JP5252491B2 - 多層微細配線構造 - Google Patents
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Description
次に、リフトオフ法によりレジストパターン2Bを除去する。
この断面図は、基板の端における層構造を示しており、下のグランド層3から上のグランド層3Aまでビア6,6A,6Bを順次接続して、更にこのような構造を横方向に広げて多数設けることで、シールド効果を持たせるようにしたものである。図8(b)は、(a)の基板端のビアパターンを溝パターン10にして、シールド壁を形成した例である。
2〜2C レジストパターン
3,3A グランド層
4〜4D 感光性有機材料層
5〜5B ビアホール
6〜6B ビア
7,7A 信号線
8,7A バンプホール
9,9A バンプ
10 シールド壁
Claims (1)
- 情報処理用デジタル集積回路チップ内における多層配線構造、あるいはチップを搭載した実装系内における多層配線構造であって、
ブロック共重合法により合成される、イミド結合を有する有機高分子を基本材料として、さらにジアゾナフトキノン系感光剤を添加して、調製されたポジ型感光性ポリイミドによって、フォトリソグラフィによりビア穴が形成された絶縁層と、
前記絶縁層を介して積層され、デュアルストリップ線路の信号線を形成する配線層と、
前記絶縁層を介して前記配線層の上側及び下側に形成されたグランド層と、
前記グランド層と同層に形成され、前記グランド層と絶縁されると共に、前記デュアルストリップ線路の各信号線に接続される複数の電極と、
前記上下のグランド層が接続されて形成されるシールド壁と、を備え、
前記絶縁層には、前記デュアルストリップ線路から前記電極を引き出すための前記ビア穴と、前記シールド壁を形成するための溝パターンの前記ビア穴とが形成され、
前記デュアルストリップ線路から前記電極を引き出すための前記ビア穴に形成されたビアによって、前記電極が前記デュアルストリップ線路の信号線に接続され、
前記シールド壁を形成するための溝パターンの前記ビア穴に形成されたビアによって、前記上下のグランド層が接続されてシールド壁が形成され、かつ前記シールド壁は、前記デュアルストリップ線路を挟むように基板端に配置されていることを特徴とする多層配線構造。
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