JP5276908B2 - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る共振型の固体撮像素子の全体的な構成を説明するための平面概略図である。同図は、基板の上面(半導体素子が形成されている面)側から見た図である。
図3は、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像素子の構成例を示す断面図である。同図は、図1に示すII−II線と同じ位置における断面を示している。
図4は、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像素子の構成例を示す断面図である。同図に示すように、本実施形態の固体撮像素子では、積層基板106の厚みを薄くした撮像領域100において、高濃度のP+型層104がエピタキシャル成長ではなく、高いピーク濃度を有するようにイオン注入により形成される。また、撮像領域100において、PNフォトダイオード109下でのP+型層104のピーク位置が、PNフォトダイオード109以外のMOSトランジスタ下でのP+型層104のピーク位置よりも浅く形成される。
図5は、本発明の第4の実施形態に係る固体撮像素子の構成例を示す断面図である。
図6は、本発明の第5の実施形態に係る固体撮像素子の構成例を示す断面図である。
図7(a)、(b)、図8(a)、(b)、図9(a)、(b)、図10(a)、(b)、図11(a)、(b)、図12(a)、(b)、図13は、本発明の固体撮像素子の製造方法を示す断面図である。同図を参照し、第6の実施形態として、本発明の共振型固体撮像素子の製造方法を説明する。なお、理解を容易にするため、第1の実施形態に係る固体撮像素子の製造方法を主体として説明する。
図17は、本発明の第7の実施形態に係る固体撮像素子の構成例を示す断面図である。
101 周辺回路領域
101a 水平シフトレジスタ
101b 垂直シフトレジスタ
102 ボンディングパッド
103 N型シリコン基板
104 P+型層
105 N型層
106 積層基板
107 P型不純物層
108 N型不純物層
109 PNフォトダイオード
110 リセットトランジスタ
111 素子分離部
112 チャネルストップ層
113a、113b ゲート電極
114、114a、214 シリコン酸化膜
115 層間絶縁膜
116 コンタクトプラグ
117 反射膜
118 基板コンタクト部
118a 基板コンタクト
118b コンタクトプラグ
119 シリコンゲルマニウム層
120 シリコン窒化膜
121a、121b、121c レジスト膜
122 凹部
Claims (14)
- 光電変換素子とトランジスタとを有する画素が複数個設けられた撮像領域と、周辺回路領域とが形成された固体撮像素子であって、
シリコン基板と、前記シリコン基板よりも高濃度にP型不純物を含む第1の半導体層とを有し、上面側に前記複数の画素が設けられた基板を備え、
前記撮像領域において、前記基板の裏面には、前記第1の半導体層の裏面に達する凹部が形成され、
前記第1の半導体層は、不純物の濃度ピークを有しており、
前記光電変換素子の下方における前記濃度ピークは、前記トランジスタの下方における前記濃度ピークよりも浅い位置に形成されている固体撮像素子。 - 前記基板は、前記第1の半導体層の上に設けられた第2の半導体層をさらに有していることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記第1の半導体層および前記第2の半導体層は、エピタキシャル成長により形成された層であることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像素子。
- 前記第1の半導体層内の前記濃度ピークは、イオン注入により形成されたものであることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像素子。
- 前記凹部の内面に光の反射膜が形成されていることを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか1つに記載の固体撮像素子。
- 前記周辺回路領域内において、前記基板の上に設けられた基板コンタクトと、前記基板コンタクトに接続されたパッドとを有する基板コンタクト部をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜5のうちいずれか1つに記載の固体撮像素子。
- 前記基板のうち、前記光電変換素子が形成された領域上に設けられ、前記第1の半導体層と同じ導電型を有するシリコンゲルマニウム層をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜6のうちいずれか1つに記載の固体撮像素子。
- 前記凹部が形成された領域における前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とを合わせた厚みは、5μm以上且つ8μm以下であることを特徴とする請求項2または3に記載の固体撮像素子。
- 前記光電変換素子の上方を覆う配線をさらに備え、
前記第1の半導体層は前記光電変換素子の底部に接していることを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか1つに記載の固体撮像素子。 - 前記第1の半導体層の不純物濃度は、1×1018atoms/cm3以上且つ1×1021atoms/cm3以下であることを特徴とする請求項1〜9のうちいずれか1つに記載の固体撮像素子。
- 前記反射膜は、金属材料、誘電体材料または有機材料からなることを特徴とする請求項5に記載の固体撮像素子。
- 撮像領域と周辺回路領域とが形成された固体撮像素子の製造方法であって、
シリコン基板と、前記シリコン基板上に設けられ、前記シリコン基板よりも高濃度にP型不純物を含む第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に設けられた第2の半導体層とを有する基板を準備する工程(a)と、
前記撮像領域において、前記第2の半導体層内に設けられた光電変換素子と、前記第2の半導体層上に設けられたトランジスタとを有する画素を形成する工程(b)と、
前記撮像領域において、前記第1の半導体層をストッパーとして前記基板の裏面をエッチングし、前記第1の半導体層に達する凹部を形成する工程(c)とを備え、
前記工程(a)は、不純物の濃度ピークを有する前記第1の半導体層を前記基板内に形成する工程を含み、
前記撮像領域において、前記光電変換素子を設けるための領域に設けられた前記第1の半導体層の前記濃度ピークは、前記トランジスタを設けるための領域に設けられた前記第1の半導体層の前記濃度ピークよりも浅い位置にある固体撮像素子の製造方法。 - 前記工程(a)は、前記シリコン基板上に前記第1の半導体層と前記第2の半導体層とを順次エピタキシャル成長させる工程を含んでいることを特徴とする請求項12に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記工程(a)は、前記基板に導電性の不純物をイオン注入することにより前記濃度ピークを有する前記第1の半導体層を前記基板内に形成する工程を含んでいることを特徴とする請求項12に記載の固体撮像素子の製造方法。
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