JP5262250B2 - マイクロ波処理装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態におけるマイクロ波処理装置の構成図である。
し、その出力信号を制御部12に入力させている。
力が最も小さくなる条件で加熱を開始することができ、電力増幅部5a〜5dに備えられた半導体素子が反射電力によって過剰に発熱することを防止でき熱的な破壊を回避することができる。
内でのマイクロ波の伝播状態を時間的に変化させることができるので、被加熱物の局所加熱を解消し、加熱の均一化を図ることも可能である。
3a、3b 電力分配部
4a〜4d 位相可変部
5a〜5d 電力増幅部
6a〜6d 電力検出部
8a〜8d 給電部
9a、9b マイクロ波発生部
10 加熱室
11 被加熱物
12 制御部
Claims (4)
- 発振部と、前記発振部の出力を複数に分配して出力する電力分配部と、前記電力分配部の出力をそれぞれ電力増幅する複数の電力増幅部と、前記複数の電力増幅部の出力をそれぞれ出力する複数の給電部と、前記電力分配部と前記電力増幅部を接続する伝送路に挿入され入出力に任意の位相差を発生させる位相可変部と、前記電力増幅部と前記給電部を接続する伝送路に挿入され前記給電部から反射する電力を検出する電力検出部とを備えマイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、
被加熱物を収容し前記マイクロ波が供給される加熱室と、
前記電力検出部によって検出される反射電力に応じて前記発振部の発振周波数と前記位相可変部の位相量を制御する制御部とを有し、
前記給電部は前記加熱室を構成する1つの壁面に配置するとともに、前記複数の給電部は、隣接する給電部間の間隔が、前記マイクロ波発生部が発生するマイクロ波の略1波長の長さで配置され、
前記制御部は、加熱動作中において前記電力検出部によって検出される反射電力が所定の範囲なるように前記発振部の発振周波数と前記位相可変部の位相量を時々刻々微調整するマイクロ波処理装置。 - 前記マイクロ波発生部を少なくとも2つ有し、第1の前記マイクロ波発生部の前記複数の給電部が、第2の前記マイクロ波発生部の前記複数の給電部と異なる壁面に配置される構成とした請求項1に記載のマイクロ波処理装置。
- 前記複数の給電部が1次元状に配置される構成とした請求項1または2に記載のマイクロ波処理装置。
- 前記複数の給電部が2次元状に配置される構成とした請求項1または2に記載のマイクロ波処理装置。
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