部516の内部構造は同様な構成を有しているので、図13を主として参照しながら、第一冷却部515の構成について詳細に説明する。
なお、図13は、本発明にかかる実施の形態におけるボンディングツール5の、第一冷却部515の概略的な断面図である。
空気が流通する四つのスリット形状の通気孔は、左右側面に直交する方向に穿設された貫通孔に、ワイヤを挿入しそのワイヤを利用して、超音波振動の伝達方向にスリットを穿設する、ワイヤカッタ加工によりそれぞれ形成されている。
そして、縦穴515aが、空気が流通する四つのスリット形状の通気孔と、外部に設けられた流体流通ユニット517が空気を流通させるための通気口525と、を連結している。
通気孔の開口部の形状は、実質的に、超音波振動が伝達されるX方向を長手方向とする細幅の矩形である。
上記の矩形は四つともZ方向を幅方向として幅Wをもつが、(1)ホーン51の、XY平面に平行な二面に近接する二つの矩形は、X方向を上記の長手方向として長さL1をもち、(2)これらの矩形の間にある残りの二つの矩形は、X方向を同長手方向として長さL2(<L1)をもつ。
もちろん、ヒータ57によって発生された熱を効率よく放散するためには、矩形の面積W×L1およびW×L2をある程度は大きく設定することが望ましい。
なお、前述されたように、本実施例では、リブ5112が面F1の(−X)側の端部に設けられている構成が採用されているので、ホーン保持ブロック511が第一冷却部515の通気孔の開口部分を覆ってしまう恐れはなしに長さL1およびL2を十分に大きく設定することが可能である。
しかしながら、矩形の面積W×L1およびW×L2は、振動特性を変動させてしまったりホーン剛性を低下させてしまったりすることはないように、あまり大きすぎないように設定することが望ましい。
そこで、幅W、ならびに長さL1およびL2の大きさについてより具体的にそれぞれ説明する。
はじめに、幅Wは、ホーン51の物性等も考慮してあまり大きすぎないように設定することが望ましい。その理由は、ヒータ57によって発生された熱を効率よく放散するために通気孔を流通する空気の流速をある程度は確保する必要があるからである。すなわち、あまり幅が大きすぎると空気の流れが遅くなりすぎ、空気の流れが遅くなりすぎると外部への放熱の効率が落ちる。
つぎに、長さL1およびL2も、ホーン51の物性等も考慮してあまり大きすぎないように設定することが望ましい。具体的には、長さL1およびL2は、ホーン51の全長に当たる長さLの20%以下に設定することが望ましい。その理由は、長さL1およびL2があまり大きすぎると、超音波振動の共振点が増加し、副共振がそのような共振点に近い位置で発生するので、振動特性の制御が困難になってしまうからである。なお、長さL2を長さL1よりも小さくとるのは、ホーン51の、XY平面に平行な二面から離れた位置(中央寄り)では上記の副共振が発生する現象が顕著になるからである。
なお、第一冷却部515および第二冷却部516に空気を流通させる流体流通ユニット517が、外部に設けられている。
図3に示すように、流体流通ユニット517は、耐熱性の高いチューブ65に連結されたシリコーン樹脂などの吸着パッド62、および耐熱性の高いチューブ66に連結されたシリコーン樹脂などの吸着パッド63をそれぞれ介して第一冷却部515および第二冷却部516に連結されている。
このため、ヒータ57によって発生された熱はより効率よく放散され、ホーン51の加熱時の膨張の仕方がホーン51の長手方向であるX方向について非対称的になることがより少なくなるので、保持された電子部品8が振動する方向や振幅が本来の設計値から変化してしまったり、振動モードが変化してしまったりする恐れがより低減される。
したがって、電子部品装着装置1は、より安定した電子部品の接合を行うことができる。
なお、第一冷却部515および第二冷却部516には、上述の通り、空気が流通させられる。しかしながら、第一冷却部515および第二冷却部516には、水などの液体の冷却媒体が、放熱器の接続された循環経路を利用して流通させられてもよい。
また、流体流通ユニット517は、上述の通り、第一冷却部515および第二冷却部516に空気を流通させる共通のユニットとして外部に設けられている。しかしながら、流体流通ユニット517と同様な構成をもつ流体流通ユニットを別個独立して設け、第一冷却部515および第二冷却部516を別々に独立して流体を流通させてもよい。
つぎに、図1〜図3を主として参照しながら、本実施の形態における電子部品装着装置の動作について説明する。なお、本実施の形態における電子部品装着装置の動作について説明しながら、本発明の電子部品装着方法の一実施の形態についても説明する。
トレイ移動機構413が、多数の電子部品8が接合面を(+Z)側に向けて載置された部品トレイ411を(−X)側に位置している供給ヘッド42の下方へ移動させ、供給コレット421は電子部品8の接合面を吸引によって吸着する。
そして、供給ヘッド移動機構43は供給ヘッド42を反転させながら(+X)方向へ移動させ、供給コレット421は、部品装着部31のボンディングツール5と、電子部品8の受渡をするための位置で、対向する。
続いて、押圧ユニット33はシャフト35を僅かに下降させ、接合作用部53が先端部531で電子部品8の上面を吸引によって吸着すると、供給コレット421は吸引を停止し、接合作用部53が供給コレット421から電子部品8を受け取る。
かくして、接合作用部53は、電子部品8を保持する(電子部品保持ステップ)。
電子部品8が受け取られると、押圧ユニット33はシャフト35を僅かに上昇させ、供給ヘッド42が元の位置へと退避する。
そして、供給ヘッド42の退避と並行して、部品装着部31が撮像部11の真上へと移動し、撮像部11は、先端部531で保持されている電子部品8を撮像する。
撮像部11が出力した画像データは制御部10に送られ、制御部10は、送られてきた画像データに基づいて部品装着部31を制御し、電子部品8の姿勢を補正する。
なお、制御部10が電子部品8の姿勢が吸着エラーなどのために補正不可能な状態であると判断した場合には、電子部品8の装着動作が中止され、部品装着部31が部品回収機構(図示省略)の上方へ移動し、電子部品8が回収される。
装着部移動機構32は、部品装着部31を、基板保持部2に保持される回路基板9における、電子部品8が装着される予定の位置の上方へ、移動させる。
次に、ボンディングツール5が回路基板9に向けて下降し、電子部品8の接合面に形成されたバンプと回路基板9における電極とが接触する。
続いて、押圧ユニット33は、シャフト35を下降させる。
かくして、押圧ユニット33は、電子部品8を押圧する(押圧ステップ)。
そして、超音波振動子52は超音波振動を発生し(超音波振動発生ステップ)、ヒータ57は接合作用部53を加熱し(加熱ステップ)、第一冷却部515および第二冷却部516は空気を流通させる(流通ステップ)。
このようにして、電子部品8の接合面に形成されたバンプが回路基板9における電極と電気的に接合され、電子部品8の接合がその装着と同時に行われる。
電子部品8の装着が終了すると、接合作用部53は電子部品8の吸引を停止し、押圧ユニット33は接合作用部53を電子部品8から離れて上昇させる。
続いて、先端部531の電子部品8に当接する面の研磨が必要であるか否かが、確認される。
研磨が必要であると判断された場合には、部品装着部31は研磨部7の上方へ移動し、先端部531が研磨部材71に押圧され、超音波振動子52により研磨のための振動が付与される。
先端部531の研磨が終了した場合、または研磨が不要であると判断された場合には、電子部品8の装着を継続するか否かが確認される。
そして、電子部品8の装着を継続する場合には、部品装着部31は供給コレット421と電子部品8の受渡をするための位置へ再び移動し、回路基板9に電子部品8を装着するための上記の装着動作が繰り返される。
そして、必要な全ての電子部品8が回路基板9に装着されると、装着動作は終了する。
さて、つぎに詳述するように、本実施の形態においては、保持された電子部品8が振動する方向や振幅が本来の設計値から変化してしまったり、振動モードが変化してしまったりする恐れが少ない。
すなわち、第一冷却部515および第二冷却部516が対称面S2についてほぼ面対称に設けられているので、ホーン51の加熱時の膨張による長さや太さの増大の仕方がX方向についてほぼ対称的になる。すると、本発明にかかる実施の形態における電子部品装着装置1の動作原理を説明するための説明図(その1)である図14(A)に示されているように、押圧時においては、ホーン保持ブロック512側からの押圧時の荷重f12がホーン保持ブロック511側からの荷重f11とほぼ等しくなる。そのため、本発明にかかる実施の形態における電子部品装着装置1によって超音波振動が印加された電子部品8の振動軌跡を説明するための説明図(その1)である図14(B)に示されているように、電子部品8の振動は、理想的なX方向の直線上の往復運動とはならないものの、長軸の方向がX方向と一致する、XY平面内における離心率が1に近い楕円上の運動となる。つまり、電子部品8の振動軌跡が、ヒータ57による加熱のために大きく変化することはない。
しかしながら、もし仮に第一冷却部515のみが設けられているとすると、ホーン51の加熱時の膨張による長さや太さの増大の仕方がX方向について対称的にはならない。すなわち、ヒータ配置部570とホーン51の(+X)側の他端との間では、ヒータ配置部570とホーン51の(−X)側の一端との間よりもホーン51の加熱時の膨張による長さや太さの増大の仕方が大きくなる。すると、本発明にかかる実施の形態における電子部品装着装置1の動作原理を説明するための説明図(その2)である図15(A)に示されているように、押圧時においては、ホーン保持ブロック512側からの押圧時の荷重f22が、ホーン51の太さの増大にともなう反作用のために、ホーン保持ブロック511側からの荷重f21よりも大きくなる。そのため、本発明にかかる実施の形態における電子部品装着装置1によって超音波振動が印加された電子部品8の振動軌跡を説明するための説明図(その2)である図15(B)に示されているように、電子部品8の振動は、長軸の方向がもはやX方向とは一致しない、XY平面内における楕円上の運動となってしまう。
なお、電子部品装着装置1は、ヒータ57による非常に高い加熱の温度を維持するための高精度な温度制御を行うことが求められる、金と金との接合をともなう半導体フリップチップ実装などにおいては、非常に有効である。
また、電子部品装着装置1は、(1)電子部品8が、ホーン51の長手方向であるX方向などについてサイズが大きいチップ、またはZ方向に薄いチップである、および/または(2)回路基板9が、電気配線がシート状にされているテープ材、または電気配線が樹脂の上にされている機材である、半導体フリップチップ実装などにおいても、有効である。
なぜならば、そのような高度な半導体フリップチップ実装においては、保持された電子部品8が振動する方向や振幅が本来の設計値から変化してしまったり、振動モードが変化してしまったりする恐れを低減する必要性はより高くなるが、本発明の電子部品装着装置1に関しては上述した通りそのような恐れが少ない。したがって、本発明の電子部品装着装置1は、電子部品8が回路基板9に対して傾いてしまい、電子部品8または回路基板9の電極などにおけるダメージまたは接合不良が発生する現象などに対応して、装置の平行調整などを行う必要が、ほとんどない。
このように、対応できる電子部品8のデバイスサイズおよび品種が従来よりも多くなるので、本発明の電子部品装着装置1は様々な分野において有効である。
なお、本発明において、直交、平行などの数学的用語は、厳密に直交、平行な場合以外に、それらの機能を達成する上で支障の無い限りで、ほぼ直交、ほぼ平行などの場合も含む。
もちろん、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
本発明にかかる、ボンディングツール、電子部品装着装置、および電子部品装着方法は、より質の高い超音波接合を行うことができ、半導体フリップチップ実装等として有用である。
8 電子部品
9 回路基板
33 押圧ユニット
34 ツール支持部
35 シャフト
5 ボンディングツール
51 ホーン
511、512、513、514 ホーン保持ブロック
5111 ホーン固定ネジ
515 第一冷却部
516 第二冷却部
52 超音波振動子
53 接合作用部
531 先端部
54 ホルダ
541、542 ホルダブロック
543、544 ホルダブロック通気孔
55 熱電対固定プレート
57 ヒータ
570 ヒータ配置部
571、572 ヒータ保持ブロック
58 ヒータ固定ネジ
59 熱電対
61、62、63 吸着パッド
64、65、66 チューブ
600 吸引路
1000 ボンディングツール
1100 昇降ブロック
1110 ブラケット
1200 ホーン
1300 冷却部
1310 吸着パッド
1400 超音波振動子
1500 接合作用部
1600 ヒータ
1610 ヒータ装着空洞部
1700 熱電対
1810、1820 リード線
1910 電子部品
1920 回路基板

Claims (16)

  1. 超音波振動を伝達するホーンと、
    前記ホーンの一端に設けられ、前記超音波振動を発生する超音波振動子と、
    前記ホーンの前記一端と前記ホーンの他端との間に設けられ、ヒータが配置されるヒータ配置部と、
    前記ホーンの前記一端と前記ホーンの前記他端との間に設けられ、電子部品を保持し、前記ヒータによって加熱される接合作用部と、
    前記ヒータ配置部と前記ホーンの前記一端との間に設けられ、流体が流通する第一冷却部と、
    前記ヒータ配置部と前記ホーンの前記他端との間に設けられ、流体が流通する第二冷却部と、
    を備えた、ボンディングツール。
  2. 前記ヒータ配置部は、前記超音波振動が伝達される方向と直交する方向に前記ホーンを貫通するヒータ挿入孔である、請求項1記載のボンディングツール。
  3. 前記ヒータは、前記ヒータ挿入孔の壁部と所定のクリアランスを隔てて、外部に設けられている押圧ユニットに連結され、前記ホーンの外側に配置されたヒータ保持ブロックに固定される、請求項2記載のボンディングツール。
  4. 前記接合作用部が、前記ホーンの下面に設けられ、
    前記ヒータ配置部は、前記接合作用部の直上に設けられる、請求項1記載のボンディングツール。
  5. 前記ヒータ配置部と前記第一冷却部との間の距離は、前記ヒータ配置部と前記第二冷却部との間の距離に等しい、請求項1記載のボンディングツール。
  6. 前記第一冷却部および前記第二冷却部は、前記超音波振動が伝達される方向と直交する方向に前記ホーンを貫通し、気体が流通する通気孔である、請求項1記載のボンディングツール。
  7. 前記通気孔の開口部の形状は、前記超音波振動が伝達される方向を長手方向とする細幅の矩形である、請求項6記載のボンディングツール。
  8. 前記ホーンの形状は、角柱であり、
    前記接合作用部は、前記ホーンの下面に設けられ、
    前記ホーンを保持するためのホーン保持ブロックが、前記ホーンの両側面にそれぞれ設けられている、請求項1記載のボンディングツール。
  9. 前記ホーン保持ブロックは、前記ホーンの側面に設けられたリブと、前記リブに接合された本体と、を有し、
    前記リブの長手方向は、前記超音波振動が伝達される方向と直交する方向であって、前記ホーンの前記下面と直交する方向である、請求項8記載のボンディングツール。
  10. 前記本体は、前記リブに隣接して、前記リブの前記長手方向に形成された溝を有する、請求項9記載のボンディングツール。
  11. 前記ホーン保持ブロックは、前記ホーンの前記両側面にそれぞれ二個ずつ設けられており、
    前記第一冷却部は、二個の前記ホーン保持ブロックの内の、前記ホーンの前記一端により近い前記ホーン保持ブロックと、前記ホーンの前記一端と、の間に設けられ、
    前記第二冷却部は、二個の前記ホーン保持ブロックの内の、前記ホーンの前記他端により近い前記ホーン保持ブロックと、前記ホーンの前記他端と、の間に設けられている、請求項8記載のボンディングツール。
  12. 前記超音波振動は、二個のノーダルポイントを有し、
    前記第一冷却部は、前記二個のノーダルポイントの内の、前記ホーンの前記一端により近い前記ノーダルポイントと、前記ホーンの前記一端と、の間に設けられ、
    前記第二冷却部は、前記二個のノーダルポイントの内の、前記ホーンの前記他端により近い前記ノーダルポイントと、前記ホーンの前記他端と、の間に設けられている、請求項1記載のボンディングツール。
  13. 前記第一冷却部および前記第二冷却部の内の少なくとも一方に前記流体を流通させる流体流通ユニットが、外部に設けられている、請求項1記載のボンディングツール。
  14. 前記電子部品を吸引によって保持するための吸引路の吸引口が、前記接合作用部に形成され、
    前記吸引路の排気口が、前記ホーンの上面の、前記ホーンの前記他端よりも前記ホーンの前記一端により近い部分に形成され、
    前記吸引路の形状は、T字形であり、
    前記吸引路の一部は、前記ホーンの前記一端の、前記超音波振動子が当接する部分から穿掘された穴である、請求項1記載のボンディングツール。
  15. 対象物を保持する保持部と、
    電子部品を供給する供給部と、
    前記保持された対象物に、前記供給された電子部品を装着する装着ユニットと、
    を備え、
    前記装着ユニットは、部品装着部を有し、
    前記部品装着部は、押圧ユニットと、請求項1記載のボンディングツールと、を有し、
    前記押圧ユニットは、前記ボンディングツールの前記接合作用部を介し、前記対象物に対して、前記電子部品を押圧する、電子部品装着装置。
  16. 請求項15記載の電子部品装着装置を使用して、前記対象物に対して前記電子部品を装着するための電子部品装着方法であって、
    前記接合作用部を利用して前記電子部品を保持する電子部品保持ステップと、
    前記押圧ユニットを利用して前記対象物に対して前記電子部品を押圧する押圧ステップと、
    前記超音波振動子を利用して前記超音波振動を発生する超音波振動発生ステップと、
    前記ヒータを利用して前記接合作用部を加熱する加熱ステップと、
    前記第一冷却部と第二冷却部とを利用して前記流体を流通させる流体流通ステップと、
    を備えた、電子部品装着方法。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101842000B (zh) * 2009-03-19 2014-04-30 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 贴附装置及使用该贴附装置的贴附方法
US8196798B2 (en) 2010-10-08 2012-06-12 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Solar substrate ribbon bonding system
KR101344955B1 (ko) * 2012-04-30 2013-12-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 본딩 장치 및 이를 이용한 본딩 불량 예측 방법
JP6273204B2 (ja) * 2012-09-12 2018-01-31 株式会社Gsユアサ 蓄電素子、及び蓄電素子の製造方法
TWI490956B (zh) * 2013-03-12 2015-07-01 Shinkawa Kk 覆晶接合器以及覆晶接合方法
US9093549B2 (en) * 2013-07-02 2015-07-28 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Bond heads for thermocompression bonders, thermocompression bonders, and methods of operating the same
US10192847B2 (en) * 2014-06-12 2019-01-29 Asm Technology Singapore Pte Ltd Rapid cooling system for a bond head heater
WO2017039709A1 (en) * 2015-09-04 2017-03-09 Edison Industrial Innovation, Llc Closed-loop metalworking system
JP6176542B2 (ja) * 2015-04-22 2017-08-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 電子部品ボンディングヘッド
EP4269019A3 (en) * 2017-04-04 2024-02-21 Kulicke and Soffa Industries, Inc. Ultrasonic welding system and method of operating an ultrasonic welding system
US10763236B2 (en) * 2018-01-09 2020-09-01 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Systems and methods of operating wire bonding machines including clamping systems
JP6624472B1 (ja) * 2018-12-26 2019-12-25 アサヒ・エンジニアリング株式会社 電子部品の実装装置
MA56291A1 (fr) * 2019-11-07 2022-07-29 Schunk Sonosystems Gmbh Appareil de soudage par ultrasons avec refroidissement pour arrangement d'oscillateur
JP7457983B2 (ja) 2020-06-03 2024-03-29 パナソニックIpマネジメント株式会社 接合ツール、接合装置、及び、接合体の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3615968A (en) * 1967-11-24 1971-10-26 Grace W R & Co Metal-metal bonding
US5121329A (en) * 1989-10-30 1992-06-09 Stratasys, Inc. Apparatus and method for creating three-dimensional objects
JP3078231B2 (ja) * 1995-08-22 2000-08-21 株式会社アルテクス 超音波振動接合装置
JP2915350B2 (ja) * 1996-07-05 1999-07-05 株式会社アルテクス 超音波振動接合チップ実装装置
JP3475802B2 (ja) * 1998-09-02 2003-12-10 松下電器産業株式会社 電子部品接合装置
JP3664155B2 (ja) * 2002-08-01 2005-06-22 松下電器産業株式会社 電子部品のボンディング装置およびボンディングツール
JP4258438B2 (ja) 2004-06-03 2009-04-30 パナソニック株式会社 ボンディング装置およびボンディングツール
JP2006339198A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Toray Eng Co Ltd 超音波接合ホーン及びこれを用いた超音波接合装置
JP2008078272A (ja) 2006-09-20 2008-04-03 Athlete Fa Kk 超音波振動接合装置
JP4884936B2 (ja) 2006-11-21 2012-02-29 アスリートFa株式会社 超音波振動接合装置
WO2008139668A1 (ja) 2007-04-27 2008-11-20 Panasonic Corporation 電子部品装着装置および電子部品装着方法

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TWI430727B (zh) 2014-03-11
US8028886B2 (en) 2011-10-04
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KR101121385B1 (ko) 2012-03-09
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