JP5245220B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
Ids=(1/2)・μ(W/L)Cox(Vgs−Vth)2 ……(1)
ここで、Vthは駆動TFT202の閾値電圧、μはキャリアの移動度、Wはチャネル幅、Lはチャネル長、Coxは単位面積当たりのゲート容量、Vgsはゲート・ソース間電圧である。
ΔVs=ΔVg×{Ccs/(Coled+Ccs)} ……(2)
となる。
図1に示すように、本実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置は、画素の発光素子として、デバイス流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機EL素子31を用い、当該有機EL素子31を含む画素回路(画素)11がマトリクス状(行列状)に2次元配置されてなる画素アレイ部12を有している。ここでは、図面の簡略化のために、ある1つの画素回路11についてその具体的な回路構成を示している。
画素回路11は、有機EL素子31に加えて、駆動トランジスタ32、書き込みトランジスタ33、スイッチングトランジスタ34〜36および保持容量37を構成素子として有する回路構成となっている。
続いて、上記構成の画素回路11をマトリクス状に2次元配置してなるアクティブマトリクス型有機EL表示装置の回路動作について、図3のタイミング波形図を用いて説明する。
次に、時刻t4で第二補正用走査信号AZ2が“H”レベルから“L”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ36が非導通状態となり、その後、時刻t5で駆動信号DSが“H”レベルから“L”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ34が導通状態となることにより、駆動トランジスタ32にはそのゲート−ソース間の電位差Vgsに応じた電流が流れる。
その後、時刻t8で書き込み信号WSが“L”レベルから“H”レベルに遷移することで、書き込みトランジスタ33によって入力信号電圧Vsigがサンプリングされ、画素内に書き込まれるために、駆動トランジスタ32のゲート電位Vgが入力信号電圧Vsigになる。この入力信号電圧Vsigは保持容量37に保持される。
その後、書き込みトランジスタ33が導通したまま、時刻t9で駆動信号DSが“H”レベルから“L”レベルに遷移し、スイッチングトランジスタ34が導通状態になることで、電源電位VDDから駆動トランジスタ32への電流供給が開始される。なお、時刻t8から時刻t9までの期間が1水平期間(1H)となる。ここで、Vini1−Vth<Vthelと設定しておくことにより、有機EL素子31が逆バイアス状態におかれる。
時刻t10で書き込み信号WSが“L”レベルになり、書き込みトランジスタ33が非導通状態になることで、移動度補正期間Tが終了し、発光期間に入る。この発光期間では駆動トランジスタ32のソース電位Vsは、有機EL素子31の駆動電圧まで上昇する。ソース電位Vsの上昇により、駆動トランジスタ32のゲートがデータ線17から切り離されてフローティング状態にあるために、保持容量37を介してゲート電位Vgも上昇する。
ΔVg=ΔVs×{Ccs/(Ccs+Cg)} ……(3)
その間、保持容量37に保持されたゲート−ソース間電位差Vgsは、Vsig−ΔVs+Vthの値を維持する。
Ids=kμ(Vgs−Vth)2
=kμ(Vsig−ΔV)2 ……(4)
上記の式(4)において、k=(1/2)(W/L)Coxである。
Claims (3)
- 発光色毎に膜厚が異なる電気光学素子と、前記電気光学素子に対して直列に接続され、当該電気光学素子を駆動する駆動トランジスタと、入力信号電圧をサンプリングして画素内に書き込む書き込みトランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間に接続され、前記書き込みトランジスタによって書き込まれた前記入力信号電圧を保持する保持容量とを有する画素が、前記電気光学素子の発光色が異なる複数色を単位として配置されて成り、
前記保持容量は、発光色が異なる画素間で容量値が異なり、当該発光色が異なる画素間における保持容量の容量比が、前記電気光学素子の膜厚比が大きい発光色に対応する画素ほど小さい表示装置。 - 前記保持容量の容量値は、発光色が異なる画素間の容量比が前記複数色をそれぞれ発光する各発光色に対応した前記電気光学素子の容量比と同じになるように決定される請求項1に記載の表示装置。
- 前記保持容量は、一端が前記駆動トランジスタのゲートに接続され、他端が電気光学素子のアノード電極に接続されており、
前記保持容量の容量値は、当該容量値と前記駆動トランジスタのゲート−ソース間電位差との関係において、当該ゲート−ソース間電位差を最も確保できる値に決定される請求項2に記載の表示装置。
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