JP5262295B2 - 塩化水素ガスの供給方法及び塩化水素ガスの供給装置 - Google Patents
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Description
また、上記従来の特許文献1に示されたガス供給方法では、ボンベを交換する直前に圧力及び供給量をきめ細かくコントロールしないと、ライフタイムが突然低下する不具合を生じる場合がある。こうした不具合を生じるときには、ボンベを新しいものに交換しても、上記不具合は解消されずに、かなり多くのエピタキシャルウェーハの品質が劣化してしまう場合があった。このため、塩化水素ガスの管理方法としては、圧力や量が減ってくるのを見計らって、早めにボンベの交換を実施しており、液化塩化水素の歩留りが低下する問題点もあった。
更に、上記従来の特許文献1に示されたガス供給方法では、液化塩化水素が貯留されたボンベの内圧を一定に保っているけれども、ボンベの内圧を一定に保っても、このボンベに貯留された液化塩化水素の使用量が変動すると、ボンベ内の液化塩化水素の温度が変化してこの液化塩化水素への水分の取込み量が変化してしまう。この液化塩化水素を気化させた塩化水素ガスによりウェーハ表面をエッチングすると、ウェーハの品質が安定しないという問題点もあった。
本発明の第2の目的は、ボンベに貯留された液化塩化水素の残量をできるだけ少なくなった時点でボンベを交換することにより、液化塩化水素の歩留りを向上できる、塩化水素ガスの供給方法及び塩化水素ガスの供給装置を提供することにある。
請求項2に係る発明は、請求項1に係る発明であって、更に外付け温調器が、ボンベの外面に接触する液状流体と、この流体を加温するヒータを含む部材とを有することを特徴とする。
請求項4に係る発明は、請求項3に係る発明であって、更に外付け温調器が、ボンベの外面に接触する液状流体と、この流体を加温するヒータを含む部材とを有することを特徴とする。
請求項5に係る発明は、請求項1又は2に記載の方法により供給された塩化水素ガスを用いてエピタキシャル膜の成長を行うエピタキシャル成長方法である。
請求項6に係る発明は、請求項3又は4に記載の装置により供給された塩化水素ガスを用いてエピタキシャル膜の成長を行うエピタキシャル成長方法である。
また請求項1に係る発明では、ボンベの実際の温度がボンベの目標温度より1℃以上低いとき、外付け温調器による加温設定温度を目標温度より1〜10℃高く設定し、ボンベの実際の温度がボンベの目標温度に近付くに従って加温設定温度を次第に低く設定するので、ボンベの温度が突沸することなく速やかに目標温度に到達する。
更に請求項1に係る発明では、塩化水素ガス中の水分量を検出する水分量センサを供給管に設け、コントローラが水分量センサ及び温度センサの各検出出力に基づいて外付け温調器を制御するので、塩化水素ガス中に含まれる水分量が極めて少ない最適な温度にボンベの外面温度を保つことができる。
また請求項3に係る発明では、塩化水素ガス中の水分量を検出する水分量センサを供給管に設け、コントローラが水分量センサ及び温度センサの各検出出力に基づいて外付け温調器を制御するので、塩化水素ガス中に含まれる水分量が極めて少ない最適な温度にボンベの外面温度を保つことができる。
請求項5に係る発明では、上記方法により供給された塩化水素ガスを用いてエピタキシャル膜の成長を行い、また請求項6に係る発明では、上記装置により供給された塩化水素ガスを用いてエピタキシャル膜の成長を行うので、安定して高いライフタイムを実現でき、エピタキシャルウェーハの品質の低下を防止できる。
また、上記実施の形態では、水分量センサ及び温度センサの各検出出力に基づいてコントローラが外付け温調器を構成するヒータへの電力の供給量を制御したが、水分量センサを用いずに温度センサの検出出力に基づいてコントローラが外付け温調器を構成するヒータへの電力の供給量を制御するように構成してもよい。
また、上記実施の形態では、ボンベの温度と供給管を流れる塩化水素ガス中に含まれる水分量を管理したが、ボンベ内の圧力を管理に加えてもよい。これによりボンベ内の圧力の急激な変動を抑制できるので、ボンベ内の液化塩化水素の気化した塩化水素ガスの純度を更に良好に保つことができる。
また、上記実施の形態では、減圧弁を1つ用いてボンベ内の液化塩化水素を1段で減圧して気化したが、2つ又は3つ以上の減圧弁を用いてボンベ内の液化塩化水素を2段又は3段以上で減圧して気化してもよい。
<比較例1>
500kgの液化塩化水素が貯留されたボンベを用意し、このボンベにヒータを取付けず、またボンベ用建屋内の温度も管理しない状態で、ボンベ内の液化塩化水素を気化して得られた塩化水素ガスを10kg/時以上の流量でエピタキシャル成長用反応炉に供給した。この塩化水素ガスを用いてエピタキシャル成長を行った。
<実施例1>
比較例1のボンベを新たなボンベに交換し、このボンベを収容するボンベ用建屋内の温度を温調装置にて28±1℃に制御することによりボンベを加温した。この状態でボンベ内の液化塩化水素を気化して得られた塩化水素ガスを10kg/時以上の流量でエピタキシャル成長用反応炉に供給した。この塩化水素ガスを用いてウェーハ表面にエピタキシャル成長を行った。
<実施例2>
実施例1のボンベを新たなボンベに交換し、このボンベの下部外面に外付け温調器を取付けてボンベの外面が22℃になるように外付け温調器を構成するラバーヒータをパワー制御し、液状流体を加温し、間接的にボンベを加温した。ボンベ用建屋内の温度を28±1℃に制御した。この状態で実施例1と同様にしてウェーハ表面にエピタキシャル成長を行った。
<実施例3>
実施例2のボンベを新たなボンベに交換し、このボンベの下部外面に外付け温調器を取付けてボンベの外面が22±1℃になるように外付け温調器を構成するヒータをフィードバック制御し、ボンベ用建屋内の温度を23±1℃に制御した。この状態でボンベ内の液化塩化水素を気化して得られた塩化水素ガスを5kg/時以上の流量でエピタキシャル成長用反応炉に供給した。この塩化水素ガスを用いてウェーハ表面にエピタキシャル成長を行った。
実施例1〜3及び比較例1の塩化水素ガスの供給方法によりエピタキシャル成長を行ったウェーハのライフタイムをそれぞれ測定した。ここで、ウェーハのライフタイムの測定は、μ−PCD(microwave photoconductive decay)法を用いたライフタイム測定器にて、ウェーハに取り込まれた汚染量を計測することにより行った。なお、ウェーハ表面へのエピタキシャル成長は、反応炉の温度を1100℃又は1180℃に設定し、エピタキシャル膜を5〜30μmの範囲の厚さに成長させた。
12 液化塩素ガス
13 供給管
14 エピタキシャル成長用反応炉(半導体製造工程)
16 外付け温調器(加温手段)
17 温度センサ
18 水分量センサ
19 コントローラ
Claims (6)
- ボンベに貯留された液化塩化水素を気化し供給管を通って半導体製造工程に供給する塩化水素ガスの供給方法において、
前記ボンベの外面にこのボンベに貯留された液化塩化水素に対向して取付けられ前記ボンベを加温可能な外付け温調器を有し、
コントローラが、前記ボンベの外面温度を検出する温度センサと、前記供給管を通る塩化水素ガス中の水分量を検出する水分量センサとの各検出出力に基づいて前記外付け温調器を制御し、前記ボンベの実際の温度が前記ボンベの目標温度より1℃以上低いとき、前記外付け温調器による加温設定温度を前記目標温度より1〜10℃高く設定し、前記ボンベの実際の温度が前記ボンベの目標温度に近付くに従って前記加温設定温度を次第に低く設定することを特徴とする塩化水素ガスの供給方法。 - 外付け温調器が、ボンベの外面に接触する液状流体と、この流体を加温するヒータを含む部材とを有する請求項1記載の塩化水素ガスの供給方法。
- ボンベに貯留された液化塩化水素を気化し供給管を通って半導体製造工程に供給する塩化水素ガスの供給装置において、
前記ボンベの外面にこのボンベに貯留された液化塩化水素に対向して取付けられ前記ボンベを加温可能な外付け温調器と、
前記ボンベの外面温度を検出する温度センサと、
前記供給管に設けられ前記塩化水素ガス中の水分量を検出する水分量センサと、
前記温度センサ及び水分量センサの各検出出力に基づいて前記外付け温調器を制御するコントローラと
を備えたことを特徴とする塩化水素ガスの供給装置。 - 外付け温調器が、ボンベの外面に接触する液状流体と、この流体を加温するヒータを含む部材とを有する請求項3記載の塩化水素ガスの供給装置。
- 請求項1又は2に記載の方法により供給された塩化水素ガスを用いてエピタキシャル膜の成長を行うエピタキシャル成長方法。
- 請求項3又は4に記載の装置により供給された塩化水素ガスを用いてエピタキシャル膜の成長を行うエピタキシャル成長方法。
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