JP5259095B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置に関し、より詳細には配線層間の電気的な接続構造を特徴とする配線基板を用いた半導体装置に関する。
絶縁層を介して配線層を積層して形成する多層配線基板においては、配線層間で配線パターンを電気的に接続する方法として、絶縁層にビア穴を形成し、ビア穴にめっきを施して配線パターンの導通部（ビア）を形成することによって接続する方法がなされている。 図９は、多層配線基板の製造方法の例として、ビルドアップ法によって形成する工程を示す。図９(a)は、下地層１０の表面に配線パターン１２を形成した後、基板の全面を覆うように絶縁層１４を形成した状態である。絶縁層１４は、たとえば、エポキシ樹脂フィルムをラミネートして形成される。次に、層間で配線パターンを電気的に接続する部位に合わせて絶縁層１４にビア穴１４ａを形成し、次いで、基板に無電解銅めっきを施して絶縁層１４の表面にめっきシード層１６を形成する（図９(b)）。
次に、絶縁層１４の表面に、配線パターンとなる部位が露出するようにレジストパターン１８を形成する（図９(c)）。次に、めっきシード層１６をめっき給電層とする電解銅めっきを施し、めっきシード層１６の露出面に銅めっき２０を盛り上げて形成する（図９(d)）。図９(e)は、レジストパターン１８を除去した後、絶縁層１４の表面に露出しているめっきシード層１６の部分を除去し、配線パターン２２を独立パターンとした状態を示す。
ビア穴１４ａに充填された銅めっき２０は下層の配線パターン１２と上層の配線パターン２２とを電気的に接続するビア２０ａとなり、下層の配線パターン１２と上層の配線パターン２２とがビア２０ａを介して電気的に接続された状態になる。
特開２００３−２１８５１６号公報
図９に示す配線基板の製造方法は、絶縁樹脂を積層し、ビア穴を形成した後、セミアディティブ法によって配線パターンを形成する方法を示す。配線パターンの製造方法には、この他にアディティブ法やサブトラクト法といった方法もある。
これらの製造工程において、絶縁層１４にビア穴１４ａを形成する際には、レーザ加工によってビア穴１４ａを形成するが、このレーザ加工によるビア穴１４ａの加工方法は、加工プロセスの負担が大きいという問題がある。レーザ加工機の加工が高価であること、近年の配線基板は配線パターンの配置密度が高くなっているため、絶縁層に形成するビア穴の数がきわめて多いからである。
また、絶縁層にビア穴を形成し、ビアにより層間で配線パターンを電気的に接続する方法の場合は、配線パターンを高密度に配置することが阻害されるという問題がある。ビアを介して配線パターンを接続する場合は、ビアと配線パターンとの接続部分ではビア穴の開口径よりも大径の接続用のパッドを形成する必要があるためで、結果として配線密度を高くすることが制約される。
図１０(a)は、絶縁層１４にビア穴１４ａを形成して下層の配線パターン１２と上層の配線パターンとをビア２１により接続した部位の断面構成を示す。図１０(b)は、ビア穴１４ａと上層の配線パターン２２に形成するパッド２２ａとの平面配置、図１０(c)は、下層の配線パターン１２のビア穴１４ａでのパッド１２ａの平面配置を示す。パッド２２ａをビア穴１４ａよりも大径に形成するのは、加工上のばらつきを考慮して、ビア穴部分での接続信頼性を確保するためである。
このように配線パターンの接続部分に接続用のパッドを形成すると、図１１に示すように、配線パターンの引き回し線２２ｂについては細幅に形成したとしても、引き回し線２２ｂの配置間隔はパッド２２ａの配置によって制約される。図１１(a)は、パッド２２ａを一列に整列させた場合、図１１(b)はパッド２２ａを千鳥配置とした例である。また、パッド２２ａが集中して配置されていない部位では、パッド２２ａと干渉しないように引き回し線２２ｂを迂回させて形成するから配線パターンの長さが長くなる。また、配線の中途に接続用のパッドのように幅広部分があると、配線の電気的特性が劣化するという問題もある。
なお、最近の半導体装置ではフリップチップ接続によって半導体素子を搭載した製品が多用されるようになってきた。これらの製品では、配線基板に半導体素子をフリップチップ接続した後、半導体素子と配線基板との間にアンダーフィル樹脂を充填する操作がなされるが、半導体素子は多ピン化するにしたがって、半導体素子と配線基板との離間間隔が狭くなるから、半導体素子と配線基板との間にアンダーフィル樹脂を充填する操作が困難になっている。
従来の配線基板の半導体素子搭載面は、基板の表面に配線パターンを形成した後、ソルダーレジスト等の保護膜によって基板の表面を被覆し、配線基板に搭載される半導体素子の端子（バンプ）の平面配置に合わせて配線パターンのパッド部を露出させて形成している。このため、配線基板の半導体素子搭載面に形成されたパッド部は、ソルダーレジスト等の保護膜の表面よりも一段、低く形成され、配線基板の半導体素子搭載面には凹凸が形成されている。このため、配線基板に半導体素子をフリップチップ接続した後、アンダーフィルする際のアンダーフィル樹脂の流動性が妨げられ、的確なアンダーフィルがなされない原因となっている。
本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、層間で配線パターンを電気的に接続する際にビア穴を形成する方法によらずに配線パターンを接続することによって、配線パターンを高密度に形成することを可能とし、また、フリップチップ接続によって搭載された半導体素子のアンダーフィルを的確に行うことができる配線基板を用いた半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、樹脂基板に配線パターンが形成された配線基板に、半導体素子が実装された半導体装置であって、前記樹脂基板の表面に、前記配線パターンと絶縁樹脂からなる突部とが形成され、前記突部は、頂部が平坦面に形成され、側面が傾斜面に形成され、前記傾斜面上を通過して前記突部の頂部上に前記配線パターンが延出して形成され、前記配線パターンを被覆して前記樹脂基板の表面に絶縁層が形成され、前記突部の頂部上の前記配線パターンが、前記絶縁層から露出して接続パッドとして形成され、前記接続パッドが、前記半導体素子の接続バンプに位置合わせして形成され、前記接続パッドの表面が前記絶縁層の表面と均一高さであり、前記半導体素子が前記接続バンプにより前記接続パッドと電気的に接続して実装され、前記半導体素子と前記配線基板との間にアンダーフィル樹脂が充填されていることを特徴とする。
あるいは、樹脂基板に配線パターンが形成された配線基板に、半導体素子が実装された半導体装置であって、前記樹脂基板の表面に、前記配線パターンと絶縁樹脂からなる突部とが形成され、前記突部は、頂部が平坦面に形成され、側面が傾斜面に形成され、前記傾斜面上を通過して前記突部の頂部上に前記配線パターンが延出して形成され、前記配線パターンを被覆して前記樹脂基板の表面に絶縁層が形成され、前記突部の頂部上の前記配線パターンが、前記絶縁層から露出して接続パッドとして形成され、前記接続パッドが、前記半導体素子の接続バンプに位置合わせして形成され、前記接続パッドの表面が前記絶縁層の表面よりも低く、前記接続パッドの表面と前記絶縁層の表面との段差が５μｍ以下であり、前記半導体素子が前記接続バンプにより前記接続パッドと電気的に接続して実装され、前記半導体素子と前記配線基板との間にアンダーフィル樹脂が充填されていることを特徴とする。
このように、前記突部は、頂部が平坦面に形成されていることにより、下層の配線パターンと上層の配線パターンとを容易に接続することができる。
また、前記突部は、側面が傾斜面に形成され、前記配線パターンは該傾斜面上を通過して前記接続部に接続されていることにより、配線パターンと接続部との電気的接続性を確実に確保することができる。
本発明に係る半導体装置によれば、はんだバンプ等の接続端子によって半導体素子を配線基板に確実に実装でき、半導体装置の製造を容易にし、信頼性の高い半導体装置として提供することができる。
以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面とともに詳細に説明する。
（配線基板の製造方法）
図１〜３は配線基板の製造方法の製造工程例として、コア基板３０に配線パターンを形成する工程を示す、図は各工程での基板の断面図を示す。
図１(a)は、配線パターンを形成するコア基板３０を示す。コア基板３０としては、たとえばガラスエポキシ等からなる樹脂基板が使用できる。通常、コア基板３０は複数の配線層を備え、これらを電気的に導通するためめっきスルーホールが形成される。図ではこれらの構成を省略している。
図１(b)は、コア基板３０の表面に突部３２を形成した状態を示す。この突部３２は層間で配線パターンを電気的に接続する平面配置位置に合わせ、コア基板３０の表面に形成する配線パターンの厚さよりも高くなるように形成する。
図２に、コア基板３０の表面に突部３２を形成した状態の平面図（図１(b)は、図２のＡ−Ａ線断面図）を示す。本実施形態では、突部３２は平面形状が長方形に、側面３２ａが傾斜面に、頂部３２ｂが平坦面に形成される。配線パターンは側面３２ａと頂部３２ｂ上まで配線を延出させるようにして形成するから、突部３２の幅は配線パターンのパターン幅よりも僅かに広く形成する。
本実施形態の配線基板の製造工程では、コア基板３０の表面に突部３２を形成する工程が特徴的である。実際の製造工程では、大判に形成されたコア基板３０（ワーク）の表面に突部３２を形成する（本実施形態では断面台形状）。
突部３２を形成する方法としては、ペースト状の樹脂を使用してスクリーン印刷等の印刷方法によって形成する方法、剥離シート上に所定配置に形成した樹脂をコア基板３０に転写して形成する方法、インクジェットによりコア基板３０上に樹脂を吹き付けて形成する方法、樹脂をディスペンスして形成する方法等が利用できる。印刷方法や転写方法による場合は、大判のワークに効率的に突部３２を形成することができて有効である。
また、インプリント方法によりコア基板３０の表面に突部３２を盛り上げるようにして形成することもできる。ここで使用するインプリント型は、突部３２を形成する部位を凹部に形成したもので、コア基板３０の表面をドライフィルム等の樹脂フィルムにより被覆し、インプリント型をコア基板３０の表面に押圧することによって、コア基板３０の表面を塑性変形させて突部３２を形成することができる。
また、コア基板３０の表面をドライフィルム等の樹脂フィルムにより被覆した後、サンドブラスト法により突部３２を残すように加工する方法によることもできる。
また、コア基板３０の表面を感光性樹脂フィルムにより被覆し、所定パターンに露光し、現像して突部３２を残すようにすることもできる。
なお、これらのコア基板３０に突部３２を形成する方法は、単層構造の配線基板に限らず、多層に配線パターンを形成する多層配線基板を形成する際に、下地となる絶縁層の上に突部を形成する場合にもまったく同様に適用することができる。
配線パターンの厚さは１５μｍ程度であり、コア基板３０の表面に形成する突部３２は２０〜３０μｍ程度の高さに形成すれば良いから、印刷法、転写法、インプリント方法、サンドブラスト法、フォトプロセス等によって簡単に形成することができる。
図１(c)は、コア基板３０の表面に突部３２を形成した後、ワークの表面にめっきシード層３４を形成した状態を示す。めっきシード層はワークの表面に無電解銅めっきを施す方法や、スパッタリング法等によって形成する。めっきシード層は電解めっきの際の給電層として使用するもので、めっき給電に必要な厚さに形成すればよい。
図１(d)は、次に、コア基板３０の表面に形成する配線パターンのパターン形状にしたがってワークの表面にレジストパターン３６を形成した状態を示す。レジストパターン３６はワークの表面にレジストフィルムを被着し、露光および現像によりめっきシード層３４上で、配線パターンとなる部位が露出するようにパターン形成する。
図２(b)に、コア基板３０の表面にレジストパターン３６を形成した状態の平面図を示す。ワークの表面のうち、配線パターンが形成される部位がめっきシード層３４が底面に露出する露出穴３６ａに形成される。露出穴３６ａは、コア基板３０の表面から突部３２の側面３２ａおよび頂部３２ｂにかけて連通（連続）するように形成される。
図１(e)は、めっきシード層３４をめっき給電層とする電解銅めっきをワークに施し、露出穴３６ａ内のめっきシード層３４の表面に銅めっき３８を形成した状態を示す。
電解銅めっきを施した後、レジストパターン３６を除去し（図１(f)）、次いで、めっきシード層３４のワークの表面に露出している部位を除去する（図１（ｇ））。めっきシード層３４は銅めっき３８にくらべてはるかに薄いから、レジスト等によって銅めっき３８が被着されている部位を被覆したりすることなく、銅のエッチング液を使用してめっきシード層３４の露出部分を選択的に除去することができる。めっきシード層３４の露出部分を除去することにより、コア基板３０上に配線パターン４０が独立したパターンとして残る。
図２(c)は、コア基板３０上に配線パターン４０が形成された状態の平面図を示す。配線パターン４０は、コア基板３０の表面に被着されている部位４０ａと、突部３２の側面に被着されている導通部４０ｂと、突部３２の頂部３２ｂに被着された接続部４０ｃとからなる。すなわち、配線パターン４０はコア基板３０の表面に被着された引き回し部分から突部３２の頂部３２ｂの上まで配線を延出して形成され、配線パターン４０の接続部４０ｃはコア基板３０の表面から一段高い位置に支持される。
図３は、配線パターン４０が形成されたコア基板３０の表面を絶縁層６０により被覆し、絶縁層６０の表面に第２層目の配線パターンを形成するまでの工程を示す。
図３(a)は、コア基板３０の表面に形成された配線パターン４０を、突部３２の頂部３２ｂに被着された接続部４０ｃまで埋没させるように絶縁層６０を形成した状態を示す。絶縁層６０は、ワークの表面に絶縁フィルムをラミネートする方法、ワークの表面に絶縁材をコーティングする方法によって形成することができる。
図３(b)は、突部３２の頂部３２ｂに被着する配線パターン４０の接続部４０ｃの表面を絶縁層６０から露出させた状態を示す。突部３２の頂部３２ｂに被着する接続部４０ｃを絶縁層６０から露出させる方法としては、ワークにドライエッチングを施す方法、ワークの表面を研磨する方法、砥粒を吹き付けて所要部位を除去するサンドブラストによる方法等が利用できる。また、レーザ加工によって突部３２の頂部３２ｂを被覆する絶縁樹脂を除去して、配線パターン４０の接続部４０ｃを露出させることもできる。また、絶縁層６０を形成する絶縁樹脂が感光性の樹脂材からなる場合には、露光および現像操作により、突部３２の頂部３２ｂを被覆している絶縁樹脂を除去して接続部４０ｃの表面を露出させることができる。
次に、絶縁層６０の表面に、第２層目の配線パターンと第３層目の配線パターンとを電気的に接続する平面配置位置に合わせて突部４２を形成し、ワークの表面の全面にめっきシード層４４を形成する（図３(c)）。突部４２は前述したコア基板３０の上に突部３２を形成する方法と同様にして形成できる。
次いで、絶縁層６０の表面に形成する配線パターンの配置にしたがってレジストパターン４６を形成する（図３(d)）。図３(e)は、めっきシード層４４をめっき給電層として電解銅めっきを施し、めっきシード層４４の露出面上に銅めっき４８を盛り上げて形成した状態である。
図３(f)は、レジストパターン４６を除去し、めっきシード層４４の露出部分をエッチングして、第２層目の配線パターン５０を形成した状態を示す。
第１層目の配線パターン４０と第２層目の配線パターン５０とは、突部３２に形成された配線パターン４０の接続部４０ｃが配線パターン５０に接することから電気的に接続され、絶縁層６０を介して第１層目の配線パターン４０と第２の配線パターン５０とが積層して形成される。
図４は、第２層目の配線パターン５０を形成した後、ワークの表面に絶縁層６２を被着形成した後、絶縁層６２の表面に第３層目の配線パターン５２を形成した状態を示す。突部４２の頂部に被着する配線パターン５０の接続部５０ｃの表面を絶縁層６２の表面に露出させ、第３層目の配線パターン５２が接続部５０ｃを介して、配線パターン５０と電気的に接続されている。
図４に示す配線基板では、コア基板３０の表面と絶縁層６０の表面に突部３２、４２を形成し、突部３２、４２の頂部３２ｂ、４２ｂまで配線を延出させる形態に配線パターン４０、５０を形成したことにより、接続部４０ｃと接続部５０ｃとによって隣接層の配線パターン４０、５０、５２が電気的に接続されている。
突部３２、４２をコア基板３０、絶縁層６０の表面から一段高く形成し、突部３２、４２を形成した位置で上層の配線パターン５０、５２と接続する構成は、突部３２、４２に形成した接続部４０ｃ、５０ｃと導通部４０ｂ、５０ｂが、層間で配線パターンを電気的に接続するビアとして機能することを示す。
図５(b)は、図５(a)の配線基板の構成において、突部３２における第１層目の配線パターン４０と第２層目の配線パターン５１との平面配置を示す。第１層目の配線パターン４０と第２層目の配線パターン５１とは、突部３２の頂部３２ｂ上で配線パターンが重複する配置とすることにより電気的に接続される。配線パターン５１は突部３２の頂部３２ｂ上で露出する接続部４０ｃに位置合わせするようにパターン形成すればよい。
本実施形態の製造方法では、下層の配線パターンと上層の配線パターンのパターン幅を利用して、互いに重複、交差するように配置することによって電気的に接続することができる。
図６は、突部３２を介して下層の配線パターン４０と上層の配線パターン５１とを接続する接続形態のいくつかの例を示す。図６(a)は、突部３２の頂部から斜め方向に配線パターン５１を引き出すように形成した例である。図６(b)は、突部３２の頂部を横断するように下層の配線パターン４０を形成し、突部３２の頂部から直角方向に上層の配線パターン５１を配置した例である。図６(c)は、一つの突部３２に下層の配線パターン４０を３本接続し、これらの配線パターン４０を１本の配線パターン５１に接続した例である。図６(d)は、下層の２本の配線パターン４０を突部３２で３本の上層の配線パターン５１に接続した例である。図６(e)は、突部３２を平面形状が円形に形成したもの、図６(f)は突部３２を平面形状が楕円形に形成したものである。
図６に示すように、突部３２は矩形状に限らず円形、楕円形等の適宜平面形状に、また、適宜大きさに形成することができる。
また、突部３２では導通部４０ｂを形成する部位を傾斜面に形成したが、突部３２の側面は必ずしも傾斜面でなければならないものではない。配線パターン４０の他端側と接続部４０ｃとが電気的に接続される形態であれば突部３２の側面の形状も限定されるものではない。
突部３２の頂部３２ｂを平坦面としているのは、突部３２の頂部３２ｂで配線パターンと接続する面積を確保するためである。突部３２の頂部で複数本の配線パターンを接続するとった場合には、突部３２の頂部の形態および大きさを適宜設計する。
図６に示すように、突部３２において配線パターンを接続する部位においては、従来のビア穴を使用して接続する形態の場合のように、ビア接続用のパッドを形成する必要がなく、したがって高密度に配線パターンを形成することができる。また、配線の中途にビア接続用のパッドのような幅広部分を形成する必要がないから、配線の電気的特性を改善することができる。また、ビアパッドと干渉しないように配線パターンを迂回させて配置するといった必要がなく、配線長を短縮することができ、基板の小型化も可能となり、電気的特性の優れた配線基板として提供することが可能となる。
なお、上記製造工程においては、セミアディティブ法によって配線パターン４０、５０を形成する例を示したが、セミアディティブ法以外の方法によって製造することも可能である。図７は、サブトラクト法によって配線基板を製造する工程例を示す。
まず、コア基板３０の表面に突部３２を形成する（図７(a)、(b)）。次いで、ワークの表面にめっきシード層３４を形成し、めっきシード層３４をめっき給電層とする電解銅めっきを施し、めっきシード層３４の表面に銅めっき３５を被着形成する（図７(c)）。次に、配線パターン４０となる部位を被覆するようにレジストパターン３７を形成し（図７(d)）、レジストパターン３７をマスクとして銅めっき３５とめっきシード層３４をエッチングすることにより、コア基板３０上に配線パターン４０を形成する。配線パターン４０の端部が突部３２の頂部上に延出して形成され、上層の配線パターンと電気的に接続される接続部４０ｃとなる（図７(e)）。
単層の配線パターンを備える配線基板の場合は、図７(e)に示す状態からワークの表面を樹脂フィルムにより被覆し、あるいは樹脂コーティングすることによりワークの表面を絶縁層６０によって被覆した後、ドライエッチング法、研磨法、サンドブラスト法によって絶縁層６０の表面に突部３２の頂部上に被着された接続部４０ｃの表面を露出させた状態を示す（図７(f)）。図のように、本実施形態の配線基板は、基板の表面を被覆する絶縁層６０の表面と接続部４０ｃの表面とを均一面に形成することが特徴である。配線基板に配線パターンを多層に形成した場合も、配線基板の表面層の接続部４０ｃについては絶縁層６０の表面と均一面に形成できる。
本発明に係る配線基板は、コア基板３０あるいは絶縁層６０の表面に突部３２、４２を形成して層間で配線パターンを電気的に接続して形成される。これらの突部３２、４２は印刷法、転写法等によって一括して形成できるから、従来のようにレーザ加工によって一つ一つビア穴を形成する方法とくらべて製造工程が簡易であり、量産性にすぐれるという利点がある。
また、本発明方法によれば、ビア穴にめっきを施す工程が不要となり、突部３２の上に配線パターンを形成する場合も、従来の配線パターンを形成する工程がそのまま利用できるという利点がある。
（半導体装置）
配線基板は図７(f)に示すように、配線パターン４０を単層として形成することもできるし、図４に示すように絶縁層６０、６２を介して配線パターン４０、５０、５２を積層した構成とすることもできる。これらの配線基板に、半導体素子あるいは所要の回路部品を搭載して半導体装置が提供される。
図８は、本発明に係る配線基板を使用した半導体装置の一例で、単層の配線パターン４０を形成した配線基板に半導体素子を搭載した半導体装置の例を示す。図８(a)は、配線基板に半導体素子７０をフリップチップ接続によって搭載した例、図８(b)は、半導体素子７１をワイヤボンディング接続によって搭載した例を示す。
本実施形態の半導体装置に用いている配線基板は、基板３１の表面に配線パターン４０を形成するとともに、基板３１の表面に形成した突部３２の頂部３２ｂ上まで配線パターン４０を延出させて接続部４０ｃとし、基板３１の配線パターン４０を形成した面を絶縁層６０により被覆し、絶縁層６０の表面と均一面に接続部４０ｃの表面が露出するように形成されている。
図８(a)では、配線基板の絶縁層６０の表面に露出する接続部４０ｃが半導体素子７０の接続電極（接続バンプ）と平面配置位置を一致させて形成され、図８(b)では、配線基板の絶縁層６０の表面に露出する接続部４０ｃが半導体素子７１とワイヤボンディング接続によって接続されるボンディングパッドとして形成されている。図８(b)に示す配線基板では、半導体素子７１を搭載する領域を確保して、その周囲に接続部４０ｃが配置される。
本実施形態の半導体装置においては、半導体素子７０、７１を搭載する配線基板の半導体素子７０、７１の搭載面が平坦面に形成されるから、半導体素子７０、７１を確実に搭載することができるという利点がある。
半導体素子をフリップチップ接続によって実装する際に、接続部４０ｃが平坦なパッドとして形成され半導体素子の実装面が平坦面に形成されていることは、ピン数がとくに多い半導体素子を搭載するような場合に、半導体素子の接続電極をパッドに正確に接合することができ、半導体素子の実装信頼性を高めることができるという利点がある。
また、半導体素子をフリップチップ接続した後、アンダーフィルする場合に、配線基板の実装面が平坦面になっていると、アンダーフィル樹脂の流れ性が良好になり、ボイドを生じさせないようにしてアンダーフィル樹脂を充填することができ、アンダーフィル樹脂の充填性を向上させることができる。多ピンの半導体素子はバンプ径が小さくなるから、フリップチップ接続した際の半導体素子と配線基板との離間間隔がより狭くなる。配線基板のパッドが形成された実装面を平坦面に形成してアンダーフィル樹脂の充填性（流れ性）を向上させる方法は、多ピンの半導体素子を搭載するような場合にとくに有効となる。
なお、配線基板の半導体素子の実装面におけるアンダーフィル樹脂の流動性を考慮すると、配線基板の実装面でパッドとなる接続部４０ｃの表面が絶縁層６０の表面よりも突出していることは好ましくなく、接続部４０ｃの表面は絶縁層６０の表面よりも低位となっているのがよい。この場合も、アンダーフィル樹脂の流動性（充填性）を考慮すると、接続部４０ｃの表面と絶縁層６０の表面との段差は５μｍ程度以下であることが望ましい。
また、配線基板に形成する突部３２を柔軟性のある素材によって形成すると、半導体素子７０、７１と基板３１との熱膨張係数差によって生じる熱応力を突部３２によって緩和することができ、熱応力によって半導体素子が損傷されないようにすることもできる。
なお、上記実施形態では、配線基板に半導体素子を搭載した例を示したが、半導体素子のかわりにあらかじめパッケージングされた半導体装置、たとえばＣＳＰ（チップサイズパッケージ）、ＢＧＡ（Ball Grid Array)、ＭＣＭ（マルチチップモジュール）を上記配線基板に搭載することも可能である。この場合は、半導体素子が搭載された半導体装置と配線基板の接続部４０ｃとを、はんだボール等の接続端子を介して接合して実装することができる。
本発明に係る配線基板の製造工程における基板の断面図である。 コア基板に形成される突部と配線パターンの平面図である。 本発明に係る配線基板の製造工程における基板の断面図である。 配線パターンを複数層に積層して形成した配線基板の断面図である。 突部における配線パターンの断面図と平面図である。 突部における配線パターンの平面接続形態を示す説明図である。 配線基板の他の製造工程における基板の断面図である。 本発明に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。 従来の配線基板の製造方法を示す説明図である。 従来の配線基板におけるビアの接続部分の構成を示す説明図である。 配線パターンのパッドと配線との配置例を示す説明図である。
符号の説明
３０ コア基板
３１ 基板
３２、４２ 突部
３２ｂ、４２ｂ 頂部
３４、４４ めっきシード層
３５、３８、４８ 銅めっき
３６、３７、４６ レジストパターン
４０、５０、５１、５２ 配線パターン
４０ｂ、５０ｂ 導通部
４０ｃ、５０ｃ 接続部
６０、６２ 絶縁層
７０、７１ 半導体素子

Claims (2)

  1. 樹脂基板に配線パターンが形成された配線基板に、半導体素子が実装された半導体装置であって、
    前記樹脂基板の表面に、前記配線パターンと絶縁樹脂からなる突部とが形成され、
    前記突部は、頂部が平坦面に形成され、側面が傾斜面に形成され、
    前記傾斜面上を通過して前記突部の頂部上に前記配線パターンが延出して形成され、
    前記配線パターンを被覆して前記樹脂基板の表面に絶縁層が形成され、
    前記突部の頂部上の前記配線パターンが、前記絶縁層から露出して接続パッドとして形成され、
    前記接続パッドが、前記半導体素子の接続バンプに位置合わせして形成され、
    前記接続パッドの表面が前記絶縁層の表面と均一高さであり、
    前記半導体素子が前記接続バンプにより前記接続パッドと電気的に接続して実装され、前記半導体素子と前記配線基板との間にアンダーフィル樹脂が充填されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 樹脂基板に配線パターンが形成された配線基板に、半導体素子が実装された半導体装置であって、
    前記樹脂基板の表面に、前記配線パターンと絶縁樹脂からなる突部とが形成され、
    前記突部は、頂部が平坦面に形成され、側面が傾斜面に形成され、
    前記傾斜面上を通過して前記突部の頂部上に前記配線パターンが延出して形成され、
    前記配線パターンを被覆して前記樹脂基板の表面に絶縁層が形成され、
    前記突部の頂部上の前記配線パターンが、前記絶縁層から露出して接続パッドとして形成され、
    前記接続パッドが、前記半導体素子の接続バンプに位置合わせして形成され、
    前記接続パッドの表面が前記絶縁層の表面よりも低く、前記接続パッドの表面と前記絶縁層の表面との段差が５μｍ以下であり、
    前記半導体素子が前記接続バンプにより前記接続パッドと電気的に接続して実装され、前記半導体素子と前記配線基板との間にアンダーフィル樹脂が充填されていることを特徴とする半導体装置。
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