JP5274393B2 - ハーフトーンマスクの製造方法 - Google Patents
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第1のレジスト領域と、上記第1のレジスト領域よりも現像液で除去され難い第2のレジスト領域と、上記第2のレジスト領域よりも上記現像液で除去され難い第3のレジスト領域は、上記フォトレジストを露光することで形成される。
上記第1のレジスト領域に対応する第1の遮光層領域をエッチングするためのマスクは、上記第2及び第3のレジスト領域によって、上記第1のレジスト領域を現像液で除去することで形成される。
上記第1の遮光層領域は、エッチングされる。
上記第1のレジスト領域に対応する半透光層領域はエッチングされる。
上記第2のレジスト領域に対応する第2の遮光層領域をエッチングするためのマスクは、上記第3のレジスト領域によって、上記第2のレジスト領域を上記現像液で除去することで形成される。
上記第2の遮光層領域はエッチングされる。
第1のレジスト領域と、上記第1のレジスト領域よりも現像液で除去され難い第2のレジスト領域と、上記第2のレジスト領域よりも上記現像液で除去され難い第3のレジスト領域は、上記フォトレジストを露光することで形成される。
上記第1のレジスト領域に対応する第1の遮光層領域をエッチングするためのマスクは、上記第2及び第3のレジスト領域によって、上記第1のレジスト領域を現像液で除去することで形成される。
上記第1の遮光層領域は、エッチングされる。
上記第1のレジスト領域に対応する半透光層領域はエッチングされる。
上記第2のレジスト領域に対応する第2の遮光層領域をエッチングするためのマスクは、上記第3のレジスト領域によって、上記第2のレジスト領域を上記現像液で除去することで形成される。
上記第2の遮光層領域はエッチングされる。
本発明の第1の実施形態に係るハーフトーンマスクの製造方法について説明する。
マスクブランクス1’に対して、本実施形態に示す製造方法を適用することにより図1に示すハーフトーンマスク1が製造される。
本発明の第2の実施形態に係るハーフトーンマスクの製造方法について説明する。
第1の実施形態に係るハーフトーンマスクの製造方法と重複する構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態に係るハーフトーンマスクの製造方法は、第1の実施形態と同様にマスクブランクス1’をパターニングしてハーフトーンマスク1を製造するものである。本実施形態に係るハーフトーンマスクの製造方法は第1の実施形態に係る製造方法に対し、半透光層領域3aをエッチングする工程が2回目の現像工程の後である点で異なる。
本発明の第3の実施形態に係るハーフトーンマスクの製造方法について説明する。
本実施形態に係る製造方法により製造されるハーフトーンマスク11は、エッチングストッパ層(以下ES層)15を有する点で、第1の実施形態に係る製造方法により製造されるハーフトーンマスク1と異なる。
マスクブランクス11’に対して、本実施形態に示す製造方法を適用することにより図10に示すハーフトーンマスク11が製造される。
本発明の第4の実施形態に係るハーフトーンマスクの製造方法について説明する。
第3の実施形態に係るハーフトーンマスクの製造方法と重複する構成には同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態に係るハーフトーンマスクの製造方法は、第3の実施形態と同様にマスクブランクス11’をパターニングしてハーフトーンマスク11を製造するものである。本実施形態に係るハーフトーンマスクの製造方法は第3の実施形態に係る製造方法に対し、半透光層領域13aをエッチングする工程が2回目の現像工程より後である点で異なる。また、これに伴い、半透光層領域13aをエッチングする工程と第2の遮光層領域14bをエッチングする工程が別工程となる。
R1 第1のレジスト領域
R3 第3のレジスト領域
R2 第2のレジスト領域
Rx 表面変質層
1 ハーフトーンマスク
1’ マスクブランクス
2 透光層
3 半透光層
3a 半透光層領域
4 遮光層
4a 第1の遮光層領域
4b 第2の遮光層領域
11 ハーフトーンマスク
11’ マスクブランクス
12 透光層
13 半透光層
13a 半透光層領域
14 遮光層
14a 第1の遮光層領域
14b 第2の遮光層領域
15 エッチングストッパ層(ES層)
15a 第1のES層領域
15b 第2のES層領域
Claims (7)
- 透光層、半透光層及び遮光層がこの順で積層されたマスクブランクス上にフォトレジストを塗布し、
前記フォトレジストを露光することで、第1のレジスト領域と、前記第1のレジスト領域よりも現像液で除去され難い第2のレジスト領域と、前記第2のレジスト領域よりも前記現像液で除去され難い第3のレジスト領域を形成し、
前記第1のレジスト領域を前記現像液で除去することで、前記第1のレジスト領域に対応する第1の遮光層領域をエッチングするためのマスクを前記第2及び第3のレジスト領域によって形成し、
前記第1の遮光層領域をエッチング液によってエッチングし、
前記第1のレジスト領域に対応する半透光層領域をエッチングし、
エッチング液によって前記フォトレジストの表面に形成された表面変質層をオゾン水によって除去し、
前記表面変質層が除去された前記フォトレジストの前記第2のレジスト領域を前記現像液で除去することで、前記第2のレジスト領域に対応する第2の遮光層領域をエッチングするためのマスクを前記第3のレジスト領域によって形成し、
前記第2の遮光層領域をエッチングする
ハーフトーンマスクの製造方法。 - 請求項1に記載のハーフトーンマスクの製造方法であって、
前記マスクブランクスは、前記半透光層と前記遮光層の間に積層されたエッチングストッパ層を有し、
前記ハーフトーンマスクの製造方法であって、さらに、
前記第1のレジスト領域に対応する第1のエッチングストッパ層領域をエッチングし、
前記第2のレジスト領域に対応する第2のエッチングストッパ層領域をエッチングする
ハーフトーンマスクの製造方法。 - 請求項2に記載のハーフトーンマスクの製造方法であって、
前記遮光層と前記半透光層とは、Cr系材料からなり、
前記第1の遮光層領域をエッチングする工程、前記半透光層領域をエッチングする工程及び前記第2の遮光層領域をエッチングする工程は、前記Cr系材料を溶解させるエッチング液を用いる
ハーフトーンマスクの製造方法。 - 請求項3に記載のハーフトーンマスクの製造方法であって、
前記オゾン水の濃度は0.5ppm以上80ppm以下である
ハーフトーンマスクの製造方法。 - 請求項4に記載のハーフトーンマスクの製造方法であって、さらに、
第2のエッチングストッパ層領域をエッチングする工程の後に、前記マスクをレジスト剥離液で除去する
ハーフトーンマスクの製造方法。 - 請求項5に記載のハーフトーンマスクの製造方法であって、
前記フォトレジストはポジティブ型であり、
前記フォトレジストを露光する工程は、前記第1のレジスト領域を第1の露光量で露光し、前記第2のレジスト領域を前記第1の露光量より小さい第2の露光量で露光する
ハーフトーンマスクの製造方法。 - 請求項6に記載のハーフトーンマスクの製造方法であって、
前記フォトレジストを露光する工程は、ビームを走査することで前記第1のレジスト領域及び前記第2のレジスト領域を露光する
ハーフトーンマスクの製造方法。
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