JP2003173014A - 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および、装置 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および、装置Info
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造プロセスの早い段階で位相シフト層に生
じた欠陥の発見を可能とする、位相シフトマスクの製造
方法、その位相シフトマスクの製造方法により製造され
た位相シフトマスク、および、その位相シフトマスクに
より製造された装置を提供する。 【解決手段】 透明基板１の上に位相シフト層２が形成
される位相シフト層形成工程の後に、位相シフト層２の
上の所定領域に遮光膜としてのＣｒ膜６Ａを形成する遮
光膜形成工程が施される。
じた欠陥の発見を可能とする、位相シフトマスクの製造
方法、その位相シフトマスクの製造方法により製造され
た位相シフトマスク、および、その位相シフトマスクに
より製造された装置を提供する。 【解決手段】 透明基板１の上に位相シフト層２が形成
される位相シフト層形成工程の後に、位相シフト層２の
上の所定領域に遮光膜としてのＣｒ膜６Ａを形成する遮
光膜形成工程が施される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、位相シフトマス
クの製造方法に関し、より特定的には、位相シフト層の
欠陥を早期に発見することが可能な、位相シフトマスク
の製造方法、その位相シフトマスクの製造方法により製
造された位相シフトマスク、および、その位相シフトマ
スクにより製造された装置に関する。
クの製造方法に関し、より特定的には、位相シフト層の
欠陥を早期に発見することが可能な、位相シフトマスク
の製造方法、その位相シフトマスクの製造方法により製
造された位相シフトマスク、および、その位相シフトマ
スクにより製造された装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造に用いられるフォトマ
スクにおいて、近年微細寸法の投影像が得られるハーフ
トーン位相シフトマスクが適用される割合が高まってい
る。このハーフトーン位相シフトマスクの位相シフト膜
のウェハリソグラフィで使用される光源波長に対する透
過率は、２％〜４０％が最適値とされている。
スクにおいて、近年微細寸法の投影像が得られるハーフ
トーン位相シフトマスクが適用される割合が高まってい
る。このハーフトーン位相シフトマスクの位相シフト膜
のウェハリソグラフィで使用される光源波長に対する透
過率は、２％〜４０％が最適値とされている。
【０００３】しかしながら、ハーフトーン位相シフトマ
スクはウェハリソグラフィ装置であるステッパあるいは
スキャナに装備されているレチクルブラインドの位置精
度不足における隣接するチップへの光漏れによるレジス
ト解像の防止、および、レチクル上チップ内の位相シフ
ト膜を透過した光によるパターン以外でのレジスト解像
防止のため、Ｃｒ等その他の金属膜あるいは金属シリサ
イド膜の単層膜、もしくは、それらの積層膜で形成され
る遮光膜を形成する必要がある。特に、位相シフト膜の
透過率を９％以上にする場合には、レチクル上チップ内
への遮光膜の形成は必須の技術である。
スクはウェハリソグラフィ装置であるステッパあるいは
スキャナに装備されているレチクルブラインドの位置精
度不足における隣接するチップへの光漏れによるレジス
ト解像の防止、および、レチクル上チップ内の位相シフ
ト膜を透過した光によるパターン以外でのレジスト解像
防止のため、Ｃｒ等その他の金属膜あるいは金属シリサ
イド膜の単層膜、もしくは、それらの積層膜で形成され
る遮光膜を形成する必要がある。特に、位相シフト膜の
透過率を９％以上にする場合には、レチクル上チップ内
への遮光膜の形成は必須の技術である。
【０００４】ここで、図１６から図２５の断面図を参照
して、従来の技術における位相シフトマスクの製造方法
の第１製造工程から第１０製造工程の概略について説明
する。
して、従来の技術における位相シフトマスクの製造方法
の第１製造工程から第１０製造工程の概略について説明
する。
【０００５】まず、図１６を参照して、透明基板として
の石英基板１の上に、所定厚さの位相シフト層２が形成
され、この位相シフト層２の上に、遮光膜として所定厚
さのＣｒ膜１０が形成され、このＣｒ膜１０の上に、レ
ジスト膜１３が形成される。その後、レジスト膜１３の
所定領域が露光される。
の石英基板１の上に、所定厚さの位相シフト層２が形成
され、この位相シフト層２の上に、遮光膜として所定厚
さのＣｒ膜１０が形成され、このＣｒ膜１０の上に、レ
ジスト膜１３が形成される。その後、レジスト膜１３の
所定領域が露光される。
【０００６】次に、図１７を参照して、レジスト膜１３
の現像を行ない、所定パターン形状の開口部１３ｈを形
成する。その後、図１８を参照して、レジスト膜１３を
エッチングマスクにして、Ｃｒ膜１０のパターニングを
行ない、所定パターン形状の開口部１０ｈを形成する。
の現像を行ない、所定パターン形状の開口部１３ｈを形
成する。その後、図１８を参照して、レジスト膜１３を
エッチングマスクにして、Ｃｒ膜１０のパターニングを
行ない、所定パターン形状の開口部１０ｈを形成する。
【０００７】次に、図１９を参照して、引続きレジスト
膜１３をエッチングマスクにして、位相シフト層２のパ
ターニングを行ない、所定パターン形状の開口部２ｈを
形成する。その後、図２０を参照して、レジスト膜１３
を除去する。
膜１３をエッチングマスクにして、位相シフト層２のパ
ターニングを行ない、所定パターン形状の開口部２ｈを
形成する。その後、図２０を参照して、レジスト膜１３
を除去する。
【０００８】次に、図２１を参照して、開口部２ｈおよ
び開口部１０ｈを埋めるとともに、Ｃｒ膜１０の表面を
覆うように、レジスト膜１５を塗布する。その後、図２
２を参照して、レジスト膜１５の所定領域を描画する。
び開口部１０ｈを埋めるとともに、Ｃｒ膜１０の表面を
覆うように、レジスト膜１５を塗布する。その後、図２
２を参照して、レジスト膜１５の所定領域を描画する。
【０００９】次に、図２３を参照して、レジスト膜１５
の現像を行ない、開口部１０ｈの側方に位置するＣｒ膜
１０の上に、Ｃｒ膜１０の表面の一部を露出するレジス
ト膜１５Ａを残存させる。その後、図２４を参照して、
このレジスト膜１５Ａをマスクにして、Ｃｒ膜１０の不
要部分のエッチング除去を行なう。その後、図２５を参
照して、レジスト膜１５Ａを除去し、位相シフト層２の
上に、位相シフト層２の表面の一部を露出するＣｒ膜１
０Ａを残存させる。
の現像を行ない、開口部１０ｈの側方に位置するＣｒ膜
１０の上に、Ｃｒ膜１０の表面の一部を露出するレジス
ト膜１５Ａを残存させる。その後、図２４を参照して、
このレジスト膜１５Ａをマスクにして、Ｃｒ膜１０の不
要部分のエッチング除去を行なう。その後、図２５を参
照して、レジスト膜１５Ａを除去し、位相シフト層２の
上に、位相シフト層２の表面の一部を露出するＣｒ膜１
０Ａを残存させる。
【００１０】これにより、石英基板１の表面が露出する
光透過領域１００と、この透明基板１上に位相シフト層
２が設けられ、光透過領域１００を透過する露光光に対
して、位相差を１８０°とし、かつ、透過率を２％〜４
０％とするための位相シフタ領域２００と、位相シフト
層２上の所定領域に設けられ、位相シフト層２への露光
光の入射を遮る遮光膜１０Ａが設けられる遮光領域３０
０とを備えるハーフトーン位相シフトマスクが完成す
る。
光透過領域１００と、この透明基板１上に位相シフト層
２が設けられ、光透過領域１００を透過する露光光に対
して、位相差を１８０°とし、かつ、透過率を２％〜４
０％とするための位相シフタ領域２００と、位相シフト
層２上の所定領域に設けられ、位相シフト層２への露光
光の入射を遮る遮光膜１０Ａが設けられる遮光領域３０
０とを備えるハーフトーン位相シフトマスクが完成す
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記位相シフ
トマスクの製造方法においては、位相シフト層２はＣｒ
１０により覆われた状態で、製造プロセスが実施され、
位相シフト層２に生じる欠陥の発見は、図２５に示すＣ
ｒ膜１０Ａのパターニング後にしか検出できない。その
ため、位相シフト層２に欠陥が発見された場合には、上
述した製造プロセスがすべて無駄となり、時間的なロス
タイムが大きく、位相シフトマスクの早期納品および製
造コスト削減の妨げとなっていた。
トマスクの製造方法においては、位相シフト層２はＣｒ
１０により覆われた状態で、製造プロセスが実施され、
位相シフト層２に生じる欠陥の発見は、図２５に示すＣ
ｒ膜１０Ａのパターニング後にしか検出できない。その
ため、位相シフト層２に欠陥が発見された場合には、上
述した製造プロセスがすべて無駄となり、時間的なロス
タイムが大きく、位相シフトマスクの早期納品および製
造コスト削減の妨げとなっていた。
【００１２】したがって、この発明は、上記問題点を解
決するためになされたものであり、製造プロセスの早い
段階で位相シフト層に生じた欠陥の発見を可能とする、
位相シフトマスクの製造方法、その位相シフトマスクの
製造方法により製造された位相シフトマスク、および、
その位相シフトマスクにより製造された装置を提供する
ことを目的とする。
決するためになされたものであり、製造プロセスの早い
段階で位相シフト層に生じた欠陥の発見を可能とする、
位相シフトマスクの製造方法、その位相シフトマスクの
製造方法により製造された位相シフトマスク、および、
その位相シフトマスクにより製造された装置を提供する
ことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明に基づいた位相
シフトマスクの製造方法においては、透明基板の表面が
露出する光透過領域と、上記透明基板上に位相シフト層
が設けられる位相シフタ領域と、上記位相シフト層上の
所定領域に設けられ、上記位相シフト層への上記露光光
の入射を遮る遮光膜が設けられる遮光領域とを備える、
位相シフトマスクの製造方法であって、上記透明基板の
上に位相シフト層が形成される位相シフト層形成工程の
後に、上記位相シフト層の上の所定領域に遮光膜を形成
する遮光膜形成工程を施す。
シフトマスクの製造方法においては、透明基板の表面が
露出する光透過領域と、上記透明基板上に位相シフト層
が設けられる位相シフタ領域と、上記位相シフト層上の
所定領域に設けられ、上記位相シフト層への上記露光光
の入射を遮る遮光膜が設けられる遮光領域とを備える、
位相シフトマスクの製造方法であって、上記透明基板の
上に位相シフト層が形成される位相シフト層形成工程の
後に、上記位相シフト層の上の所定領域に遮光膜を形成
する遮光膜形成工程を施す。
【００１４】この位相シフトマスクの製造方法によれ
ば、製造プロセスの早い段階で、位相シフト層形成工程
が完了するため、この時点で、位相シフト層の欠陥の有
無を検査することが可能になる。その結果、位相シフト
層に欠陥が発見された場合の時間的なロスタイムが、従
来のプロセスに比べて削減することが可能になり、位相
シフトマスクの早期納品および製造コスト削減を図るこ
とが可能になる。
ば、製造プロセスの早い段階で、位相シフト層形成工程
が完了するため、この時点で、位相シフト層の欠陥の有
無を検査することが可能になる。その結果、位相シフト
層に欠陥が発見された場合の時間的なロスタイムが、従
来のプロセスに比べて削減することが可能になり、位相
シフトマスクの早期納品および製造コスト削減を図るこ
とが可能になる。
【００１５】上記発明において、製造プロセスの早い段
階で、位相シフト層形成工程を完了させるために、１つ
の局面においては、以下に示す工程が採用される。上記
位相シフト層形成工程は、上記透明基板の上に、位相シ
フト層を形成する工程と、上記位相シフト層の上に、所
定のパターン形状を有する第１レジスト膜を形成する工
程と、上記第１レジスト膜により、上記位相シフト層の
パターニングを行なう工程とを有し、上記遮光膜形成工
程は、上記透明基板および上記位相シフト層を覆うよう
に、第２レジスト膜を形成する工程と、上記位相シフト
層上の、上記遮光膜を残存させるべき領域に対応する領
域のみ、上記第２レジスト膜を除去する工程と、上記第
２レジスト膜および上記位相シフト層を覆うように、上
記遮光膜を形成する工程と、リフトオフ法により、上記
第２レジスト膜を除去するとともに、上記第２レジスト
膜の上に位置する上記遮光膜を除去し、上記位相シフト
層上の上記遮光領域にのみ、上記遮光膜を残存させる工
程とを有する。
階で、位相シフト層形成工程を完了させるために、１つ
の局面においては、以下に示す工程が採用される。上記
位相シフト層形成工程は、上記透明基板の上に、位相シ
フト層を形成する工程と、上記位相シフト層の上に、所
定のパターン形状を有する第１レジスト膜を形成する工
程と、上記第１レジスト膜により、上記位相シフト層の
パターニングを行なう工程とを有し、上記遮光膜形成工
程は、上記透明基板および上記位相シフト層を覆うよう
に、第２レジスト膜を形成する工程と、上記位相シフト
層上の、上記遮光膜を残存させるべき領域に対応する領
域のみ、上記第２レジスト膜を除去する工程と、上記第
２レジスト膜および上記位相シフト層を覆うように、上
記遮光膜を形成する工程と、リフトオフ法により、上記
第２レジスト膜を除去するとともに、上記第２レジスト
膜の上に位置する上記遮光膜を除去し、上記位相シフト
層上の上記遮光領域にのみ、上記遮光膜を残存させる工
程とを有する。
【００１６】また、上記発明において、製造プロセスの
早い段階で、位相シフト層形成工程を完了させるため
に、他の局面においては、以下に示す工程が採用され
る。上記位相シフト層形成工程は、上記透明基板の上
に、位相シフト層を形成する工程と、上記位相シフト層
の上に、所定のパターン形状を有する第１レジスト膜を
形成する工程と、上記第１レジスト膜により、上記位相
シフト層のパターニングを行なう工程とを有し、上記遮
光膜形成工程は、上記透明基板および上記位相シフト層
を覆うように、上記遮光膜を形成する工程と、上記位相
シフト層上の、上記遮光膜を残存させるべき領域に対応
する領域にのみ、第２レジスト膜を残存させる工程と、
上記第２レジスト膜をマスクにして、露出する上記遮光
膜のみを除去し、上記位相シフト層上の上記遮光領域に
のみ、上記遮光膜を残存させる工程とを有する。
早い段階で、位相シフト層形成工程を完了させるため
に、他の局面においては、以下に示す工程が採用され
る。上記位相シフト層形成工程は、上記透明基板の上
に、位相シフト層を形成する工程と、上記位相シフト層
の上に、所定のパターン形状を有する第１レジスト膜を
形成する工程と、上記第１レジスト膜により、上記位相
シフト層のパターニングを行なう工程とを有し、上記遮
光膜形成工程は、上記透明基板および上記位相シフト層
を覆うように、上記遮光膜を形成する工程と、上記位相
シフト層上の、上記遮光膜を残存させるべき領域に対応
する領域にのみ、第２レジスト膜を残存させる工程と、
上記第２レジスト膜をマスクにして、露出する上記遮光
膜のみを除去し、上記位相シフト層上の上記遮光領域に
のみ、上記遮光膜を残存させる工程とを有する。
【００１７】また、上記発明において、さらに好ましく
は、上記遮光膜は、金属膜、金属の酸化膜、金属の酸化
窒化膜、および金属の酸化窒化炭化膜の群から選ばれる
少なくとも１層以上の膜である。
は、上記遮光膜は、金属膜、金属の酸化膜、金属の酸化
窒化膜、および金属の酸化窒化炭化膜の群から選ばれる
少なくとも１層以上の膜である。
【００１８】また、上記発明において、さらに好ましく
は、上記遮光膜は、金属シリサイド膜、金属シリサイド
の酸化膜、金属シリサイドの酸化窒化膜、および金属シ
リサイドの酸化窒化炭化膜の群から選ばれる少なくとも
１層以上の膜である。
は、上記遮光膜は、金属シリサイド膜、金属シリサイド
の酸化膜、金属シリサイドの酸化窒化膜、および金属シ
リサイドの酸化窒化炭化膜の群から選ばれる少なくとも
１層以上の膜である。
【００１９】この発明に基づいた位相シフトマスクにお
いては、透明基板の表面が露出する光透過領域と、上記
透明基板上に位相シフト層が設けられる位相シフタ領域
と、上記位相シフト層上の所定領域に設けられ、上記位
相シフト層への上記露光光の入射を遮る遮光膜が設けら
れる遮光領域とを備える、位相シフトマスクであって、
上記透明基板の上に位相シフト層が形成された後に、上
記位相シフト層の上の所定領域に遮光膜が設けられる。
また、好ましくは、この発明に基づいた装置において
は、上記発明に基づく位相シフトマスクを用いて製造さ
れる。
いては、透明基板の表面が露出する光透過領域と、上記
透明基板上に位相シフト層が設けられる位相シフタ領域
と、上記位相シフト層上の所定領域に設けられ、上記位
相シフト層への上記露光光の入射を遮る遮光膜が設けら
れる遮光領域とを備える、位相シフトマスクであって、
上記透明基板の上に位相シフト層が形成された後に、上
記位相シフト層の上の所定領域に遮光膜が設けられる。
また、好ましくは、この発明に基づいた装置において
は、上記発明に基づく位相シフトマスクを用いて製造さ
れる。
【００２０】上記製造方法により製造された位相シフト
マスクを用いて半導体装置等の装置を製造した場合、製
造工程における露光不良が減少する結果、装置の製造工
程における歩留まりの向上を図ることが可能になる。
マスクを用いて半導体装置等の装置を製造した場合、製
造工程における露光不良が減少する結果、装置の製造工
程における歩留まりの向上を図ることが可能になる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本願発明に基づいた各実施
の形態における位相シフトマスクの製造方法について、
図を参照しながら説明する。
の形態における位相シフトマスクの製造方法について、
図を参照しながら説明する。
【００２２】（実施の形態１）
（製造方法）まず、図１から図９を参照して、本実施の
形態における位相シフトマスクの製造方法について説明
する。なお、図１から図９は本実施の形態における位相
シフトマスクの製造方法の第１から９製造工程を示す断
面図である。
形態における位相シフトマスクの製造方法について説明
する。なお、図１から図９は本実施の形態における位相
シフトマスクの製造方法の第１から９製造工程を示す断
面図である。
【００２３】まず、図１を参照して、透明基板としての
石英基板１の上に、所定厚さの位相シフト層２が形成さ
れ、この位相シフト層２の上に、第１レジスト膜３が形
成される。その後、第１レジスト膜３の所定領域が露光
される。なお、第１レジスト膜３の露光において、電子
ビーム描画装置を用いる場合には、第１レジスト膜３の
上にあらかじめ導電膜を形成しておく（図示省略）。レ
ーザ描画装置を用いる場合には、第１レジスト膜３の上
に導電膜を形成しておく必要はない。
石英基板１の上に、所定厚さの位相シフト層２が形成さ
れ、この位相シフト層２の上に、第１レジスト膜３が形
成される。その後、第１レジスト膜３の所定領域が露光
される。なお、第１レジスト膜３の露光において、電子
ビーム描画装置を用いる場合には、第１レジスト膜３の
上にあらかじめ導電膜を形成しておく（図示省略）。レ
ーザ描画装置を用いる場合には、第１レジスト膜３の上
に導電膜を形成しておく必要はない。
【００２４】次に、図２を参照して、第１レジスト膜３
の現像を行ない、所定パターン形状の開口部３ｈを形成
する。その後、図３を参照して、第１レジスト膜３をエ
ッチングマスクにして、位相シフト層２のパターニング
を行ない、所定パターン形状の開口部２ｈを形成する。
その後、図４を参照して、第１レジスト膜３を除去す
る。以上により、位相シフト層形成工程が完了する。
の現像を行ない、所定パターン形状の開口部３ｈを形成
する。その後、図３を参照して、第１レジスト膜３をエ
ッチングマスクにして、位相シフト層２のパターニング
を行ない、所定パターン形状の開口部２ｈを形成する。
その後、図４を参照して、第１レジスト膜３を除去す
る。以上により、位相シフト層形成工程が完了する。
【００２５】次に、図５を参照して、開口部２ｈを埋め
るとともに、位相シフト層２の表面を覆うように、第２
レジスト膜５を塗布する。その後、図６を参照して、第
２レジスト膜５の所定領域を描画する。なお、第２レジ
スト膜５の露光において、電子ビーム描画装置を用いる
場合には、第２レジスト膜５の上にあらかじめ導電膜を
形成しておく（図示省略）。レーザ描画装置を用いる場
合には、第２レジスト膜５の上に導電膜を形成しておく
必要はない。
るとともに、位相シフト層２の表面を覆うように、第２
レジスト膜５を塗布する。その後、図６を参照して、第
２レジスト膜５の所定領域を描画する。なお、第２レジ
スト膜５の露光において、電子ビーム描画装置を用いる
場合には、第２レジスト膜５の上にあらかじめ導電膜を
形成しておく（図示省略）。レーザ描画装置を用いる場
合には、第２レジスト膜５の上に導電膜を形成しておく
必要はない。
【００２６】その後、図７を参照して、第２レジスト膜
５の現像を行ない、開口部２ｈの側方に位置する位相シ
フト層２の上に、この位相シフト層２の表面の一部を露
出する領域（Ａ）を形成するように第２レジスト膜５を
残存させる。
５の現像を行ない、開口部２ｈの側方に位置する位相シ
フト層２の上に、この位相シフト層２の表面の一部を露
出する領域（Ａ）を形成するように第２レジスト膜５を
残存させる。
【００２７】次に、図８を参照して、この第２レジスト
膜５および位相シフト層２を覆うように、遮光膜として
所定厚さのＣｒ膜６を形成する。なお、Ｃｒ膜に限られ
ず、遮光性を有するその他の金属膜、金属の酸化膜、金
属の酸化窒化膜、および金属の酸化窒化炭化膜の中から
選ばれる膜や、これらの中から適宜選択される２以上の
膜の積層膜でも構わない。さらに、金属シリサイド膜、
金属シリサイドの酸化膜、金属シリサイドの酸化窒化
膜、および金属シリサイドの酸化窒化炭化膜の中から選
ばれる膜や、これらの中から適宜選択される２以上の膜
の積層膜でも構わない。
膜５および位相シフト層２を覆うように、遮光膜として
所定厚さのＣｒ膜６を形成する。なお、Ｃｒ膜に限られ
ず、遮光性を有するその他の金属膜、金属の酸化膜、金
属の酸化窒化膜、および金属の酸化窒化炭化膜の中から
選ばれる膜や、これらの中から適宜選択される２以上の
膜の積層膜でも構わない。さらに、金属シリサイド膜、
金属シリサイドの酸化膜、金属シリサイドの酸化窒化
膜、および金属シリサイドの酸化窒化炭化膜の中から選
ばれる膜や、これらの中から適宜選択される２以上の膜
の積層膜でも構わない。
【００２８】その後、図９を参照して、リフトオフ法に
より、第２レジスト膜５を除去するとともに、第２レジ
スト膜５の上に位置するＣｒ膜６を除去し、位相シフト
層２の所定領域にのみＣｒ膜６Ａを残存させる。以上に
より、遮光膜形成工程が完了する。
より、第２レジスト膜５を除去するとともに、第２レジ
スト膜５の上に位置するＣｒ膜６を除去し、位相シフト
層２の所定領域にのみＣｒ膜６Ａを残存させる。以上に
より、遮光膜形成工程が完了する。
【００２９】（位相シフトマスクの構造）これにより、
石英基板１の表面が露出する光透過領域１００と、この
石英基板１上に位相シフト層２が設けられ、光透過領域
１００を透過する露光光に対して、位相差を約１８０°
とし、かつ、透過率を２％〜４０％とするための位相シ
フタ領域２００と、位相シフト層２上の所定領域に設け
られ、位相シフト層２への露光光の入射を遮る遮光膜６
Ａが設けられる遮光領域３００とを備えるハーフトーン
位相シフトマスクが完成する。
石英基板１の表面が露出する光透過領域１００と、この
石英基板１上に位相シフト層２が設けられ、光透過領域
１００を透過する露光光に対して、位相差を約１８０°
とし、かつ、透過率を２％〜４０％とするための位相シ
フタ領域２００と、位相シフト層２上の所定領域に設け
られ、位相シフト層２への露光光の入射を遮る遮光膜６
Ａが設けられる遮光領域３００とを備えるハーフトーン
位相シフトマスクが完成する。
【００３０】（作用効果）以上、本実施の形態における
位相シフトマスクの製造方法によれば、製造プロセスの
早い段階で、位相シフト層形成工程が完了するため、こ
の時点で、位相シフト層の欠陥の有無を検査することが
可能になる。その結果、位相シフト層２に欠陥が発見さ
れた場合の時間的なロスタイムが、従来のプロセスに比
べて削減することが可能になり、位相シフトマスクの早
期納品および製造コスト削減を図ることが可能になる。
位相シフトマスクの製造方法によれば、製造プロセスの
早い段階で、位相シフト層形成工程が完了するため、こ
の時点で、位相シフト層の欠陥の有無を検査することが
可能になる。その結果、位相シフト層２に欠陥が発見さ
れた場合の時間的なロスタイムが、従来のプロセスに比
べて削減することが可能になり、位相シフトマスクの早
期納品および製造コスト削減を図ることが可能になる。
【００３１】なお、図９に示す工程において、リフトオ
フ法により、位相シフト層２の所定領域にのみＣｒ膜６
Ａを残存させる工程を採用したが、他の方法として、図
８に示す工程の後に、ＣＭＰ法により第２レジスト膜５
の表面が露出するまで、Ｃｒ膜６を研磨し、その後、第
２レジスト膜５のみをエッチング等により除去して、位
相シフト層２の所定領域にのみＣｒ膜６Ａを残存させる
工程を採用することも可能である。
フ法により、位相シフト層２の所定領域にのみＣｒ膜６
Ａを残存させる工程を採用したが、他の方法として、図
８に示す工程の後に、ＣＭＰ法により第２レジスト膜５
の表面が露出するまで、Ｃｒ膜６を研磨し、その後、第
２レジスト膜５のみをエッチング等により除去して、位
相シフト層２の所定領域にのみＣｒ膜６Ａを残存させる
工程を採用することも可能である。
【００３２】（実施の形態２）
（製造方法）まず、図１０から図１５を参照して、本実
施の形態における位相シフトマスクの製造方法について
説明する。なお、位相シフト層形成工程については、上
記実施の形態における図１から図４に示す工程と同じで
あるため、第１工程から第４工程の説明は省略し、第５
工程から説明する。なお、図１０から図１５は、本実施
の形態における位相シフトマスクの製造方法の第５から
１０製造工程を示す断面図である。
施の形態における位相シフトマスクの製造方法について
説明する。なお、位相シフト層形成工程については、上
記実施の形態における図１から図４に示す工程と同じで
あるため、第１工程から第４工程の説明は省略し、第５
工程から説明する。なお、図１０から図１５は、本実施
の形態における位相シフトマスクの製造方法の第５から
１０製造工程を示す断面図である。
【００３３】まず、図１０を参照して、位相シフト層２
の形成が終了した後、開口部２ｈを埋めるとともに、位
相シフト層２の表面を覆うように、遮光膜として所定厚
さのＣｒ膜７を形成する。なお、Ｃｒ膜に限られず、遮
光性を有するその他の金属膜、金属の酸化膜、金属の酸
化窒化膜、および金属の酸化窒化炭化膜の中から選ばれ
る膜や、これらの中から適宜選択される２以上の膜の積
層膜でも構わない。さらに、金属シリサイド膜、金属シ
リサイドの酸化膜、金属シリサイドの酸化窒化膜、およ
び金属シリサイドの酸化窒化炭化膜の中から選ばれる膜
や、これらの中から適宜選択される２以上の膜の積層膜
でも構わない。その後、図１１を参照して、Ｃｒ膜７の
上に、第２レジスト膜８を塗布する。
の形成が終了した後、開口部２ｈを埋めるとともに、位
相シフト層２の表面を覆うように、遮光膜として所定厚
さのＣｒ膜７を形成する。なお、Ｃｒ膜に限られず、遮
光性を有するその他の金属膜、金属の酸化膜、金属の酸
化窒化膜、および金属の酸化窒化炭化膜の中から選ばれ
る膜や、これらの中から適宜選択される２以上の膜の積
層膜でも構わない。さらに、金属シリサイド膜、金属シ
リサイドの酸化膜、金属シリサイドの酸化窒化膜、およ
び金属シリサイドの酸化窒化炭化膜の中から選ばれる膜
や、これらの中から適宜選択される２以上の膜の積層膜
でも構わない。その後、図１１を参照して、Ｃｒ膜７の
上に、第２レジスト膜８を塗布する。
【００３４】次に、図１２を参照して、第２レジスト膜
８の所定領域を描画する。なお、第２レジスト膜８の描
画において、電子ビーム描画装置を用いる場合には、第
２レジスト膜８の上にあらかじめ導電膜を形成しておく
（図示省略）。レーザ描画装置を用いる場合には、第２
レジスト膜８の上に導電膜を形成しておく必要はない。
その後、図１３を参照して、第２レジスト膜８の現像を
行ない、Ｃｒ膜７の上の所定位置に、第２レジスト膜８
Ａを残存させる。
８の所定領域を描画する。なお、第２レジスト膜８の描
画において、電子ビーム描画装置を用いる場合には、第
２レジスト膜８の上にあらかじめ導電膜を形成しておく
（図示省略）。レーザ描画装置を用いる場合には、第２
レジスト膜８の上に導電膜を形成しておく必要はない。
その後、図１３を参照して、第２レジスト膜８の現像を
行ない、Ｃｒ膜７の上の所定位置に、第２レジスト膜８
Ａを残存させる。
【００３５】次に、図１４を参照して、第２レジスト膜
８Ａをマスクにして、Ｃｒ膜７をエッチングにより除去
し、位相シフト層２の所定領域にのみＣｒ膜７Ａを残存
させる。その後、図１５を参照して、第２レジスト膜８
Ａを除去する。以上により、遮光膜形成工程が完了す
る。
８Ａをマスクにして、Ｃｒ膜７をエッチングにより除去
し、位相シフト層２の所定領域にのみＣｒ膜７Ａを残存
させる。その後、図１５を参照して、第２レジスト膜８
Ａを除去する。以上により、遮光膜形成工程が完了す
る。
【００３６】（位相シフトマスクの構造）これにより、
石英基板１の表面が露出する光透過領域１００と、この
石英基板１上に位相シフト層２が設けられ、光透過領域
１００を透過する露光光に対して、位相差を約１８０°
とし、かつ、透過率を２％〜４０％とするための位相シ
フタ領域２００と、位相シフト層２上の所定領域に設け
られ、位相シフト層２への露光光の入射を遮る遮光膜７
Ａが設けられる遮光領域３００とを備えるハーフトーン
位相シフトマスクが完成する。
石英基板１の表面が露出する光透過領域１００と、この
石英基板１上に位相シフト層２が設けられ、光透過領域
１００を透過する露光光に対して、位相差を約１８０°
とし、かつ、透過率を２％〜４０％とするための位相シ
フタ領域２００と、位相シフト層２上の所定領域に設け
られ、位相シフト層２への露光光の入射を遮る遮光膜７
Ａが設けられる遮光領域３００とを備えるハーフトーン
位相シフトマスクが完成する。
【００３７】（作用効果）以上、本実施の形態における
位相シフトマスクの製造方法によっても、上記実施の形
態１と同様に製造プロセスの早い段階で、位相シフト層
形成工程が完了するため、この時点で、位相シフト層の
欠陥の有無を検査することが可能になる。その結果、位
相シフト層２に欠陥が発見された場合の時間的なロスタ
イムが、従来のプロセスに比べて削減することが可能に
なり、位相シフトマスクの早期納品および製造コスト削
減を図ることが可能になる。
位相シフトマスクの製造方法によっても、上記実施の形
態１と同様に製造プロセスの早い段階で、位相シフト層
形成工程が完了するため、この時点で、位相シフト層の
欠陥の有無を検査することが可能になる。その結果、位
相シフト層２に欠陥が発見された場合の時間的なロスタ
イムが、従来のプロセスに比べて削減することが可能に
なり、位相シフトマスクの早期納品および製造コスト削
減を図ることが可能になる。
【００３８】なお、上記製造方法により製造された位相
シフトマスクを用いて半導体装置等の装置を製造した場
合、製造工程における露光不良が減少する結果、装置の
製造工程における歩留まりの向上を図ることが可能にな
る。特に、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＥＲＡＭ、フラッシュ
メモリ、ＡＳＩＣ、マイコン、ＧａＡｓなどの半導体装
置において有利に用いることが可能となる。また、単体
の半導体デバイスや、液晶ディスプレイその他の半導体
装置以外に適用することも可能である。
シフトマスクを用いて半導体装置等の装置を製造した場
合、製造工程における露光不良が減少する結果、装置の
製造工程における歩留まりの向上を図ることが可能にな
る。特に、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＥＲＡＭ、フラッシュ
メモリ、ＡＳＩＣ、マイコン、ＧａＡｓなどの半導体装
置において有利に用いることが可能となる。また、単体
の半導体デバイスや、液晶ディスプレイその他の半導体
装置以外に適用することも可能である。
【００３９】なお、今回開示された実施の形態はすべて
の点で例示であって制限的なものではない。本発明の範
囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によ
って画定され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲
内でのすべての変更が含まれる。
の点で例示であって制限的なものではない。本発明の範
囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によ
って画定され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲
内でのすべての変更が含まれる。
【００４０】
【発明の効果】この発明に基づいた位相シフトマスクの
製造方法によれば、製造プロセスの早い段階で、位相シ
フト層形成工程が完了するため、この時点で、位相シフ
ト層の欠陥の有無を検査することが可能になる。その結
果、位相シフト層に欠陥が発見された場合の時間的なロ
スタイムが、従来のプロセスに比べて削減することが可
能になり、位相シフトマスクの早期納品および製造コス
ト削減を図ることが可能になる。
製造方法によれば、製造プロセスの早い段階で、位相シ
フト層形成工程が完了するため、この時点で、位相シフ
ト層の欠陥の有無を検査することが可能になる。その結
果、位相シフト層に欠陥が発見された場合の時間的なロ
スタイムが、従来のプロセスに比べて削減することが可
能になり、位相シフトマスクの早期納品および製造コス
ト削減を図ることが可能になる。
【図１】 この発明に基づいた実施の形態１における位
相シフトマスクの製造方法の第１製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第１製造工程を示す断面図
である。
【図２】 この発明に基づいた実施の形態１における位
相シフトマスクの製造方法の第２製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第２製造工程を示す断面図
である。
【図３】 この発明に基づいた実施の形態１における位
相シフトマスクの製造方法の第３製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第３製造工程を示す断面図
である。
【図４】 この発明に基づいた実施の形態１における位
相シフトマスクの製造方法の第４製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第４製造工程を示す断面図
である。
【図５】 この発明に基づいた実施の形態１における位
相シフトマスクの製造方法の第５製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第５製造工程を示す断面図
である。
【図６】 この発明に基づいた実施の形態１における位
相シフトマスクの製造方法の第６製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第６製造工程を示す断面図
である。
【図７】 この発明に基づいた実施の形態１における位
相シフトマスクの製造方法の第７製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第７製造工程を示す断面図
である。
【図８】 この発明に基づいた実施の形態１における位
相シフトマスクの製造方法の第８製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第８製造工程を示す断面図
である。
【図９】 この発明に基づいた実施の形態１における位
相シフトマスクの製造方法の第９製造工程を示す断面図
である。
相シフトマスクの製造方法の第９製造工程を示す断面図
である。
【図１０】 この発明に基づいた実施の形態２における
位相シフトマスクの製造方法の第５製造工程を示す断面
図である。
位相シフトマスクの製造方法の第５製造工程を示す断面
図である。
【図１１】 この発明に基づいた実施の形態２における
位相シフトマスクの製造方法の第６製造工程を示す断面
図である。
位相シフトマスクの製造方法の第６製造工程を示す断面
図である。
【図１２】 この発明に基づいた実施の形態２における
位相シフトマスクの製造方法の第７製造工程を示す断面
図である。
位相シフトマスクの製造方法の第７製造工程を示す断面
図である。
【図１３】 この発明に基づいた実施の形態２における
位相シフトマスクの製造方法の第８製造工程を示す断面
図である。
位相シフトマスクの製造方法の第８製造工程を示す断面
図である。
【図１４】 この発明に基づいた実施の形態２における
位相シフトマスクの製造方法の第９製造工程を示す断面
図である。
位相シフトマスクの製造方法の第９製造工程を示す断面
図である。
【図１５】 この発明に基づいた実施の形態２における
位相シフトマスクの製造方法の第１０製造工程を示す断
面図である。
位相シフトマスクの製造方法の第１０製造工程を示す断
面図である。
【図１６】 従来の技術における位相シフトマスクの製
造方法の第１製造工程を示す断面図である。
造方法の第１製造工程を示す断面図である。
【図１７】 従来の技術における位相シフトマスクの製
造方法の第２製造工程を示す断面図である。
造方法の第２製造工程を示す断面図である。
【図１８】 従来の技術における位相シフトマスクの製
造方法の第３製造工程を示す断面図である。
造方法の第３製造工程を示す断面図である。
【図１９】 従来の技術における位相シフトマスクの製
造方法の第４製造工程を示す断面図である。
造方法の第４製造工程を示す断面図である。
【図２０】 従来の技術における位相シフトマスクの製
造方法の第５製造工程を示す断面図である。
造方法の第５製造工程を示す断面図である。
【図２１】 従来の技術における位相シフトマスクの製
造方法の第６製造工程を示す断面図である。
造方法の第６製造工程を示す断面図である。
【図２２】 従来の技術における位相シフトマスクの製
造方法の第７製造工程を示す断面図である。
造方法の第７製造工程を示す断面図である。
【図２３】 従来の技術における位相シフトマスクの製
造方法の第８製造工程を示す断面図である。
造方法の第８製造工程を示す断面図である。
【図２４】 従来の技術における位相シフトマスクの製
造方法の第９製造工程を示す断面図である。
造方法の第９製造工程を示す断面図である。
【図２５】 従来の技術における位相シフトマスクの製
造方法の第１０製造工程を示す断面図である。
造方法の第１０製造工程を示す断面図である。
１ 石英基板、２ 位相シフト層、３ 第１レジスト
膜、２ｈ，３ｈ 開口部、５，８，８Ａ 第２レジスト
膜、６，６Ａ，７，７Ａ Ｃｒ膜、１００ 光透過領
域、２００ 位相シフタ領域、３００ 遮光領域。
膜、２ｈ，３ｈ 開口部、５，８，８Ａ 第２レジスト
膜、６，６Ａ，７，７Ａ Ｃｒ膜、１００ 光透過領
域、２００ 位相シフタ領域、３００ 遮光領域。
Claims (7)
- 【請求項１】 透明基板の表面が露出する光透過領域
と、前記透明基板上に位相シフト層が設けられる位相シ
フタ領域と、前記位相シフト層上の所定領域に設けら
れ、前記位相シフト層への前記露光光の入射を遮る遮光
膜が設けられる遮光領域とを備える、位相シフトマスク
の製造方法であって、 前記透明基板の上に位相シフト層が形成される位相シフ
ト層形成工程の後に、前記位相シフト層の上の所定領域
に遮光膜を形成する遮光膜形成工程を施す、位相シフト
マスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記位相シフト層形成工程は、 前記透明基板の上に、位相シフト層を形成する工程と、 前記位相シフト層の上に、所定のパターン形状を有する
第１レジスト膜を形成する工程と、 前記第１レジスト膜により、前記位相シフト層のパター
ニングを行なう工程と、を有し、 前記遮光膜形成工程は、 前記透明基板および前記位相シフト層を覆うように、第
２レジスト膜を形成する工程と、 前記位相シフト層上の、前記遮光膜を残存させるべき領
域に対応する領域のみ、前記第２レジスト膜を除去する
工程と、 前記第２レジスト膜および前記位相シフト層を覆うよう
に、前記遮光膜を形成する工程と、 リフトオフ法により、前記第２レジスト膜を除去すると
ともに、前記第２レジスト膜の上に位置する前記遮光膜
を除去し、前記位相シフト層上の前記遮光領域にのみ、
前記遮光膜を残存させる工程と、を有する、請求項１に
記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記位相シフト層形成工程は、 前記透明基板の上に、位相シフト層を形成する工程と、 前記位相シフト層の上に、所定のパターン形状を有する
第１レジスト膜を形成する工程と、 前記第１レジスト膜により、前記位相シフト層のパター
ニングを行なう工程と、を有し、 前記遮光膜形成工程は、 前記透明基板および前記位相シフト層を覆うように、前
記遮光膜を形成する工程と、 前記位相シフト層上の、前記遮光膜を残存させるべき領
域に対応する領域にのみ、第２レジスト膜を残存させる
工程と、 前記第２レジスト膜をマスクにして、露出する前記遮光
膜のみを除去し、前記位相シフト層上の前記遮光領域に
のみ、前記遮光膜を残存させる工程と、を有する、請求
項１に記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項４】 前記遮光膜は、金属膜、金属の酸化膜、
金属の酸化窒化膜、および金属の酸化窒化炭化膜の群か
ら選ばれる少なくとも１層以上の膜である、請求項１か
ら３のいずれかに記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項５】 前記遮光膜は、金属シリサイド膜、金属
シリサイドの酸化膜、金属シリサイドの酸化窒化膜、お
よび金属シリサイドの酸化窒化炭化膜の群から選ばれる
少なくとも１層以上の膜である、請求項１から３のいず
れかに記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項６】 透明基板の表面が露出する光透過領域
と、前記透明基板上に位相シフト層が設けられる位相シ
フタ領域と、前記位相シフト層上の所定領域に設けら
れ、前記位相シフト層への前記露光光の入射を遮る遮光
膜が設けられる遮光領域とを備える、位相シフトマスク
であって、 前記透明基板の上に位相シフト層が形成された後に、前
記位相シフト層の上の所定領域に遮光膜が設けられた、
位相シフトマスク。 - 【請求項７】 請求項６に記載の位相シフトマスクを用
いて製造された、装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001373666A JP2003173014A (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および、装置 |
| US10/209,885 US20030108803A1 (en) | 2001-12-07 | 2002-08-02 | Method of manufacturing phase shift mask, phase shift mask and apparatus |
| DE10238783A DE10238783A1 (de) | 2001-12-07 | 2002-08-23 | Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske, Phasenverschiebungsmaske und Vorrichtung |
| KR1020020060058A KR20030052956A (ko) | 2001-12-07 | 2002-10-02 | 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 위상 시프트 마스크 및장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001373666A JP2003173014A (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および、装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003173014A true JP2003173014A (ja) | 2003-06-20 |
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ID=19182342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001373666A Withdrawn JP2003173014A (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および、装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030108803A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003173014A (ja) |
| KR (1) | KR20030052956A (ja) |
| DE (1) | DE10238783A1 (ja) |
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| KR100907887B1 (ko) * | 2007-10-22 | 2009-07-15 | 주식회사 동부하이텍 | 하프톤형 위상 시프트 마스크의 제조방법 |
| KR101034540B1 (ko) | 2003-12-22 | 2011-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상 반전 마스크 제조 방법 |
| US7955432B2 (en) | 2005-09-22 | 2011-06-07 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. | Phase modulation device, phase modulation device fabrication method, crystallization apparatus, and crystallization method |
| JP2017062462A (ja) * | 2015-09-26 | 2017-03-30 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び表示装置の製造方法 |
| JP7393573B1 (ja) | 2023-02-27 | 2023-12-06 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスクの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3754378B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2006-03-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| KR100733705B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-06-29 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
| KR20110029701A (ko) * | 2009-09-16 | 2011-03-23 | 삼성전자주식회사 | 차단막을 갖는 극자외선 리소그라피 마스크 및 제조방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR0138066B1 (ko) * | 1994-04-01 | 1998-04-28 | 김주용 | 위상반전마스크 제작 방법 |
| KR0170686B1 (ko) * | 1995-09-13 | 1999-03-20 | 김광호 | 하프톤 위상반전마스크의 제조방법 |
| KR970016794A (ko) * | 1995-09-29 | 1997-04-28 | 김광호 | 하프톤 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
| KR0166837B1 (ko) * | 1996-06-27 | 1999-01-15 | 문정환 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| JPH11295874A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 位相シフトマスクの製造方法 |
-
2001
- 2001-12-07 JP JP2001373666A patent/JP2003173014A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-08-02 US US10/209,885 patent/US20030108803A1/en not_active Abandoned
- 2002-08-23 DE DE10238783A patent/DE10238783A1/de not_active Withdrawn
- 2002-10-02 KR KR1020020060058A patent/KR20030052956A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101034540B1 (ko) | 2003-12-22 | 2011-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상 반전 마스크 제조 방법 |
| JP2006195126A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
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