JP2787057B2 - ダイボンディング装置 - Google Patents

ダイボンディング装置

Info

Publication number
JP2787057B2
JP2787057B2 JP4401291A JP4401291A JP2787057B2 JP 2787057 B2 JP2787057 B2 JP 2787057B2 JP 4401291 A JP4401291 A JP 4401291A JP 4401291 A JP4401291 A JP 4401291A JP 2787057 B2 JP2787057 B2 JP 2787057B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
case
wiring board
chip element
die bonding
die
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP4401291A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04263436A (ja
Inventor
正風 細矢
みつ江 熊木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP4401291A priority Critical patent/JP2787057B2/ja
Publication of JPH04263436A publication Critical patent/JPH04263436A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2787057B2 publication Critical patent/JP2787057B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301Bonding head
    • H01L2224/75302Shape
    • H01L2224/75303Shape of the pressing surface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ベアチップ半導体素子
やその他の表面実装用回路素子等のチップ素子をケース
または他の配線板にダイボンディングするために、チッ
プ素子を保持固定するための上部機構と、その下部に配
置された、チップ素子をダイボンディングするケースま
たは他の配線板を保持固定するための機構を有する加熱
ステージとを備えたダイボンディング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に使用されているダイボンディング
装置は、図4に示すように、チップ素子を吸着固定す
る、ダイコレット1と呼ばれるツールが取付けられた上
部機構12と、その下部に配置された加熱ステージ13
とで構成されている。
【0003】上部機構12はダイコレット1を摺動させ
るとともにダイコレット1を介してチップ素子を予備加
熱する機能を有し、また加熱ステージ13はケース4ま
たは他の配線板を熱板14上に支持固定する構造となっ
ている。
【0004】図5は、図4のダイボンディング装置によ
ってケース4にチップ素子3をダイボンディングする様
子を示す縦断面図である。
【0005】ダイボンディングの手順は、金錫はんだ、
錫鉛はんだ等のろう材を使用する場合には、まず加熱ス
テージ13の熱板14上に配置されたケース4の内底面
にろう材11を溶融コーティングし、引続いてチップ素
子3を吸着させたダイコレット1を降下させ、ケース4
の内底面の溶融したろう材11に接触させた上で、上部
機構12によってダイコレット1を前後に摺動させてチ
ップ素子3をケース4の内底面に密着させ、その後に、
ダイコレット1をチップ素子3から取外し、ケース4を
加熱ステージ13の熱板14の上から降ろしてろう材1
1を徐冷硬化させる。
【0006】熱硬化型接着剤を使用してダイボンディン
グする場合には、接着剤があらかじめ塗布されたケース
4の底面にチップ素子3をダイコレット1によって密着
させた後に、熱板14を加熱して接着剤を硬化させる。
【0007】他のダイボンディング装置としては、本発
明者等が先に出願した図6および図7に示すような位置
合せ兼用のダイボンディング装置(特願平2−9226
7号)がある。本装置は、高周波領域で用いられる形状
の小さなフレキシブル配線板に実装されたチップ素子を
ケースまたは他の配線板にダイボンディングするための
ものであり、図4の、ダイコレットを使用した装置で
は、フレキシブル配線板が妨げになってダイコレットに
よるチップ素子の吸着固定ができないという欠点を解消
した装置である。
【0008】本装置によって、金錫はんだ、錫鉛はんだ
等のろう材11を使用してダイボンディングする場合の
手順は次のとおりである。まず、加熱ステージの熱板1
4に支持固定されたケース4の内底面にろう材11を溶
融コーティングし、次いでチップ素子3が実装されたフ
レキシブル配線板15をケース4内に収容する。フレキ
シブル配線板15は、左右に配置されたマイクロマニピ
ュレータ16から延長されたピン17によって支持固定
し、熱板14が取付けられた加熱ステージのX軸Y軸可
動機構18および回転機構19によって、フレキシブル
配線板15の外部リード20とケース4の電極端子21
との位置合せを行なう。さらに、ピン17によってフレ
キシブル配線板15を介して実装されたチップ素子3を
加圧し、チップ素子3とケース4内底面との密着を行な
う。その後に、ケース4を熱板14の上から降ろしてろ
う材11を徐冷硬化させる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】高周波チップ素子をケ
ース内にダイボンディングし、チップ素子の電極とケー
スの電極端子間をワイヤ接続する場合においては、ワイ
ヤのインダクタンス成分を小さくするためにワイヤ長を
極力短くすることが必要である。そのためには、電極端
子のあるケース内壁とチップ素子とを接近させてダイボ
ンディングしなければならない。しかしながら、従来の
図4に示すようなダイボンディング装置では、ダイコレ
ット1の摺動ストロークが 0.3〜1 mm程度と大きいため
に、広い摺動スペースが必要となり、チップ素子とケー
ス内壁との距離を小さくできないという欠点がある。
【0010】また、高周波領域で用いられる形状の小さ
なフレキシブル配線板に実装されたチップ素子を、ケー
スまたは他の配線板にダイボンディングするために、本
発明者等が先に出願した図6および図7に示すような位
置合せ兼用のダイボンディング装置(特願平2−922
67号)では、フレキシブル配線板15に実装されたチ
ップ素子3をケース4内底面にダイボンディングさせる
ための操作が、マイクロマニピュレータ16から延長さ
れたピン17による静的加重のみであることから、チッ
プ素子3とケース4界面のろう材11内に空隙を生ずる
場合があり、確実に密着されずダイボンディングの信頼
性を損なうという欠点がある。接着剤を使用した場合で
も同様に空隙を生じ、高信頼なダイボンディングができ
ないという欠点がある。
【0011】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、チップ素子とケース内底面との
摺動ストロークが小さく、したがって狭い領域でのダイ
ボンディングが可能であるとともに、高周波領域で用い
られる形状の小さなフレキシブル配線板に実装されたチ
ップ素子を、ケースまたは他の配線板に高精度に、かつ
確実にダイボンディングするのに好適なダイボンディン
グ装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明のダイボンディン
グ装置は、加熱ステージが、超音波発振源と、ケースま
たは配線板を上面に支持固定する振動板と、振動板を水
平に超音波発振源に接続し、超音波発振源で発生した超
音波振動によりケースまたは配線板を水平方向に振動さ
せる振動ホーンと、振動板の下方に配置され、振動板を
介してケースまたは配線板を加熱する熱板と、熱板を垂
直方向に移動させるZ軸可動機構と、超音波発振源およ
びZ軸可動機構を水平面内でそれぞれ回転、直線移動さ
せる回転機構およびX軸Y軸可動機構を含むことを特徴
とする。
【0013】
【作用】本発明は、チップ素子を支持固定する上部機構
にはチップ素子を摺動させる機構を設けず、ケースまた
は他の配線板を支持固定し加熱する加熱ステージに、振
動板と、振動板を水平方向に振動させる超音波振動機構
を設ける構造としたものである。
【0014】このような構造とすることで、上部機構の
ダイコレットによって吸着固定されたチップ素子、ある
いはマイクロマニピュレータによって支持固定されたフ
レキシブル配線板に実装されたチップ素子の底面に対
し、加熱ステージの振動板に支持固定されたケースまた
は他の配線板のチップ素子取付け面が水平方向に超音波
振動するために、溶融ろう材あるいは接着剤がチップ素
子底面に均一に分散し、ろう材あるいは接着剤内に気泡
・空隙のない高信頼なダイボンディングが可能となる。
【0015】本構造においては、チップ素子を密着させ
る方法として超音波を用いており、摺動ストロークを数
十μm程度にまで小さくできるため、チップ素子とケー
ス内壁とを接近させることができるとともに、フレキシ
ブル配線板に実装されたチップ素子をダイボンディング
する場合でも、位置合せされたフレキシブル配線板の外
部リードとケースの電極端子とが位置ずれを起こす等の
悪影響を与えることなく、高精度にダイボンディングす
ることができる。
【0016】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【0017】図1は本発明の第1の実施例のダイボンデ
ィング装置の正面図、図2はその拡大断面図である。本
実施例のダイボンディング装置はダイコレットによって
チップ素子を吸着固定してダイボンディングする場合の
例である。
【0018】ダイコレット1が取付けられている上部機
構2は、チップ素子をケース4の内底面に接触させ上部
より加圧する機能を有する。その下部に配置された加熱
ステージは、超音波発振源8と、ケース4または配線板
を上面に支持固定する、体積の小さな振動板5と、振動
板5を水平に超音波発振源8に接続し、超音波発振源8
で発生した超音波振動によりケース4または配線板を水
平方向に振動させる振動ホーン7と、振動板5の下方に
配置され、振動板5を介してケース4または配線板を加
熱する熱板6と、熱板6を垂直方向(Z軸方向)に移動
させるZ軸可動機構6’と、超音波発振源8およびZ軸
可動機構6’を水平面(XY平面)内でそれぞれ回転、
直線移動させる回転機構9およびX軸Y軸可動機構10
とで構成されている。このように振動板5は、熱板6を
分割して体積を小さくした構造としているため、比較的
小さな超音波パワーでケース4を効率的に振動させるこ
とができる。
【0019】次に、本実施例の動作を、金錫はんだ、錫
鉛はんだ等のろう材11を使用した場合について説明す
る。
【0020】まず、振動板5上にケース4を配置し、熱
板6をZ軸可動機構6’によりZ軸方向に移動させて振
動板5と接触させ振動板5を熱板6によって加熱した上
で、ケース4の内底面にろう材11を溶融コーティング
する。次いで、回転機構9およびX軸Y軸可動機構10
によってダイコレット1に吸着させたチップ素子3とケ
ース4との位置合せを行なう。引続きダイコレット1を
降下させてチップ素子3をケース4の内底面の溶融した
ろう材11に接触させ、同時に超音波発振源8を駆動し
て振動板5を振動させることによってチップ素子3とケ
ース4の内底面とを密着させる。その後に、ダイコレッ
ト1をチップ素子3から取外し、ケース4を振動板5の
上から降ろしてろう材11を徐冷硬化させる。
【0021】このように、上部機構2のダイコレット1
によって吸着固定されたチップ素子3の底面に対し、振
動板5に支持固定されたケース4の内底面を水平に超音
波振動させることで、溶融ろう材11がチップ素子3底
面に均一に分散し、ろう材11内に気泡・空隙を残さず
に高信頼なダイボンディングができる。
【0022】これによって、従来のダイボンディング装
置よりも摺動ストロークを極めて小さくできるため、ダ
イコレット1がケース4の内壁に接触することなく、チ
ップ素子3とケース内壁とを接近させて高精度にダイボ
ンディングすることができる。
【0023】図3は本発明の第2の実施例のダイボンデ
ィング装置の縦断面図である。本実施例は、フレキシブ
ル配線板に実装されたチップ素子をダイボンディングす
る場合の例である。
【0024】チップ素子の実装されたフレキシブル配線
板を支持固定する上部機構は図6と同じ構造であり、ま
た下部に配置されるステージは第1の実施例の場合と同
じ構造である。
【0025】金錫はんだ、錫鉛はんだ等のろう材を使用
した場合のボンディング手順は以下の通りである。ま
ず、振動板5に支持固定されたケース4の内底面にろう
材11を溶融コーティングし、次いでチップ素子3が実
装されたフレキシブル配線板15をケース4内に収容す
る。引続き、フレキシブル配線板15をマイクロマニピ
ュレータ16から延長されたピン17によって支持固定
し、X軸Y軸可動機構10および回転機構9によって、
フレキシブル配線板15の外部リード20とケース4の
電極端子21との位置合せを行ない、さらに、ピン17
によりフレキシブル配線板15に実装されたチップ素子
3を加重するとともに、超音波発振源8を駆動して振動
板5を振動させることによってチップ素子3とケース4
の内底面とを密着させる。その後、ダイコレット1をチ
ップ素子3から取外し、ケース4を振動板5の上から降
ろしてろう材11を徐冷硬化させる。
【0026】図6に示した従来の位置合せ兼用のダイボ
ンディング装置では、チップ素子3とケース4の内底面
との密着をピン17の加重のみによっていたが、本実施
例のダイボンディング装置では、ケース4に対してその
内底面と平行方向に超音波振動を与えるため、第1の実
施例で述べたと同様に溶融ろう材11がチップ素子3底
面に均一に分散し、ろう材11内に気泡・空隙を残さず
に、高信頼でかつ高精度なダイボンディングができる。
【0027】接着剤を用いた場合には、第1の実施例、
第2の実施例ともに、ケース4の内底面に接着剤をあら
かじめ塗布した上で、チップ素子3とケース4の電極端
子21とを位置合せし、超音波振動を印加しつつ密着さ
せた後に熱板6を上昇させて振動板5に接触させ、接着
剤を加熱硬化させればよい。
【0028】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、チップ素
子を支持固定する上部機構の下部に配置されたケースま
たは他の配線板を支持固定し加熱するための加熱ステー
ジに、ケースまたは他の配線板を支持固定する振動板
と、振動板を水平方向に超音波振動させるための超音波
振動機構(超音波発振源と超音波ホーン)を設けたこと
により、以下のような効果がある。 (1)上部機構のダイコレットによって吸着固定された
チップ素子、あるいはマイクロマニピュレータによって
支持固定されたフレキシブル配線板に実装されたチップ
素子の底面に対し、加熱ステージに支持固定されたケー
スまたは他の配線板のチップ素子取付け面が平行に超音
波振動するために、溶融ろう材あるいは接着剤がチップ
素子底面に均一に分散し、ろう材あるいは接着剤内に気
泡・空隙のない高信頼なダイボンディングが可能とな
る。 (2)これによって、従来のダイコレットを使用したダ
イボンディング装置より、チップ素子を密着させるため
のチップ素子摺動ストロークを極めて小さくできるた
め、チップ素子をケース内に実装する場合に、チップ素
子とケース内壁とを接近させてダイボンディングするこ
とができ、従って、チップ素子を接続するワイヤ長を短
くすることができる。すなわち、ワイヤによるインダク
タンス成分を小さくすることができ、高周波特性の改善
に極めて効果が大きい。 (3)また、フレキシブル配線板に実装されたチップ素
子をダイボンディングする場合でも、チップ素子摺動ス
トロークを極めて小さくできるため、位置合せされたフ
レキシブル配線板の外部リードとケースの電極端子とが
位置ずれを起こす等の問題を生ずることなく、高精度
で、かつ高信頼なダイボンディングを行なうことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例のダイボンディング装置
の正面図である。
【図2】チップ素子3をケース4にダイボンディングす
る場合の図1の装置の詳細を説明する縦断面図である。
【図3】本発明の第2の実施例のダイボンディング装置
の、ケース4にダイボンディングする場合の詳細を説明
する縦断面図である。
【図4】ダイボンディング装置の従来例を示す側面図で
ある。
【図5】図4の従来のダイボンディング装置によってチ
ップ素子3をケース4にダイボンディングする場合の詳
細を説明する縦断面図である。
【図6】本発明者等が先に出願した、フレキシブル配線
板の位置合せ装置兼ダイボンディング装置の構造例を示
す斜視図である。
【図7】本発明者等が先に出願した、フレキシブル配線
板の位置合せ装置兼ダイボンディング装置によるダイボ
ンディング方法を説明する断面図である。
【符号の説明】
1 ダイコレット 2 上部機構 3 チップ素子 4 ケース 5 振動板 6 熱板 6’ Z軸可動機構 7 超音波ホーン 8 超音波発振源 9 回転機構 10 X軸Y軸可動機構 11 ろう材 12 上部機構 13 加熱ステージ 14 熱板 15 フレキシブル配線板 16 マイクロマニピュレータ 17 ピン 18 X軸Y軸可動機構 19 回転機構 20 フレキシブル配線板15の外部リード 21 ケース4の電極端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−143435(JP,A) 特開 平3−8347(JP,A) 特開 昭64−47034(JP,A) 特開 昭62−26830(JP,A) 特開 昭62−78841(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/52,21/58

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ベアチップ半導体素子やその他の表面実
    装用回路素子等のチップ素子をケースまたは他の配線板
    にダイボンディングするために、チップ素子を保持固定
    するための上部機構と、その下部に配置された、チップ
    素子をダイボンディングするケースまたは他の配線板を
    保持固定するための機構を有する加熱ステージとを備え
    たダイボンディング装置において、前記加熱ステージ
    が、超音波発振源と、前記ケースまたは配線板を上面に
    支持固定する振動板と、前記振動板を水平に前記超音波
    発振源に接続し、前記超音波発振源で発生した超音波振
    動により前記ケースまたは配線板を水平方向に振動させ
    る振動ホーンと、前記振動板の下方に配置され、前記振
    動板を介して前記ケースまたは配線板を加熱する熱板
    と、前記熱板を垂直方向に移動させるZ軸可動機構と、
    前記超音波発振源および前記Z軸可動機構を水平面内で
    それぞれ回転、直線移動させる回転機構およびX軸Y軸
    可動機構を含むことを特徴とするダイボンディング装
    置。
JP4401291A 1991-02-18 1991-02-18 ダイボンディング装置 Expired - Fee Related JP2787057B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4401291A JP2787057B2 (ja) 1991-02-18 1991-02-18 ダイボンディング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4401291A JP2787057B2 (ja) 1991-02-18 1991-02-18 ダイボンディング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04263436A JPH04263436A (ja) 1992-09-18
JP2787057B2 true JP2787057B2 (ja) 1998-08-13

Family

ID=12679776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4401291A Expired - Fee Related JP2787057B2 (ja) 1991-02-18 1991-02-18 ダイボンディング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2787057B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110880464A (zh) * 2019-11-18 2020-03-13 苏州新米特电子科技有限公司 用于半导体封装工艺的芯片卸载装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04263436A (ja) 1992-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5669545A (en) Ultrasonic flip chip bonding process and apparatus
KR100571306B1 (ko) 초음파 트랜스듀서 조립체
US6202915B1 (en) Ultrasonic vibration bonding method
US4285002A (en) Integrated circuit package
US6437450B1 (en) Method of mounting semiconductor chip
US7514788B2 (en) Structure of mounting electronic component
KR100686315B1 (ko) 전자 회로 장치의 제조 방법
US5834835A (en) Semiconductor device having an improved structure for storing a semiconductor chip
TW201830542A (zh) 接合半導體元件的系統及方法
JPH07115109A (ja) フリップチップボンディング方法及び装置
JP2581748B2 (ja) リードワイヤボンディング装置及び方法
JP2787057B2 (ja) ダイボンディング装置
JPS62293749A (ja) 半導体装置の3次元的実装構造およびその製造方法
JPH05114800A (ja) 電子部品の実装方法及び実装装置
JPH10173007A (ja) ベアチップ搭載装置
Maruo et al. Development of ultrasonic flip chip bonding for flexible printed circuit
JP3348830B2 (ja) はんだバンプボンディング装置およびはんだバンプボンディング方法
JP4109000B2 (ja) 電子部品実装装置
JP4056276B2 (ja) 部品実装方法及び装置
JPH08227924A (ja) 集積回路を試験する装置
JP2576426B2 (ja) 半導体装置のボンディング方法及びボンディング装置
JP2814608B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP3490992B2 (ja) フリップチップ接続用超音波ヘッド
JP2002289644A (ja) 半導体素子の接合方法及び接合装置
JP2004006570A (ja) 電子部品素子の実装方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees